JPH09260546A - セラミックス回路基板とそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板等の
非酸化物系セラミックス基板を用いた回路基板におい
て、接合後の冷却過程や冷熱サイクルが印加された際に
ＧａＡｓ半導体素子に作用する引張り応力を緩和するこ
とによって、ＧａＡｓ半導体素子の接合搭載性および信
頼性を高める。 【解決手段】 窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板
等の非酸化物系セラミックス基板１上に、銅系回路板２
をＤＢＣ法や活性金属法で接合したセラミックス回路基
板３である。銅系回路板はその外周縁部近傍領域Ａを除
く内側領域Ｂに、非酸化物系セラミックス基板１に対し
て溝４等により形成された非接合部分を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ半導体素
子の搭載用として好適なセラミックス回路基板、および
それを用いて構成した半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体素子を搭載するための
基板としては、セラミックス基板や樹脂基板等の種々の
基板が用いられているが、優れた絶縁性や放熱性等を有
することから、高発熱性半導体素子等を搭載する回路基
板としてはセラミックス基板が多用されている。このよ
うなセラミックス基板には、従来、アルミナ焼結体が主
として用いられてきたが、最近の半導体素子の高集積
化、高周波化、高出力化等に伴って、半導体素子からの
発生熱量は年々増加する傾向にあるため、アルミナ基板
では放熱性の点で限界が生じている。

【０００３】そこで、アルミナに比べて熱伝導率が約10
倍程度高く、さらに熱膨張率がＳｉに近似する窒化アル
ミニウム焼結体からなるセラミックス基板の使用が検討
され、一部実用化されている。また、窒化アルミニウム
基板より熱伝導率は劣るものの、熱膨張率がＳｉに近似
すると共に、機械的強度や靭性に優れる窒化ケイ素焼結
体からなるセラミックス基板も注目されている。窒化ケ
イ素基板においても、焼結体原料となる窒化ケイ素粉末
の粒径や焼結助剤組成等を制御することによって、例え
ば40W/m K 以上の熱伝導率が実現されるようになってき
ている。

【０００４】上述した窒化アルミニウム基板や窒化ケイ
素基板等の非酸化物系セラミックス基板を回路基板とし
て利用する場合、表面に金属層を形成することが不可欠
である。このような金属層の形成方法としては種々知ら
れているが、パワートランジスタ等の比較的高電力を扱
う半導体素子の搭載用基板等として用いる場合には、セ
ラミックス基板と銅板等とを接合する方法を適用するこ
とが一般的である。この接合方法としては、セラミック
ス基板と銅板とを加熱処理により直接接合させるＤＢＣ
法（ダイレクト・ボンディング・カッパー法）や、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の活性金属を含有する活性金属
ろう材を用いてセラミックス基板と銅板等とを接合する
方法（活性金属法）が知られている。

【０００５】ところで、近年の移動体通信の発達等に伴
って、高速デジタル通信の送受信素子や変調素子等とし
て有効なＧａＡｓ半導体素子の利用頻度が高まってい
る。このため、上述したような窒化アルミニウム基板や
窒化ケイ素基板等の非酸化物系セラミックス基板上に金
属板を接合した回路基板においても、ＧａＡｓ半導体素
子への対応が求められている。

【０００６】例えば、ＧａＡｓはパワーデバイスや高周
波デバイス等として用いられることが多く、発熱量も大
きくなる。このようなＧａＡｓ半導体素子の高発熱性に
対しては、窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板は熱
伝導率が大きいことから有効である。しかし、窒化アル
ミニウム基板や窒化ケイ素基板は、上述したようにＳｉ
とは熱膨張率が近似するものの、ＧａＡｓはＳｉに比べ
て熱膨張率が大きいために、以下に示すような問題が発
生している。

