JPH09272994A

JPH09272994A - ファインパターン用電解銅箔

Info

Publication number: JPH09272994A
Application number: JP8294496A
Authority: JP
Inventors: Koichi Ashizawa; 公一芦澤; Shuichi Furuya; 修一古谷; Akitoshi Suzuki; 昭利鈴木; Hideo Otsuka; 英雄大塚; Shozo Kiyono; 正三清野
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Furukawa Circuit Foil Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Furukawa Circuit Foil Co Ltd
Priority date: 1996-04-05
Filing date: 1996-04-05
Publication date: 1997-10-21

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、ファインパターン化に対応し得る
電解銅箔及びそれらを用いた銅張積層板ならびにプリン
ト配線板を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ファインパターン用電解銅箔
であって、カーボン量が１８ppm 以下の未処理箔の析出
面を平滑化処理して表面粗度Ｒｚが５μm 以下の平滑面
を形成し、次いで該平滑面または未処理箔の光沢面の少
なくとも一方の面に粗化処理を行うことにより、粗化処
理面の表面粗度をＲｚで６μm 以下としたことを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はファインパターン化
が可能な電解銅箔、この電解銅箔を使用した銅張積層板
ならびにプリント配線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、高密
度化に伴い、プリント回路の回路間隔と回路幅をより狭
くすること、すなわちファインパターン化の要求が強く
なりつつある。特に、回路間隔、回路幅ともに１００μ
m 以下にすることが望まれており、これに答えるため
に、プリント回路形成のためのエッチング技術の向上、
レジストの性能向上等がなされているが、それととも
に、ファインパターン化が可能な電解銅箔の開発が急が
れている。

【０００３】従来の電解銅箔は、電解製箔工程で得られ
た銅箔の析出面側に更に粗化処理や防錆処理等を施した
上で、析出面側と絶縁基板を熱融着する方法が主流であ
るが、この従来の電解銅箔ではファインパターンが得ら
れなかった。

【０００４】従来の電解銅箔でファインパターン化がで
きないのは次の理由によるものと考えられる。従来の電解銅箔では電解銅箔自体のエッチング特性、
すなわちエッチング速度およびエッチングの均一性が良
好でなく、このためシャープなエッチング面が得られな
い。エッチングによる回路形成の際に絶縁基板との接着面
に銅の一部が残留し、これが溶解しにくい。

【０００５】従来の電解銅箔では、銅箔の析出面を粗化
して表面粗度Ｒｚが７〜１５μm になるようにし、この
上に防錆処理等を施した銅箔を絶縁基板との接着面とし
ているが、このように接着面が比較的大きな表面粗度の
銅箔を用いた銅張基板では、銅箔の粗化面にあった銅粒
子や樹脂状に析出した銅箔の一部が絶縁基板に深くくい
込んでいる。このため、大きな接着力が得られる反面、
プリント回路を形成するためのエッチングにおいて、完
全にこの銅が溶解するのに時間がかかる。この結果、銅
箔と絶縁基板とのボトムラインの直線性が乏しく、回路
間隔を狭くすると隣接する回路どうしの絶縁が悪くなる
ような欠陥が生じやすくなる。

【０００６】ファインパターン化の尺度は、一般的に図
１に示すエッチングファクター（＝２Ｔ／（Ｗｂ−Ｗ
ｔ））によって示される。この値が大きいほど回路断面
はシャープな形状となるが、これは使用する電解銅箔の
厚さ、所望の回路幅等によって要求値が異なる。例え
ば、３５μm 厚箔で、回路幅１００μm の現状のエッチ
ングファクターは２〜２．５であるが、３〜４．５、あ
るいはそれ以上にすることが要求されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ファインパ
ターン化に対応し得る電解銅箔及びそれらを用いた銅張
積層板ならびにプリント配線板を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、電解銅箔であ
って、カーボン量が１８ppm 以下の未処理箔の析出面を
平滑化処理して表面粗度Ｒｚが５μm 以下の平滑面を形
成し、次いで該平滑面または未処理箔の光沢面の少なく
とも一方の面に粗化処理を行うことにより、粗化処理面
の表面粗度をＲｚで６μm 以下にしたことを特徴とす
る。

