JPH09266165A - X線取り出し窓 - Google Patents

X線取り出し窓

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Publication number
JPH09266165A
JPH09266165A JP8099137A JP9913796A JPH09266165A JP H09266165 A JPH09266165 A JP H09266165A JP 8099137 A JP8099137 A JP 8099137A JP 9913796 A JP9913796 A JP 9913796A JP H09266165 A JPH09266165 A JP H09266165A
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JP
Japan
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ray
alignment
extraction window
mask
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP8099137A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Suzuki
雅則 鈴木
Makoto Fukuda
真 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP8099137A priority Critical patent/JPH09266165A/ja
Publication of JPH09266165A publication Critical patent/JPH09266165A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 X線取り出し窓とX線マスク、あるいはウエ
ハとの間でのアライメント光の多重反射光をアライメン
ト光学系から外れた方向に出射させ、高精度のアライメ
ントを行うこと。 【解決手段】 マスクとウエハを位置合わせするために
用いるアライメント光と露光に用いるX線を透過する材
質より構成された窓であって、ヘリウム容器の下部に設
けられたメンブレンがアライメント光に対して傾斜を設
けて固定された構造を有するX線取り出し窓。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクパタンをウ
エハ表面に転写して半導体素子を製造するX線露光装
置、およびシンクロトロン放射光(以下SOR光とす
る)を利用するSOR露光用ビームラインのX線取り出
し窓に関するものである。
【0002】
【従来の技術】微細パタン転写にX線露光が有効である
ことが報告されている。中でも、高出力X線発生装置と
してSOR光が注目され、集積回路の製造、材料等の分
析に幅広く利用されている。
【0003】図3はSOR光を使ったSOR露光用ビー
ムラインに使用されているX線取り出し窓構成の一例を
示した図で、1はX線透過率の高いヘリウム雰囲気を形
成するヘリウム容器、2はX線透過率の高いヘリウム雰
囲気、L2はX線束、3a〜3bはマスクとウエハを位
置合わせするアライメント光学系、4a〜4bはアライ
メント光、5aはX線を透過し大気とヘリウムを隔てる
X線取り出し窓、6はX線マスク、7はウエハ、8はウ
エハステージである。X線マスク6は、3つの材質から
構成されており、14はLSIパタンが形成されている
X線吸収体、13はX線を透過しX線吸収体を保持する
メンブレン、12はメンブレンを保持するシリコン基板
である。また、X線取り出し窓5aは、X線マスクと同
様の構成からなり、11aはメンブレン、10aはシリ
コン基板、9aはシリコン基板を保持するX線取り出し
窓基板である。
【0004】X線露光に使用されるX線波長は中心波長
が7から10Å程度の軟X線であり、この領域のX線波
長は空気層による減衰が大きく、X線マスク6とウエハ
7をヘリウム中に置くか、あるいはヘリウム容器1を設
けてX線取り出し窓5aをX線マスク6の近傍に位置さ
せる構造をとっている。
【0005】X線露光ステッパは構造が複雑なため、現
在では、大気中露光方式が多く使用され、X線取り出し
窓5aをX線マスク6の近傍に位置させる方式を採用し
ている。また、X線マスク6上のマスクアライメントマ
ーク15a〜15bやウエハ7上のウエハアライメント
マーク16a〜16bはLSIパタンの近接して配置さ
れており、これらを検出するために使用するアライメン
ト光学系3a〜3bは露光領域に近接して配置される。
そのため、アライメント光学系3a〜3bはヘリウム容
器1内に設置せざるを得ないのが現状である。従って、
X線取り出し窓5aの要求条件として、X線の減衰が小
さく、ヘリウムとの隔壁としての密封性があると同時に
アライメント光を通すことが要求される。また、X線照
射により膜が劣化する問題から、X線取り出し窓5aの
透過窓の材質としては、SiN,SiC等の無機膜を使
用し、(SiN,SiC等の無機膜では、シリコン基板
上にSiN,SiC膜等を1〜2μm程度デポし、裏面
をエッチングすることにより薄膜化する)ヘリウム容器
1の先端部に直接X線取り出し窓5aを接合する。
【0006】ところが、SOR光を利用したX線露光に
おいては、図4に示すように、X線取り出し窓5aを透
過したアライメント光4a〜4bは、X線マスク6のメ
ンブレン13とX線取り出し窓5aのメンブレン11a
との間のマスクからの多重反射光17a〜17bやウエ
ハ7の表面とX線取り出し窓5aのメンブレン11aと
の間のウエハからの多重反射光18a〜18bなどを生
成し、これらの多重反射光17a〜17b、18a〜1
8bがアライメント光4a〜4bに混入してアライメン
ト光学系3a〜3bに入射し、アライメント精度を劣化
させるという問題が生じていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来の欠
点を解決するため、X線取り出し窓に傾斜を設けた構成
