JPH09266430A

JPH09266430A - 積層フィルタ

Info

Publication number: JPH09266430A
Application number: JP8074431A
Authority: JP
Inventors: Eishin Matsuoka; 永真松岡; Hiroshi Hayashi; 洋志林
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1996-03-28
Filing date: 1996-03-28
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】共振ピークの減衰深さをコントロールするの
は容易ではなく、複数の前記共振ピークの減衰深さを十
分に深くして優れたフィルタ特性を発揮させることは困
難であった。【解決手段】複数の誘電体を挟んで対向する複数層の
コイル状の導体パターン３１〜３４が接続されてインダ
クタンス部が形成されると共に、コイル状の導体パター
ン３１〜３４間に浮遊容量が形成されて減衰特性におけ
る並列共振ピークが形成される一方、複数の高誘電体２
１〜２３と高誘電体２１〜２３を挟んで対向する複数層
の略矩形形状の導体パターン３５Ａ〜３５Ｄ、３７Ａ〜
３７Ｃによりキャパシタンス部が形成されると共に、略
矩形形状の導体パターン３５Ａ〜３５Ｃ、３７Ａ〜３７
Ｃ及び略矩形形状の導体パターン３５Ａ〜３５Ｃ、３７
Ａ〜３７Ｃに接続された引き出し電極３６Ａ、３６Ｂに
よりインダクタンス成分が形成されて減衰特性における
直列共振ピークが形成されることを特徴とする積層フィ
ルタ１の提供。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は積層フィルタに関
し、より詳細にはキャパシタンス（Ｃ）とインダクタン
ス（Ｌ）とが１素子内に形成された積層フィルタに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】インダクタンスとキャパシタンスとを直
列共振接続させた回路が誘電体板上に形成された積層フ
ィルタとしては、従来より種々の構成のものが使用され
ている。

【０００３】図６は特開平６ー１６３３２１号公報に開
示された高周波ＬＣフィルタを示した模式的分解斜視図
である。

【０００４】図中５１〜５８は誘電体板を示しており、
誘電体板５１は保護層として機能するようになってお
り、誘電体板５２〜５４は、その上面にインダクタンス
（Ｌ）を構成する導体パターン（コイルパターン）５９
が形成されたコイル部となっている。また、誘電体板５
６〜５８は、その上面にキャパシタンス（Ｃ）を構成す
る導体パターン（コンデンサ電極パターン６０又はグラ
ンド電極パターン６１）が形成されたコンデンサ部とな
っている。コイル部とコンデンサ部とは積層方向におい
て向かい合った位置に配置されており、前記コイル部と
前記コンデンサ部との間に位置する誘電体板５５はスペ
ーサ層として機能するようになっている。各導体パター
ン５９間及び導体パターン５９とコンデンサ電極パター
ン６０との間はビア（図示せず）により接続されてお
り、コイルパターン５９とコンデンサ電極パターン６０
及びグランド電極パターン６１の所定の端部５９ａ〜６
１ａが図示しない側面電極に接続されている。

【０００５】上記した高周波ＬＣフィルタによれば、下
側（マザーボードへの実装面側）にコンデンサ部を配置
し、その上側にコイル部を配置した構造（上下にＬとＣ
を配置した構造）とすることにより、小型化及びＳＭＤ
化を図っている。

【０００６】しかしながら近年、幅広い周波数帯域にお
いてフィルタ特性を発揮するフィルタが要求されてきて
おり、上記した高周波ＬＣフィルタではその減衰特性が
図７に示すように一つの頂点を有する単純な減衰曲線に
よって示されるため、広帯域用として使用することはで
きないという問題があった。

【０００７】特開平４ー２０７７０７号公報には広帯域
用ＬＣフィルタが提案されている。図８（ａ）は上記Ｌ
Ｃフィルタを示した模式的分解斜視図であり、（ｂ）は
その等価回路図である。

