JPH09266351A - ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子 - Google Patents
ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子Info
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- JPH09266351A JPH09266351A JP7422096A JP7422096A JPH09266351A JP H09266351 A JPH09266351 A JP H09266351A JP 7422096 A JP7422096 A JP 7422096A JP 7422096 A JP7422096 A JP 7422096A JP H09266351 A JPH09266351 A JP H09266351A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 AlInGaN系半導体発光素子において、インピ
ーダンスを低減する。 【解決手段】 サファイアｃ面基板１上に、p-GaN低温
バッファ層２、p-GaNバッファ層３、p-In0.1Ga0.9Nバッ
ファ層４、クラッド層、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層
５、p-GaN光ガイド層６、活性層７、n-GaN 光ガイド層
８、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層９およびn-GaN キャッ
プ層10を順次成長する。SiN 膜14をプラズマＣＶＤで全
面に製膜した後、フォトリソグラフィとエッチングによ
り発光領域以外の不要部分を除去し、塩素イオンを用い
たＲｌＢＥにより発光領域以外のエピタキシャル層をp-
GaN バッファ層３が露出するまでエッチング除去する。
SiN 膜14に電流注入のためのストライプ状窓12を作製
後、該ストライプ窓12を覆うようにｎ側電極13としてTi
/Al/Ti/Au を、またp-GaN バッファ層の露出部にｐ側電
極11としてNi/Au を蒸着・窒素中アニールしてオーミッ
ク電極を形成する。
ーダンスを低減する。 【解決手段】 サファイアｃ面基板１上に、p-GaN低温
バッファ層２、p-GaNバッファ層３、p-In0.1Ga0.9Nバッ
ファ層４、クラッド層、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層
５、p-GaN光ガイド層６、活性層７、n-GaN 光ガイド層
８、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層９およびn-GaN キャッ
プ層10を順次成長する。SiN 膜14をプラズマＣＶＤで全
面に製膜した後、フォトリソグラフィとエッチングによ
り発光領域以外の不要部分を除去し、塩素イオンを用い
たＲｌＢＥにより発光領域以外のエピタキシャル層をp-
GaN バッファ層３が露出するまでエッチング除去する。
SiN 膜14に電流注入のためのストライプ状窓12を作製
後、該ストライプ窓12を覆うようにｎ側電極13としてTi
/Al/Ti/Au を、またp-GaN バッファ層の露出部にｐ側電
極11としてNi/Au を蒸着・窒素中アニールしてオーミッ
ク電極を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
構造に関し、特に詳しくは、発光ダイオード（ＬＥＤ）
および半導体レーザを含むAlxInyGa1-x-yN系半導体発光
素子に関するものである。
構造に関し、特に詳しくは、発光ダイオード（ＬＥＤ）
および半導体レーザを含むAlxInyGa1-x-yN系半導体発光
素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、500nm を切る短波長光源とし
てAlInGaN系のＬＥＤおよび半導体レーザが注目されて
いる。本材料は青・緑の波長領域の高輝度ＬＥＤとして
極めて優れた特性を有し（文献（１）Jpn.J.Appl.Phys.
vol.34,No.7A,pp.L797-799(1995)）、信号機や屋外表示
装置の光源として実用化が進められている。また、半導
体レーザとしては、最近室温で417nm のパルス発振が報
告された（文献（２）Jpn.J.App1.Phys.vol35, No.1B,p
p.L74-76(1996)）。
てAlInGaN系のＬＥＤおよび半導体レーザが注目されて
いる。本材料は青・緑の波長領域の高輝度ＬＥＤとして
極めて優れた特性を有し（文献（１）Jpn.J.Appl.Phys.