【０００９】前記の平滑化処理に先立ち、未処理箔を１
００〜３００℃の温度で加熱処理してもよい。

【００１０】前記の平滑化処理は、光沢メッキ、電解研
磨、圧延の中の少なくとも一つの方法で行うことが好ま
しい。

【００１１】本発明の電解銅箔は、銅帳積層板またはプ
リント配線板に用いられるが、粗化処理を施した面を絶
縁基板と接着するのがよい。

【００１２】本発明によれば、電解銅箔自体のエッチン
グ特性が向上すると共に電解銅箔と絶縁基板との接着性
も高まり、両者の相乗作用によってファインパターン化
に優れた電解銅箔が得られ、ひいてはファインパターン
を有する電解銅箔を用いた銅張基板およびプリント配線
板を得ることができる。

【００１３】以下に、作用の面から本発明を説明する。
まず、電解銅箔自体のエッチング特性の向上について説
明する。

【００１４】図２に示すように、電解銅箔は、通常、電
解製箔装置により製箔された銅箔に、表面処理装置によ
り密着性向上のための粗化処理、防錆処理を施して製造
される。電解製箔装置と呼ばれる回転するドラム状のカ
ソード（表面はＳＵＳまたはチタン製）２と該カソード
に対して同心円状に配設されたアノード（鉛またはＤＳ
Ａ製）１からなる装置に、電解液３を流通させつつ両極
間に電流を流して、該カソード表面に所定の厚さに銅を
析出させ、その後該カソード表面から銅を剥ぎとる。未
処理銅箔とは、この剥ぎとられた銅箔４のことをいう。

【００１５】この後、銅張積層板に必要とされる性能を
付与するため、図３に示すような表面処理装置に、未処
理銅箔４を通し、電気化学的あるいは化学的な表面処理
を連続的に行う。この表面処理した銅箔を表面処理銅箔
８とよび、銅張積層板に使用される。

【００１６】電解銅箔の機械的性能は未処理銅箔４の性
能によって決定されるが、銅箔のエッチング特性、すな
わちエッチング速度と均一性も、この未処理銅箔の機械
的性能によって多くが決定される。

【００１７】電解製箔装置の電解液３の主成分は硫酸銅
と硫酸であるが、従来これにゼラチンまたはニカワのよ
うな有機物を微量添加してきた。電解液にこのような有
機添加剤を加えると、有機添加剤の一部は銅箔内、特に
粒界に入り込んで、電解銅箔の表面を平滑化するなど表
面粗度を調節する働きがある。また、これにより引張強
度が高まり、電解時に銅箔表面にコブやビットなどの凹
凸形状発生が抑制される。

【００１８】このようにして得られた電解銅箔を用いて
銅張基板を作製する訳であるが、該基板上に回路を形成
するには銅張基板の電解銅箔部分のエッチングが行われ
る。

【００１９】電解銅箔では、前述のごとく、電析時に銅
の粒界に有機添加剤の一部が入り込むため、エッチング
においては、この添加剤がそのエッチング速度を遅くし
たりエッチング速度の均一性を阻害し、エッチング特性
を低下させる原因となっていること、それを抑えるに
は、電解液中の有機添加剤濃度を低くして、未処理銅箔
中のカーボン量をある値以下となるようにすれば、製作
した電解銅箔のエッチング特性は極めて良好になること
を本発明者らが見いだし本発明を完成させるに至った。

【００２０】電解液中の有機添加剤濃度を低くしていく
と、粒界に入り込む該添加剤の量も次第に減少し、未処
理銅箔中に取り込まれる有機添加剤由来のカーボン量が
１８ppm 以下になると、エッチングの際に上述のように
エッチング特性の低下がかなり抑制され、更に該カーボ
ン量を１５ppm 以下にすることによりエッチング特性の
低下がほとんどなくなる。

