JPH09266193A - 半導体ウエーハのエッチング方法 - Google Patents
半導体ウエーハのエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリエッチング中におけるアルカリ濃度
を精度よく管理し、アルカリ水溶液を繰り返し使用する
場合においても、エッチング加工後の半導体ウエーハの
表面粗さ、輝度を変化させることなく、平坦な半導体ウ
エーハを得る。 【解決手段】 実際のエッチング工程に先立ち、エッチ
ングに用いるアルカリ水溶液と同等のアルカリ水溶液を
用意し、該アルカリ水溶液を実際のエッチング時と同じ
温度に加温し、該アルカリ水溶液から蒸発する水分量の
経時変化を測定した後、複数枚の半導体ウエーハを同等
のアルカリ水溶液に浸漬し、前記測定結果で得られた蒸
発水分量の経時変化に対応する水分を前記アルカリ水溶
液に経時的に補給しながら半導体ウエーハをエッチング
する。
を精度よく管理し、アルカリ水溶液を繰り返し使用する
場合においても、エッチング加工後の半導体ウエーハの
表面粗さ、輝度を変化させることなく、平坦な半導体ウ
エーハを得る。 【解決手段】 実際のエッチング工程に先立ち、エッチ
ングに用いるアルカリ水溶液と同等のアルカリ水溶液を
用意し、該アルカリ水溶液を実際のエッチング時と同じ
温度に加温し、該アルカリ水溶液から蒸発する水分量の
経時変化を測定した後、複数枚の半導体ウエーハを同等
のアルカリ水溶液に浸漬し、前記測定結果で得られた蒸
発水分量の経時変化に対応する水分を前記アルカリ水溶
液に経時的に補給しながら半導体ウエーハをエッチング
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハのエッ
チング方法に関する。特にアルカリ水溶液を用いたアル
カリエッチング方法に関する。
チング方法に関する。特にアルカリ水溶液を用いたアル
カリエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエーハの化学エッチングは、半
導体ウエーハを加温した酸又はアルカリ液に浸漬してウ
エーハ表面をエッチングするものである。化学エッチン
グとしては、フッ酸、硝酸、酢酸の混合液を用いた混酸
エッチングと、ＫＯＨまたはＮａＯＨ等のアルカリ水溶
液を用いたアルカリエッチングが代表的である。
導体ウエーハを加温した酸又はアルカリ液に浸漬してウ
エーハ表面をエッチングするものである。化学エッチン
グとしては、フッ酸、硝酸、酢酸の混合液を用いた混酸
エッチングと、ＫＯＨまたはＮａＯＨ等のアルカリ水溶
液を用いたアルカリエッチングが代表的である。
【０００３】混酸液を用いたエッチングの形態は通常は
拡散律速形であり、反応進行中、新鮮液がウエーハ全面
に定期的且つ均一に供給されるか否かで各部の反応速度
に差が生じ、これによって処理対象のウエーハ（以下
「ワーク」と言う。）の形状精度が決定される。このた
め、新鮮液がウエーハ全面に定期的且つ均一に供給され
るようにするため、エッチング時にはワークを回転した
り混酸液を撹拌する等の方法が採られている。
拡散律速形であり、反応進行中、新鮮液がウエーハ全面
に定期的且つ均一に供給されるか否かで各部の反応速度
に差が生じ、これによって処理対象のウエーハ（以下
「ワーク」と言う。）の形状精度が決定される。このた
め、新鮮液がウエーハ全面に定期的且つ均一に供給され
るようにするため、エッチング時にはワークを回転した
り混酸液を撹拌する等の方法が採られている。
【０００４】一方、ＫＯＨ又はＮａＯＨ等を用いたアル
カリエッチングの形態は反応律速であるため、混酸液の
ようにワークの回転や混酸液の撹拌等の複雑な運動形態
をとらずに、容易に均一なワーク形状が得られ、さらに
液寿命も長い。また、アルカリ水溶液の濃度や温度によ
り、加工後のワークの表面粗さ、反応速度が大きく変化
するという特徴がある。
カリエッチングの形態は反応律速であるため、混酸液の
ようにワークの回転や混酸液の撹拌等の複雑な運動形態
をとらずに、容易に均一なワーク形状が得られ、さらに
液寿命も長い。また、アルカリ水溶液の濃度や温度によ
り、加工後のワークの表面粗さ、反応速度が大きく変化
するという特徴がある。
【０００５】アルカリエッチングにおいては、エッチン
グ工程中は加温したアルカリ水溶液から絶えず水分が蒸
発し、アルカリ濃度が変化する。アルカリ濃度が一定で
ないと、エッチング加工後のワークの表面粗さ、輝度が
変化し、平坦なワークを得ることができなくなる。従っ
て、エッチング中のアルカリ濃度を管理して、必要に応
じて水分を補給する必要がある。また、同一のアルカリ
水溶液を繰り返し使用する場合においてもアルカリ濃度
の管理が不可欠である。
グ工程中は加温したアルカリ水溶液から絶えず水分が蒸
発し、アルカリ濃度が変化する。アルカリ濃度が一定で
ないと、エッチング加工後のワークの表面粗さ、輝度が