vol.34,No.7A,pp.L797-799(1995)）、信号機や屋外表示
装置の光源として実用化が進められている。また、半導
体レーザとしては、最近室温で417nm のパルス発振が報
告された（文献（２）Jpn.J.App1.Phys.vol35, No.1B,p
p.L74-76(1996)）。
【０００３】上記文献（２）記載のAlInGaN 系半導体レ
ーザでは、ｐ型半導体層と電極との接触抵抗が非常に高
いため、パルス駆動時の動作電圧が数十ボルトと高くな
り、発振時に素子に投入される電力は通常の素子より10
倍程度高くなるため、素子の発熱や、変調時の歪みが大
きくなるという欠点がある。そこで、素子のインピーダ
ンスの低減が課題とされている。
ーザでは、ｐ型半導体層と電極との接触抵抗が非常に高
いため、パルス駆動時の動作電圧が数十ボルトと高くな
り、発振時に素子に投入される電力は通常の素子より10
倍程度高くなるため、素子の発熱や、変調時の歪みが大
きくなるという欠点がある。そこで、素子のインピーダ
ンスの低減が課題とされている。
【０００４】また、上記AlInGaN 系半導体レーザの応用
としては短波長化により現在実現されている630nm 半導
体レーザより格段に小さい径の光スポットが得られるこ
とから、光ディスクメモリの高密度化への応用が最も期
待される。このためには、安定な光ビームが得られる単
一モードレーザの実現が必須であり、AlInGaN 系で期待
される360-500nm の短波長域では横モード安定化のため
の作りつけの光導波路のストライプ幅は2μm程度かそれ
以下の狭ストライプであることが必要となる。
としては短波長化により現在実現されている630nm 半導
体レーザより格段に小さい径の光スポットが得られるこ
とから、光ディスクメモリの高密度化への応用が最も期
待される。このためには、安定な光ビームが得られる単
一モードレーザの実現が必須であり、AlInGaN 系で期待
される360-500nm の短波長域では横モード安定化のため
の作りつけの光導波路のストライプ幅は2μm程度かそれ
以下の狭ストライプであることが必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献に示される従来構造の素子においては基板上にｎ型半
導体層を先に積層した後にｐ型半導体層を積層して作製
する構成をとっており、狭ストライプを設ける場合、ｐ
型半導体層と電極との接触面積が狭められ、さらにイン
ピーダンスを増加させることとなる。また、ｐ型半導体
層に狭ストライプを形成すると、ｐ型半導体自体の高抵
抗率もインピーダンス増加の要因となる。
献に示される従来構造の素子においては基板上にｎ型半
導体層を先に積層した後にｐ型半導体層を積層して作製
する構成をとっており、狭ストライプを設ける場合、ｐ
型半導体層と電極との接触面積が狭められ、さらにイン
ピーダンスを増加させることとなる。また、ｐ型半導体
層に狭ストライプを形成すると、ｐ型半導体自体の高抵
抗率もインピーダンス増加の要因となる。
【０００６】本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
であり、インピーダンスを低減したAlInGaN 系半導体発
光素子を提供することを目的とするものである。
であり、インピーダンスを低減したAlInGaN 系半導体発
光素子を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、基板上の少なくとも一部に、少なくともｐ型クラッ
ド層、活性層およびｎ型クラッド層を含む複数の半導体
層と絶縁膜とがこの順に積層され、前記絶縁膜に単一モ
ード発振をさせるための狭ストライプの電流注入窓が形
成され、前記絶縁膜上に前記電流注入窓を覆うようにｎ
側電極が形成され、前記ｐ型クラッド層側にｐ側電極が
形成されているAlxInyGa1-x-yN（0≦x,y≦1）系半導体
発光素子において、前記ｐ側電極が前記半導体層と接触
する面積が前記電流注入窓の面積よりも広いことを特徴
とするものである。
は、基板上の少なくとも一部に、少なくともｐ型クラッ
ド層、活性層およびｎ型クラッド層を含む複数の半導体
層と絶縁膜とがこの順に積層され、前記絶縁膜に単一モ
ード発振をさせるための狭ストライプの電流注入窓が形
成され、前記絶縁膜上に前記電流注入窓を覆うようにｎ
側電極が形成され、前記ｐ型クラッド層側にｐ側電極が
形成されているAlxInyGa1-x-yN（0≦x,y≦1）系半導体
発光素子において、前記ｐ側電極が前記半導体層と接触
する面積が前記電流注入窓の面積よりも広いことを特徴
とするものである。
