JPH09265832A - 酸化チタン結晶の導電性材料及びその製造方法 - Google Patents
酸化チタン結晶の導電性材料及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴｉＯ2 結晶中に容易かつ選択的に導電領域
と絶縁領域とを作成する。 【解決手段】 ＴｉＯ2 結晶基板１０上表面１２の所定
領域４に、リチウム原子と触媒作用を有する貴金属原子
とを含むドーピング用溶剤Ｄを所望形状に塗布する。次
に、このＴｉＯ2 結晶基板１０を酸化性ガスと還元性ガ
スとを含む雰囲気ガスＧ中で加熱温度Ｔで加熱保持時間
Ｈだけ加熱保持する。これにより、ＴｉＯ2 結晶中の所
定領域に導電特性を有する領域１６と絶縁特性を有する
領域１７とが形成されたＴｉＯ2 結晶の導電性材料が得
られる。
と絶縁領域とを作成する。 【解決手段】 ＴｉＯ2 結晶基板１０上表面１２の所定
領域４に、リチウム原子と触媒作用を有する貴金属原子
とを含むドーピング用溶剤Ｄを所望形状に塗布する。次
に、このＴｉＯ2 結晶基板１０を酸化性ガスと還元性ガ
スとを含む雰囲気ガスＧ中で加熱温度Ｔで加熱保持時間
Ｈだけ加熱保持する。これにより、ＴｉＯ2 結晶中の所
定領域に導電特性を有する領域１６と絶縁特性を有する
領域１７とが形成されたＴｉＯ2 結晶の導電性材料が得
られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学素子や電気素
子及び電気化学素子などに適用し得るＴｉＯ2（酸化チ
タン）結晶の導電性材料及びその製造方法に関するもの
である。
子及び電気化学素子などに適用し得るＴｉＯ2（酸化チ
タン）結晶の導電性材料及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】透明で電気的に絶縁特性を有するＴｉＯ
2 結晶をＨ2 （水素）ガスやＣＯ（一酸化炭素）ガスな
どの還元性ガスの雰囲気中で加熱保持すると、ＴｉＯ2
結晶が表面から還元されて、結晶全体が青色または黒か
っ色で導電特性を有するＴｉＯ2 結晶の導電性材料が得
られる。
2 結晶をＨ2 （水素）ガスやＣＯ（一酸化炭素）ガスな
どの還元性ガスの雰囲気中で加熱保持すると、ＴｉＯ2
結晶が表面から還元されて、結晶全体が青色または黒か
っ色で導電特性を有するＴｉＯ2 結晶の導電性材料が得
られる。
【０００３】このようにして得られるＴｉＯ2 結晶の導
電性材料は、各種機能素子の材料として有用であるが、
上述のようにして形成された導電性材料は、その全体が
導電性を示すことになる。一方、各種機能素子の材料と
しては、所定領域だけに導電特性を有する構造の導電性
材料が要求される場合も多い。
電性材料は、各種機能素子の材料として有用であるが、
上述のようにして形成された導電性材料は、その全体が
導電性を示すことになる。一方、各種機能素子の材料と
しては、所定領域だけに導電特性を有する構造の導電性
材料が要求される場合も多い。
【０００４】そこで、所定領域に導電特性を有するＴｉ
Ｏ2 結晶の導電性材料を得る技術が従来提案されてい
る。例えば、特公平６−１０９２３号公報に示されるよ
うな従来技術においては、比較的高い絶縁特性を有する
ＴｉＯ2 結晶表面の所定領域に白金（Ｐｔ）触媒を担持
させる。そして、その後、ＴｉＯ2 結晶をＯ2 （酸素）
とＨ2 （水素）ガスを含む雰囲気ガス中で加熱保持する
ことで、雰囲気ガス中の水素（Ｈ）原子を触媒を担持し
たＴｉＯ2 結晶表面から結晶内部に拡散してドープさせ
る。これによって、ＴｉＯ2 結晶中の所定の領域のみに
水素原子がドープされることとなり、水素原子がドープ
された領域が導電特性を有するため、これらの処理によ
って、導電性領域が形成される。
Ｏ2 結晶の導電性材料を得る技術が従来提案されてい
る。例えば、特公平６−１０９２３号公報に示されるよ
うな従来技術においては、比較的高い絶縁特性を有する
ＴｉＯ2 結晶表面の所定領域に白金（Ｐｔ）触媒を担持
させる。そして、その後、ＴｉＯ2 結晶をＯ2 （酸素）
とＨ2 （水素）ガスを含む雰囲気ガス中で加熱保持する
ことで、雰囲気ガス中の水素（Ｈ）原子を触媒を担持し
たＴｉＯ2 結晶表面から結晶内部に拡散してドープさせ
る。これによって、ＴｉＯ2 結晶中の所定の領域のみに
水素原子がドープされることとなり、水素原子がドープ
された領域が導電特性を有するため、これらの処理によ
って、導電性領域が形成される。
【０００５】一方、上記の処理過程で、触媒を担持しな
いＴｉＯ2 結晶の表面からは、水素原子がドープされ
ず、ＴｉＯ2 結晶中に水素原子がドープされない領域に
は、絶縁特性を有する領域が形成される。
いＴｉＯ2 結晶の表面からは、水素原子がドープされ
ず、ＴｉＯ2 結晶中に水素原子がドープされない領域に
は、絶縁特性を有する領域が形成される。
【０００６】以上のように、従来技術では、ＴｉＯ2 結
晶の表面に触媒を担持した領域と、触媒を担持しない領
域を形成することで、導電性特性を有する領域と絶縁特
性を有する領域を選択的に形成することができる。所定
の領域に導電特性を有するＴｉＯ2 結晶の導電性材料が
得られる。
晶の表面に触媒を担持した領域と、触媒を担持しない領
域を形成することで、導電性特性を有する領域と絶縁特
性を有する領域を選択的に形成することができる。所定
の領域に導電特性を有するＴｉＯ2 結晶の導電性材料が
得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記の従来技
術では、雰囲気ガスに含まれる水素原子がＴｉＯ2 結晶
中にドープされて、ＴｉＯ2 結晶中に導電特性を有する
領域が形成される。
術では、雰囲気ガスに含まれる水素原子がＴｉＯ2 結晶
中にドープされて、ＴｉＯ2 結晶中に導電特性を有する
領域が形成される。
【０００８】しかし、このように雰囲気ガスの成分をＴ
ｉＯ2 結晶中にドープする従来技術では、所望の導電特
性を得るために必要な処理条件に制約が多く、高精度の
処理条件設定と煩雑な処理工程が要求されるという課題
