JPS58123730A - 半導体ウエハ−エツチング装置 - Google Patents
半導体ウエハ−エツチング装置Info
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- JPS58123730A JPS58123730A JP567082A JP567082A JPS58123730A JP S58123730 A JPS58123730 A JP S58123730A JP 567082 A JP567082 A JP 567082A JP 567082 A JP567082 A JP 567082A JP S58123730 A JPS58123730 A JP S58123730A
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- semiconductor wafer
- etching liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、半導体ウェハーエツチング装置に関する。
発明の技術的背景と、その問題点
従来、半導体ウェハーエツチング装置は、半導体ウェハ
をエツチング液中に浸漬して回転子で回転させな−から
エツチング処理を施すか、或は、半導体ウェハに直接上
下運動を施して揺動させながら、工、チング処理を施す
構造になっている。しかしながら、このような構造の半
導体ウェハーエツチング装置で拡、半導体ウェハーを支
持する治具の形状によってエツチング処理の度合が左右
され、均一な工、チング処理を施すことが困難である。
をエツチング液中に浸漬して回転子で回転させな−から
エツチング処理を施すか、或は、半導体ウェハに直接上
下運動を施して揺動させながら、工、チング処理を施す
構造になっている。しかしながら、このような構造の半
導体ウェハーエツチング装置で拡、半導体ウェハーを支
持する治具の形状によってエツチング処理の度合が左右
され、均一な工、チング処理を施すことが困難である。
４１に、半導体ウェハーＫ１０μｍ以上のエツチング処
理を施す場合には、この欠点が顕著に現われる。また、
エツチング液を霧状にして半導体ウェハーに吹付けるよ
５うにした構造の半導体ウェハーエツチング装置が開発
されている。この半導体ウェハーエツチング装置では、
極めて均一な度合でエツチング処理を施すことができる
が、エツチング液の回収が困難であシ、経済性に乏しく
量産性が低い欠点がある。
理を施す場合には、この欠点が顕著に現われる。また、
エツチング液を霧状にして半導体ウェハーに吹付けるよ
５うにした構造の半導体ウェハーエツチング装置が開発
されている。この半導体ウェハーエツチング装置では、
極めて均一な度合でエツチング処理を施すことができる
が、エツチング液の回収が困難であシ、経済性に乏しく
量産性が低い欠点がある。
発明の目的
本発明は、極めて均一なエツチング処理を高い精度で施
すことができ、しかも工、チング量の制御が容易である
半導体ウェハーエ、チング装置を提供することをその目
的とするものである。
すことができ、しかも工、チング量の制御が容易である
半導体ウェハーエ、チング装置を提供することをその目
的とするものである。
見間の概要
本発明は、エツチング液の温度制御器と工。
チンダ液中に気泡を発生せしめる気泡発生器とを設けた
ことにより、高い精度で均一なエツチング処理を施すこ
とができ、しかも、エツチング量の制御を容易にした半
導体ウェハーエツチング装置である。
ことにより、高い精度で均一なエツチング処理を施すこ
とができ、しかも、エツチング量の制御を容易にした半
導体ウェハーエツチング装置である。
発明の実施例
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中１は、エツチング装置本体である。エツチン
グ装置本体１は、仕切板２を介してエツチング槽３と洗
浄槽４に仕切られている。洗浄槽４の下方には、エツチ
ング装置本体１の底部を貫挿して洗浄水供給管５＆と洗
浄水排出管５ｋが設けられている。工、チング槽３の下
方には、エツチング装置本体１の底部金員挿してエツチ
ング液供給管６＆とエツチング液還流管６ｂが設けられ
ている。工、チング液供給管６ａ及びエツチング液還流
管６ｂは、冷却器、熱交換器、エツチング液還流モータ
、エツチング液温センナなどを含む恒温設定機構ｒａを
内蔵したエツチング液温度制御装置１に接続されている
。エツチング槽３の底部には、気泡発生器Ｉが設置され
ている。気泡発生器８は、第２図に示す如く、耐酸性の
合成轡脂からなる上部を開口した気泡発生箱＃ａの側部
に、エツチング装置本体１の外部から気泡発１１スこの
蓋体８シを押え板８＠で固定した構造を有している。蓋
体８ｄ及び押え板８・は、エツチング液に侵されないフ
ッ素系の樹脂で形成されている１、発泡孔８ｃは、気泡
発生ガス供給ｗ８ｂから供給された気泡発生ガスをエツ
チング液中に放出することによ″′シ発泡を発生せしめ
るもので′ｈ）、その径を約２００ｐｌｎ以下に設定す
るのが望ましい、ｔた、蓋体８ｄの大きさは、エツチン