【０００８】図中７０〜７５は符合の若い順に上から配
置された絶縁体板を示しており、絶縁体板７２、７３間
には絶縁体板７０〜７５よりも一回り小さい誘電体板７
６が介装されている。また、絶縁体板７１上には側面７
１ａ方向に延びた帯状の信号回路７７が、絶縁体板７２
上にはスパイラル形状のインダクタ導体７８が形成され
ており、同じく絶縁体板７５上には側面７５ａ方向に延
びた帯状の信号回路７９が、絶縁体板７４上にはスパイ
ラル形状のインダクタ導体８０が形成されている。さら
に絶縁体板７３上には前面７３ｃ方向に延びた帯状の導
体回路８１及び上面７３ｂの周辺部を残した矩形形状の
コンデンサ用導体８２が形成されており、誘電体板７６
上には背面７６ｄ方向に延びた帯状の導体回路８３及び
上面７６ｂの周辺部を残した矩形形状のコンデンサ用導
体８４が形成されている。

【０００９】絶縁体板７０〜７５の両側面７０ａ〜７５
ａには入出力端子８５が形成され、絶縁体板７０〜７５
の前面７０ｃ〜７５ｃ及び背面７０ｄ〜７５ｄにはアー
ス端子８６が形成されている。

【００１０】このように構成されたＬＣフィルタにおい
ては、誘電体板７６を挟んで対向する平板状のコンデン
サ用導体８２、８４によりキャパシタンス（Ｃ）が形成
され、かつその上下両側に設けられたスパイラル形状の
インダクタ導体７８、８０によりインダクタンス（Ｌ）
が形成されており、この間に発生する浮遊容量が積極的
に利用されることにより、２つ以上の減衰極（共振ピー
ク）が形成され、減衰帯域を広くすることができるよう
になっている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図８に示
した上記のＬＣフィルタにおいても、Ｑ値（共振の鋭さ
を表わす量）すなわち共振ピークの減衰深さをコントロ
ールするのは容易ではなく、複数の前記共振ピークの減
衰深さを十分に深くして優れたフィルタ特性を発揮させ
ることは困難であるといった課題があった。

【００１２】本発明は上記このような課題に鑑みなされ
たものであり、複数の共振ピークの減衰深さを容易にコ
ントロールすることができ、少なくとも２つの共振ピー
クの減衰深さを十分に深くして、広い減衰帯域全体にお
いて優れたフィルタ特性を発揮させることができる積層
フィルタを提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記課題を
解決するために本発明に係る積層フィルタは、複数の誘
電体を挟んで対向する複数層のコイル状の導体パターン
が接続されてインダクタンス部が形成されると共に、前
記コイル状の導体パターン間に浮遊容量が形成されて減
衰特性における並列共振ピークが形成される一方、複数
の高誘電体と該高誘電体を挟んで対向する複数層の略矩
形形状の導体パターンによりキャパシタンス部が形成さ
れると共に、前記略矩形形状の導体パターン及び該略矩
形形状の導体パターンに接続された引き出し電極により
インダクタンス成分が形成されて減衰特性における直列
共振ピークが形成されることを特徴としている（１）。

【００１４】上記した積層フィルタ（１）によれば、前
記インダクタンス部が複数層の導体パターンの接続によ
り形成され、前記インダクタンス部に大きな浮遊容量が
形成されるため並列共振ピークを形成することができ
る。また、前記キャパシタンス部が前記引き出し電極に
接続され、前記キャパシタンス部にインダクタンス成分
が直列的に接続されるため直列共振ピークを形成するこ
とができる。

【００１５】また、前記各導体パターンの層数の調整に
より、あるいは各誘電体の誘電率や厚さを変化させるこ
とによりインダクンス部やキャパシタンス部の抵抗や容
量を容易に調整することができるため、前記並列共振ピ
ーク及び前記直列共振ピークの発生周波数領域及び減衰
深さを容易に調整することができる。よって複数の前記
共振ピークの減衰深さを十分に深くして優れたフィルタ
特性を発揮させることができる。

【００１６】また、本発明に係る積層フィルタは、上記
積層フィルタ（１）において、前記キャパシタンス部に
おける容量を調整することにより前記並列共振ピーク、
前記直列共振ピーク及び前記両共振ピーク間に形成され
る第３の共振ピークを含む少なくとも３つの共振ピーク
が形成されることを特徴としている（２）。