【０００７】すなわち、上述した窒化アルミニウム基板
や窒化ケイ素基板を用いた回路基板上に、ＧａＡｓ半導
体素子をＡｕ−Ｓｎ半田やＰｂ−Ｓｎ高温半田等で接合
搭載すると、ＧａＡｓと窒化アルミニウム基板や窒化ケ
イ素基板との熱膨張差に起因して、半田接合後の冷却過
程で、あるいは実使用条件下で冷熱サイクルが印加され
た際に、ＧａＡｓ半導体素子に引張りの熱応力が加わ
り、この引張り応力にＧａＡｓ半導体素子が耐えきれず
に割れが生じたり、また割れが生じないまでもＧａＡｓ
半導体素子の信頼性が低下するという問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、窒化
アルミニウム基板や窒化ケイ素基板を用いたセラミック
ス回路基板は、Ｓｉに対しては熱膨張率が近似する等の
理由から良好に対応し得るものの、ＧａＡｓはＳｉに比
べて熱膨張率が大きいため、窒化アルミニウム基板や窒
化ケイ素基板とＧａＡｓとの熱膨張差に起因して、接合
後の冷却過程や冷熱サイクルが印加された際にＧａＡｓ
半導体素子に引張り応力が加わって割れが生じたり、あ
るいはＧａＡｓ半導体素子の信頼性が低下するという問
題がある。このようなことから、窒化アルミニウム基板
や窒化ケイ素基板等の非酸化物系セラミックス基板を用
いた回路基板においては、接合後の冷却過程や冷熱サイ
クルが印加された際にＧａＡｓ半導体素子に作用する引
張り応力を緩和することによって、ＧａＡｓ半導体素子
の接合搭載性および信頼性を高めることが課題とされて
いる。

【０００９】本発明は、このような課題に対処してなさ
れたもので、窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板等
の非酸化物系セラミックス基板とＧａＡｓ半導体素子等
との熱膨張差を緩和することによって、ＧａＡｓ半導体
素子等の接合信頼性を高めることを可能にしたセラミッ
クス回路基板、およびそれを用いた信頼性に優れる半導
体装置を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス回
路基板は、非酸化物系セラミックス基板と、前記非酸化
物系セラミックス基板上に接合された銅系回路板とを具
備するセラミックス回路基板において、前記銅系回路板
は、その外周縁部近傍を除く内側領域に、前記非酸化物
系セラミックス基板に対して非接合部分を有しているこ
とを特徴としている。

【００１１】また、本発明の半導体装置は、上記本発明
のセラミックス回路基板と、前記セラミックス回路基板
における前記銅系回路板の前記非接合部分を有する内側
領域上に接合搭載されたＧａＡｓ半導体素子とを具備す
ることを特徴としている。

【００１２】本発明においては、銅系回路板の外周縁部
近傍を除く内側領域に、非酸化物系セラミックス基板に
対して非接合部分が設けられている。この非接合部分
は、銅系回路板の非酸化物系セラミックス基板による接
合面の拘束力を緩和するため、セラミックス回路基板の
見掛け上の熱膨張率が大きくなり、銅の熱膨張率に近付
くことになる。これによって、セラミックス回路基板と
ＧａＡｓ半導体素子等との熱膨張差が小さくなるため、
ＧａＡｓ半導体素子等の接合後の冷却過程や冷熱サイク
ルの付加等に基く熱応力を低減することができ、これに
よりＧａＡｓ半導体素子等の割れや信頼性の低下を有効
に防止することが可能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００１４】図１は、本発明のセラミックス回路基板の
一実施形態を示す図であり、（ａ）はその平面図、
（ｂ）はそのＸ−Ｘ線に沿った断面図である。同図にお
いて、１は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする
焼結体や窒化ケイ素（Ｓｉ₃ Ｎ₄）を主成分とする焼結
体等からなる非酸化物系セラミックス基板である。この
非酸化物系セラミックス基板１の表面１ａには銅系回路
板２が接合されており、これらによりセラミックス回路
基板３が構成されている。なお、必要に応じて非酸化物
系セラミックス基板１の裏面１ｂにも、同様な銅系回路
板が接合される。