変化し、平坦なワークを得ることができなくなる。従っ
て、エッチング中のアルカリ濃度を管理して、必要に応
じて水分を補給する必要がある。また、同一のアルカリ
水溶液を繰り返し使用する場合においてもアルカリ濃度
の管理が不可欠である。
【０００６】従来、アルカリ水溶液のアルカリ濃度は、
計測が容易な比重計の計測値を濃度換算した結果を用い
て管理されていた。例えば特開平２−１３７２２８で
は、エッチング中のアルカリ水溶液の比重を計測し、こ
の計測結果に基づいて水分を補給する方法が提案されて
いる。
計測が容易な比重計の計測値を濃度換算した結果を用い
て管理されていた。例えば特開平２−１３７２２８で
は、エッチング中のアルカリ水溶液の比重を計測し、こ
の計測結果に基づいて水分を補給する方法が提案されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の方法では、エッチング中のアルカリ水溶液の比重
の計測結果を水分補給にフィードバックさせる方法なの
で、比重の計測時に対して水分の補給タイミングがずれ
てしまい、より精度の高い濃度管理を行うことが困難で
あった。
従来の方法では、エッチング中のアルカリ水溶液の比重
の計測結果を水分補給にフィードバックさせる方法なの
で、比重の計測時に対して水分の補給タイミングがずれ
てしまい、より精度の高い濃度管理を行うことが困難で
あった。
【０００８】また、エッチングが進むにつれてワークが
反応除去されてアルカリ水溶液中に溶け込み、比重が変
化する。例えば、ワークがシリコンウエーハの場合はＳ
ｉがアルカリ水溶液中に徐々に溶け込み、その分だけア
ルカリ水溶液の比重が高くなる。少量のワークをエッチ
ングする場合は、反応除去されたワークの影響を無視で
きるが、同一液で多量にエッチング加工を行うと、反応
除去されたワークの溶解量の影響は大きく、比重計測に
基づいてアルカリ濃度を正確に算出することができなく
なる。従って、このような従来の方法でアルカリ水溶液
のアルカリ濃度を一定に管理することは困難であった。
反応除去されてアルカリ水溶液中に溶け込み、比重が変
化する。例えば、ワークがシリコンウエーハの場合はＳ
ｉがアルカリ水溶液中に徐々に溶け込み、その分だけア
ルカリ水溶液の比重が高くなる。少量のワークをエッチ
ングする場合は、反応除去されたワークの影響を無視で
きるが、同一液で多量にエッチング加工を行うと、反応
除去されたワークの溶解量の影響は大きく、比重計測に
基づいてアルカリ濃度を正確に算出することができなく
なる。従って、このような従来の方法でアルカリ水溶液
のアルカリ濃度を一定に管理することは困難であった。
【０００９】本発明は、かかる問題点を解決しようとす
るもので、その目的は、アルカリエッチング中における
アルカリ濃度を精度よく管理することができ、アルカリ
水溶液を繰り返し使用する場合においても、エッチング
加工後の半導体ウエーハの表面粗さ、輝度を変化させる
ことなく、平坦な半導体ウエーハを得ることが可能なエ
ッチング方法を提供することにある。
るもので、その目的は、アルカリエッチング中における
アルカリ濃度を精度よく管理することができ、アルカリ
水溶液を繰り返し使用する場合においても、エッチング
加工後の半導体ウエーハの表面粗さ、輝度を変化させる
ことなく、平坦な半導体ウエーハを得ることが可能なエ
ッチング方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１記載の発
明は、複数枚の半導体ウエーハをアルカリ水溶液に浸漬
してエッチングする方法において、実際のエッチング工
程に先立ち、エッチングに用いるアルカリ水溶液と同等
のアルカリ水溶液を用意し、該アルカリ水溶液を実際の
エッチング時と同じ温度に加温し、エッチング槽に充填
し、該アルカリ水溶液から蒸発する水分量の経時変化を
測定した後、複数枚の半導体ウエーハを該エッチング槽
において前記蒸発する水分量の経時変化を測定したアル
カリ水溶液と同等のアルカリ水溶液に浸漬し、前記測定
結果で得られた蒸発水分量の経時変化に対応する水分を
前記アルカリ水溶液に経時的に補給して前記アルカリ水
溶液のアルカリ濃度がほぼ一定に保たれた状態で前記半
導体ウエーハのエッチングを行うことを特徴とする半導
体ウエーハのエッチング方法を提供する。
明は、複数枚の半導体ウエーハをアルカリ水溶液に浸漬
してエッチングする方法において、実際のエッチング工
程に先立ち、エッチングに用いるアルカリ水溶液と同等
のアルカリ水溶液を用意し、該アルカリ水溶液を実際の
エッチング時と同じ温度に加温し、エッチング槽に充填
し、該アルカリ水溶液から蒸発する水分量の経時変化を
測定した後、複数枚の半導体ウエーハを該エッチング槽
において前記蒸発する水分量の経時変化を測定したアル
カリ水溶液と同等のアルカリ水溶液に浸漬し、前記測定
結果で得られた蒸発水分量の経時変化に対応する水分を
前記アルカリ水溶液に経時的に補給して前記アルカリ水
