JPH09264666A - 窒素・酸素製造システム - Google Patents

窒素・酸素製造システム

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JPH09264666A
JPH09264666A JP8076208A JP7620896A JPH09264666A JP H09264666 A JPH09264666 A JP H09264666A JP 8076208 A JP8076208 A JP 8076208A JP 7620896 A JP7620896 A JP 7620896A JP H09264666 A JPH09264666 A JP H09264666A
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liquid nitrogen
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gas
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豊 米田
Yoshinobu Chiba
禎伸 千葉
Takeshi Goto
毅 後藤
Hiroshi Matsuzaki
寛 松崎
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Taiyo Nippon Sanso Corp
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KASHIMA SANSO KK
Taiyo Toyo Sanso Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 一酸化炭素を含まない高純度の液体窒素を、
一酸化炭素除去用触媒の使用量を可及的に少なくして経
済的に製造することができる窒素・酸素製造システムを
提供する。 【解決手段】 原料空気1を精留塔19により窒素と酸
素とに精留,分離させ、精留塔19における低圧塔21
の頂部から採取した製品窒素ガス4の一部である液体窒
素原料4aを、圧縮機36,37,38aで3段階に亘
って圧縮昇圧させた上、熱交換器40,膨張弁41,気
液分離器42を通過させることにより液化させて、液体
窒素4fを製造する。このとき、一段目の圧縮機36を
通過した液体窒素原料4bは、触媒塔45a,45bの
一方を選択的に通過させることにより、ニッケル触媒4
6と接触して一酸化炭素を吸着除去された上で、一酸化
炭素を含まない高純度窒素ガス4cとして二段目の圧縮
機37に導入される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、空気を原料として
酸素及び窒素を精留により製造する窒素・酸素製造シス
テムであって、特に、製品窒素として窒素ガス及び液体
窒素を得ることができる窒素・酸素製造システムに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】この種の窒素・酸素製造システムは、一
般に、精留塔を備えた空気分離装置により原料空気を精
留,分離することによって窒素ガスと酸素ガス(又は液
体酸素)とを製造すると共に、空気分離装置で得られた
窒素ガスの一部を液体窒素製造装置により凝縮液化する
ことによって液体窒素を製造するように構成されてい
る。
【0003】すなわち、空気分離装置は、原料空気を、
これに本来的に含まれる二酸化炭素及び水分を吸着装置
により吸着除去した上、沸点近くまで冷却して精留塔に
導入し、精留塔における精留作用により、製品ガスであ
る窒素ガスと酸素ガス(又は液体酸素)とを得るように
構成されている。また、液体窒素製造装置は、液体窒素
原料として空気分離装置により得られた製品窒素ガスの
一部を使用するものであり、空気分離装置から導入され
た液体窒素原料を複数の圧縮機により段階的に昇圧させ
た上、液化点近くまで冷却し、膨張,気液分離させるこ