があった。具体的には、例えば、雰囲気ガスの組成や、
加熱処理時の温度及び触媒の担持方法などに制約が多い
という問題がある。
ｉＯ2 結晶中にドープする従来技術では、所望の導電特
性を得るために必要な処理条件に制約が多く、高精度の
処理条件設定と煩雑な処理工程が要求されるという課題
があった。具体的には、例えば、雰囲気ガスの組成や、
加熱処理時の温度及び触媒の担持方法などに制約が多い
という問題がある。
【０００９】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するもので、導電特性を付加するためにＴｉＯ2 結晶中
にドープする原子を、雰囲気ガスの成分として供給する
のではなく、別の手段で供給することにより、処理が容
易で条件設定に制約が少ないＴｉＯ2 結晶の導電性材料
及びその製造方法を提供することを目的とする。
するもので、導電特性を付加するためにＴｉＯ2 結晶中
にドープする原子を、雰囲気ガスの成分として供給する
のではなく、別の手段で供給することにより、処理が容
易で条件設定に制約が少ないＴｉＯ2 結晶の導電性材料
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の酸化チタン結晶
の導電性材料においては、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）結晶
中の所定領域にリチウム（Ｌｉ）原子をドープすること
により、この酸化チタン結晶に導電特性を付加すること
を特徴としている。
の導電性材料においては、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）結晶
中の所定領域にリチウム（Ｌｉ）原子をドープすること
により、この酸化チタン結晶に導電特性を付加すること
を特徴としている。
【００１１】特に、酸化チタン結晶としてルチル構造の
ものを用い、リチウムと貴金属とを含むドーピング用溶
剤を所定の表面領域に選択的に付着させた前記酸化チタ
ン結晶を酸化性ガスと還元性ガスを含む雰囲気中で加熱
処理することにより、溶剤が付着された領域からその内
部方向に向けてリチウムが選択的にドープされ、この領
域に導電性領域が形成される。
ものを用い、リチウムと貴金属とを含むドーピング用溶
剤を所定の表面領域に選択的に付着させた前記酸化チタ
ン結晶を酸化性ガスと還元性ガスを含む雰囲気中で加熱
処理することにより、溶剤が付着された領域からその内
部方向に向けてリチウムが選択的にドープされ、この領
域に導電性領域が形成される。
【００１２】また、リチウムと貴金属とを含むドーピン
グ用溶剤を所定の表面領域に選択的に付着させたルチル
構造の酸化チタン結晶を酸化性ガスと還元性ガスを含む
雰囲気中で温度を６００Ｋ〜８５０Ｋの範囲に保持して
加熱処理することにより得られ、前記溶剤が付着された
表面領域から結晶内部の＜００１＞結晶軸方向のリチウ
ムが選択的にドープされている領域に導電性領域が形成
されていることを特徴とする。
グ用溶剤を所定の表面領域に選択的に付着させたルチル
構造の酸化チタン結晶を酸化性ガスと還元性ガスを含む
雰囲気中で温度を６００Ｋ〜８５０Ｋの範囲に保持して
加熱処理することにより得られ、前記溶剤が付着された
表面領域から結晶内部の＜００１＞結晶軸方向のリチウ
ムが選択的にドープされている領域に導電性領域が形成
されていることを特徴とする。
【００１３】さらに、上述のような構成において、リチ
ウムがドープされて形成された導電性領域は、リチウム
がドープされなかった領域に比べ導電率が１０倍以上と
なっていることを特徴とする。
ウムがドープされて形成された導電性領域は、リチウム
がドープされなかった領域に比べ導電率が１０倍以上と
なっていることを特徴とする。
【００１４】次に、酸化チタン結晶の導電性材料の製造
方法においては、ルチル構造の酸化チタン結晶の所定の
表面領域に、リチウムと貴金属とを含むドーピング用溶
剤を選択的に塗布する塗布工程と、ドーピング用溶剤が
塗布された酸化チタン結晶を酸化性ガスと還元性ガスと
を含む雰囲気中で、温度を６００Ｋ〜８５０Ｋの範囲に
保持する加熱工程と、を含み、ドーピング用溶剤を塗布
した前記表面領域から内部領域に向けてリチウムをドー
プし、前記酸化チタン結晶内に導電領域を選択的に形成
する。
方法においては、ルチル構造の酸化チタン結晶の所定の
表面領域に、リチウムと貴金属とを含むドーピング用溶
剤を選択的に塗布する塗布工程と、ドーピング用溶剤が
塗布された酸化チタン結晶を酸化性ガスと還元性ガスと
を含む雰囲気中で、温度を６００Ｋ〜８５０Ｋの範囲に
保持する加熱工程と、を含み、ドーピング用溶剤を塗布
した前記表面領域から内部領域に向けてリチウムをドー
プし、前記酸化チタン結晶内に導電領域を選択的に形成
する。
【００１５】以上のように、本発明によれば、ＴｉＯ2
結晶表面の所定領域に、リチウムをドープする。すなわ
ち、リチウム原子と触媒作用を有する貴金属原子を含む
ドーピング用溶剤を所望の形状に塗布した後、該ＴｉＯ
2 結晶を酸化性ガスと還元性ガスとを含む雰囲気ガス中
で加熱保持し、該ＴｉＯ2 結晶中の所定領域に導電特性
を有する領域と絶縁特性を有する領域とを有するＴｉＯ
2 結晶の導電性材料が得られる。
結晶表面の所定領域に、リチウムをドープする。すなわ
ち、リチウム原子と触媒作用を有する貴金属原子を含む
ドーピング用溶剤を所望の形状に塗布した後、該ＴｉＯ
2 結晶を酸化性ガスと還元性ガスとを含む雰囲気ガス中
で加熱保持し、該ＴｉＯ2 結晶中の所定領域に導電特性
を有する領域と絶縁特性を有する領域とを有するＴｉＯ
2 結晶の導電性材料が得られる。
【００１６】そして、ドーピング用溶剤の塗布領域表面
より酸化チタン結晶中にリチウム原子を選択的にドープ
でき、酸化チタン結晶中に選択的かつ容易に、またパタ
ーン精度よく導電性領域を形成することができる。そし
て、以上のようにして得たＴｉＯ2 結晶の導電性材料
は、所望部分に導電性領域が形成され、このＴｉＯ2 結
晶の導電性材料は、各種の機能素子の製造に有効に利用