グ処理を施す半導体クエハ（後述する）の径及び処理枚
数に応じて適宜設定するのが好ましい。例えば、半導体
ウニへの径が２〜４インチで処理枚数が５０〜１００枚
の場合には、蓋体ａｄ（Ｑ縦を８０〜１００■、横を２
５０〜３００■に設定するのが望ましい。
ある。図中１は、エツチング装置本体である。エツチン
グ装置本体１は、仕切板２を介してエツチング槽３と洗
浄槽４に仕切られている。洗浄槽４の下方には、エツチ
ング装置本体１の底部を貫挿して洗浄水供給管５＆と洗
浄水排出管５ｋが設けられている。工、チング槽３の下
方には、エツチング装置本体１の底部金員挿してエツチ
ング液供給管６＆とエツチング液還流管６ｂが設けられ
ている。工、チング液供給管６ａ及びエツチング液還流
管６ｂは、冷却器、熱交換器、エツチング液還流モータ
、エツチング液温センナなどを含む恒温設定機構ｒａを
内蔵したエツチング液温度制御装置１に接続されている
。エツチング槽３の底部には、気泡発生器Ｉが設置され
ている。気泡発生器８は、第２図に示す如く、耐酸性の
合成轡脂からなる上部を開口した気泡発生箱＃ａの側部
に、エツチング装置本体１の外部から気泡発１１スこの
蓋体８シを押え板８＠で固定した構造を有している。蓋
体８ｄ及び押え板８・は、エツチング液に侵されないフ
ッ素系の樹脂で形成されている１、発泡孔８ｃは、気泡
発生ガス供給ｗ８ｂから供給された気泡発生ガスをエツ
チング液中に放出することによ″′シ発泡を発生せしめ
るもので′ｈ）、その径を約２００ｐｌｎ以下に設定す
るのが望ましい、ｔた、蓋体８ｄの大きさは、エツチン
グ処理を施す半導体クエハ（後述する）の径及び処理枚
数に応じて適宜設定するのが好ましい。例えば、半導体
ウニへの径が２〜４インチで処理枚数が５０〜１００枚
の場合には、蓋体ａｄ（Ｑ縦を８０〜１００■、横を２
５０〜３００■に設定するのが望ましい。
を九、エツチング槽ａ内には、駆動モータ、駆動制御機
器を含む駆動部ＳＯ半導体会エノ・保持部９ａが出入自
在に収容されている。駆動部９は、半導体ウェハ保持部
９ａ−を挾持した挟持枠９ｂと、）、りｇ−を介して挾
持枠＃ｂが吊下されたアームガイド９纏と、駆動部９に
電気的に接続され、挾持枠＃ｂを７−ムガイ１」にＧｑ
て移動せしめる電気制御部１０とで構成されている。こ
の電気制御部１＃ではエツチング液温及び駆動モードが
電気的に設定され制御されている。なお、アームガイド
ｇ４は、工。
器を含む駆動部ＳＯ半導体会エノ・保持部９ａが出入自
在に収容されている。駆動部９は、半導体ウェハ保持部
９ａ−を挾持した挟持枠９ｂと、）、りｇ−を介して挾
持枠＃ｂが吊下されたアームガイド９纏と、駆動部９に
電気的に接続され、挾持枠＃ｂを７−ムガイ１」にＧｑ
て移動せしめる電気制御部１０とで構成されている。こ
の電気制御部１＃ではエツチング液温及び駆動モードが
電気的に設定され制御されている。なお、アームガイド
ｇ４は、工。
チング装置本体１の上方に、エツチング槽３と洗浄槽４
に跨がるように形成されている。また、半導体クエハ保
持部９ａは、対向する保持板９ａ１の内面に、被工、チ
ンダ体である半導体つ、、ｌ−１１の周縁部を保持する
溝を複数本所定間隔を設けて形成し、５０〜１００枚の
半導体ウニへ１１を保持するようになっている。電気制
御部１０は、エツチング液温度制御装置１の恒温設定機
構１１に電気的に接続されており、挟持枠Ｊｋの移動に
連動して恒温設定機構１ａによシエ、チング槽３内のエ
ツチング液の温度を所定温度に設定するようになってい
る。
に跨がるように形成されている。また、半導体クエハ保
持部９ａは、対向する保持板９ａ１の内面に、被工、チ
ンダ体である半導体つ、、ｌ−１１の周縁部を保持する
溝を複数本所定間隔を設けて形成し、５０〜１００枚の
半導体ウニへ１１を保持するようになっている。電気制
御部１０は、エツチング液温度制御装置１の恒温設定機
構１１に電気的に接続されており、挟持枠Ｊｋの移動に
連動して恒温設定機構１ａによシエ、チング槽３内のエ
ツチング液の温度を所定温度に設定するようになってい
る。
エツチング槽３内には、エツチング液供給管６ａからエ
ツチング液を供給し、オー・童フローしたエツチング液
をエツチング液還流管６ｂによシ回収することにより、
常に一定量のエツチング液が満されるようになりている
。また、洗浄槽４内には、洗浄水供給管５ａから洗浄水
が供給され、オーツ々フローした洗浄水を洗浄水排出管
５ｂから回収することによシ、常に一定量の洗浄水が満
されるようＫなっている。なお、洗浄槽４内ニ、エツチ
ング処理の施された半導体ウエノ・１１を回転せしめる
回転子や気泡−生器岬を設けて、エツチング処理により
て半導体ウェノ・１１の表面に付着した酸の除去を促進
するようにしても良い。
ツチング液を供給し、オー・童フローしたエツチング液
をエツチング液還流管６ｂによシ回収することにより、
常に一定量のエツチング液が満されるようになりている
。また、洗浄槽４内には、洗浄水供給管５ａから洗浄水
が供給され、オーツ々フローした洗浄水を洗浄水排出管
５ｂから回収することによシ、常に一定量の洗浄水が満