溶液のアルカリ濃度がほぼ一定に保たれた状態で前記半
導体ウエーハのエッチングを行うことを特徴とする半導
体ウエーハのエッチング方法を提供する。
【００１１】本願の請求項２記載の発明は、請求項１記
載の方法において、前記エッチング工程中での前記水分
補給は、一定流量の水分を連続的に補給することを特徴
とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。
載の方法において、前記エッチング工程中での前記水分
補給は、一定流量の水分を連続的に補給することを特徴
とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。
【００１２】本願の請求項３記載の発明は、請求項１記
載の方法において、前記エッチング工程中での前記水分
補給は、一定量の水分を一定時間間隔で補給することを
特徴とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供す
る。
載の方法において、前記エッチング工程中での前記水分
補給は、一定量の水分を一定時間間隔で補給することを
特徴とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供す
る。
【００１３】本願の請求項４記載の発明は、請求項１な
いし３のいずれか記載の方法において、前記アルカリ水
溶液のアルカリはＫＯＨ又はＮａＯＨであることを特徴
とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。
いし３のいずれか記載の方法において、前記アルカリ水
溶液のアルカリはＫＯＨ又はＮａＯＨであることを特徴
とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。
【００１４】本願の請求項５記載の発明は、請求項１な
いし４のいずれか記載の方法において、前記複数枚の半
導体ウエーハをそれぞれの面と面とが向い合うように一
定間隔で治具に配置し、前記治具が前記半導体ウエーハ
の円周方向に沿って回転するかまたは前記半導体ウエー
ハが円周方向に沿って回転するようにして前記エッチン
グ工程またはそれに付随する水洗工程を行うことを特徴
とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。
いし４のいずれか記載の方法において、前記複数枚の半
導体ウエーハをそれぞれの面と面とが向い合うように一
定間隔で治具に配置し、前記治具が前記半導体ウエーハ
の円周方向に沿って回転するかまたは前記半導体ウエー
ハが円周方向に沿って回転するようにして前記エッチン
グ工程またはそれに付随する水洗工程を行うことを特徴
とする半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。
【００１５】本発明においては、実際のエッチング工程
に先立ち、エッチングに用いるアルカリ水溶液と同等の
アルカリ水溶液について該アルカリ水溶液から蒸発する
水分量の経時変化を予め測定しておくことにより、実際
のエッチング工程において蒸発により失われる水分量を
前記測定結果に基づいて補給することができる。この場
合、蒸発によって経時的に失われる水分量を蒸発速度と
同じ速度で補給することができるので、従来のように補
給タイミングがずれることがない。また、Ｓｉ等の溶け
込みによる影響に左右されず、蒸発した水分を量的に精
度良く補給することができる。
に先立ち、エッチングに用いるアルカリ水溶液と同等の
アルカリ水溶液について該アルカリ水溶液から蒸発する
水分量の経時変化を予め測定しておくことにより、実際
のエッチング工程において蒸発により失われる水分量を
前記測定結果に基づいて補給することができる。この場
合、蒸発によって経時的に失われる水分量を蒸発速度と
同じ速度で補給することができるので、従来のように補
給タイミングがずれることがない。また、Ｓｉ等の溶け
込みによる影響に左右されず、蒸発した水分を量的に精
度良く補給することができる。
【００１６】また、本発明によれば、同一のアルカリ水
溶液を用いて繰り返しエッチングを行う場合も、上記し
た水分蒸発以外の例えば治具及びワークに付着した溶液
のアルカリ槽外への持ち出し等の反応以外に起因するア
ルカリ濃度変化を予め測定して把握しておくことによ
り、例え同一液で多量にエッチング加工を行ったとして
も、反応除去されたワークの溶解量の影響等を区別し把
握することができ、正確な濃度管理が可能となる。
溶液を用いて繰り返しエッチングを行う場合も、上記し
た水分蒸発以外の例えば治具及びワークに付着した溶液
のアルカリ槽外への持ち出し等の反応以外に起因するア
ルカリ濃度変化を予め測定して把握しておくことによ
り、例え同一液で多量にエッチング加工を行ったとして
も、反応除去されたワークの溶解量の影響等を区別し把