【００１７】上記積層フィルタ（２）によれば、キャパ
シタンス部における容量を調整することにより、前記直
列共振ピークの影響を小さくして前記並列共振ピークと
前記直列共振ピークとの間の減衰帯域に第３の共振ピー
クを形成することができる。よって、前記減衰帯域を広
く確保することができると共に、前記減衰帯域全体にお
ける減衰量をより均一に深くして減衰帯域全体において
優れたフィルタ特性を発揮させることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層フィルタ
の実施の形態を説明する。

【００１９】図１は本実施の形態に係る積層フィルタを
示した模式的分解斜視図であり、図２は本実施の形態に
係る積層フィルタを示した模式的斜視図である。

【００２０】図中１０は積層体を示しており、積層体１
０は例えばＬＦＣ（Low temperature Fireable Ceramic
s ）等からなる誘電体板１１〜１９が符号の若い順に上
から積層され、誘電体板１５−１６間、誘電体板１６−
１７間、及び誘電体板１７−１８間にそれぞれ印刷によ
り形成された誘電率が高い誘電体（高誘電体膜）２１〜
２３が介在されている。積層体１０の一対の両側面１１
ａ〜１９ａには、Ａｇ、あるいはＡｇ−Ｐｄ、…等を含
んだ導体ペーストを印刷した後焼成することにより入出
力端子４１、４３が形成されており、片方の面が入力端
子４１となった時にもう片方の面が出力端子４３となる
ようになっている。また、積層体１０の前面１１ｃ〜１
９ｃの略中央部所定箇所には、同じくＡｇ等を含んだ導
体ペーストを印刷した後焼成するによりアース端子４２
が形成されている。これら入出力端子４１、４３及びア
ース端子４２は誘電体板１１〜１９が積層された後、積
層体１０の一対の側面１０ａ（図２）の全面、また、前
面１０ｃ（図２）の一部に連続して印刷形成されたもの
である。

【００２１】以下、それぞれの誘電体板１２〜１９に形
成された導体パターンについて説明する。誘電体板１２
の上面１２ｂには例えばスパイラル形状の導体パターン
３１が形成され、その巻き終りである一端部３１ａは誘
電体板１２の側面１２ａに形成された出力端子４３に接
続されている。また、その巻き初めである一端部３１ｂ
はスルーホールｈを介して誘電体板１３の上面１３ｂに
形成された同じくスパイラル形状であって導体パターン
３１と上下方向に重なり部分（図示せず）を有する導体
パターン３２の巻き初めである一端部３２ｂに接続され
ている。また、導体パターン３２の巻き終りである一端
部３２ａはスルーホールｐを介して誘電体板１４の上面
１４ｂに形成された同じくスパイラル形状であって導体
パターン３２と上下方向に重なり部分を有する導体パタ
ーン３３の巻き初めである一端部３３ａに接続されてい
る。さらに、導体パターン３３の巻き終りである一端部
３４ｂはスルーホールｑを介して誘電体板１５の上面１
５ｂに形成された同じくスパイラル形状であって導体パ
ターン３３と上下方向に重なり部分を有する導体パター
ン３４の巻き初めである一端部３４ｂに接続されてい
る。導体パターン３４の他端部３４ａはスルーホールｒ
を介して誘電体板１５の下面１５ｄに形成された略矩形
形状の導体パターン３５Ａの一端部３５Ａａに接続され
ている。

【００２２】導体パターン３５Ａの他端部３５Ａｂはス
ルーホールｓを介して誘電体板１６の下面１６ｄに形成
された略矩形形状の導体パターン３５Ｂの一端部３５Ｂ
ｂに接続され、導体パターン３５Ｂの一端部３５Ｂｂは
スルーホールｔを介して誘電体板１７の下面１７ｄに形
成された略矩形形状の導体パターン３５Ｃの一端部３５
Ｃｂに接続され、導体パターン３５Ｃの一端部３５Ｃｂ
はスルーホールｕを介して誘電体板１８の隅部に接続さ
れている。誘電体板１８の隅部はスルーホールｖを介し
て誘電体板１９の上面１９ｂに形成された略Ｌ字形状の
引き出し電極３６Ａの一端部３６Ａｂに接続されてお
り、引き出し電極３６Ａの他端部３６Ａａは誘電体板１
９の側面１９ａに形成された入力端子４１と連接してい
る。