【００２１】ここで、電解液中の有機添加剤濃度を更に
低下させれば、未処理銅箔中のカーボン量を０ppm 近く
にすることができ、更に該有機添加剤濃度を０ppm にす
ると該カーボン量は０ppm になり、エッチング特性の良
好な銅箔になる。しかしながら、実設備において前記の
有機添加剤濃度を０ppm にすると、電解製箔工程におい
て銅析出面にコブ等の発生による不良が生じることがあ
る。そこで、実設備においては有機添加剤を極く微量添
加することがある。

【００２２】未処理銅箔中に取り込まれる有機物量をあ
る値以下に抑えるためには、使用する添加剤の種類、分
子量とともに液中の有機添加剤量も一定濃度以下に抑え
る必要がある。銅箔中のカーボン含有量を１８ppm 以下
にするためには、上述の電解液温度や電流密度におい
て、該添加剤量を加水分解したニカワにて０〜２５０pp
m の範囲にする。

【００２３】有機添加剤が電解液中に取り込まれる量に
ついては、通常、銅箔中のＣおよびＳを定量することに
よって知ることができる。これは、有機添加剤は有機物
であるので、Ｃが主成分であるのは当然であるが、通常
Ｓを含む有機物を添加剤に使用する例が多いためであ
る。ただし、Ｓについては、有機添加剤だけから取り込
まれるのではなく、電解液の主成分に硫酸を使用してい
ることから、電解液からも取り込まれる。事実、Ｓを含
まない有機添加剤を使用しても、電解銅箔中からＳが検
出される。したがって、電解銅箔中に取り込まれる有機
添加剤の定量には、Ｃを分析することが最も適してい
る。尚、通常の電解銅箔には、無機体のカーボンが取り
込まれることはないと考えられる。

【００２４】本発明では、更に未処理銅箔に平滑化処理
を施す前に加熱処理を行ってもよい。未処理銅箔中のカ
ーボン量を１８ppm 以下にすることにより、エッチング
特性の良好な電解銅箔を得ることができるが、更に、常
温および高温時の伸び、あるいは耐屈曲性等銅箔の物理
的特性を向上させ得るからである。

【００２５】具体的には、未処理銅箔を１００〜３００
℃で加熱処理して銅箔を再結晶させる。加熱温度は、必
要とされる銅箔特性に応じ前記の範囲で適宜選択すれば
よい。尚、加熱処理温度が１００℃より低い温度ではこ
のような効果がほとんどなく、また３００℃よりも高い
温度になると、熱収縮によって銅箔に伸びやしわが発生
して好ましくない。

【００２６】ここで、常温および高温時の伸び、耐屈曲
性を更に向上させるための加熱処理の所要時間は、加熱
温度に反比例する。たとえば、１２０℃だと２４時間要
するが、２６０℃だと１０秒程度でよい。したがって、
低い加熱温度しか得られない場合には、コイル状の銅箔
を炉中に保持して加熱処理を行う、いわゆるバッチ加熱
による方法が適している。高い加熱温度が得られる場合
には加熱炉中を走行させて銅箔を加熱する連続加熱方法
による方法が好適である。

【００２７】しかし、ファインパターン化を実現させる
には前記の手段（以下、第１の手段という）だけでは不
十分であり、次に示す第２の手段を組み合わせなければ
ならない。第２の手段は、電解銅箔と絶縁基板との接着
面を改善して、接着力を確保しながら、エッチングにお
いて必要な部分の銅を絶縁基板に残留させずに迅速に溶
解させる方法である。

【００２８】具体的には、前記のエッチング特性の良好
な銅箔を用いて、銅箔析出面側を平滑化処理し、更にこ
の平滑化処理が施された面（以下、平滑面という）また
は銅箔の光沢面の少なくとも一方の面に粗化処理を施
し、この粗化した面と絶縁基板とを接着できるようにし
た電解銅箔である。第一の手段で示したエッチング特性
の良好な銅箔を使用すると共にこの第２の手段を施すこ
とにより、本発明の銅箔は、ファインパターン回路形成
のために格段に優れたものとなる。