【００１５】ここで、上記非酸化物系セラミックス基板
１として用いられる窒化アルミニウム焼結体としては、
一般に基板材料として使用されている熱伝導率が100W/m
K以上のものが好ましい。また、窒化ケイ素焼結体とし
ては、特に50W/m K 以上の熱伝導率を有するものが好ま
しく用いられる。窒化ケイ素焼結体は、高強度・高靭性
のセラミックス焼結体としてよく知られており、さらに
例えば焼結体原料となる窒化ケイ素粉末の微粒子化、高
純度化、焼結助剤組成等の組成制御等を行うことによっ
て、本来の高強度・高靭性という機械的特性を損うこと
なく、熱伝導率が50W/m K 以上というように、比較的熱
伝導性に優れた窒化ケイ素焼結体を得ることができる。
なお、非酸化物系セラミックス基板１は必要に応じて、
その表面に酸化物層を形成した後に用いる。

【００１６】銅系回路板２には銅板や銅合金板を用いる
ことができ、また銅板で他の金属板をクラッドした銅ク
ラッド板等を用いることも可能である。銅系回路板２
は、予め所望の回路形状にエッチングやプレス加工等で
パターニングしたものを接合してもよいし、また単板状
の銅系板を接合した後にエッチング等で回路形状にパタ
ーニングしてもよい。銅系回路板２の厚さは 0.2mm以上
とすることが好ましく、特に厚さ 0.3mm以上の比較的厚
いものを使用することが好ましい。これは、比較的厚い
銅系回路板２の方が後に詳述する非酸化物系セラミック
ス基板１による拘束力を弱めやすいためである。ただ
し、銅系回路板２の厚さが 1mmを超えると加熱接合後の
冷却過程等で発生する熱応力により接合不良が発生する
おそれがあるため、 1mm以下とすることが好ましい。

【００１７】上述したような銅系回路板２は、非酸化物
系セラミックス基板１に対してＤＢＣ法により直接接合
されている。ＤＢＣ法を適用する場合の銅系回路板２と
しては、タフピッチ銅のような酸素を 100〜3000ppm の
割合で含有する銅を用いることが好ましいが、接合時の
条件によっては無酸素銅を用いることも可能である。銅
系回路板２はＤＢＣ法に限らず、活性金属法で非酸化物
系セラミックス基板１に接合されたものであってもよ
い。活性金属法は例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等から
選ばれる少なくとも 1種の活性金属を含むろう材を介し
て、非酸化物系セラミックス基板１と銅系回路板２とを
接合する方法である。用いるろう材成分としては、例え
ばＡｇ−Ｃｕの共晶組成（72 wt%Ａｇ-28wt%Ｃｕ）もし
くはその近傍組成のＡｇ−Ｃｕ系ろう材やＣｕ系ろう材
を主体とし、 1〜10重量% 程度の活性金属を加えた組成
等が例示される。

【００１８】銅系回路板２は、例えばＧａＡｓ半導体素
子の実装部となるものであり、その外周縁部近傍領域Ａ
を除く内側領域Ｂに形成された溝４を有しており、この
溝４形成面が非酸化物系セラミックス基板１に接合され
ている。すなわち、内側領域Ｂに形成された溝４は、非
酸化物系セラミックス基板１に対して非接合部分を形成
しており、この非接合部分により銅系回路板２の非酸化
物系セラミックス基板１による拘束力を弱め、ＧａＡｓ
半導体素子等との熱膨張差を緩和している。

【００１９】ここで、銅板や銅合金板等からなる銅系回
路板２は、本来ＧａＡｓより熱膨張率が大きく、銅系回
路板２単体で見た場合にはＧａＡｓ半導体素子との熱膨
張差でＧａＡｓ半導体素子に引張りの熱応力を加えるよ
うなことはない。一方、非酸化物系セラミックス基板１
として用いる窒化アルミニウム焼結体や窒化ケイ素焼結
体は、ＧａＡｓより熱膨張率が小さい。このような非酸
化物系セラミックス基板１に銅系回路板２を接合して構
成したセラミックス回路基板３においては、銅系回路板
２のヤング率が非酸化物系セラミックス基板１のそれよ
り小さいため、銅系回路板２の伸びは非酸化物系セラミ
ックス基板１に拘束されることになる。従って、セラミ
ックス回路基板３としての熱膨張は非酸化物系セラミッ
クス基板１に支配され、見掛け上セラミックス回路基板
３の熱膨張率は非酸化物系セラミックス基板１のそれに
近似した値となる。