【００２３】誘電体板１９の上面１９ａには引き出し電
極３６Ａの他に、上面１９ａの略中央部に形成された略
Ｌ字形状の引き出し電極３６Ｂが形成されており、引き
出し電極３６Ｂの一端部３６Ｂｂは誘電体板１９の前面
１９ｃに形成されたアース端子４２に接続されている。
引き出し電極３６Ｂの他端部３６Ｂａはスルーホールｗ
を介して誘電体板１８の上面１８ｂに形成された、略矩
形形状の導体パターン３７Ａの一端部３７Ａａに接続さ
れ、導体パターン３７Ａの一端部３７Ａａはスルーホー
ルｘを介して誘電体板１７の上面１７ｂに形成された略
矩形形状の導体パターン３７Ｂの一端部３７Ｂａに接続
され、導体パターン３７Ｂの一端部３７Ｂａはスルーホ
ールｙを介して誘電体板１６の上面１６ｂに形成された
略矩形形状の導体パターン３７Ｃの一端部３７Ｃａに接
続されている。

【００２４】誘電体板１５〜１７の下面１５ｄ〜１７ｄ
に形成された導体パターン３５Ａ〜３５Ｃは導体パター
ン３５Ａの一端部３５Ａａを除いてそれぞれ同形状に構
成され、上下方向に重なる位置に配置されている。ま
た、誘電体板１８〜１６の上面１８ｂ〜１６ｂに形成さ
れた導体パターン３７Ａ〜３７Ｃもそれぞれ同形状であ
って上下方向に重なる位置に配置されている。

【００２５】さらに導体パターン３５Ｂ、３５Ｃと導体
パターン３７Ｃ〜３７Ａとはそれぞれ点対称な形状とな
っているのが望ましい。

【００２６】上記積層フィルタ１を形成するには、（１）．ＬＦＣを原料とするグリーンシートを積層フィ
ルタ１の２１００個分となる大きさにカットした後、パ
ンチングによって各スルーホールを形成し、これらスル
ーホールにＡｇペースト等を充填する。

【００２７】（２）．誘電体板１２、１９となるグリー
ンシート上に導体パターン３１、引き出し電極３６Ａ、
３６ＢとなるＡｇペースト等を印刷する。この時、前記
各導体パターンを積層体１０のそれぞれ異なる面方向に
引き出すことにより、入出力電極４１、４３、アース電
極４２となるＡｇペースト等の印刷工程が容易化され
る。

【００２８】（３）．誘電体板１６〜１８となるグリー
ンシート上に導体パターン３７Ｃ〜３７ＡとなるＡｇペ
ースト等を印刷する。前記印刷は、誘電体板１６〜１９
となるグリーンシートを積層した際に、前記印刷パター
ン同士がスルーホールｗ〜ｙを介して所定位置で接続さ
れるように行う。

【００２９】（４）．（３）に記した印刷パターン上に
高誘電体板２１〜２３となる所望のセラミックスラリを
ベタ印刷する。

【００３０】（５）．上記のように印刷が施された誘電
体板１６〜１８となるグリーンシートをプレスすること
により略平にする。

【００３１】（６）．（５）にて略平としたグリーンシ
ート上に導体パターン３５Ａ〜３５ＣとなるＡｇペース
ト等の印刷を行う。このように導体パターン３５Ａ〜３
５ＣとなるＡｇペースト等は高誘電体板２１〜２３とな
る導体ペースト上に印刷してもよいし、誘電体板１５〜
１７となるグリーンシートの下面に印刷してもよい。

【００３２】（７）．誘電体板１２〜１５となるグリー
ンシート上にコイル状の導体パターン３１〜３４となる
Ａｇペースト等をパターン印刷する。

【００３３】（８）．誘電体板１１となるグリーンシー
ト、及び各印刷パターンが形成された誘電体板１２〜１
９となるグリーンシートを積層し、積層体を短冊状に切
断する。