【００２９】銅箔の平滑面を絶縁基板と接着させると、
回路形成のためのエッチング時に不要な部分の銅が絶縁
基板に残留することが防止でき、その結果シャープなプ
リント回路断面を形成させ得るが、このままでは銅箔と
絶縁基板とのピール強度が低いため実用にならない。そ
こで、ピール強度が実用強度以下にしない程度の粗化処
理を行う。粗化処理は、平滑面または銅箔の光沢面のい
ずれかに施すのが一般的であるが、必要に応じて両面に
施してもかまわない。

【００３０】平滑化処理をしていない銅析出面の表面粗
度Ｒｚは７〜１５μm 程度であるが、平滑化処理の後で
Ｒｚ５μm 以下、更に粗化処理の後でもＲｚ６μm 以下
にすることが必要である。また、銅箔の光沢面に粗化処
理する場合もＲｚを６μm 以下にするのがよい。どちら
の場合も、６μm よりも大きいと絶縁基板に銅が残留し
やすくなるからであるが、より好ましくはＲｚを１〜３
μm にするのがよい。

【００３１】一方、銅箔の光沢面のＲｚはもともと１〜
２μm であるので平滑化は必要ないが、こちら側を接着
面とする場合には、接着面とは反対側の析出面側のＲｚ
を５μm 以下にして、レジストやドライフィルムが剥離
しないようにする。５μm よりも大きいと銅箔とレジス
トやドライフィルムとの接着力が極めて低くなり、剥離
しやすくなるからである。より好ましくは１〜３μm に
するのがよい。

【００３２】銅箔析出面の平滑化を行う手段としては複
数の方法があるが、本発明では、光沢メッキ、電解研
磨、圧延の中から少なくとも一つの方法を用いて行う。

【００３３】第１の方法は、銅箔析出面に光沢メッキを
施す方法である。光沢メッキは特開平５−２９７４０に
示されている。光沢銅メッキ層としては、電解銅箔の表
面粗さを低下させることができれば特に制約はなく、例
えば、公知の光沢銅メッキ法を用いて電解銅箔面に形成
させることができる。

【００３４】光沢銅メッキの対極としては、例えば、含
りん銅、鉛、鉛合金、白金族の金属および白金族金属の
酸化物を被覆したチタン電極箔を用いることができ、こ
の中では特に含りん銅電極が好ましい。

【００３５】メッキ浴の温度は、１５〜４０℃が好まし
い。メッキ浴の温度が４０℃を越えるときには、添加剤
の消耗が激しくなる場合や、得られたメッキ面の光沢性
が不十分になる場合があり、１５℃未満の場合はメッキ
面の光沢性が不十分になる場合があるからである。

【００３６】電流密度は、０．５〜２０A/dm² が好まし
い。電流密度が２０A/dm² を越えるときには、メッキ面
の光沢性が不十分になる場合があり、０．５A/dm² 未満
の場合には、得られたメッキ面の光沢性が不十分になる
ことがあり、生産性が低下する。このようにして得られ
た光沢銅メッキ層の表面粗さは、０．２〜５μm が好ま
しい。

【００３７】また、銅箔析出面側の平滑化の第２の方法
は、銅箔析出面を電解研磨する方法である。本発明の電
解研磨は、銅箔表面の凹凸の中で凸部分を選択的に電解
溶解させる方法であれば、いかなる方法でもよいが、例
えば、電解液をりん酸、対極を白金電極としてアノード
電解すれば、表面粗度を著しく低下させることができ、
本発明の平滑化を実現することができる。

【００３８】更に、銅箔析出面側の平滑化の第３の方法
は、銅箔析出面を圧延により平滑化する方法である。本
発明における圧延の主な目的は、銅箔の析出面側の凹凸
を機械的になくす、あるいは小さくすることにあるの
で、それを満たせばいかなる圧延でもよいが、一般的な
冷間圧延は作業性がよく使いやすい。また圧下率を適度
に選ぶことにより、伸び率が高い銅箔を得ることができ
る。