とにより、製品窒素である液体窒素を製造するように構
成されている。
【0004】ところで、液体窒素は、近時、半導体製造
分野等において使用されることが多いため、一般に、高
純度であることが要求されている。これに対して、精留
塔で得られる製品窒素ガスについては、その用途上、液
体窒素のように高純度であることは要求されていない
し、その必要性も少ない。すなわち、窒素ガスは、これ
を製品として供与されたユーザにおいて、必要に応じて
適宜に高純度となすことができるものであるから、液体
窒素と異なって、製造段階で高純度なものとしておく必
要性は少ない。
【0005】しかるに、精留塔から採取される製品窒素
ガスの一部を液体窒素原料として使用する上記システム
にあって、液体窒素製造装置により得られた液体窒素は
一酸化炭素を含んでいるため、半導体製造分野等におけ
る如く高純度であることが要求される用途には使用する
ことができない。すなわち、窒素と一酸化炭素とは沸点
が近似する(窒素が−195.8℃であるのに対し、一
酸化炭素は−191.5℃である)ため、標準型の精留
塔における精留作用によっては両者を完全に分離するこ
とが極めて困難である。したがって、空気分離装置から
採取される製品窒素ガスには一酸化炭素が含まれている
(一般に、0.5〜1.5molppmの一酸化炭素が
含まれている)ことになり、その結果、これを原料とす
る液体窒素にも当然に一酸化炭素が含まれることにな
る。
【0006】そこで、従来の窒素・酸素製造システムに
あっては、精留塔に供給する原料空気から予め一酸化炭
素を酸化除去しておくことによって、一酸化炭素を殆ど
含まない高純度の液体窒素を得るようにすることが提案
されている。すなわち、上記した吸着装置の入口側に、
白金,パラジウム等の貴金属触媒を装填した触媒塔を具
備する一酸化炭素酸化装置を設けて、原料空気を触媒塔
内において貴金属触媒と接触させることにより、これに
含まれる一酸化炭素を酸素との反応により二酸化炭素に
転化させ、この二酸化炭素を原料空気に本来的に含まれ
ている二酸化炭素(及び水分)と共に前記吸着装置で吸
着除去するようにするのである。
【0007】このようにして、一酸化炭素を含まない原
料空気を精留塔に供給させるようにすれば、精留塔から
一酸化炭素を殆ど含まない高純度の製品窒素ガスを得る
ことができる。その結果、かかる製品窒素ガスの一部を
原料として液体窒素製造装置で得られる液体窒素は、一
酸化炭素を殆ど含まない高純度のものとなり、高純度で
あることが要求される半導体製造分野等においても好適
に使用することができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような一
酸化炭素酸化装置を設けておく場合には、精留塔から採
取される窒素ガスの大半が、上記した如く高純度である
ことを要求されない又は必要とされない製品窒素ガスと
して使用されるものであるにも拘わらず、当該窒素ガス
の極く一部を原料として得られる液体窒素を一酸化炭素
を含まない高純度のものとしておくために、製品窒素ガ
ス及び液体窒素原料を含めたすべての精留生成物の原料
である空気から一酸化炭素を除去しておくことは、一酸
化炭素除去用触媒つまり一酸化炭素酸化用触媒である高
価な貴金属触媒の使用量が必要以上に多くなり、甚だ不
経済であり無駄である。このため、従来の窒素・酸素製
造システムにあっては、半導体製造分野等において必要
とされる高純度の液体窒素を経済的に製造することがで
きないでいるのが実情である。
【0009】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、一酸化炭素を含まない高純度の液体窒素を、
一酸化炭素除去用触媒の使用量を可及的に少なくして経
済的に製造することができる窒素・酸素製造システムを
提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この課題を解決した本発