【００３４】（９）．前記積層体の前面略中央部であっ
て引き出し電極３６Ｂとなる印刷パターンが引き出され
た位置にアース電極４２となるＰｄ−Ａｇペースト等を
印刷する。

【００３５】（１０）．上記短冊状の積層体をチップ状
に切断する。

【００３６】（１１）．前記積層体の側面であって導体
パターン３１、引き出し電極３６Ａとなる印刷パターン
が引き出された面に入出力電極４１、４３となるＰｄ−
Ａｇペースト等の印刷を行う。

【００３７】（１２）．これを低温（９４０〜９８０℃
程度）にて焼成し、図２における入出力端子４１、４３
及びアース電極４２の部分にＮｉメッキ、ハンダメッキ
を順に施す。

【００３８】図３はこのように構成された積層フィルタ
１の等価回路図である。入出力端子４１は引き出し電極
３６Ａの一端部３６ＡａからＬ字形状の引き出し電極３
６Ａ、略矩形形状の導体パターン３５Ｃ〜３５Ａ、コイ
ル形状の導体パターン３４〜３１を経て導体パターン３
１の一端部３１ａを介して入出力端子４３と接続されて
いる。ここで、入出力端子４１、４３間に形成された前
記各導体パターンによりインダクタンス（Ｌ）が形成さ
れると共に導体パターン３１〜３４の上下方向の重なり
部分によって浮遊容量（Ｃ´）が形成されている。

【００３９】一方、アース電極４２は引き出し電極３６
Ｂの一端部３６ＢｂからＬ字形状の引き出し電極３６
Ｂ、導体パターン３７Ａ〜３７Ｃへと連結されており、
これら各導体パターンと入出力端子４１に接続されてい
る導体パターン３５Ａ〜３５Ｃとの間に高誘電体膜２１
〜２３が形成されていることにより容量（Ｃ）が形成さ
れている。また、Ｌ字形状の引き出し電極３６Ｂ、及び
導体パターン３７Ａ〜３７Ｃがそれぞれスルーホール
ｗ、ｘ、ｙによって接続されることによりインダクタン
ス（Ｌ´）が形成されている。

【００４０】図４は図３に示した等価回路で示される積
層フィルタの減衰特性を模式的に示したグラフである。

【００４１】前記減衰特性はインダクタンス（Ｌ）及び
キャパシタンス（Ｃ）の双方により影響を受けるもので
あり、コンデンサ層によるキャパシタンス及び前記コン
デンサ層間に発生するインダクタンスの双方（図３中ａ
部分）の影響を受けて直列共振ピーク（図４中Ａ部分）
が決定される。また、インダクタンス層によるインダク
タンス及び前記インダクタンス層間に発生するキャパシ
タンスの双方（図３中ｂ部分）の影響を受けて並列共振
ピーク（図４中Ｃ部分）が決定される。また、キャパシ
タンス成分及びインダクタンス成分の双方の影響を受け
て第３共振ピーク（図４中Ｂ部分）が決定される。

【００４２】実施の形態に係る積層フィルタ１において
は、インダクタンス（Ｌ）部が複数層の導体パターン３
１〜３４の接続により形成され、前記インダクタンス
（Ｌ）部に浮遊容量（Ｃ´）が形成されるため並列共振
ピーク（図４中Ｃ部分）を形成することができる。ま
た、キャパシタンス（Ｃ）部が複数層の導体パターン３
５Ａ〜３５Ｃ、３７Ｃ〜３７Ａ及び引き出し電極３６Ｂ
により形成され、前記キャパシタンス（Ｃ）部にインダ
クタンス（Ｌ´）成分が形成されるため直列共振ピーク
（図４中Ａ部分）を形成することができる。

【００４３】また、各導体パターン３１〜３４、３５Ａ
〜３５Ｃ、３７Ｃ〜３７Ａの層数の調整によりインダク
ンス（Ｌ）部やキャパシタンス（Ｃ）部におけるインダ
クタンス（Ｌ）や容量（Ｃ）の大きさを容易に調整する
ことができるため、前記並列共振ピーク及び前記直列共
振ピークの発生周波数領域及び減衰深さを容易に調整す
ることができる。