握することができ、正確な濃度管理が可能となる。
【００１７】なお、一般に、アルカリエッチングでは、
アルカリ水溶液の温度を均一にするために液を撹拌し、
治具に立てられた複数枚のワークをそのまま浸漬し反応
させているが、治具に接触するワーク外周部はワークの
反応時に発生した水素の泡が付着して反応速度が低下す
るため、エッチング加工後のワークの厚さムラが悪化し
てしまう。そこで、複数枚の半導体ウエーハをそれぞれ
の面と面とが向い合うように一定間隔で治具に配置し、
前記治具が前記半導体ウエーハの円周方向に沿って回転
するかまたは前記半導体ウエーハがが円周方向に沿って
回転するようにして前記エッチング工程またはそれに付
随する水洗工程を行うようにすることにより、ワークに
対し液が移動しているため、ワークに接する水素泡の付
着が無く、反応ムラの低減が可能となる。
アルカリ水溶液の温度を均一にするために液を撹拌し、
治具に立てられた複数枚のワークをそのまま浸漬し反応
させているが、治具に接触するワーク外周部はワークの
反応時に発生した水素の泡が付着して反応速度が低下す
るため、エッチング加工後のワークの厚さムラが悪化し
てしまう。そこで、複数枚の半導体ウエーハをそれぞれ
の面と面とが向い合うように一定間隔で治具に配置し、
前記治具が前記半導体ウエーハの円周方向に沿って回転
するかまたは前記半導体ウエーハがが円周方向に沿って
回転するようにして前記エッチング工程またはそれに付
随する水洗工程を行うようにすることにより、ワークに
対し液が移動しているため、ワークに接する水素泡の付
着が無く、反応ムラの低減が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに説明
する。なお、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
する。なお、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【００１９】（比較例１）図１は、加温したアルカリ水
溶液にシリコンウエーハを浸漬してエッチングした時の
アルカリ水溶液の容量、比重及びＳｉ溶解量の経時変化
を示す。アルカリ水溶液は水分の蒸発とともに容量（容
量１）が減少する。また、エッチングが進むにつれてＳ
ｉ溶解量が増加する。さらに、エッチングが進むにつれ
てアルカリ水溶液の比重（比重１）も増加する。これ
は、水分の蒸発及びＳｉの溶解に伴うものである。した
がって、エッチング中のアルカリ水溶液の比重を計測し
てアルカリ濃度を管理しようとしても、Ｓｉの溶解によ
る影響を受けて正確なアルカリ濃度を把握することは困
難である。
溶液にシリコンウエーハを浸漬してエッチングした時の
アルカリ水溶液の容量、比重及びＳｉ溶解量の経時変化
を示す。アルカリ水溶液は水分の蒸発とともに容量（容
量１）が減少する。また、エッチングが進むにつれてＳ
ｉ溶解量が増加する。さらに、エッチングが進むにつれ
てアルカリ水溶液の比重（比重１）も増加する。これ
は、水分の蒸発及びＳｉの溶解に伴うものである。した
がって、エッチング中のアルカリ水溶液の比重を計測し
てアルカリ濃度を管理しようとしても、Ｓｉの溶解によ
る影響を受けて正確なアルカリ濃度を把握することは困
難である。
【００２０】（実施例１）図２は、加温したアルカリ水
溶液をそのまま放置した。この場合のアルカリ水溶液の
容量及び比重の経時変化を示す。アルカリ水溶液は図１
の場合と同様に、水分の蒸発とともに容量（容量２）が
減少するが、この変化割合は図１の場合と同じである。
一方、比重（比重２）は時間の経過とともに増加する
が、図１の場合の比重１と比較すると増加の割合が小さ
い。これは、この比重の増加が水分の蒸発のみによるた
めであり、Ｓｉの溶解による影響が除去されている。次
に、同等のアルカリ水溶液を加温し、シリコンウエーハ
を連続的に複数枚エッチングを行い、水分量の減少量の
みを図２のデータに基づいて連続的に加え、アルカリ濃
度を一定に保った。なお、蒸発水分の経時変化は、アル
カリ水溶液の容量変化を計測することにより求めること
ができる。
溶液をそのまま放置した。この場合のアルカリ水溶液の
容量及び比重の経時変化を示す。アルカリ水溶液は図１
の場合と同様に、水分の蒸発とともに容量（容量２）が
減少するが、この変化割合は図１の場合と同じである。
一方、比重（比重２）は時間の経過とともに増加する
が、図１の場合の比重１と比較すると増加の割合が小さ
い。これは、この比重の増加が水分の蒸発のみによるた
めであり、Ｓｉの溶解による影響が除去されている。次
に、同等のアルカリ水溶液を加温し、シリコンウエーハ
を連続的に複数枚エッチングを行い、水分量の減少量の
みを図２のデータに基づいて連続的に加え、アルカリ濃
度を一定に保った。なお、蒸発水分の経時変化は、アル
カリ水溶液の容量変化を計測することにより求めること
ができる。