可能である。
より酸化チタン結晶中にリチウム原子を選択的にドープ
でき、酸化チタン結晶中に選択的かつ容易に、またパタ
ーン精度よく導電性領域を形成することができる。そし
て、以上のようにして得たＴｉＯ2 結晶の導電性材料
は、所望部分に導電性領域が形成され、このＴｉＯ2 結
晶の導電性材料は、各種の機能素子の製造に有効に利用
可能である。
【００１７】次に、本発明のより具体的な構成について
説明する。本発明において、結晶構造がルチル構造のＴ
ｉＯ2 結晶を用い、下記の処理１、処理２および処理３
を含む処理を施すことにより、所定領域に導電領域が形
成されたＴｉＯ2 結晶の導電性材料を製造する。但し、
本発明の構成は、以下の具体的な処理内容には限定され
ない。
説明する。本発明において、結晶構造がルチル構造のＴ
ｉＯ2 結晶を用い、下記の処理１、処理２および処理３
を含む処理を施すことにより、所定領域に導電領域が形
成されたＴｉＯ2 結晶の導電性材料を製造する。但し、
本発明の構成は、以下の具体的な処理内容には限定され
ない。
【００１８】（１）処理１：ドーピング用溶剤 まず、ドーピング用溶剤として、ＴｉＯ2 結晶中にドー
プするリチウム原子および化学反応触媒として作用する
貴金属原子を含む溶剤を調製する。
プするリチウム原子および化学反応触媒として作用する
貴金属原子を含む溶剤を調製する。
【００１９】このドーピング用溶剤中のリチウム原子
は、例えば、リチウムを含む化合物である塩化リチウム
（ＬｉＣｌ）や水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）や、炭酸リ
チウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）などを単独または組み合せて溶
解して調製される。
は、例えば、リチウムを含む化合物である塩化リチウム
（ＬｉＣｌ）や水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）や、炭酸リ
チウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）などを単独または組み合せて溶
解して調製される。
【００２０】また、ドーピング用溶剤中の貴金属原子
は、白金（Ｐｔ）やパラジウム（Ｐｄ）やロジウム（Ｒ
ｈ）であって、それら貴金属原子を含む化合物である塩
化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６Ｈ2 Ｏ）や塩化パラジウ
ム（ＰｄＣｌ2 ）や塩化ロジウム（ＲｈＣｌ3 ）などを
単独または組み合せて溶解して調製される。
は、白金（Ｐｔ）やパラジウム（Ｐｄ）やロジウム（Ｒ
ｈ）であって、それら貴金属原子を含む化合物である塩
化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６Ｈ2 Ｏ）や塩化パラジウ
ム（ＰｄＣｌ2 ）や塩化ロジウム（ＲｈＣｌ3 ）などを
単独または組み合せて溶解して調製される。
【００２１】（２）処理２：ドーピング用溶剤塗布処理 次に、上述のような処理１によって調製されたドーピン
グ用溶剤をＴｉＯ2 結晶の導電特性を付加する領域の表
面に塗布する。この塗布としては、従来から行われてい
る各種の印刷手法や、液体塗布方法が適宜採用可能であ
る。
グ用溶剤をＴｉＯ2 結晶の導電特性を付加する領域の表
面に塗布する。この塗布としては、従来から行われてい
る各種の印刷手法や、液体塗布方法が適宜採用可能であ
る。
【００２２】（３）処理３：リチウムのドープ処理 処理２のような手法によりドーピング用溶剤が塗布され
た該ＴｉＯ2 結晶は、少なくとも酸化性ガスおよび還元
性ガスを含み、さらに化学的に不活性なキャリアガスを
含む雰囲気ガス中に置かれて加熱処理される。
た該ＴｉＯ2 結晶は、少なくとも酸化性ガスおよび還元
性ガスを含み、さらに化学的に不活性なキャリアガスを
含む雰囲気ガス中に置かれて加熱処理される。
【００２３】上記雰囲気ガスは、（ｉ）酸化性ガスとし
て酸素（Ｏ2 ）ガス、（ii）還元ガスとして水素
（Ｈ2 ）ガス、または一酸化炭素ガス（ＣＯ）もしくは
プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）ガスなどの炭化水素ガスを単独ま
たは組み合せたガス、（iii ）キャリアガスとして窒素
（Ｎ2 ）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスを単独または組み合せたガスと、を混合して調
製される。
て酸素（Ｏ2 ）ガス、（ii）還元ガスとして水素
（Ｈ2 ）ガス、または一酸化炭素ガス（ＣＯ）もしくは
プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）ガスなどの炭化水素ガスを単独ま
たは組み合せたガス、（iii ）キャリアガスとして窒素
（Ｎ2 ）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスを単独または組み合せたガスと、を混合して調
製される。
【００２４】このように、表面にドーピング用溶剤を塗
布したＴｉＯ2 結晶を雰囲気ガス中で加熱すると、ドー
ピング用溶剤中の成分および雰囲気ガス中の成分が貴金
属原子による触媒作用の下で反応し、その過程で生成す
る活性なリチウム原子が、ドーピング用溶剤を塗布した
ＴｉＯ2 結晶の表面から結晶内部の＜００１＞結晶軸方
向に選択的に拡散してドープされる。このため、ＴｉＯ
2 結晶中のリチウム原子がドープされた領域に、導電特
性を有する領域が形成される。
布したＴｉＯ2 結晶を雰囲気ガス中で加熱すると、ドー
ピング用溶剤中の成分および雰囲気ガス中の成分が貴金
属原子による触媒作用の下で反応し、その過程で生成す
る活性なリチウム原子が、ドーピング用溶剤を塗布した
ＴｉＯ2 結晶の表面から結晶内部の＜００１＞結晶軸方
向に選択的に拡散してドープされる。このため、ＴｉＯ