【００２０】これに対して、銅系回路板２の内側領域Ｂ
に溝４を設け、この溝４により非酸化物系セラミックス
基板１に対して非接合部分を形成することによって、銅
系回路板２の非酸化物系セラミックス基板１による拘束
力を弱めることができる。このように銅系回路板２に対
する拘束力を弱めることによって、銅系回路板２本来の
熱膨張率に近い値を得ることができるため、ＧａＡｓ半
導体素子等とそれと直接接合される銅系回路板２との熱
膨張差が小さくすることができる。

【００２１】従って、ＧａＡｓ半導体素子等を半田等で
接合搭載した後の冷却過程や冷熱サイクルの印加により
生じる熱応力、特にＧａＡｓ半導体素子等に加わる引張
り応力を緩和することができ、この引張り応力に起因す
るＧａＡｓ半導体素子等の割れや信頼性の低下を抑制す
ることが可能となる。すなわち、ＧａＡｓ半導体素子等
の接合信頼性を大幅に向上させることができる。このよ
うに、本発明のセラミックス回路基板３は、Ｓｉ素子等
に比べて熱膨張率が大きいＧａＡｓ半導体素子の搭載用
として好適である。

【００２２】上述したように、銅系回路板２の内側領域
Ｂに形成した溝４は、非酸化物系セラミックス基板１に
よる拘束力を弱める非接合部分を形成するものであり、
これにより銅系回路板２の横方向（基板面方向）に対す
る伸びの自由度を高めるものである。従って、銅系回路
板２の外周縁部近傍領域Ａまで溝４が形成されている
と、非酸化物系セラミックス基板１と銅系回路板２との
接合自体の信頼性が低下してしまうため、溝４は銅系回
路板２の内側領域Ｂのみに形成するものとする。上記し
た非酸化物系セラミックス基板１と銅系回路板２との接
合の信頼性を確保するため、溝４の非形成領域となる外
周縁部近傍領域Ａは、図２に示すように、その幅ｄ、
ｄ′が銅系回路板２の幅Ｄ、Ｄ′に対して1/10〜 1/3の
範囲となるように設定することが好ましい。

【００２３】外周縁部近傍領域Ａの幅ｄ（ｄ′）が1/10
未満であると、非酸化物系セラミックス基板１と銅系回
路板２との接合の信頼性が低下するおそれが強く、一方
1/3Ｄ（Ｄ′）を超えると相対的に内側領域Ｂの面積が
減少し、ＧａＡｓ半導体素子等の搭載領域が小さくなっ
て実用性が低下する。このような銅系回路板２の外周縁
部近傍領域Ａを除く部分に、溝４の形成領域となる内側
領域Ｂ（図２では斜線で示す）を設定することによっ
て、非酸化物系セラミックス基板１と銅系回路板２との
接合の信頼性を確保した上で、銅系回路板２の非酸化物
系セラミックス基板１による拘束力を良好に弱めること
ができる。

【００２４】また、溝４の形成面積は、目的とする銅系
回路板２の非酸化物系セラミックス基板１による拘束力
緩和効果に応じて設定するものとすると、溝４の形成面
積をあまり大きくしすぎると、溝４は熱抵抗の増大要因
であることから、セラミックス回路基板３としての放熱
性が大きく低下してしまう。従って、溝４の形成面積
は、銅系回路板２の見掛け上の熱膨張率とセラミックス
回路基板３としての放熱性との兼合いにより設定するも
のとする。

【００２５】具体的な溝４の形成面積は、銅系回路板２
の厚さによっても異なるが、銅系回路板２の面積の10〜
50%の範囲とすることが好ましい。溝４の形成面積が銅
系回路板２の面積の 10%未満であると、非酸化物系セラ
ミックス基板１による拘束力緩和効果を十分に得ること
ができないおそれがあり、一方 50%を超えるとセラミッ
クス回路基板３としての放熱性が大幅に低下するおそれ
がある。