【００２１】（比較例２）図３及び図４は、従来のエッ
チング方法の一例を示す。アルカリ槽１内にアルカリ水
溶液２を収容し、図３に示すような形状の従来より用い
られる治具３にウエーハ４をセットしてアルカリ水溶液
２に浸漬してエッチングを行った。この場合、ウエーハ
４の治具３に接する部分ａは、反応時に発生した水素の
泡５の付着によりエッチング速度は遅くなり、ウエーハ
形状は悪化する。
チング方法の一例を示す。アルカリ槽１内にアルカリ水
溶液２を収容し、図３に示すような形状の従来より用い
られる治具３にウエーハ４をセットしてアルカリ水溶液
２に浸漬してエッチングを行った。この場合、ウエーハ
４の治具３に接する部分ａは、反応時に発生した水素の
泡５の付着によりエッチング速度は遅くなり、ウエーハ
形状は悪化する。
【００２２】（実施例２）図５及び図６は、本発明の一
実施例の方法を示す。本方法で用いる治具６は、ウエー
ハ４を３本の支持棒７で支持し、さらに自転軸８が治具
６の円周部に接して自転することにより、治具６が円周
方向に回転するようになっている。このような治具６を
用いてエッチングを行うと、反応時に発生した水素の泡
５は治具６の回転により撹拌され、ウエーハ４に付着す
るのを防止できるため、ウエーハ形状が悪化しない。
実施例の方法を示す。本方法で用いる治具６は、ウエー
ハ４を３本の支持棒７で支持し、さらに自転軸８が治具
６の円周部に接して自転することにより、治具６が円周
方向に回転するようになっている。このような治具６を
用いてエッチングを行うと、反応時に発生した水素の泡
５は治具６の回転により撹拌され、ウエーハ４に付着す
るのを防止できるため、ウエーハ形状が悪化しない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、アル
カリエッチング中におけるアルカリ濃度を精度よく管理
することができ、アルカリ水溶液を繰り返し使用する場
合においても、エッチング加工後の半導体ウエーハの表
面粗さ、輝度を変化させることなく、平坦な半導体ウエ
ーハを得ることができる。
カリエッチング中におけるアルカリ濃度を精度よく管理
することができ、アルカリ水溶液を繰り返し使用する場
合においても、エッチング加工後の半導体ウエーハの表
面粗さ、輝度を変化させることなく、平坦な半導体ウエ
ーハを得ることができる。
【図１】加温したアルカリ水溶液にシリコンウエーハを
浸漬してエッチングした時のアルカリ水溶液の容量、比
重及びＳｉ溶解量の経時変化を示す図である。
浸漬してエッチングした時のアルカリ水溶液の容量、比
重及びＳｉ溶解量の経時変化を示す図である。
【図２】加温したアルカリ水溶液をそのまま放置した場
合のアルカリ水溶液の容量及び比重の経時変化を示す。
合のアルカリ水溶液の容量及び比重の経時変化を示す。
【図３】従来のエッチング方法においてウエーハを治具
にセットした様子を示す説明図である。
にセットした様子を示す説明図である。
【図４】従来のエッチング方法におけるアルカリ槽内の
様子を示す説明図である。
様子を示す説明図である。
【図５】本発明の一実施例のエッチング方法においてウ
エーハを治具にセットした様子を示す説明図である。
エーハを治具にセットした様子を示す説明図である。
【図６】本発明の一実施例のエッチング方法におけるア
ルカリ槽内の様子を示す説明図である。
ルカリ槽内の様子を示す説明図である。
１ アルカリ槽 ２ アルカリ水溶液 ３，６ 治具 ４ ウエーハ ７ 支持棒 ８ 自転軸
Claims (5)
- 【請求項１】 複数枚の半導体ウエーハをアルカリ水溶
液に浸漬してエッチングする方法において、実際のエッ
チング工程に先立ち、エッチングに用いるアルカリ水溶
液と同等のアルカリ水溶液を用意し、該アルカリ水溶液
を実際のエッチング時と同じ温度に加温し、エッチング
槽に充填し、該アルカリ水溶液から蒸発する水分量の経
時変化を測定した後、複数枚の半導体ウエーハを該エッ
チング槽において前記蒸発する水分量の経時変化を測定
したアルカリ水溶液と同等のアルカリ水溶液に浸漬し、
前記測定結果で得られた蒸発水分量の経時変化に対応す
る水分を前記アルカリ水溶液に経時的に補給して前記ア
ルカリ水溶液のアルカリ濃度がほぼ一定に保たれた状態
で前記半導体ウエーハのエッチングを行うことを特徴と
する半導体ウエーハのエッチング方法。 - 【請求項２】 前記エッチング工程中での前記水分補給
は、一定流量の水分を連続的に補給することを特徴とす
る請求項１記載の半導体ウエーハのエッチング方法。 - 【請求項３】 前記エッチング工程中での前記水分補給
は、一定量の水分を一定時間間隔で補給することを特徴
とする請求項１記載の半導体ウエーハのエッチング方
法。 - 【請求項４】 前記アルカリ水溶液のアルカリはＫＯＨ
又はＮａＯＨであることを特徴とする請求項１ないし３
のいずれか記載の半導体ウエーハのエッチング方法。 - 【請求項５】 前記複数枚の半導体ウエーハをそれぞれ