【０００８】すなわち、従来と異なり、基板側にｐ型半
導体層を先に成長しその後ｎ型半導体層を成長してｐｎ
接合を作製する構造をとったことにより、素子のストラ
イプ構造を形成する部分、すなわち面積が小さくなる部
分にｎ型半導体層を用い、抵抗率が高く電極との接触抵
抗も高いｐ型半導体層の面積を広くとり、ｐ側電極との
接触面積も広くすることにより素子のインピーダンスを
下げたことを特徴とするものである。
導体層を先に成長しその後ｎ型半導体層を成長してｐｎ
接合を作製する構造をとったことにより、素子のストラ
イプ構造を形成する部分、すなわち面積が小さくなる部
分にｎ型半導体層を用い、抵抗率が高く電極との接触抵
抗も高いｐ型半導体層の面積を広くとり、ｐ側電極との
接触面積も広くすることにより素子のインピーダンスを
下げたことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の効果】本発明の半導体発光素子は、基板上にｐ
型半導体層を先に成長し、その後ｎ型半導体層を成長さ
せる構造をとったことにより、ストライプ構造の発光素
子において、ｐ側半導体と電極との接触面積も広くする
ことができ、リッジ構造を有する発光素子の場合には、
ｐ型半導体層の面積を広くすることができる。これによ
り素子のインピーダンスを低減でき、動作電圧を低減し
高効率化・高出力化が実現できる。また、変調時の変調
周波数の向上や変調歪みの低減を図ることができる。従
って、これらの光源を用いた印刷・写真・医療画像など
のハードコピー出力システムの高速化・高品位化を実現
することができる。
型半導体層を先に成長し、その後ｎ型半導体層を成長さ
せる構造をとったことにより、ストライプ構造の発光素
子において、ｐ側半導体と電極との接触面積も広くする
ことができ、リッジ構造を有する発光素子の場合には、
ｐ型半導体層の面積を広くすることができる。これによ
り素子のインピーダンスを低減でき、動作電圧を低減し
高効率化・高出力化が実現できる。また、変調時の変調
周波数の向上や変調歪みの低減を図ることができる。従
って、これらの光源を用いた印刷・写真・医療画像など
のハードコピー出力システムの高速化・高品位化を実現
することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。
の形態を説明する。
【００１１】図１は、本発明に係る第一の実施の形態の
半導体レーザ断面模式図を示す。サファイアｃ面基板１
上にＭＯＣＶＤ法を用いて、ｐ-GaN低温バッファ層２、
p-GaN バッファ層３（Mgドープ、５μm ）、p-In0.1Ga
0.9Nバッファ層４（Mgドープ、0.1μm ）、p-Al0.15Ga
0.85Nクラッド層５（Mgドープ、0.5μm）、p-GaN光ガイ
ド層６（Mgドープ、0.1μm）、アンドープ活性層７、n-
GaN 光ガイド層８（Siドープ、0.1μm ）、n-Al0.15Ga
0.85Nクラッド層９（Siドープ、0.5μm）およびn-GaNキ
ャップ層10（Siドープ、0.3μm）を順次成長する。活性
層７は、アンドープAl0.04Ga0.96N 障壁層（0.01μ
m）、アンドープIn0.2Ga0.8N 量子井戸層（３nm）およ
びアンドープAl0.04Ga0.96N障壁層（0.01μm）の３層構
造とする。
半導体レーザ断面模式図を示す。サファイアｃ面基板１
上にＭＯＣＶＤ法を用いて、ｐ-GaN低温バッファ層２、
p-GaN バッファ層３（Mgドープ、５μm ）、p-In0.1Ga
0.9Nバッファ層４（Mgドープ、0.1μm ）、p-Al0.15Ga
0.85Nクラッド層５（Mgドープ、0.5μm）、p-GaN光ガイ
ド層６（Mgドープ、0.1μm）、アンドープ活性層７、n-
GaN 光ガイド層８（Siドープ、0.1μm ）、n-Al0.15Ga
0.85Nクラッド層９（Siドープ、0.5μm）およびn-GaNキ
ャップ層10（Siドープ、0.3μm）を順次成長する。活性
層７は、アンドープAl0.04Ga0.96N 障壁層（0.01μ
m）、アンドープIn0.2Ga0.8N 量子井戸層（３nm）およ
びアンドープAl0.04Ga0.96N障壁層（0.01μm）の３層構
造とする。
【００１２】その後、窒素ガス雰囲気中で熱処理により
ｐ型不純物を活性化する。
ｐ型不純物を活性化する。
【００１３】次に、SiN 膜14をプラズマＣＶＤで全面に
製膜した後、フォトリソグラフィとエッチングにより発
光領域以外の不要部分を除去する。
製膜した後、フォトリソグラフィとエッチングにより発
光領域以外の不要部分を除去する。
【００１４】この後、塩素イオンを用いたＲｌＢＥ（re