明の窒素・酸素製造システムは、原料空気を窒素と酸素
とに精留,分離する空気分離装置と、空気分離装置で得
られた窒素ガスの一部を液体窒素原料として液体窒素を
製造する液体窒素製造装置と、空気分離装置から液体窒
素製造装置に導入された液体窒素原料に含まれる一酸化
炭素を触媒の作用により吸着除去する液体窒素原料精製
装置と、を具備するものである。
【0011】かかる窒素・酸素製造システムにあって
は、液体窒素原料精製装置が、ニッケル触媒を装填した
触媒塔を具備するものであり、液体窒素原料に含まれる
一酸化炭素をニッケル触媒との接触により吸着除去させ
るものであることが好ましい。また、液体窒素製造装置
が、これに導入された液体窒素原料を複数段に亘って昇
圧させる複数の圧縮機を具備するものであり、液体窒素
原料精製装置が、一段目の圧縮機の出口部と二段目の圧
縮機の入口部との間に介装されていることが好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
〜図4に基づいて具体的に説明する。
【0013】本発明に係る窒素・酸素製造システムは、
図1に示す如く、空気分離装置11と液体窒素製造装置
12と液体窒素原料精製装置13とを具備してなる。
【0014】空気分離装置11は、図1及び図2に示す
如く、原料空気1をエアフィルタ14,圧縮機15,水
洗塔16,吸着装置17,主熱交換器18を順次通過さ
せた上で精留塔19に導入して、精留塔19において窒
素と酸素とに精留,分離させることにより、製品ガスと
しての窒素ガス4及び酸素ガス7aを得るように構成さ
れている。
【0015】すなわち、原料空気1は、エアフィルタ1
4で濾過された上、圧縮機15により適当圧力(吸着装
置17による吸着作用に必要な圧力(一般に、5kg/
cm 2 G程度))に昇圧されると共に水洗塔16で冷却
(一般に、10℃以下)された後、吸着装置17に導入
される。吸着装置17は、ゼオライト等の吸着剤を装填
した一対の吸着塔17a,17aからなり、原料空気1
を一方の吸着塔17aに導入させて吸着剤と接触させる
ことにより、原料空気1に含有されている不要成分であ
る水分及び二酸化炭素を吸着除去するようになってい
る。この吸着装置17にあっては、一方の吸着塔17a
が吸着工程を行なっている間において、他方の吸着塔1
7aが後述する再生用パージガス5の導入により吸着剤
の再生工程を行なうようになっており、かかる吸着工程
と再生工程とを両吸着塔17a,17aの間で一定サイ
クル毎に交互に繰り返して行なうように工夫されてい
る。
【0016】そして、吸着装置17を通過した原料空気
1は、主熱交換器18において沸点近くまで冷却された
上で、精留塔19に導入される。なお、主熱交換器18
は、原料空気1を後述する如く精留塔19から導出され
る低温ガス(製品窒素ガス4等)との熱交換により冷却
する内部寒冷方式のものである。
【0017】精留塔19は、図2に示す如く、これに導
入される原料空気1の圧力と同等の適当内圧(5kg/
cm2 G程度)で操作される下部塔たる高圧塔20と、
これより低圧とした適当内圧(0.5kg/cm2 G程
度)で操作される上部塔たる低圧塔21と、両塔20,
21間に介装された主凝縮蒸発器22とを具備して、原
料空気1を次のように精留,分離する。すなわち、主熱
交換器18を通過した原料空気1は高圧塔20の下部に
導入されて、高圧塔20内を上昇する間に、高圧塔20
の上部から供給された還流液体窒素3aとの向流接触に
より窒素濃度を高められていき、高圧塔20の上部に至
ったものは酸素含有量の低い窒素ガス2となる。この窒
素ガス2は、高圧塔20の上部から主凝縮蒸発器22に
導入され、低圧塔21の底部に滞留する液体酸素7との
熱交換により冷却凝縮されて、液体窒素3となる。この
液体窒素3は、その一部が上記還流液体窒素3aとして
高圧塔20の上部に還流されると共に、熱交換器23を
通過して低圧塔21の上部に導入される。
【0018】一方、高圧塔20内にその上部から供給さ