2 結晶中のリチウム原子がドープされた領域に、導電特
性を有する領域が形成される。
【００２５】一方、表面にドーピング用溶剤が塗布され
ていなければ、その領域におけるＴｉＯ2 結晶の表面か
ら結晶内部の＜００１＞結晶軸方向の領域には、リチウ
ム原子も水素原子もドープされない。このため、この領
域には導電特性が付加されず、良好な絶縁特性を有する
領域が形成される。
ていなければ、その領域におけるＴｉＯ2 結晶の表面か
ら結晶内部の＜００１＞結晶軸方向の領域には、リチウ
ム原子も水素原子もドープされない。このため、この領
域には導電特性が付加されず、良好な絶縁特性を有する
領域が形成される。
【００２６】以上のように、本発明の構成より、ドーピ
ング用溶剤が塗布されたＴｉＯ2 結晶表面から結晶内部
の＜００１＞結晶軸方向の領域に導電特性を有する領域
が形成され、ドーピング用溶剤が塗布されていないＴｉ
Ｏ2 結晶表面から結晶内部の＜００１＞結晶方向の領域
に絶縁特性を有する領域が形成されたＴｉＯ2 結晶の導
電性材料が得られる。
ング用溶剤が塗布されたＴｉＯ2 結晶表面から結晶内部
の＜００１＞結晶軸方向の領域に導電特性を有する領域
が形成され、ドーピング用溶剤が塗布されていないＴｉ
Ｏ2 結晶表面から結晶内部の＜００１＞結晶方向の領域
に絶縁特性を有する領域が形成されたＴｉＯ2 結晶の導
電性材料が得られる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に好適な実施の形態
（以下、実施形態という）について、図面に基づいて説
明する。
（以下、実施形態という）について、図面に基づいて説
明する。
【００２８】（製造方法）図１は、本発明の実施形態に
用いたＴｉＯ2 結晶基板１０を上方から見た図であり、
図２は、図１のII−II線に沿った断面図である。このＴ
ｉＯ2 結晶基板１０は、結晶構造がルチル構造であり、
導電率は１０-4Ｓｃｍ-1以下（電気抵抗率が１０4 Ωｃ
ｍ以上）と、比較的高い絶縁特性を有する円板状の単結
晶により構成されている。そして、この基板１０は、直
径が１６ｍｍで厚さが３ｍｍで、厚さ方向に＜００１＞
結晶軸方向が存在する。また、ＴｉＯ2 結晶基板１０の
上表面１２および下表面１４は、粒径１μｍのシリコン
カーバイト（ＳｉＣ）研磨材で研磨してある。
用いたＴｉＯ2 結晶基板１０を上方から見た図であり、
図２は、図１のII−II線に沿った断面図である。このＴ
ｉＯ2 結晶基板１０は、結晶構造がルチル構造であり、
導電率は１０-4Ｓｃｍ-1以下（電気抵抗率が１０4 Ωｃ
ｍ以上）と、比較的高い絶縁特性を有する円板状の単結
晶により構成されている。そして、この基板１０は、直
径が１６ｍｍで厚さが３ｍｍで、厚さ方向に＜００１＞
結晶軸方向が存在する。また、ＴｉＯ2 結晶基板１０の
上表面１２および下表面１４は、粒径１μｍのシリコン
カーバイト（ＳｉＣ）研磨材で研磨してある。
【００２９】図３は、図２と同様の図１のＴｉＯ2 結晶
基板１０のII−II線に沿った断面について、ドーピング
用溶剤塗布工程後の状態を示している。上述のＴｉＯ2
結晶基板１０の上表面１２には、図１において点線で囲
まれた領域４、ここでは上表面１２の中心部の直径８ｍ
ｍの円形状の領域に、ドーピング用溶剤Ｄを塗布した。
そして、この領域４上にドーピング溶剤層１３を形成し
て、これを試料８とした。なお、図中領域５は、試料８
の上表面１２の周辺部に位置するドーナツ状領域であっ
て、この領域表面にはドーピング用溶剤Ｄが塗布されて
いない（以下、この領域５を無塗布領域５という）。
基板１０のII−II線に沿った断面について、ドーピング
用溶剤塗布工程後の状態を示している。上述のＴｉＯ2
結晶基板１０の上表面１２には、図１において点線で囲
まれた領域４、ここでは上表面１２の中心部の直径８ｍ
ｍの円形状の領域に、ドーピング用溶剤Ｄを塗布した。
そして、この領域４上にドーピング溶剤層１３を形成し
て、これを試料８とした。なお、図中領域５は、試料８
の上表面１２の周辺部に位置するドーナツ状領域であっ
て、この領域表面にはドーピング用溶剤Ｄが塗布されて
いない（以下、この領域５を無塗布領域５という）。
【００３０】ここで、［ドーピング用溶剤Ｄ］として
は、重量１ｇの塩化リチウム（ＬｉＣｌ）と、重量０．
１ｇの塩化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６Ｈ2 Ｏ）とを、
溶液１０ｃｃの純水（Ｈ2 Ｏ）に溶解して得られるリチ
ウム（Ｌｉ）原子と白金（Ｐｔ）原子を含む水溶液を用
いた。
は、重量１ｇの塩化リチウム（ＬｉＣｌ）と、重量０．
１ｇの塩化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６Ｈ2 Ｏ）とを、
溶液１０ｃｃの純水（Ｈ2 Ｏ）に溶解して得られるリチ
ウム（Ｌｉ）原子と白金（Ｐｔ）原子を含む水溶液を用
いた。
【００３１】次に、図３に示す試料８を、［雰囲気ガス
Ｇ］を流動させた直径５０ｍｍの石英管内に配置し、電
気炉を用いて、石英管と雰囲気ガスＧおよび試料８とを
温度Ｔに加熱し（以下、この温度を加熱温度Ｔとい
う）、時間Ｈの間保持した（以下、この時間を加熱保持
時間Ｈという）。
Ｇ］を流動させた直径５０ｍｍの石英管内に配置し、電
気炉を用いて、石英管と雰囲気ガスＧおよび試料８とを
温度Ｔに加熱し（以下、この温度を加熱温度Ｔとい
う）、時間Ｈの間保持した（以下、この時間を加熱保持
時間Ｈという）。
【００３２】その後、上記加熱温度Ｔを温度４００Ｋ以
下に冷却し、雰囲気ガスＧ中から室温大気中に取り出し
た。図４は、この時の試料８の断面を示している。
下に冷却し、雰囲気ガスＧ中から室温大気中に取り出し
た。図４は、この時の試料８の断面を示している。
【００３３】このような加熱処理において、上記［雰囲
気ガスＧ］は、（i ）酸化性ガスとして流量が２０ｃｃ
／分（毎分当り２０ｃｃ）の酸素（Ｏ2 ）ガス、（ii）
還元性ガスとして流量が４０ｃｃ／分の水素ガス
（Ｈ2 ）ガス、（iii ）キャリアガスとして流量が１０