の面と面とが向い合うように一定間隔で治具に配置し、
前記治具が前記半導体ウエーハの円周方向に沿って回転
するかまたは前記半導体ウエーハが円周方向に沿って回
転するようにして前記エッチング工程またはそれに付随
する水洗工程を行うことを特徴とする請求項１ないし４
のいずれか記載の半導体ウエーハのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09776296A JP3657693B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 半導体ウエーハのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09776296A JP3657693B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 半導体ウエーハのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266193A true JPH09266193A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3657693B2 JP3657693B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=14200889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09776296A Expired - Fee Related JP3657693B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 半導体ウエーハのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3657693B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067814A1 (en) * | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Anisotropic etching method and apparatus |
| US6099748A (en) * | 1997-12-11 | 2000-08-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon wafer etching method and silicon wafer etchant |
| CN111211049A (zh) * | 2018-11-21 | 2020-05-29 | 上海尚理投资有限公司 | 一种硅片碱腐蚀工艺及其应用 |
| CN114203543A (zh) * | 2020-09-02 | 2022-03-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种处理腐蚀液的方法 |
| CN115386876A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-11-25 | 扬州赛诺高德电子科技有限公司 | 一种金属离心蚀刻加工装置及方法 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP09776296A patent/JP3657693B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6099748A (en) * | 1997-12-11 | 2000-08-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon wafer etching method and silicon wafer etchant |
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| CN111211049A (zh) * | 2018-11-21 | 2020-05-29 | 上海尚理投资有限公司 | 一种硅片碱腐蚀工艺及其应用 |
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| CN115386876A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-11-25 | 扬州赛诺高德电子科技有限公司 | 一种金属离心蚀刻加工装置及方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3657693B2 (ja) | 2005-06-08 |
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