れた還流液体窒素3aは、上記した如く、高圧塔20内
を上昇してくる空気成分と向流接触しつつ下降していく
が、その間に空気との接触により酸素濃度を高められ
て、高圧塔20の底部に液体空気6(酸素濃度は、一般
に35〜40%程度である)となって滞留される。この
液体空気6の一部6aは、高圧塔20の底部から熱交換
器23を通過した上、低圧塔21の中間部に供給され
る。なお、精留塔19には、粗アルゴン塔24,高純ア
ルゴン塔25,ブロワ26,乾燥塔27,タンク28等
からなるアルゴン精製装置が付設されていて、低圧塔2
1の中間部に濃縮滞留するアルゴン等を再精製し、液体
アルゴン8としてタンク28に回収,貯蔵するように工
夫されている。
【0019】而して、低圧塔21の中間部に供給された
液体空気6aのうち上昇成分は、低圧塔21の上部から
供給された還流液体窒素3との向流接触により窒素濃度
を高めつつ上昇して、低圧塔21の頂部では酸素濃度の
極めて低い窒素ガス4となる。この窒素ガス4は、低圧
塔21の頂部から採取されて主熱交換器18により常温
とされた上、製品窒素ガス供給路30から圧縮機31を
経て、製品窒素ガスとして所定の被供給箇所(コンビナ
ート等)に供給される。なお、低圧塔21の上部から
は、頂部に向かって上昇する窒素ガスの一部(頂部に到
達した製品窒素ガス4より酸素濃度は高い)5を採取し
て、この窒素ガス5を主熱交換器18及び加熱器5a,
5aを通過させた上で、再生用パージガスとして再生工
程にある吸着塔17aに導入させるようになっている。
また、高圧塔20の上部から採取されて主凝縮蒸発器2
2に導入される窒素ガス2の一部2aは、主熱交換器1
8を通過した後、膨張タービン32の制動部32aで昇
圧されると共に該タービン32のタービン部32bで膨
張されて寒冷を発生させた上で、低圧塔21の頂部から
主熱交換器18に向かう窒素ガス4に混入される。な
お、図1及び図2において32´は熱交換器である。
【0020】一方、低圧塔21の中間部に供給された液
体空気6aのうち下降成分は、低圧塔21内を酸素濃度
を高めつつ下降していき、低圧塔21の下部では酸素ガ
ス7aとなり、更に液体酸素7となって低圧塔21の底
部に滞留することになる。そして、低圧塔21の下部か
ら採取された酸素ガス7aは、主熱交換器18を通過し
て常温化された上、製品酸素ガス供給路33から圧縮機
34を経て、製品酸素ガスとして所定の被供給箇所に供
給される。なお、低圧塔21の下部から採取される酸素
ガス7aには、低圧塔21の底部に滞留する液体酸素7
から揮散する(主凝縮蒸発器22を通過する窒素ガス2
との熱交換等によって蒸発する)酸素ガスも含まれる。
【0021】液体窒素製造装置12は、図1及び図3に
示す如く、低圧塔21の頂部から採取された製品窒素ガ
ス4の一部4aを液体窒素原料として液体窒素4fを製
造するものであり、第1〜第3圧縮機36,37,38
aと第1及び第2膨張タービン38,39と熱交換器4
0と膨張弁41と気液分離器42と液体窒素タンク43
とを具備すると共に、後述する如く液体窒素原料精製装
置13を組み込んでなるものである。
【0022】すなわち、液体窒素製造装置12には、製
品窒素ガス供給路30に分岐接続された液体窒素原料導
入路35から製品窒素ガス4の一部である液体窒素原料
4aが導入されるが、この液体窒素原料たる窒素ガス4
aは、まず、直列配置された第1〜第3圧縮機36,3
7,38aにより3段階に亘って順次圧縮,昇圧され
る。一般的には、第1圧縮機36により5〜6kg/c
2 G程度まで昇圧され、次いで第2圧縮機37により
32kg/cm2 G程度まで昇圧され、最終的に第3圧
縮機38aにより49kg/cm2 G程度まで昇圧され
る。なお、この例では、第3圧縮機38aとして、後述
する寒冷発生用の第1膨張タービン38の制動部を使用
している。
【0023】そして、第3圧縮機38aを通過した窒素
ガス4eは、熱交換器40により液化点近くまで深冷さ
れた上、膨張弁41により膨張(ジュール・トムソン膨