されるようＫなっている。なお、洗浄槽４内ニ、エツチ
ング処理の施された半導体ウエノ・１１を回転せしめる
回転子や気泡−生器岬を設けて、エツチング処理により
て半導体ウェノ・１１の表面に付着した酸の除去を促進
するようにしても良い。
而して、このように構成され九半導体つェノ１−エツチ
ング装置ＬＡによれば、エツチング槽３内に所定量溝さ
れた工、チンダ液をエツチング液温度制御装置１により
所定温度に設定し、かつ、気泡発生器１によって工、チ
ンダ液中に多数個の気泡を発生させた状態で、半導体ウ
ェハ保持部ｐｍに所定枚数の半導体クエへ１１を保持さ
せた状態でエツチング槽３中に浸漬し、工、チング処理
を施す１次いで、電気制御部１０によりエツチング処理
後に挾持枠＃ｂを洗浄槽４に移し、半導体ウェハ１１を
洗浄すると共に、これと同期して電気制御部１０Ｃ）指
令に基づいて恒温設定機構７ａを調節して、工、チング
槽３内の温度を所定温度に設定する。然る後、保持部９
ａに新しい半導体ウェハ、１１を塔載し、同様の操作を
繰）返して毛簿体つェ八１１に所望の工、チンダ処理を
施す。その結果、次のような効果を有する。
ング装置ＬＡによれば、エツチング槽３内に所定量溝さ
れた工、チンダ液をエツチング液温度制御装置１により
所定温度に設定し、かつ、気泡発生器１によって工、チ
ンダ液中に多数個の気泡を発生させた状態で、半導体ウ
ェハ保持部ｐｍに所定枚数の半導体クエへ１１を保持さ
せた状態でエツチング槽３中に浸漬し、工、チング処理
を施す１次いで、電気制御部１０によりエツチング処理
後に挾持枠＃ｂを洗浄槽４に移し、半導体ウェハ１１を
洗浄すると共に、これと同期して電気制御部１０Ｃ）指
令に基づいて恒温設定機構７ａを調節して、工、チング
槽３内の温度を所定温度に設定する。然る後、保持部９
ａに新しい半導体ウェハ、１１を塔載し、同様の操作を
繰）返して毛簿体つェ八１１に所望の工、チンダ処理を
施す。その結果、次のような効果を有する。
■ エツチング量のばらつきは、半導体ウニへ１１の厚
さに対して±１μｍに設定できる、。
さに対して±１μｍに設定できる、。
（従来の装置では、±５μｍＯばらつキ量であった。）
■ 工、チング処理抜の平行度は、第４図に曲線（１）
で示す如く、実施例のものでは同図中曲線ω）で示す従
来の装置に比べて半導体ウェハ１１（Ｄ中心部の厚さと
の差を５〜６分の１に減少できる。
で示す如く、実施例のものでは同図中曲線ω）で示す従
来の装置に比べて半導体ウェハ１１（Ｄ中心部の厚さと
の差を５〜６分の１に減少できる。
■ エツチング処理後の仕上げ面の鏡面度が、従来の装
置による場合に比べて遥かに機械研摩品の鏡面度に近づ
き、工、チンダ液の寿命が約１．５倍になる。
置による場合に比べて遥かに機械研摩品の鏡面度に近づ
き、工、チンダ液の寿命が約１．５倍になる。
■ 半導体クエへ１１を保持する半導体ウェハ保持部９
ａの形状によってエツチング量が左右されないので、既
製のキャリアを半導体つ８−、＆□９．に□１１１１１
□ｆｂｊｈヵ８□４゜■ １回の工、チンダ処理に要す
る処理時間を短縮して生産性を向上させることができる
。
ａの形状によってエツチング量が左右されないので、既
製のキャリアを半導体つ８−、＆□９．に□１１１１１
□ｆｂｊｈヵ８□４゜■ １回の工、チンダ処理に要す
る処理時間を短縮して生産性を向上させることができる
。
発明の詳細
な説明した如く、本発明に係る半導体ウェハーエ、チン
ダ装置によれば、極めて均一なエツチング処理を高い精
度で施すことができ、しかもエツチング量の制御が容易
である尋顕著な効果を奏するもＯである。
ダ装置によれば、極めて均一なエツチング処理を高い精
度で施すことができ、しかもエツチング量の制御が容易
である尋顕著な効果を奏するもＯである。
第１図は、本発明の一実施例Ｏ概略構成を示す説明図、
第２図は、気泡発生器ｔ）ｌｔｌ１図、第３図は、同気
泡発生器の蓋体Ｏ斜視図、第４図は、半導体ウェハの中
心、部における肉厚との差と外周からの距離の関係を示
す特性図である。 、１・・・工、チンダ装置本体、２−・仕切板、３・・
・工、チング槽、４・・・洗浄槽、ｊ６−・洗浄水供給
管、ｓｂ・・・洗浄水排出管、ｇａ・・・工、チンダ液
供給管、６ｂ・・・エツチング液還流管、１・・・エツ
チング液温度制御装置、７ ｍ ・・・恒温設定機構、
８・・・気泡発生器、８ａ・・・気泡発生箱、８ｂ・・
・気泡発生ガス供給管、Ｊｅ・・・発泡孔、ａｍ・・・
蓋体、８・・・・押え板、９・・・駆動部、ｔａ・・・
半導体ウェハ保持部、９ｂ・・・挟持部、りＣ・・・フ
ック、９ｄ・・・アームガイド、１０・・・電気制御部
、１１・・・半導体クエ／＼、Ｌ」・・・半導体ウエノ
・−エツチング装置。
第２図は、気泡発生器ｔ）ｌｔｌ１図、第３図は、同気
泡発生器の蓋体Ｏ斜視図、第４図は、半導体ウェハの中
心、部における肉厚との差と外周からの距離の関係を示
す特性図である。 、１・・・工、チンダ装置本体、２−・仕切板、３・・
・工、チング槽、４・・・洗浄槽、ｊ６−・洗浄水供給
管、ｓｂ・・・洗浄水排出管、ｇａ・・・工、チンダ液
供給管、６ｂ・・・エツチング液還流管、１・・・エツ