active ion beam etching ）により発光領域以外のエピ
タキシャル層をp-GaN バッファ層３が露出するまでエッ
チング除去する。この際にレーザの共振器端面を形成す
る。
active ion beam etching ）により発光領域以外のエピ
タキシャル層をp-GaN バッファ層３が露出するまでエッ
チング除去する。この際にレーザの共振器端面を形成す
る。
【００１５】SiN 膜14に電流注入のためのストライプ状
窓12(幅１０μm）を作製後、該ストライプ窓12を覆うよ
うにｎ側電極13としてTi/Al/Ti/Au を、またp-GaN バッ
ファ層３の露出部にｐ側電極11としてNi/Auを蒸着・窒
素中アニールしてオーミック電極を形成する。
窓12(幅１０μm）を作製後、該ストライプ窓12を覆うよ
うにｎ側電極13としてTi/Al/Ti/Au を、またp-GaN バッ
ファ層３の露出部にｐ側電極11としてNi/Auを蒸着・窒
素中アニールしてオーミック電極を形成する。
【００１６】図２は、本発明に係る第二の実施の形態の
リッジ光導波構造を有する半導体レーザ断面模式図を示
す。サファイアｃ面基板１上にＭＯＣＶＤ法を用いて、
p-GaN 低温バッファ層２、p-GaNバッファ層３（Mgドー
プ、5μm）、p-In0.1Ga0.9Nバッファ層４（Mgドープ、
0.1μm）、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層５（Mgドープ、
0.5μm）、p-GaN 光ガイド層６（Mgドープ、0.1μm）、
アンドープ活性層27、n-GaN 光ガイド層８（Siドープ、
0.1μm）、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層９（Siドープ、
0.5μm）、n-GaNキャップ層10（Siドープ、0.3μm ）を
成長する。活性層27は、アンドープAl0.04Ga0.96N 障壁
層（0.01μm ）、アンドープIn0.2Ga0.8N 量子井戸層
（３nm）４層／アンドープIn0.1Ga0.9N障壁層（５nm)３
層よりなる多重量子井戸構造およびアンドープAl0.04Ga
0.96N 障壁層（0.01μm）とする。
リッジ光導波構造を有する半導体レーザ断面模式図を示
す。サファイアｃ面基板１上にＭＯＣＶＤ法を用いて、
p-GaN 低温バッファ層２、p-GaNバッファ層３（Mgドー
プ、5μm）、p-In0.1Ga0.9Nバッファ層４（Mgドープ、
0.1μm）、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層５（Mgドープ、
0.5μm）、p-GaN 光ガイド層６（Mgドープ、0.1μm）、
アンドープ活性層27、n-GaN 光ガイド層８（Siドープ、
0.1μm）、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層９（Siドープ、
0.5μm）、n-GaNキャップ層10（Siドープ、0.3μm ）を
成長する。活性層27は、アンドープAl0.04Ga0.96N 障壁
層（0.01μm ）、アンドープIn0.2Ga0.8N 量子井戸層
（３nm）４層／アンドープIn0.1Ga0.9N障壁層（５nm)３
層よりなる多重量子井戸構造およびアンドープAl0.04Ga
0.96N 障壁層（0.01μm）とする。
【００１７】その後、窒素ガス雰囲気中で熱処理により
ｐ型不純物を活性化する。
ｐ型不純物を活性化する。
【００１８】次に、フォトリソグラフィとエッチングに
より、n-Al0.15Ga0.85N クラッド層９のｎ-GaN光ガイド
層８から0.1μmまでを残し厚として幅2.2μm程度のリッ
ジストライプを形成する。この際、リッジ端面近傍を素
子上部より見た模式図（図３）に示すように後でエッチ
ング形成する端面の部分に相当する領域は幅を20μmと
広く形成する。実線40はリッジエッチングの形状を、波
線41は端面形成エッチングの形状・位置関係を示す。図
のようにレーザ端面近傍でリッジ幅を広げているのはリ
ッジ部形状の端面の平坦性へ及ぼす悪影響を低減するた
めである（J.Quantum Electronics vol.27,pp.1319-133
1(1991)）。次に、SiN 膜14をプラズマＣＶＤで全面に
製膜した後、そのSiN 膜14をフォトリソグラフィとエッ
チングにより発光領域以外の不要部分を除去する。
より、n-Al0.15Ga0.85N クラッド層９のｎ-GaN光ガイド
層８から0.1μmまでを残し厚として幅2.2μm程度のリッ