張)されると共に気液分離器42により気体分と分離さ
れて、製品窒素たる液体窒素4fとして気液分離器42
から液体窒素タンク43に回収,貯蔵される。
【0024】ところで、この例では、熱交換器40を内
部寒冷方式のものとしており、第2圧縮機37を通過し
て第3圧縮機38aに向かう窒素ガス4dの一部4g
を、第2膨張タービン39の制動部39aで圧縮,昇圧
させた上、第1及び第2膨張タービン38,39のター
ビン部38b,39bで膨張させて寒冷4hを発生さ
せ、これを熱交換器40に供給するように工夫してあ
る。なお、熱交換器40を通過した窒素ガス4hは第2
圧縮機37の入口側ラインに返戻されるようになってい
る。
【0025】液体窒素原料精製装置13は、図3及び図
4に示す如く、第1圧縮機36の出口部と第2圧縮機3
7の入口部との間に、触媒46を装填した一対の触媒塔
45a,45bを並列状に介装したもので、第1圧縮機
36を通過した窒素ガス4bを、選択された触媒塔45
a(又は触媒塔45b)を通過して、第2圧縮機37に
導入させるようになっている。触媒46としては、窒素
ガス中の一酸化炭素を吸着除去できるものであればよ
く、ニッケル,鉄等のベースメタル触媒を任意に使用す
ることができるが、一般には、対象窒素ガスが低圧塔2
1の頂部から採取された酸素濃度の極めて低い窒素ガス
4であることから、一酸化炭素の吸着除去作用に酸化の
ための酸素の共存を必要とせず且つ吸着操作及び再生操
作を容易に実施できるニッケル触媒(例えば、ニッケル
含有量:47wt%,径:3mm,長さ:3mmの円柱
ペレット状のもの)を使用することが好ましい。
【0026】而して、第1圧縮機36を通過した窒素ガ
ス4bは、一方の触媒塔45aに導入されて、該触媒塔
45a内をこれに装填されたニッケル触媒46に接触し
つつ通過し、この間において、ニッケル触媒46との接
触により一酸化炭素が吸着除去されるようになってい
る。同時に、窒素ガス4bに含まれている微量の酸素も
吸着除去される。かかるニッケル触媒46による一酸化
炭素の吸着除去メカニズムは、化学量論比からすると大
幅に一酸化炭素の配位数が少ないニッケルカルボニル類
似化合物として、ニッケル触媒表面に化学吸着されるこ
とによるものと考えられる。ところで、ニッケル触媒4
6による一酸化炭素の吸着除去を効果的に行なうために
は、触媒塔45aに導入される窒素ガスの圧力及び温度
を適切に制御する必要があるが、温度については触媒塔
45aに付設したヒータ(図示せず)により制御する
(一般には、常温〜40℃程度に制御しておくことが好
ましい)ようになっている。一方、圧力については、一
般に、5〜6kg/cm2 Gとしておくことが好ましい
が、この例では、液体窒素原料4aが圧縮機36,3
7,38aにより複数段に亘って昇圧され、一段目の圧
縮機である第1圧縮機36による昇圧条件が上記した吸
着除去に必要な圧力条件に合致することから、触媒塔4
5aに導入させる窒素ガスの昇圧手段を格別設けず、第
1圧縮機36で昇圧された窒素ガス4bをそのまま触媒
塔45aに導入させるようにしている。なお、窒素ガス
4bは、触媒塔45a(又は触媒塔45b)内を0.3
m/sec程度の線速度で通過しつつニッケル触媒46
に接触するようにしておくことが好ましい。
【0027】したがって、液体窒素原料精製装置13に
よれば、第1圧縮機36を通過した窒素ガス4bを一酸
化炭素を除去した高純度の窒素ガス4cに精製した上
で、第2圧縮機37に導入させることができ、つまり第
2圧縮機37以降の液体窒素製造ラインにおいてはかか
る高純度の窒素ガスが流れることになり、最終的に一酸
化炭素を含まない高純度の液体窒素4fを得ることがで
きる。
【0028】ところで、「ニッケル触媒46による一酸
化炭素の吸着除去が、上記した如く、ニッケルカルボニ
ル類似化合物としてニッケル触媒表面に化学吸着される
ことによると考えられること」及び「液体窒素原料4a
つまり触媒塔45aに導入される窒素ガス4bは、低圧
塔21の頂部から採取された酸素濃度の極めて低いもの