【００３９】圧下率は銅箔の厚さや未処理箔の析出面の
粗度によって異なるが、通常５〜８０％の範囲が好まし
い。圧下率が５％未満の場合はほとんど平滑化がなされ
ず、また８０％を越えると平滑化にむらが生じるからで
ある。更に好ましくは２０〜６０％で、この範囲であれ
ば均一な平滑化ができるだけでなく、伸び率を向上させ
ることが可能となるからである。

【００４０】以上、銅箔析出面の平滑化に関して、光沢
メッキ、電解研磨、圧延を示したが、必要に応じてこれ
らの方法の中から２、３種類を選んで、層状にしたり、
またそれらを繰り返してもよい。

【００４１】次に粗化方法について示す。本発明に用い
る銅箔を絶縁基板と接合するのは、銅箔の光沢面または
平滑化処理を施した面のどちらでもよいが、いずれの面
もそのままでは絶縁基板との接合強度が低いため、銅箔
の少なくとも一方の面を粗化処理することが好ましい。

【００４２】粗化処理の方法としては、例えば酸性電解
液中、限界電流密度近傍の高電流密度で、銅、銅合金、
亜鉛、および亜鉛合金からなる群より選ばれた一種また
は二種以上の金属薄膜を電着する方法（英国特許ＧＢ２
０３２４６Ａ、特開昭６３−８９６９８号公報）が好ま
しい。

【００４３】粗化処理に用いる浴としては塩酸浴や硫酸
浴が好ましいが、中でも、硫酸浴は表面粗度が小さい処
理面を形成することができるとともに、この処理面と接
合する絶縁基板や他の層との接合強度を高めることがで
きるので、更に好ましい。

【００４４】このようにして得られた銅箔を絶縁基板に
接着することにより銅張積層板を完成させる。絶縁基板
としては例えばガラスエポキシ板があり、熱融着により
銅箔と接合させる。また他の絶縁基板としては紙フェノ
ール板があり、例えばエポキシ系接着剤で銅箔と接合さ
せる。

【００４５】

【発明の実施の形態】実施例１〜３の方法で本発明に従
った銅箔を作製し、エッチング評価装置を用いてエッチ
ングファクターによる評価を行った。

【００４６】実施例１チタン製の回転ドラム状カソード２と、このカソードド
ラムに対して同心円状に配設されたアノード（ＤＳＡ電
極）１からなる電解銅箔製造設備に、電解液３を流通さ
せつつ、両極間に電流を流して銅箔４を製造した。電解
液は、銅の含量が９０g/l 、硫酸が１００g/l になるよ
うにした硫酸銅と硫酸の混合液で、更に塩化物イオンを
２０ppm 、加水分解したニカワを６８ppm 、電解液に添
加した。電解液温度を５５℃とし、電流密度５５A/dm²
の条件で製箔を行い、厚さ約３５μm 、析出面の表面粗
度（Ｒｚ値）７μm の未処理箔を得た。未処理箔の光沢
面（ドラム面側）の表面粗度は１μm だった。また、未
処理箔中のカーボン量は７ppm であった。

【００４７】得られた未処理箔の析出面に光沢メッキを
施した。メッキ浴の組成とメッキ条件は下記のようにし
た。これにより未処理箔の析出面に約９μm の光沢メッ
キが施され、その光沢メッキ後の表面粗度は０．８μm
であった。

【００４８】メッキ浴組成金属銅５５g/l 硫酸５５g/l 塩化物イオン９０ppm （塩化ナトリウムとして）添加剤装飾用光沢銅メッキ添加剤（日本シェーリング製カパラシド２１０：メーキャップ剤５ml及び光沢剤Ａ０．５ml含有）メッキ条件対極含りん銅板液温２７℃ 電流密度６A/dm²

【００４９】次いで、光沢メッキを施した面に粗化処理
を行った。粗化は２層の銅メッキ層を設けたが、その粗
化のための浴組成と条件は下記の通りである。この粗化
処理した面の表面粗度を測定したところ、０．８μm で
あり、粗化処理前とあまり変わらなかったが、電子顕微
鏡で観察したところ、光沢銅メッキの凹凸面上に更に微
細な凹凸が形成されていた。また、第２層目の銅メッキ
の後、更に防錆処理を施して本発明の電解銅箔を完成し
た。