ジストライプを形成する。この際、リッジ端面近傍を素
子上部より見た模式図（図３）に示すように後でエッチ
ング形成する端面の部分に相当する領域は幅を20μmと
広く形成する。実線40はリッジエッチングの形状を、波
線41は端面形成エッチングの形状・位置関係を示す。図
のようにレーザ端面近傍でリッジ幅を広げているのはリ
ッジ部形状の端面の平坦性へ及ぼす悪影響を低減するた
めである（J.Quantum Electronics vol.27,pp.1319-133
1(1991)）。次に、SiN 膜14をプラズマＣＶＤで全面に
製膜した後、そのSiN 膜14をフォトリソグラフィとエッ
チングにより発光領域以外の不要部分を除去する。
【００１９】この後、塩素イオンを用いたＲｌＢＥによ
り発光領域以外のエピタキシャル層をｐ-GaNバッファ層
３が露出するまでエッチング除去する。この際にレーザ
の共振器端面を形成する。
り発光領域以外のエピタキシャル層をｐ-GaNバッファ層
３が露出するまでエッチング除去する。この際にレーザ
の共振器端面を形成する。
【００２０】この後、前記第一の実施の形態と同様にSi
N 膜14に電流注入のためのストライプ状窓12を作製後、
ｎ側電極13としてTi/Al/Ti/Au 、ｐ側電極11としてNi/A
u をそれぞれ蒸着・窒素中アニールしてオーミック電極
を形成する。
N 膜14に電流注入のためのストライプ状窓12を作製後、
ｎ側電極13としてTi/Al/Ti/Au 、ｐ側電極11としてNi/A
u をそれぞれ蒸着・窒素中アニールしてオーミック電極
を形成する。
【００２１】以上２件の実施の形態において、ストライ
プ上部のｎ-GaNキャップ層10へのｎ側電極接触幅は2-10
μm 程度であるが、ｐ-GaNバッファ層３上に形成するｐ
側電極11の半導体層との接触面積はチップ全体の幅を広
げることによりｎ側電極の10-100倍程度広くとることが
可能である。従って、ｐ型半導体層の接触抵抗率がｎ型
半導体層に比較して1-2 桁高い場合でもデバイス性能の
低下を防止することができる。また、電流通路となるｐ
-GaNバッファ層３の抵抗が問題となる場合には、厚みを
更に厚くすることにより低抵抗化できる。
プ上部のｎ-GaNキャップ層10へのｎ側電極接触幅は2-10
μm 程度であるが、ｐ-GaNバッファ層３上に形成するｐ
側電極11の半導体層との接触面積はチップ全体の幅を広
げることによりｎ側電極の10-100倍程度広くとることが
可能である。従って、ｐ型半導体層の接触抵抗率がｎ型
半導体層に比較して1-2 桁高い場合でもデバイス性能の
低下を防止することができる。また、電流通路となるｐ
-GaNバッファ層３の抵抗が問題となる場合には、厚みを
更に厚くすることにより低抵抗化できる。
【００２２】すなわち、本発明は、主にｎ型キャップ層
とｐ型バッファ層の性質と構成要因により素子のインピ
ーダンスを低減するものである。
とｐ型バッファ層の性質と構成要因により素子のインピ
ーダンスを低減するものである。
【００２３】従って、半導体レーザの層構造としては上
記実施の形態以外に量子井戸を用いないダブルヘテロ構
造など一般に考えられる種々の構造を採用することが可
能である。
記実施の形態以外に量子井戸を用いないダブルヘテロ構
造など一般に考えられる種々の構造を採用することが可
能である。
【００２４】また、基板としては、絶縁性物質ではスピ
ネル構造を有する物質（例えば、AlMg2O4 ）等のサファ
イア以外の任意のものを用いることができる。更に、サ
ファイアのような絶縁性物質ではなく、SiC のような導
電性物質の基板21を用いて図４、図５のような素子構造
とする場合にも電極との接触面積の小さい半導体層をｎ
型とし、ｐ側電極11がｐ型半導体層と接触する面積を広
くとることができるため低抵抗化が可能である。
ネル構造を有する物質（例えば、AlMg2O4 ）等のサファ
イア以外の任意のものを用いることができる。更に、サ
ファイアのような絶縁性物質ではなく、SiC のような導
電性物質の基板21を用いて図４、図５のような素子構造
とする場合にも電極との接触面積の小さい半導体層をｎ
型とし、ｐ側電極11がｐ型半導体層と接触する面積を広
くとることができるため低抵抗化が可能である。
【００２５】前記実施の形態においては、レーザ端面を
塩素イオンを用いたＲｌＢＥにより形成したが、通常の
劈開や光学研磨法などを用いて形成してもよい。
塩素イオンを用いたＲｌＢＥにより形成したが、通常の
劈開や光学研磨法などを用いて形成してもよい。
【００２６】以上半導体レーザ素子として述べたが、同
様の構造で端面発光型ＬＥＤとして用いる場合にも効果
があることは言うまでもない。前述の文献（１）に記載