ではあるが、微量の酸素を含有しているものであるた
め、この微量の酸素がニッケル触媒46と反応して酸化
ニッケルを生成すること」から、一酸化炭素の吸着除去
作用を長期に亘って良好に維持しておくためには、吸着
機能が低下したニッケル触媒46を再生することが必要
となる。そこで、この例では、一方の触媒塔45a(又
は触媒塔45b)において吸着工程を行なっている間
に、他方の触媒塔45b(又は触媒塔45a)における
ニッケル触媒46を再生し、かかる吸着工程と再生工程
とを両触媒塔45a,45bの間で一定時間毎に交互に
繰り返して行なうように工夫してある。
【0029】すなわち、一方の触媒塔45aにおいて吸
着工程を行なっている間においては、触媒塔45aから
第2圧縮機37に向かう高純度窒素ガス4cの一部4´
cを、水素供給装置47により所定量(1%程度)の水
素ガスを混入させた還元ガスとした上で、再生用パージ
ガスとして他方の触媒塔45bに供給させて、この触媒
塔45bのニッケル触媒46を適当な温度条件下(一般
に、150〜200℃)で再生する。すなわち、ニッケ
ル触媒46の表面を還元状態に再生するのである。この
とき、再生用パージガスとして上記した精製ガス4c以
外のものを使用することも可能であるが、一酸化炭素が
含まれるものは使用できないことから、精製ガス4cを
利用するのが再生作用上のみならず再生機構の小型化,
簡略化を図る上からも好ましい。そして、一定時間が経
過すると、窒素ガス4bを再生済みの触媒塔45bに導
入させると共に、パージガス4´cを吸着工程後の触媒
塔45aに供給させる。爾後、かかる吸着工程と再生工
程との切り換えを一定時間毎に繰り返して行なう。な
お、吸着工程と再生工程との切り換えは、装置ラインに
設けた弁ないしヒータ等をシーケンスプログラム装置に
より制御することにより自動的に行なうことができる
が、その切り換え時期はタイマにより設定しても、触媒
塔出口に設置した一酸化炭素濃度センサによる窒素ガス
4c中の一酸化炭素濃度に応じて制御するようにして
も、何れでもよい。また、再生処理済みのバージガス4
´cは冷却器48で適当温度に冷却された上で、系外に
排出される。また、図示していないが、精製ガスライン
等には必要に応じてフィルタ,流量計等が設けられる。
【0030】このように、上記した窒素・酸素製造シス
テムにあっては、液体窒素製造装置12及びこれに組み
込んだ液体窒素原料精製装置13により、一酸化炭素
(及び酸素)を除去した液体窒素原料4a,4b,4c
…から液体窒素4fを製造するようにしているから、半
導体製造分野等において必要とされる高純度の液体窒素
を確実に得ることができる。しかも、液体窒素4fを製
造するに必要な液体窒素原料4a,4b,4c…が、精
留塔19で得られる製品窒素ガス4の一部であって、原
料空気1に比して極めて少量(例えば、原料空気の1/
10程度)であることから、冒頭で述べた如く一酸化炭
素酸化装置(及び吸着装置)により原料空気全量から一
酸化炭素を除去する場合に比して、一酸化炭素除去に必
要とされる触媒使用量を大幅に削減することができ、液
体窒素4fを含む製品窒素,酸素の製造を極めて経済的
に行なうことができる。
【0031】なお、本発明は上記した実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の基本原理を逸脱しない範
囲において、適宜に改良,変更することができる。例え
ば、本発明は、上記した内部寒冷方式のシステムに適用
される他、外部寒冷方式のシステムにも好適に適用する
ことができる。また、各装置11,12,13の構成も
任意である。さらに、液体窒素原料精製装置13は、液
体窒素製造装置12に組み込むことなく、これに至る液
体窒素原料4aの導入ラインに配設するようにしてもよ
い。
【0032】
【実施例】上記した窒素・酸素製造システムを使用し
て、次のような条件で液体窒素4fを製造した。すなわ
ち、吸着装置17により水分,二酸化炭素を除去した7