００ｃｃ／分の窒素（Ｎ2 ）ガス、以上三種類のガスよ
り構成される混合ガスである。また、上記［加熱温度
Ｔ］は７８０Ｋ、さらに［加熱保持時間Ｈ］は３０分と
した。
気ガスＧ］は、（i ）酸化性ガスとして流量が２０ｃｃ
／分（毎分当り２０ｃｃ）の酸素（Ｏ2 ）ガス、（ii）
還元性ガスとして流量が４０ｃｃ／分の水素ガス
（Ｈ2 ）ガス、（iii ）キャリアガスとして流量が１０
００ｃｃ／分の窒素（Ｎ2 ）ガス、以上三種類のガスよ
り構成される混合ガスである。また、上記［加熱温度
Ｔ］は７８０Ｋ、さらに［加熱保持時間Ｈ］は３０分と
した。
【００３４】図４に示すように上述のような加熱条件
｛雰囲気ガスＧ、加熱温度Ｔ、加熱保持時間Ｈ｝による
処理が施された試料８には、ＴｉＯ2 結晶の上表面１２
のうち、ドーピング溶剤層１３が形成された円形塗布領
域４の表面から、結晶内部の＜００１＞結晶軸方向に下
表面１４まで貫通した円柱状の領域に、青色で導電率が
５×１０-2Ｓｃｍ-1以上（電気抵抗率が２０Ωｃｍ以
下）の導電性領域１６が形成されている。
｛雰囲気ガスＧ、加熱温度Ｔ、加熱保持時間Ｈ｝による
処理が施された試料８には、ＴｉＯ2 結晶の上表面１２
のうち、ドーピング溶剤層１３が形成された円形塗布領
域４の表面から、結晶内部の＜００１＞結晶軸方向に下
表面１４まで貫通した円柱状の領域に、青色で導電率が
５×１０-2Ｓｃｍ-1以上（電気抵抗率が２０Ωｃｍ以
下）の導電性領域１６が形成されている。
【００３５】また、ＴｉＯ2 結晶の上表面１２のうち、
ドーピング溶剤層１３が形成されなかった無塗布領域５
の表面から、結晶内部の＜００１＞結晶軸方向に下表面
１４まで貫通した円筒状の領域には、透明で導電率が１
０-4Ｓｃｍ-1以下（電気抵抗率が１０4 Ωｃｍ以上）の
絶縁性領域１７が形成されている。
ドーピング溶剤層１３が形成されなかった無塗布領域５
の表面から、結晶内部の＜００１＞結晶軸方向に下表面
１４まで貫通した円筒状の領域には、透明で導電率が１
０-4Ｓｃｍ-1以下（電気抵抗率が１０4 Ωｃｍ以上）の
絶縁性領域１７が形成されている。
【００３６】なお、図４において、試料８の領域４表面
には、ドーピング溶剤層１３の熱処理後の残留物として
溶剤残留物２３が残留している。なお、この残留物２３
は、ドーピング用溶剤とほぼ同成分である。そして、溶
剤残留物２３は、その後の処理（例えば、エッチング処
理）によって除去される。
には、ドーピング溶剤層１３の熱処理後の残留物として
溶剤残留物２３が残留している。なお、この残留物２３
は、ドーピング用溶剤とほぼ同成分である。そして、溶
剤残留物２３は、その後の処理（例えば、エッチング処
理）によって除去される。
【００３７】図４に示されるように、本実施形態の上述
したような処理工程によって、導電性領域１６と絶縁性
領域１７を有するＴｉＯ2 結晶材料１８が得られる。
したような処理工程によって、導電性領域１６と絶縁性
領域１７を有するＴｉＯ2 結晶材料１８が得られる。
【００３８】次に、このように導電性領域１６および絶
縁性領域１７が形成される理由について考察する。
縁性領域１７が形成される理由について考察する。
【００３９】まず、ドーピング溶剤層１３が形成された
試料８を、［雰囲気ガスＧ］中で［加熱温度Ｔ］、［加
熱保持時間Ｈ］の条件で加熱保持すると、ドーピング溶
剤層１３内に含まれる塩化リチウムと、雰囲気ガスＧに
含まれる酸素ガスおよび水素ガスが、ドーピング溶剤層
１３内に含まれる白金による触媒作用の下で反応する。
そして、この過程で生成される活性なリチウム原子が、
ドーピング溶剤層１３が形成されている結晶表面から、
結晶内部の＜００１＞結晶軸方向に選択的に拡散し、リ
チウム原子が結晶内にドープされる。
試料８を、［雰囲気ガスＧ］中で［加熱温度Ｔ］、［加
熱保持時間Ｈ］の条件で加熱保持すると、ドーピング溶
剤層１３内に含まれる塩化リチウムと、雰囲気ガスＧに
含まれる酸素ガスおよび水素ガスが、ドーピング溶剤層
１３内に含まれる白金による触媒作用の下で反応する。
そして、この過程で生成される活性なリチウム原子が、
ドーピング溶剤層１３が形成されている結晶表面から、
結晶内部の＜００１＞結晶軸方向に選択的に拡散し、リ
チウム原子が結晶内にドープされる。
【００４０】ここで、ＴｉＯ2 結晶中におけるリチウム
原子の拡散は、結晶構造（ルチル構造）に起因した結晶
方向依存性を有しており、＜００１＞結晶軸方向の拡散
定数が、＜００１＞方向と直角方向の拡散定数より著し
く大きい。具体的には次式（１）に示される程度大き
い。
原子の拡散は、結晶構造（ルチル構造）に起因した結晶
方向依存性を有しており、＜００１＞結晶軸方向の拡散
定数が、＜００１＞方向と直角方向の拡散定数より著し
く大きい。具体的には次式（１）に示される程度大き
い。
【００４１】
【数１】 このため、ＴｉＯ2 結晶基板の表面のリチウム原子は、
＜００１＞結晶軸方向に拡散していくが、＜００１＞結
晶軸方向と直角する方向には、殆ど拡散していかないの
である。
＜００１＞結晶軸方向に拡散していくが、＜００１＞結
晶軸方向と直角する方向には、殆ど拡散していかないの
である。
【００４２】また、ＴｉＯ2 結晶におけるリチウム原子
は、伝導電子を供与するドナーとして作用するために、
ＴｉＯ2 結晶中においてリチウム原子がドープされた領
域では、伝導電子が増加して導電率が増大する。また、
この領域における結晶の色は、青色または黒かっ色を呈
するようになる。
は、伝導電子を供与するドナーとして作用するために、
ＴｉＯ2 結晶中においてリチウム原子がドープされた領
域では、伝導電子が増加して導電率が増大する。また、
この領域における結晶の色は、青色または黒かっ色を呈
するようになる。
【００４３】一方、ドーピング用溶剤Ｄが塗布されない
ＴｉＯ2 結晶表面から結晶内部の＜００１＞結晶軸方向
に広がる領域には、リチウム原子も水素原子もドープさ
れない。従って、この領域には、導電特性が付加され
ず、元のＴｉＯ2 結晶における高い絶縁特性を保持する
ことになる。また、この領域における結晶の色は元の結