【００５０】

【００５１】得られた銅箔を０．５mm厚のガラスエポキ
シ絶縁板に熱融着して銅張積層板を完成した。更に、後
述の「評価法」に示した方法で回路パターンを形成して
プリント配線板を完成した。

【００５２】実施例２光沢メッキ処理に先立ち未処理箔を、窒素雰囲気中で加
熱した以外は実施例１と全く同様にして実施例２の電解
銅箔ならびに銅張基板を完成した。この場合の加熱は、
未処理箔を窒素雰囲気中２６０℃に加熱した６ｍの長さ
の加熱炉を用い、１２m/min （炉内滞留時間３０秒）で
走行させることによって行った。得られた電解銅箔の光
沢面（ドラム側）の表面粗度は１μm 、光沢メッキ後粗
化処理した析出面の表面粗度は０．８μm で、それぞれ
実施例１と全く同じだった。また、未処理箔中のカーボ
ン量は７ppm であった。

【００５３】実施例３粗化処理を、光沢メッキを施した面（析出面）ではなく
て銅箔の光沢面に施した以外は実施例１と全く同様にし
て実施例３の電解銅箔および銅張基板を完成した。得ら
れた電解銅箔の光沢面（ドラム側）の表面粗度は１μm
、光沢メッキ処理した析出面の表面粗度は０．８μm
であった。また、未処理箔中のカーボン量は７ppm であ
った。

【００５４】実施例４未処理箔の析出面の平滑化を光沢メッキではなく、電解
研磨によって行った以外は実施例１と全く同様にして実
施例４の電解銅箔および銅張基板を完成した。電解研磨
は、電解液として試薬りん酸と水とを３：２の割合で混
合した液を使用し、対極に白金板、液温２５℃、電流密
度２０A/dm² の条件で２分間通電することによって行っ
た。得られた電解銅箔の光沢面（ドラム側）の表面粗度
は１μm、電解研磨後粗化処理した析出面の表面粗度は
１．３μm であった。また、未処理箔中のカーボン量は
７ppm であった。

【００５５】実施例５未処理箔の厚さを５８μm とし、未処理箔の析出面の平
滑化を光沢メッキではなく、圧延によって行った以外は
実施例１と全く同様にして実施例５の電解銅箔および銅
張基板を完成した。圧延は冷間圧延で、圧下率４０％で
行った。得られた電解銅箔の光沢面（ドラム側）の表面
粗度は１μm 、圧延後粗化処理した析出面の表面粗度は
１．２μm であった。また、未処理箔中のカーボン量は
７ppm であった。

【００５６】比較例１加水分解したニカワの添加量を３００ppm とした以外は
実施例１と同様にして未処理箔を作製し、これに光沢メ
ッキや電解研磨等の平滑化を行うことなく、銅箔の析出
面に実施例１と同様な粗化処理と防錆処理を行い、比較
例１の電解銅箔を完成した。更に、粗化処理面側を実施
例１と同様にガラスエポキシ絶縁基板に熱融着して銅張
基板を作製した。得られた電解銅箔の光沢面（ドラム
側）の表面粗度は１μm 、粗化処理した析出面の表面粗
度は８μm であった。また、未処理箔中のカーボン量は
２３ppm であった。

【００５７】比較例２加水分解したニカワの添加量を６８ppm とした以外は比
較例１と同様にして、比較例２の電解銅箔および銅張基
板を作製した。得られた電解銅箔の光沢面（ドラム側）
の表面粗度は１μm 、粗化処理した析出面の表面粗度は
８μm であった。また、未処理箔中のカーボン量は７pp
m であった。