4000Nm3 /h,5kg/cm2 Gの原料空気1を
主熱交換器18で沸点近くまで冷却して高圧塔20に導
入し、高圧塔20内を5kg/cm2 Gに且つ低圧塔2
1内0.5kg/cm2 Gに保持つつ、原料空気1を精
留塔19により窒素と酸素とに精留分離して、低圧塔2
1の頂部から0.5kg/cm2 Gの窒素ガス4を36
000Nm3 /h採取し、この窒素ガス4を主熱交換器
10で常温(28℃)とした上で、その一部4aを第1
圧縮機36に導入させた。このとき、第1圧縮機36に
導入させた窒素ガス4aの量は7300Nm3 /hであ
り、これに含まれる不純成分である一酸化炭素及び酸素
の濃度は、一酸化炭素:1molppm,酸素:0.0
1molppmであった。
【0033】そして、この窒素ガス4aを第1圧縮機3
6により5.8kg/cm2 Gに圧縮,昇圧させると共
に、常温近くまで(28℃)で冷却させた上で、円柱ペ
レット状のニッケル触媒46(Ni含有量:47wt
%,径:3mm,長さ:3mm)を充填させた触媒塔4
5aに導入させ、触媒塔45a内を線速度0.3m/s
ecで通過させて、ニッケル触媒46との接触により一
酸化炭素及び酸素を吸着除去させた。
【0034】次いで、触媒塔45aを通過した窒素ガス
4c(他方の触媒塔45bの再生用パージガスとして使
用する窒素ガス4´cを除く)を第2圧縮機37により
32kg/cm2 Gに圧縮,昇圧させ、更に第3圧縮機
である第1膨張タービン38の制動部38aにより49
kg/cm2 Gまで圧縮,昇圧させた上、熱交換器40
により液化点近くまで深冷させた後、膨張弁41及び気
液分離器42を通過させることにより、気体換算で70
00Nm3 /hの液体窒素4fを得た。
【0035】このとき、気液分離器42から液体窒素タ
ンク43へと流下する液体窒素4fを、還元ガス分析計
(トレース・アナリティカル社製のRGA−5型)によ
り連続的に測定したところ、一酸化炭素は定量限界値で
ある0.001molppm以下を持続した。また、日
立東京エレクトロニクス社製のAPI−MSを使用して
酸素分析したところ、酸素濃度は0.001molpp
m以下であった。このことから、高純度の液体窒素4f
が得られることが確認された。
【0036】ところで、比較例として、上記窒素・酸素
製造システムから液体窒素原料精製装置12を取り外し
て、第1圧縮機36の出口部と第2圧縮機37の入口部
とを直結すると共に、吸着装置17の上流側ラインに、
冒頭で述べた一酸化炭素酸化装置(貴金属触媒を装填し
た触媒塔を備えたもの)を組み込んで、上記したと同一
の条件で同一量の液体窒素を得た。この比較例において
は、実施例と同等の高純度液体窒素を得るために、実施
例の場合に比して極めて多量の貴金属触媒を必要とし
た。具体的には、実施例におけるニッケル触媒46の使
用量の略10倍であった。このことは、比較例では、一
酸化炭素を吸着除去する対象ガスが74000Nm3
hの原料空気であって、実施例における当該対象ガスで
ある窒素ガスの量(7300Nm3 /h)の約10倍と
なっていることからも、容易に理解できるであろう。
【0037】
【発明の効果】以上の説明からも理解できるように、請
求項1の発明によれば、一酸化炭素を含まない高純度の
液体窒素を、ニッケル触媒等の一酸化炭素除去用触媒を
多量に必要とすることなく、極めて経済的に製造するこ
とができる。しかも、触媒使用量が少ないことから、触
媒塔を含む液体窒素原料精製装置を可及的に小型化する
ことができ、延いては窒素・酸素製造システム全体を冒
頭で述べた如く原料空気全量を対象とする一酸化炭素酸
化装置を設ける場合に比して大幅に小型化することがで
きる。
【0038】また、請求項2の発明によれば、液体窒素
原料が酸素濃度の低いものである等、液体窒素原料の性
状に拘わらず、一酸化炭素を効果的に吸着除去し得て、
高純度の液体窒素を効率よく製造することができる。
【0039】さらに、請求項3の発明によれば、一酸化
炭素を効果的に吸着除去するために必要な昇圧手段とし