されているような通常のＬＥＤ構造においても、発光部
の上部電極は狭いほうが光を遮断する面積が小さく光り
の取り出し効率が上昇するためｐ型層上にｎ型層を形成
した本発明の構造を用いると低抵抗化できて有利であ
る。更に、ＬＥＤにおいては上部電極直下の電流拡がり
が大きいほうが均一発光が得られるので、上部にｎ型層
を用いて低抵抗化したほうがさらに有利である。
様の構造で端面発光型ＬＥＤとして用いる場合にも効果
があることは言うまでもない。前述の文献（１）に記載
されているような通常のＬＥＤ構造においても、発光部
の上部電極は狭いほうが光を遮断する面積が小さく光り
の取り出し効率が上昇するためｐ型層上にｎ型層を形成
した本発明の構造を用いると低抵抗化できて有利であ
る。更に、ＬＥＤにおいては上部電極直下の電流拡がり
が大きいほうが均一発光が得られるので、上部にｎ型層
を用いて低抵抗化したほうがさらに有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態に係る半体発光装置
の断面模式図
の断面模式図
【図２】本発明の第二の実施の形態に係る半導体発光装
置の断面模式図
置の断面模式図
【図３】図２に示す本発明の第二の実施の形態に係る半
導体発光装置におけるリッジストライプと端面形成位置
との関係を示す説明図
導体発光装置におけるリッジストライプと端面形成位置
との関係を示す説明図
【図４】本発明のその他の実施の形態に係る半導体発光
装置の断面模式図
装置の断面模式図
【図５】本発明のその他の実施の形態に係る半導体発光
装置の断面模式図
装置の断面模式図
【符号の説明】 １ サファイア基板 ２ p-GaN低温バッファ層 ３ p-GaNバッファ層 ４ p-In0.1Ga0.9Nバッファ層 ５ p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層 ６ p-GaN光ガイド層 ７ アンドープ活性層 ８ n-GaN光ガイド層 ９ n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層 10 n-GaNキャップ層 11、13 電極 14 SiN膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上の少なくとも一部に、少なくとも
ｐ型クラッド層、活性層およびｎ型クラッド層を含む複
数の半導体層と絶縁膜とがこの順に積層され、前記絶縁
膜に単一モード発振をさせるための狭ストライプの電流
注入窓が形成され、前記絶縁膜上に前記電流注入窓を覆
うようにｎ側電極が形成され、前記ｐ型クラッド層側に
ｐ側電極が形成されているAlxInyGa1-x-yN（0≦x, y≦
1）系半導体発光素子において、 前記ｐ側電極が前記半導体層と接触する面積が前記電流
注入窓の面積よりも広いことを特徴とするAlInGaN系半
導体発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7422096A JPH09266351A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子 |
| US08/827,252 US6072818A (en) | 1996-03-28 | 1997-03-28 | Semiconductor light emission device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7422096A JPH09266351A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266351A true JPH09266351A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13540896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7422096A Pending JPH09266351A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266351A (ja) |
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-
1996
- 1996-03-28 JP JP7422096A patent/JPH09266351A/ja active Pending
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