【００４４】よって複数の前記共振ピークの減衰深さを
十分に深くして優れたフィルタ特性を発揮させることが
できる。

【００４５】また、高誘電体膜２１〜２３の膜厚や形成
材料、積層枚数等を変化させてキャパシタンス（Ｃ）部
における容量（Ｃ）を調整することにより、前記直列共
振ピークの影響を小さくして前記並列共振ピークと前記
直列共振ピークとの間の減衰帯域に形成される第３の共
振ピークを図４中破線Ｂ´に示すようにより深くするこ
ともできる。よって、この場合、前記減衰帯域を広く確
保することができると共に、前記減衰帯域全体における
減衰量をより均一に深くして減衰帯域全体において優れ
たフィルタ特性を発揮させることができる。

【００４６】この積層フィルタ１を構成する誘電体板１
１〜１９の形成材料は特に限定されるものではないが、
例えばＣａＯ・Ａｌ₂ Ｏ₃ ・ＳｉＯ₂ ・Ｂ₂ Ｏ系ガラス
粉末が４０〜８０重量％とＡｌ₂ Ｏ₃ 粉末が２０〜６０
重量％からなるもの等が挙げられる。

【００４７】誘電体板１１〜１９の寸法は、通常、縦が
１．６〜５．０ｍｍ程度、横が０．８〜３．０ｍｍ程
度、厚さが０．１〜０．３ｍｍ程度が好ましい。

【００４８】印刷形成される高誘電体膜２１〜２３の形
成材料も特に限定されるものではないが、例えばＰｂＯ
・ＴｉＯ₂ ・Ｂ₂ Ｏ₃ 等が挙げられる。高誘電体膜２１
〜２３の比誘電率は、８０〜３００程度のものが好まし
い。高誘電体膜２１〜２３の厚さはその形成材料の比誘
電率により変化させるが、通常、２０〜８０μｍ程度が
好ましい。

【００４９】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る積層フィルタ
の実施例及び比較例を説明する。＜実施例＞実施例では、図１に示した積層フィルタ１を
以下に示す条件により製造した。実施例においては、誘
電体板１１〜１９の寸法を、縦×横＝２．０ｍｍ×１．
３ｍｍ、厚さ１．６ｍｍとし、誘電体板１１〜１９の形
成材料を比誘電率（ε_r ）が約７．７のＣａＯ・Ａｌ₂
Ｏ₃ ・ＳｉＯ₂ ・Ｂ₂ Ｏとした。また、高誘電体膜２１
〜２３の寸法を縦×横＝０．９ｍｍ×０．８ｍｍ、厚さ
５０μｍとし、形成材料を比誘電率が約１００のＰｂＯ
・ＴｉＯ₂ ・Ｂ₂ Ｏ₃ とした。導体パターン３５Ａ〜３
５Ｃと引き出し電極３６Ｂ、導体パターン３７Ａ〜３７
Ｃとのそれぞれの重なり部分の合計面積を約０．２８ｍ
ｍ² とし、導体パターン３１〜３４の重なり部分の合計
面積を約０．６５ｍｍ² とした。また、導体パターン３
１〜３４、導体パターン３５Ａ〜３５Ｃ、引き出し電極
３６Ａ、３６Ｂ、導体パターン３７Ａ〜３７Ｃ、入出力
端子４１、４３及びアース電極４２は、Ａｇを含有する
導体ペーストを塗布、焼成して形成した。高誘電体膜２
１〜２３の印刷はスクリーン印刷により行った。

【００５０】上記構成の積層フィルタ１を、ネットワー
クアナライザ（ヒューレットパッカー社製ＨＰ８７５
３Ｃ）に接続することにより、５．０〜３０００ＭＨｚ
の周波数帯域における通過帯域特性を調べた。