【００２６】溝４の形成方向は、図１に示したように一
方向に限らず、格子状や放射状に形成する等、種々の形
態を採用することができる。また、銅系回路板２の非酸
化物系セラミックス基板１に対する非接合部分は、上記
した溝４で形成することに限らず、例えば図３に示すよ
うに、矩形の凹部５を内側領域Ｂにほぼ均等に形成した
り、あるいは円形の凹部を形成する等、種々の形状の凹
状部を利用することができる。さらに、活性金属法で銅
系回路板２を接合する場合には、部分的に活性金属含有
ろう材を配置しないことにより非接合部分を形成するこ
ともでき、その形成方法は特に限定されるものではな
い。

【００２７】上記実施形態のセラミックス回路基板３
は、例えば以下のようにして製造することができる。

【００２８】すなわち、ＤＢＣ法を適用する場合には、
例えばタフピッチ銅のような酸素含有銅系板を所定形状
に加工すると共に、その内側領域Ｂに溝４をプレス加工
等により形成する。このような溝４を有する銅系回路板
２を、溝形成面を下側にして非酸化物系セラミックス基
板１上に接触配置し、銅の融点（1356K)以下で銅−酸素
系共晶化合物の融点（1338K)以上の温度で加熱すること
により、セラミックス回路基板３を作製する。この際、
非酸化物系セラミックス基板１の表面には、予め酸化物
層を形成しておく。また、加熱の際の雰囲気は、銅系回
路板２として酸素含有銅系板を使用する場合には不活性
ガス雰囲気とすることが好ましい。

【００２９】また、活性金属法を適用する場合には、ま
ずＤＢＣ法と同様に、溝４を有する銅系回路板２を用意
する。一方、前述したような活性金属含有ろう材をペー
スト化したものを、例えば非酸化物系セラミックス基板
１側に塗布する。次いで、ろう材ペーストを塗布した非
酸化物系セラミックス基板１上に、溝形成面を下側にし
て銅系回路板２を積層配置し、使用したろう材に応じた
温度で熱処理することにより、セラミックス回路基板３
を作製する。

【００３０】図４は、図１に示したセラミックス回路基
板３を用いて構成した半導体モジュール６、すなわち本
発明の半導体装置の一実施形態を示す断面図であり、銅
系回路板２の溝４が形成された内側領域上にＧａＡｓ半
導体素子７がＡｕ−Ｓｎ半田８等で接合搭載されてい
る。

【００３１】このように、ＧａＡｓ半導体素子７を銅系
回路板２の溝４が形成された内側領域上に接合搭載する
ことによって、前述したように接合搭載した後の冷却過
程や冷熱サイクルの印加により生じる熱応力、特にＧａ
Ａｓ半導体素子７に加わる引張り応力を緩和することが
できるため、ＧａＡｓ半導体素子７の割れや信頼性の低
下を有効に抑制することが可能となる。従って、ＧａＡ
ｓ半導体素子７の接合信頼性に優れた半導体モジュール
６を得ることができる。

【００３２】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００３３】実施例１ まず、非酸化物系セラミックス基板１として熱伝導率が
50W/m Kの窒化ケイ素基板（30×60×厚さ 0.5mm）を用
意した。一方、銅系回路板２としては、幅 7mmの外周縁
部領域を除く内側領域に、幅 2mm×深さ 0.1mmの溝４を
2mm間隔で11本形成した、26×56×厚さ 0.4mmの銅板を
用意した。なお、溝４の形成面積は、銅系回路板２の面
積の約 30%に相当する。

【００３４】そして、図１に示したように、窒化ケイ素
基板１の表面１ａに、Ｔｉを 4重量% 配合したＡｇ−Ｃ
ｕ共晶ろう材をペースト化したものを塗布し、この塗布
層上に銅系回路板２を溝形成面を下側にして積層配置し
た後、窒素ガス雰囲気中にて加熱して接合させ、目的と
するセラミックス回路基板３を得た。このようにして得
たセラミックス回路基板３を後述する特性評価に供し
た。

【００３５】実施例２ まず、非酸化物系セラミックス基板１として表面に厚さ
4μm の酸化物層を有する熱伝導率が170W/m Kの窒化ア
ルミニウム基板（30×60×厚さ 0.5mm）を用意した。一
方、銅系回路板２としては、タフピッチ銅（酸素含有
量:300ppm)を実施例１と同形状（溝４を含む）に加工し
たものを用意した。