晶と同様に透明である。
ＴｉＯ2 結晶表面から結晶内部の＜００１＞結晶軸方向
に広がる領域には、リチウム原子も水素原子もドープさ
れない。従って、この領域には、導電特性が付加され
ず、元のＴｉＯ2 結晶における高い絶縁特性を保持する
ことになる。また、この領域における結晶の色は元の結
晶と同様に透明である。
【００４４】以上のような理由から、本実施形態の処理
工程によって、導電性領域１６および絶縁性領域１７が
選択的に形成されたＴｉＯ2 結晶が得られる。すなわ
ち、ドーピング溶剤層１３が形成されたＴｉＯ2 結晶表
面から結晶内部の＜００１＞結晶軸方向の領域に、リチ
ウム原子がドープされ、導電特性の領域１６が形成され
る。そして、それ以外の領域には、リチウム原子がドー
プされず、絶縁特性の領域１７が形成されることにな
る。
工程によって、導電性領域１６および絶縁性領域１７が
選択的に形成されたＴｉＯ2 結晶が得られる。すなわ
ち、ドーピング溶剤層１３が形成されたＴｉＯ2 結晶表
面から結晶内部の＜００１＞結晶軸方向の領域に、リチ
ウム原子がドープされ、導電特性の領域１６が形成され
る。そして、それ以外の領域には、リチウム原子がドー
プされず、絶縁特性の領域１７が形成されることにな
る。
【００４５】（製造工程における各種条件）上記の実施
形態では、ＴｉＯ2 結晶中に導電特性を有する領域を形
成する条件として、［ドーピング用溶剤Ｄ］や［雰囲気
ガスＧ］や［加熱温度Ｔ］および［加熱保持時間Ｈ］を
それぞれ前述のような値に設定している。
形態では、ＴｉＯ2 結晶中に導電特性を有する領域を形
成する条件として、［ドーピング用溶剤Ｄ］や［雰囲気
ガスＧ］や［加熱温度Ｔ］および［加熱保持時間Ｈ］を
それぞれ前述のような値に設定している。
【００４６】しかし、ＴｉＯ2 結晶中に導電特性を有す
る領域を形成するには、［ドーピング用溶剤Ｄ］にリチ
ウム原子と、触媒作用のある貴金属原子とが含まれてい
ればよい。また、［雰囲気ガスＧ］には、酸化性ガスと
還元性ガスとが含まれていればよい。さらに、［加熱温
度Ｔ］と［加熱保持時間Ｈ］とについては、ドーピング
用溶剤Ｄに含まれる成分と、雰囲気ガスＧの成分が貴金
属原子の触媒作用の下で反応し、これにより生成される
活性なリチウム原子（またはリチウムイオン）が、Ｔｉ
Ｏ2 結晶中に拡散するような条件に設定されていればよ
い。
る領域を形成するには、［ドーピング用溶剤Ｄ］にリチ
ウム原子と、触媒作用のある貴金属原子とが含まれてい
ればよい。また、［雰囲気ガスＧ］には、酸化性ガスと
還元性ガスとが含まれていればよい。さらに、［加熱温
度Ｔ］と［加熱保持時間Ｈ］とについては、ドーピング
用溶剤Ｄに含まれる成分と、雰囲気ガスＧの成分が貴金
属原子の触媒作用の下で反応し、これにより生成される
活性なリチウム原子（またはリチウムイオン）が、Ｔｉ
Ｏ2 結晶中に拡散するような条件に設定されていればよ
い。
【００４７】例えば、本実施形態において、上記条件
［雰囲気ガスＧ］および［加熱温度Ｔ］は、下記のよう
に設定されていればよい。
［雰囲気ガスＧ］および［加熱温度Ｔ］は、下記のよう
に設定されていればよい。
【００４８】（ｉ）雰囲気ガスＧ ［雰囲気ガスＧ］として、流量ｍO 2 ｃｃ／分の酸素ガ
スと、流量ｍH 2 ｃｃ／分の水素ガスと、流量ｍN 2 ｃ
ｃ／分の窒素ガスと、を混合した混合ガスを用いる場
合、各成分ガスの流量が以下の条件式（２）を満たし、
スと、流量ｍH 2 ｃｃ／分の水素ガスと、流量ｍN 2 ｃ
ｃ／分の窒素ガスと、を混合した混合ガスを用いる場
合、各成分ガスの流量が以下の条件式（２）を満たし、
【数２】 ｍH 2 ／１０ ＜ ｍO 2 ＜ ｍH 2 ・・・・・（２） さらに、次の条件式（３）を満足するように設定されて
いればよい。
いればよい。
【００４９】
【数３】 ｍO 2 ＋ｍN 2 ＜ ｍN 2 ／１０ ・・・・・（３） 以上のような条件とすれば、上記本実施形態で得たＴｉ
Ｏ2 結晶材料１８と同様に、導電特性を有する領域と絶
縁特性を有する領域をＴｉＯ2 結晶中に形成することが
できる。
Ｏ2 結晶材料１８と同様に、導電特性を有する領域と絶
縁特性を有する領域をＴｉＯ2 結晶中に形成することが
できる。
【００５０】（ii）加熱温度Ｔ ［加熱温度Ｔ］については、６００Ｋ以上で８５０Ｋ以
下の範囲に設定されていれば、上述した本実施形態で得
られたＴｉＯ2 結晶材料と同様に、十分高い導電特性を
有する領域と、十分高い絶縁特性を有する領域がＴｉＯ
2 結晶中に選択的に形成することができる。
下の範囲に設定されていれば、上述した本実施形態で得
られたＴｉＯ2 結晶材料と同様に、十分高い導電特性を
有する領域と、十分高い絶縁特性を有する領域がＴｉＯ
2 結晶中に選択的に形成することができる。
【００５１】（iii ）ドーピング用溶剤Ｄ ドーピング用溶剤Ｄに関し、例えば、リチウム化合物と
して、塩化リチウムだけを溶解し、触媒作用を有する金
属原子を含まない水溶液をドーピング用溶剤として用い
ると、結果は以下の通りになることが判明した。すなわ
ち、触媒作用のないドーピング用溶剤を用いた場合、こ
れを表面に塗布したＴｉＯ2 結晶を上述のような条件範
囲に設定した［雰囲気ガスＧ］および［加熱温度Ｔ］の
下で加熱保持しても、ＴｉＯ2 結晶中にはリチウム原子
はドープされず、導電特性を有する領域は形成されな
い。
して、塩化リチウムだけを溶解し、触媒作用を有する金
属原子を含まない水溶液をドーピング用溶剤として用い
ると、結果は以下の通りになることが判明した。すなわ
ち、触媒作用のないドーピング用溶剤を用いた場合、こ
れを表面に塗布したＴｉＯ2 結晶を上述のような条件範
囲に設定した［雰囲気ガスＧ］および［加熱温度Ｔ］の
下で加熱保持しても、ＴｉＯ2 結晶中にはリチウム原子
はドープされず、導電特性を有する領域は形成されな
い。
【００５２】これに対して、本実施形態の上述のよう
に、触媒作用を有する貴金属の化合物と、リチウムの化
合物とを溶解して得られる貴金属原子を含む水溶液を
［ドーピング用溶剤Ｄ］として用いれば、他の条件は上