て、液体窒素製造装置の一部(一段目の圧縮機であり、
具体的には上記した第1圧縮機36)を利用することか
ら、格別の昇圧手段を必要とせず、液体窒素原料精製装
置ないし窒素・酸素製造システムをより小型化,簡略化
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る窒素・酸素製造システムの一例を
示す系統図である。
【図2】図1の要部(空気分離装置)の拡大図である。
【図3】図1の要部(液体窒素製造装置及び液体窒素原
料精製装置)の拡大図である。
【図4】図3の要部(液体窒素原料精製装置)の詳細図
である。
【符号の説明】
1…原料空気、4…製品窒素ガス、4a,4b…一酸化
炭素を含有する窒素ガス(液体窒素原料)、4c,4
d,4e…一酸化炭素を吸着除去された窒素ガス(液体
窒素原料)、4f…液体窒素、7a…製品酸素ガス、1
1…空気分離装置、12…液体窒素製造装置、13…液
体窒素原料精製装置、36…第1圧縮機(一段目の圧縮
機)、37…第2圧縮機(二段目の圧縮機)、45a,
45b…触媒塔、46…ニッケル触媒。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年4月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0032
【補正方法】変更
【補正内容】
【0032】
【実施例】上記した窒素・酸素製造システムを使用し
て、次のような条件で液体窒素4fを製造した。すなわ
ち、吸着装置17により水分,二酸化炭素を除去した7
4000Nm3 /h,5kg/cm2 Gの原料空気1を
主熱交換器18で沸点近くまで冷却して高圧塔20に導
入し、高圧塔20内を5kg/cm2 Gに且つ低圧塔2
1内0.5kg/cm2 Gに保持つつ、原料空気1を精
留塔19により窒素と酸素とに精留分離して、低圧塔2
1の頂部から0.5kg/cm2 Gの窒素ガス4を36
000Nm3 /h採取し、この窒素ガス4を主熱交換器
18で常温(28℃)とした上で、その一部4aを第1
圧縮機36に導入させた。このとき、第1圧縮機36に
導入させた窒素ガス4aの量は7300Nm3 /hであ
り、これに含まれる不純成分である一酸化炭素及び酸素
の濃度は、一酸化炭素:1molppm,酸素:0.0
1molppmであった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 毅 茨城県行方郡潮来町日の出3−2−35 (72)発明者 松崎 寛 茨城県行方郡潮来町日の出5−6−14

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 原料空気を窒素と酸素とに精留,分離す
    る空気分離装置と、空気分離装置で得られた窒素ガスの
    一部を液体窒素原料として液体窒素を製造する液体窒素
    製造装置と、空気分離装置から液体窒素製造装置に導入
    された液体窒素原料に含まれる一酸化炭素を触媒の作用
    により吸着除去する液体窒素原料精製装置と、を具備す
    ることを特徴とする窒素・酸素製造システム。
  2. 【請求項2】 液体窒素原料精製装置が、ニッケル触媒
    を装填した触媒塔を具備するものであり、液体窒素原料
    に含まれる一酸化炭素をニッケル触媒との接触により吸
    着除去させるものであることを特徴とする、請求項1に
    記載する窒素・酸素製造システム。
  3. 【請求項3】 液体窒素製造装置が、これに導入された
    液体窒素原料を複数段に亘って昇圧させる複数の圧縮機
    を具備するものであり、液体窒素原料精製装置が、一段
    目の圧縮機の出口部と二段目の圧縮機の入口部との間に
    介装されていることを特徴とする、請求項1又は請求項
    2に記載する窒素・酸素製造システム。
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