【００５１】＜比較例＞比較例では、図８に示した積層
フィルタを以下に示す条件により製造した。比較例にお
いては、絶縁体板７０〜７５の寸法を、縦×横＝２．０
ｍｍ×１．３ｍｍ、厚さ１．６ｍｍとし、絶縁体板７０
〜７５の形成材料を比誘電率（ε_r ）が約７．７のＣａ
Ｏ・Ａｌ₂ Ｏ₃ ・ＳｉＯ₂ ・Ｂ₂ Ｏ₃ とした。また、誘
電体板７６の寸法を縦×横＝０．９ｍｍ×０．８ｍｍ、
厚さ５０μｍとし、形成材料を比誘電率が約１００のＰ
ｂＯ・ＴｉＯ₂ ・Ｂ₂ Ｏ₃ とした。コンデンサ用導体８
２、８４の重なり部分の合計面積を約０．２８ｍｍ² と
した。また、インダクタ導体７８、コンデンサ用導体８
４の重なり部分の合計面積を約０．０４ｍｍ² とし、イ
ンダクタ導体８０、コンデンサ用導体８２の重なり部分
の合計面積を約０．０４ｍｍ² とした。

【００５２】上記構成の積層フィルタを、実施例の場合
と同様にネットワークアナライザに接続することによ
り、５．０〜３０００ＭＨｚの周波数帯域における通過
帯域特性を調べた。

【００５３】＜実施例及び比較例の実験結果＞図５は実
施例及び比較例に係る積層フィルタの通過帯域特性を示
したグラフであり、縦軸に通過減衰量を、横軸に周波数
をとっている。図中の実線は実施例の場合を、破線は比
較例の場合をそれぞれ示している。

【００５４】図５から明らかなように、比較例に係る積
層フィルタにおいては、直列共振ピーク（Ａ´）しか十
分には形成されなかったのに対し、実施例に係る積層フ
ィルタ１においては並列共振ピーク（Ｃ）と直列共振ピ
ーク（Ａ）の両共振ピークを十分に形成することができ
た。

【００５５】また、前記両共振ピークの減衰深さを十分
に深くして優れたフィルタ特性を発揮させることができ
た。

【００５６】さらに、並列共振ピーク（Ｃ）と直列共振
ピーク（Ａ）との間の減衰帯域に第３の共振ピーク
（Ｂ）を弱いながらも形成することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る積層フィルタを示し
た模式的分解斜視図である。

【図２】実施の形態に係る積層フィルタの模式的斜視図
である。

【図３】図２に示した積層フィルタの等価回路図であ
る。

【図４】図２に示した積層フィルタの周波数と通過減衰
量との関係を示したグラフである。

【図５】図１に示した実施例に係る積層フィルタ及び比
較例に係る積層フィルタの周波数と通過減衰量との関係
を示したグラフである。

【図６】特開平６ー１６３３２１号公報において開示さ
れた高周波ＬＣフィルタの原理を示した模式的分解斜視
図である。

【図７】図７に示した高周波ＬＣフィルタの周波数と通
過減衰量との関係を示したグラフである。

【図８】（ａ）は特開平４ー２０７７０７号公報におい
て開示されたＬＣフィルタを示した模式的分解斜視図で
あり、（ｂ）はその等価回路図である。

【符号の説明】

１１〜１９誘電体板２１〜２３高誘電体膜（高誘電体）３１〜３４コイル状の導体パターン３５Ａ〜３５Ｃ、３７Ａ〜３７Ｃ略矩形形状の導体パ
ターン３６Ａ、３６Ｂ引き出し電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の誘電体を挟んで対向する複数層の
コイル状の導体パターンが接続されてインダクタンス部
が形成されると共に、前記コイル状の導体パターン間に
浮遊容量が形成されて減衰特性における並列共振ピーク
が形成される一方、複数の高誘電体と該高誘電体を挟ん
で対向する複数層の略矩形形状の導体パターンによりキ
ャパシタンス部が形成されると共に、前記略矩形形状の
導体パターン及び該略矩形形状の導体パターンに接続さ
れた引き出し電極によりインダクタンス成分が形成され
て減衰特性における直列共振ピークが形成されることを
特徴とする積層フィルタ。
【請求項２】前記キャパシタンス部における容量を調
整することにより前記並列共振ピーク、前記直列共振ピ
ーク及び前記両共振ピーク間に形成される第３の共振ピ
ークを含む少なくとも３つの共振ピークが形成されるこ
とを特徴とする請求項１記載の積層フィルタ。