記と同様にした場合、ＴｉＯ2 結晶中に選択的にリチウ
ム原子がドープされ、ＴｉＯ2 結晶中に導電特性を有す
る領域を形成することができる。そして、以上の結果か
ら、［ドーピング用溶剤Ｄ］としては、リチウム原子を
含むこと、および触媒作用を有する貴金属原子を含む必
要があることが理解できる。
に、触媒作用を有する貴金属の化合物と、リチウムの化
合物とを溶解して得られる貴金属原子を含む水溶液を
［ドーピング用溶剤Ｄ］として用いれば、他の条件は上
記と同様にした場合、ＴｉＯ2 結晶中に選択的にリチウ
ム原子がドープされ、ＴｉＯ2 結晶中に導電特性を有す
る領域を形成することができる。そして、以上の結果か
ら、［ドーピング用溶剤Ｄ］としては、リチウム原子を
含むこと、および触媒作用を有する貴金属原子を含む必
要があることが理解できる。
【００５３】上述の［ドーピング用溶剤Ｄ］として、水
溶液中で触媒作用を有する貴金属原子は、白金（Ｐｔ）
や、他にパラジウム（Ｐｄ）やロジウム（Ｒｈ）などが
採用可能である。また、水溶液に溶解するこれら貴金属
の化合物は、それぞれ塩化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６
Ｈ2 Ｏ）、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2 ）または塩化ロ
ジウム（ＲｈＣｌ3 ）などである。
溶液中で触媒作用を有する貴金属原子は、白金（Ｐｔ）
や、他にパラジウム（Ｐｄ）やロジウム（Ｒｈ）などが
採用可能である。また、水溶液に溶解するこれら貴金属
の化合物は、それぞれ塩化白金酸（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６
Ｈ2 Ｏ）、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2 ）または塩化ロ
ジウム（ＲｈＣｌ3 ）などである。
【００５４】また、水溶液中に溶解されるリチウムの化
合物は、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）の他に水酸化リチウ
ム（ＬｉＯＨ）や、炭酸リチウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）など
である。
合物は、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）の他に水酸化リチウ
ム（ＬｉＯＨ）や、炭酸リチウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）など
である。
【００５５】（iv）加熱保持時間Ｈ 加熱保持時間Ｈについては、上述の条件では３０分であ
ったが、この時間は、ＴｉＯ2 結晶基板中に形成する導
電性領域の基板表面からの深さ（拡散深さＬ）や、拡散
定数Ｄ（この拡散定数Ｄは、温度Ｔにより変化するもの
である）などに応じて例えば次式（４）に基づいて決定
し得る条件である。
ったが、この時間は、ＴｉＯ2 結晶基板中に形成する導
電性領域の基板表面からの深さ（拡散深さＬ）や、拡散
定数Ｄ（この拡散定数Ｄは、温度Ｔにより変化するもの
である）などに応じて例えば次式（４）に基づいて決定
し得る条件である。
【００５６】
【数４】 以上説明したように、本実施形態によれば、リチウム原
子と触媒作用を有する貴金属原子を含むドーピング原液
を、ＴｉＯ2 結晶の表面の所定の位置に所定の形状で塗
布した後、該ＴｉＯ2 結晶を酸化性ガスと還元性ガスと
を含む雰囲気ガス中で加熱保持することにより、該Ｔｉ
Ｏ2 結晶中の所定領域に導電特性を有する領域と絶縁特
性を有する領域とが形成されたＴｉＯ2 結晶の導電性材
料を製造することができる。
子と触媒作用を有する貴金属原子を含むドーピング原液
を、ＴｉＯ2 結晶の表面の所定の位置に所定の形状で塗
布した後、該ＴｉＯ2 結晶を酸化性ガスと還元性ガスと
を含む雰囲気ガス中で加熱保持することにより、該Ｔｉ
Ｏ2 結晶中の所定領域に導電特性を有する領域と絶縁特
性を有する領域とが形成されたＴｉＯ2 結晶の導電性材
料を製造することができる。
【００５７】そして、このようにして得たＴｉＯ2 結晶
の導電性材料は、所望の部分に導電性領域が形成でき
る。例えば、図５は、所定の大きさのＴｉＯ2 結晶基板
２０に、上述のような方法を用い、導電領域（図中の斜
線領域）２６および絶縁領域２７をぞれぞれ基板２０の
長手方向に沿って交互に形成したデバイス構成を示して
いる。図５に示されるように、本実施形態の構成を利用
して、ＴｉＯ2 結晶基板の任意の領域に、選択的に導電
領域２６と絶縁領域２７とをパターン精度よく形成可能
である。従って、本実施形態において示したＴｉＯ2 結
晶の導電性材料は、各種の機能素子の製造において有効
に利用することが可能である。
の導電性材料は、所望の部分に導電性領域が形成でき
る。例えば、図５は、所定の大きさのＴｉＯ2 結晶基板
２０に、上述のような方法を用い、導電領域（図中の斜
線領域）２６および絶縁領域２７をぞれぞれ基板２０の
長手方向に沿って交互に形成したデバイス構成を示して
いる。図５に示されるように、本実施形態の構成を利用
して、ＴｉＯ2 結晶基板の任意の領域に、選択的に導電
領域２６と絶縁領域２７とをパターン精度よく形成可能
である。従って、本実施形態において示したＴｉＯ2 結
晶の導電性材料は、各種の機能素子の製造において有効
に利用することが可能である。
【図１】 本実施形態に用いたＴｉＯ2 結晶基板の平面
図である。
図である。
【図２】 図１のＴｉＯ2 結晶基板のII−II線に沿った
断面図である。
断面図である。
【図３】 本実施形態のドーピング用溶剤塗布工程後の
試料の断面構成を示す図である。
試料の断面構成を示す図である。
【図４】 本実施形態の加熱処理後における試料の断面
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】 所定のＴｉＯ2 結晶基板に任意のパターンで