【００３６】そして、図１に示したように、窒化アルミ
ニウム基板１の表面１ａに銅系回路板２を直接接触配置
し、窒素ガス雰囲気中にて 1348Kの条件で加熱して接合
させ、目的とするセラミックス回路基板３を得た。この
ようにして得たセラミックス回路基板３を後述する特性
評価に供した。

【００３７】比較例１ 上記実施例２において、タフピッチ銅の厚さを 0.3mmと
すると共に、溝４を形成しない以外は、同一構成の銅系
回路板２を用いて、実施例２と同様にしてセラミックス
回路基板３を作製し、後述する特性評価に供した。

【００３８】上記した実施例１、２および比較例１によ
るセラミックス回路基板３の特性を以下のようにして評
価した。まず、各セラミックス回路基板３上に、 5× 5
mm×厚さ30μm のＧａＡｓチップをＡｕ−Ｓｎ半田を用
いて接合した。Ａｕ−Ｓｎ半田による接合は593Kで行っ
た。まず、接合後のＧａＡｓチップの割れを目視により
評価した。次に、ＧａＡｓチップを接合搭載したセラミ
ックス回路基板３に熱サイクル試験(TCT：223K×30分＋
RT×10分＋390K×30分を 1サイクルとする）を500日回
施し、ＧａＡｓチップに割れが発生するか否かを評価し
た。これらの評価結果を表１にまとめて示す。

【００３９】

【表１】 上述した測定結果からも明らかなように、本発明のセラ
ミックス回路基板によれば、ＧａＡｓチップを高信頼性
の下で接合することができ、さらに耐ＴＣＴ性の向上を
図ることができる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のセラミッ
クス回路基板によれば、窒化アルミニウム基板や窒化ケ
イ素基板等の非酸化物系セラミックス基板とＧａＡｓ半
導体素子等との熱膨張差を緩和することができ、これに
よりＧａＡｓ半導体素子等の割れや信頼性の低下を防止
することが可能となる。そして、このようなセラミック
ス回路基板を用いた本発明の半導体装置によれば、Ｇａ
Ａｓ半導体素子を使用した信頼性に優れる半導体モジュ
ールを提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態によるセラミックス回路
基板の構成を示す図である。

【図２】 図１に示すセラミックス回路基板における銅
系回路板の内側領域の形成範囲を説明するための図であ
る。

【図３】 図１に示すセラミックス回路基板の変形例の
構成を示す図である。

【図４】 本発明の一実施形態による半導体装置の構成
を示す断面図である。

【符号の説明】

１……非酸化物系セラミックス基板 ２……銅系回路板 ３……セラミックス回路基板 ４……非接合部分形成用溝 ５……非接合部分形成用凹部 ６……半導体モジュール ７……ＧａＡｓ半導体素子

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非酸化物系セラミックス基板と、前記非
   酸化物系セラミックス基板上に接合された銅系回路板と
   を具備するセラミックス回路基板において、 前記銅系回路板は、その外周縁部近傍を除く内側領域
   に、前記非酸化物系セラミックス基板に対して非接合部
   分を有していることを特徴とするセラミックス回路基
   板。
2. 【請求項２】 請求項１記載のセラミックス回路基板に
   おいて、 前記銅系回路板は前記内側領域に凹部を有し、前記凹部
   により前記非接合部分が形成されていることを特徴とす
   るセラミックス回路基板。
3. 【請求項３】 請求項１記載のセラミックス回路基板に
   おいて、 前記非酸化物系セラミックス基板は、窒化アルミニウム
   または窒化ケイ素を主成分とする焼結体からなることを
   特徴とするセラミックス回路基板。
4. 【請求項４】 請求項１記載のセラミックス回路基板
   と、 前記セラミックス回路基板における前記銅系回路板の前
   記非接合部分を有する内側領域上に接合搭載されたＧａ
   Ａｓ半導体素子とを具備することを特徴とする半導体装
   置。