としたもので、その目的は、X線取り出し窓とX線マス
ク、あるいはウエハとの間でのアライメント光の多重反
射光をアライメント光学系から外れた方向に出射させ、
高精度のアライメントを行うことにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は、マスクとウエハを位置合わせするために用
いるアライメント光と露光に用いるX線を透過する材質
より構成された窓であり、ヘリウム容器の下部に設けら
れたメンブレインがアライメント光に対して傾斜を設け
て固定された構造を有することを特徴とするX線取り出
し窓を発明の特徴とするものである。換言すれば本発明
は、X線取り出し窓とX線マスク、あるいはウエハとの
間で生じたアライメント光の多重反射光が、アライメン
ト光学系に戻らないように、X線取り出し窓の面をアラ
イメント光の入射方向に対して傾斜を設けてヘリウム容
器に接合させている。
【0009】本発明は前記傾斜を設けたX線取り出し窓
を採用することによって、X線取り出し窓とX線マス
ク、あるいはウエハとの間でのアライメント光の多重反
射光をアライメント光学系から外れた方向に出射できる
ので、アライメント光学系に不要なレーザ光が混入せ
ず、アライメント信号が安定して、高精度のアライメン
トが可能になる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明はヘリウム容器の下部に設
けられたメンブレンを、ヘリウム容器の下面に対して傾
斜して設けられていることを特徴とするものである。
【0011】
【実施例】本発明の実施例を図面について詳細に説明す
る。図1及び図2は本発明をX線露光装置に適用した例
である。図1において、1はX線透過率の高いヘリウム
雰囲気を形成するヘリウム容器、2はX線透過率の高い
ヘリウム雰囲気、L2はX線束、3a〜3bはマスクと
ウエハを位置合わせするアライメント光学系、4a〜4
bはアライメント光、5はX線を透過し大気とヘリウム
を隔てるX線取り出し窓、6はX線マスク、7はウエ
ハ、8はウエハステージである。X線マスク6は、3つ
の材質から構成されており、14はLSIパタンが形成
されているX線吸収体、13はX線を透過しX線吸収体
を保持するメンブレン、12はメンブレンを保持するシ
リコン基板である。また、X線取り出し窓5は、X線マ
スクと同様の構成からなり、11はメンブレン、10は
シリコン基板、9はシリコン基板を保持するX線取り出
し窓基板である。
【0012】X線取り出し窓基板9は左右非対称の構造
を有しており、X線取り出し窓5の窓面であるメンブレ
ン11の面は、アライメント光4a〜4bに対して傾い
て設定されている。したがって、図2に示すように、ア
ライメント光4a〜4bは、メンブレン11に対して斜
めに入射することになり、X線取り出し窓5を透過した
アライメント光4a〜4bにより生成された、X線マス
ク6のメンブレン13とX線取り出し窓のメンブレン1
1との間のマスクからの多重反射光19a〜19bやウ
エハ7の表面とX線取り出し窓5のメンブレン11との
間のウエハからの多重反射光20a〜20bは、それぞ
れアライメント光4a〜4bとは異なった方向に出射さ
れ、アライメント光学系3a〜3bにはもどらない。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、X線取り出し窓は、ア
ライメント光に対して傾斜を設けて設定してあるので、
X線取り出し窓とマスク、あるいはX線取り出し窓とウ
エハとの間で生じる多重反射によるアライメント光の戻
り光を除去することができ、アライメント信号が安定化
し、精度の良いアライメントができるという効果が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例である。
【図2】本発明の実施例である。
【図3】従来技術の説明図である。
【図4】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
1 ヘリウム容器 2 ヘリアム雰囲気 3a〜3b アライメント光学系 4a〜4b アライメント光 5a〜5b X線取り出し窓 6 X線マスク 7 ウエハ 8 ウエハステージ 9,9a X線取り出し窓基板 10,10a シリコン基板 11,11a メンブレン 12 シリコン基板 13 メンブレン 14 X線吸収体 15a〜15b マスクアライメントマーク 16a〜16b ウエハアライメントマーク 17a〜17b マスクからの多重反射光 18a〜18b ウエハからの多重反射光 19a〜19b マスクからの多重反射光 20a〜20b ウエハからの多重反射系 L2 X線束

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクとウエハを位置合わせするために
    用いるアライメント光と露光に用いるX線を透過する材
    質より構成された窓であり、ヘリウム容器の下部に設け
    られたメンブレンがアライメント光に対して傾斜を設け
    て固定された構造を有することを特徴とするX線取り出
    し窓。
JP8099137A 1996-03-27 1996-03-27 X線取り出し窓 Pending JPH09266165A (ja)

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JP8099137A JPH09266165A (ja) 1996-03-27 1996-03-27 X線取り出し窓

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JP8099137A JPH09266165A (ja) 1996-03-27 1996-03-27 X線取り出し窓

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JPH09266165A true JPH09266165A (ja) 1997-10-07

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