導電性領域を形成したデバイスの平面図である。
導電性領域を形成したデバイスの平面図である。
４ ドーピング用溶剤塗布領域、５ 無塗布領域、８
試料、１０ ＴｉＯ2結晶基板、１２ 上表面、１３
ドーピング溶剤層、１４ 下表面、１６ 導電性領域、
１７ 絶縁性領域、２３ 溶剤残留物。
試料、１０ ＴｉＯ2結晶基板、１２ 上表面、１３
ドーピング溶剤層、１４ 下表面、１６ 導電性領域、
１７ 絶縁性領域、２３ 溶剤残留物。
Claims (8)
- 【請求項１】 ルチル構造の酸化チタン結晶の所定領域
にリチウムが選択的にドープされ、このリチウムがドー
プされた領域に導電性領域が選択的に形成されているこ
とを特徴とする酸化チタン結晶の導電性材料。 - 【請求項２】 リチウムと貴金属とを含むドーピング用
溶剤を所定の表面領域に選択的に付着させたルチル構造
の酸化チタン結晶を酸化性ガスと還元性ガスを含む雰囲
気中で加熱処理することにより得られる酸化チタン結晶
の導電性材料であって、前記溶剤が付着された領域から
その内部方向に向けてリチウムが選択的にドープされ、
前記リチウムがドープされた領域に導電性領域が形成さ
れていることを特徴とする酸化チタン結晶の導電性材
料。 - 【請求項３】 リチウムと貴金属とを含むドーピング用
溶剤を所定の表面領域に選択的に付着させたルチル構造
の酸化チタン結晶を酸化性ガスと還元性ガスを含む雰囲
気中で温度を６００Ｋ〜８５０Ｋの範囲に保持して加熱
処理することにより得られる酸化チタン結晶の導電性材
料であって、前記溶剤が付着された表面領域から結晶内
部の＜００１＞結晶軸方向においてリチウムが選択的に
ドープされている領域に、導電性領域が形成されている
ことを特徴とする酸化チタン結晶の導電性材料。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１つに記載の導
電性材料において、 前記導電性領域は、リチウムがドープされなかった領域
に比べ導電率が１０倍以上であることを特徴とする酸化
チタン結晶の導電性材料。 - 【請求項５】 ルチル構造の酸化チタン結晶の所定の表
面領域に、リチウムと貴金属とを含むドーピング用溶剤
を選択的に塗布する塗布工程と、 表面にドーピング用溶剤が塗布された酸化チタン結晶を
酸化性ガスと還元性ガスとを含む雰囲気中で、温度を６
００Ｋ〜８５０Ｋの範囲に保持する加熱工程と、 を含み、 ドーピング用溶剤を塗布した前記表面領域から内部領域
に向けてリチウムをドープし、前記酸化チタン結晶内に
導電領域を選択的に形成することを特徴とする酸化チタ
ン結晶の導電性材料の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の製造方法であって、 前記ドーピング用溶剤に含まれるリチウム原子は、塩化
リチウム、水酸化リチウム及び炭酸リチウムの内、少な
くともいずれか１つの化合物から得られることを特徴と
する酸化チタン結晶の導電性材料の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５または６に記載の製造方法であ
って、 前記ドーピング用溶剤に含まれる貴金属は、白金、パラ
ジウム及びロジウムの少なくとも１つを含むことを特徴
とする酸化チタン結晶の導電性材料の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５〜７のいずれか１つに記載の製
造方法において、 前記加熱工程における前記酸化性ガスは酸素ガスであ
り、 前記還元性ガスは水素ガス、一酸化炭素ガス及び炭化水
素ガスの少なくとも１つを含むガスであることを特徴と
する酸化チタン結晶の導電性材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581196A JPH09265832A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 酸化チタン結晶の導電性材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581196A JPH09265832A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 酸化チタン結晶の導電性材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265832A true JPH09265832A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13586949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7581196A Pending JPH09265832A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 酸化チタン結晶の導電性材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09265832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022180341A (ja) * | 2021-05-24 | 2022-12-06 | 学校法人 名城大学 | ルチル型酸化チタン結晶材料を用いた導電性材料の製造方法及び導電性材料 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7581196A patent/JPH09265832A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022180341A (ja) * | 2021-05-24 | 2022-12-06 | 学校法人 名城大学 | ルチル型酸化チタン結晶材料を用いた導電性材料の製造方法及び導電性材料 |
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