【００５８】比較例３加水分解したニカワの添加量を３００ppm とした以外は
実施例１と全く同様にして比較例３の電解銅箔および銅
張基板を作製した。得られた電解銅箔の光沢面（ドラム
側）の表面粗度は１μm 、粗化処理した析出面の表面粗
度は０．９μmであった。また、未処理箔中のカーボン
量は２３ppm であった。

【００５９】評価法実施例１〜５、および比較例１〜３で得られた銅張基板
のそれぞれに対するエッチング特性の評価を次に示す方
法で行った。各銅張基板表面の洗浄後、液レジストを５
μm の厚さで均一に塗布して乾燥した。次に、該レジス
トに試験用回路パターンを重ね、露光機を用いて２００
mJ/cm²で紫外線照射した。テストパターンは線幅１００
μm 、線間１００μm 、長さ５cmの平行直線を１０本並
べたものである。照射後直ちに現像し、水洗、乾燥し
た。

【００６０】このように、レジストによる回路が形成さ
れた各銅張基板のそれぞれに対し、エッチング評価装置
によりエッチングした。エッチング評価装置は単ノズル
で、垂直に立てた試料の銅張基板に対し直角方向からエ
ッチング液を噴射するものである。エッチング液には塩
化第二鉄と塩酸を混合した液（FeCl₃:２mol/l ，HCl:
０．５mol/l ）を使用し、液温５０℃、噴射圧０．１６
MPa 、液流量１ l/min、試料とノズルの距離１５cmにて
行った。噴射時間は５５秒とした。噴射後直ちに水洗
し、アセトンにてレジストを剥離してプリント回路パタ
ーンを得た。

【００６１】得られた各々のプリント回路パターンに対
し、エッチングファクターを測定した。また参考のた
め、高温伸び率も測定した。その結果を表１に示す。エ
ッチングファクター値が大きいほどエッチング特性が良
好と判断できるが、実施例１〜５は比較例１〜３よりも
エッチングファクターが格段に大きく、本発明が優れて
いることを示すものである。

【００６２】

【表１】

【００６３】

【発明の効果】本発明によって得られた電解銅箔は、銅
箔自体のエッチング特性が良好で、また、電解銅箔と絶
縁基板との密着性を実用強度に保つことが可能なため、
両者の相乗効果によって、ファインパターン化を実現す
ることが可能となる。また、この電解銅箔を絶縁板に接
着した銅張基板ならびにプリント回路により、ファイン
パターン回路を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】エッチングファクターの求め方を示す模式図

【図２】電解製箔装置の構造を示す断面図

【図３】表面処理装置の構成を示す断面図

【符号の説明】

Ａ銅箔の断面Ｂ絶縁板Ｗｔ銅箔断面のトップ幅Ｗｂ銅箔断面のボトム幅Ｔ銅箔の厚さ１電解製箔装置のアノード２電解製箔装置のカソード３電解製箔装置の電解液４未処理銅箔５表面処理装置の電解液６表面処理装置の電解液７表面処理装置のアノード８表面処理銅箔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木昭利栃木県今市市荊沢601番地の２古河サーキットフォイル株式会社今市事業所内 (72)発明者大塚英雄栃木県今市市荊沢601番地の２古河サーキットフォイル株式会社今市事業所内 (72)発明者清野正三栃木県今市市荊沢601番地の２古河サーキットフォイル株式会社今市事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カーボン量が１８ppm 以下の未処理箔の
析出面を平滑化処理して表面粗度Ｒｚが５μm 以下の平
滑面を形成し、次いで該平滑面または未処理箔の光沢面
の少なくとも一方の面に粗化処理を行うことにより、粗
化処理面の表面粗度をＲｚで６μm 以下としたことを特
徴とする電解銅箔。
【請求項２】前記の平滑化処理に先立ち、未処理銅箔
を、１００〜３００℃の温度で加熱処理を行った請求項
１の電解銅箔。
【請求項３】前記の平滑化処理を、光沢メッキ、電解
研磨、圧延の中の少なくとも一つの方法で行った請求項
１または２の電解銅箔。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一に記載の電
解銅箔の粗化処理を施した面を絶縁基板と接着した銅張
積層板またはプリント配線板。