チング液温度制御装置、７ ｍ ・・・恒温設定機構、
８・・・気泡発生器、８ａ・・・気泡発生箱、８ｂ・・
・気泡発生ガス供給管、Ｊｅ・・・発泡孔、ａｍ・・・
蓋体、８・・・・押え板、９・・・駆動部、ｔａ・・・
半導体ウェハ保持部、９ｂ・・・挟持部、りＣ・・・フ
ック、９ｄ・・・アームガイド、１０・・・電気制御部
、１１・・・半導体クエ／＼、Ｌ」・・・半導体ウエノ
・−エツチング装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エツチング槽内に設けられた気泡発生器と、前記工、チ
ング槽に工、チンダ液供給管及び工、チンダ液還流管を
介して接続し、がっ、恒温設定機構を内蔵し九温度制御
器と、被エッチン４グ体保持部を有し、かつ、該保持部
を前記工。 チング槽内に出入せしめる駆動部を備え九被工、チング
体保持機構とを具備することを４ＩｇＬとする半導体ウ
ェハーエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP567082A JPS58123730A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 半導体ウエハ−エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP567082A JPS58123730A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 半導体ウエハ−エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123730A true JPS58123730A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11617532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP567082A Pending JPS58123730A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 半導体ウエハ−エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123730A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183033U (ja) * | 1984-11-06 | 1986-06-02 | ||
| JPS6386525A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコンウエ−ハのエツチング装置 |
| US5159946A (en) * | 1989-05-15 | 1992-11-03 | Aigo Seiichiro | Over-flow tank for a semiconductor wafer washing apparatus |
| US5839456A (en) * | 1996-12-24 | 1998-11-24 | Lg Semicon Co., Ltd. | Wafer wet treating apparatus |
| CN111524834A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-11 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种多晶硅清洗装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568633A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Method and device for back etching of semiconductor substrate |
| JPS5617021A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Fujitsu Ltd | Surface treatment of substrate |
| JPS56120132A (en) * | 1980-02-27 | 1981-09-21 | Hitachi Ltd | Wafer etching method |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP567082A patent/JPS58123730A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| CN111524834B (zh) * | 2020-04-29 | 2023-08-18 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种多晶硅清洗装置及方法 |
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