JPH09273997A - 透明導電膜検査装置及び方法 - Google Patents
透明導電膜検査装置及び方法Info
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- JPH09273997A JPH09273997A JP8083715A JP8371596A JPH09273997A JP H09273997 A JPH09273997 A JP H09273997A JP 8083715 A JP8083715 A JP 8083715A JP 8371596 A JP8371596 A JP 8371596A JP H09273997 A JPH09273997 A JP H09273997A
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- conductive film
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明導電膜の均質状態やエッチング時あるい
はエッチング後の状態及び基板上に形成されたピンホー
ルの状態を容易にかつ効率的に精度良く検査する装置お
よび方法を提供する 【解決手段】 透明導電膜が塗布された基板上に実質的
に赤外線領域の波長の光を照射する光照射系と、透明導
電膜からの光を検出し、基板上の透明導電膜に関する情
報を得る検出系とを有することを特徴とする透明導電膜
検査装置。
はエッチング後の状態及び基板上に形成されたピンホー
ルの状態を容易にかつ効率的に精度良く検査する装置お
よび方法を提供する 【解決手段】 透明導電膜が塗布された基板上に実質的
に赤外線領域の波長の光を照射する光照射系と、透明導
電膜からの光を検出し、基板上の透明導電膜に関する情
報を得る検出系とを有することを特徴とする透明導電膜
検査装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置、エ
レクトロクロミック装置、プラズマブィスプレイ装置等
に用いられる透明導電膜の膜の状態や欠陥等を検査する
検査装置及び方法に関する。ここで、透明導電膜とは、
ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）、Ｉｎ2 Ｏ3 （酸
化インジウム）、ＳｎＯ2 （酸化スズ）、ＡＴＯ膜、等
の可視光に対して透明な性質を有する膜のことである。
レクトロクロミック装置、プラズマブィスプレイ装置等
に用いられる透明導電膜の膜の状態や欠陥等を検査する
検査装置及び方法に関する。ここで、透明導電膜とは、
ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）、Ｉｎ2 Ｏ3 （酸
化インジウム）、ＳｎＯ2 （酸化スズ）、ＡＴＯ膜、等
の可視光に対して透明な性質を有する膜のことである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置、エレクトロクロミ
ック装置、プラズマディスプレイ装置等に用いられる透
明導電膜の検査は、可視光による透過特性の評価や面抵
抗の測定、及び成膜時での水晶振動子等による膜厚管理
が主なものであった。特に、基板全体を検査する場合
は、可視光を基板に対して斜め方向から照射し、その斜
入射光の基板から反射光を目視により観察し、膜の良否
を判定するにとどまっていた。また、透明導電膜のパタ
ーニング、すなわちエッチングの状態は、プローブを基
板上方から接近させ、基板上に接触させて面抵抗値を測
定し、この工程を基板上の異なる複数の点で行うような
検査方法であった。パターニング（エッチング）の終点
検出は基本的には面抵抗値の測定によるが、一般的には
経験による時間管理で行い、オーバーエッチングの形で
行うのが常であった。
ック装置、プラズマディスプレイ装置等に用いられる透
明導電膜の検査は、可視光による透過特性の評価や面抵
抗の測定、及び成膜時での水晶振動子等による膜厚管理
が主なものであった。特に、基板全体を検査する場合
は、可視光を基板に対して斜め方向から照射し、その斜
入射光の基板から反射光を目視により観察し、膜の良否
を判定するにとどまっていた。また、透明導電膜のパタ
ーニング、すなわちエッチングの状態は、プローブを基
板上方から接近させ、基板上に接触させて面抵抗値を測
定し、この工程を基板上の異なる複数の点で行うような
検査方法であった。パターニング（エッチング）の終点
検出は基本的には面抵抗値の測定によるが、一般的には
経験による時間管理で行い、オーバーエッチングの形で
行うのが常であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては以下の問題点があった。 （１）基板全体の評価が困難であり、また、行おうとす
れば時間がかかり実用的ではなかった。 （２）透明導電膜のエッチング後の評価は、導電膜にプ
ローブをたてて抵抗値を測定するものであり、エッチン
グ時のフォトレジスト等の残さを検出するのは困難であ
った。 （３）透明導電膜上に形成されたピンホールを検出する
のは困難であった。
においては以下の問題点があった。 （１）基板全体の評価が困難であり、また、行おうとす
れば時間がかかり実用的ではなかった。 （２）透明導電膜のエッチング後の評価は、導電膜にプ
ローブをたてて抵抗値を測定するものであり、エッチン
グ時のフォトレジスト等の残さを検出するのは困難であ
った。 （３）透明導電膜上に形成されたピンホールを検出する
のは困難であった。
【０００４】本発明は上述のごとき従来の問題点に鑑み
てなされたもので、透明導電膜の均質状態やエッチング
時あるいはエッチング後の状態及び基板上に形成された
ピンホールの状態を容易にかつ効率的に精度良く検査す
る装置および方法を提供することを目的とする。
てなされたもので、透明導電膜の均質状態やエッチング
時あるいはエッチング後の状態及び基板上に形成された
ピンホールの状態を容易にかつ効率的に精度良く検査す
る装置および方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の如き従来の問題を
解決するため、請求項１記載の本発明は、透明導電膜
（２）が塗布された基板（１）上に実質的に赤外線領域
の波長の光を照射する光照射系（４）と、透明導電膜
（２）からの光を検出し、基板上の透明導電膜に関する
情報を得る検出系（３、８、９）とを有することを特徴
とする透明導電膜検査装置である。
解決するため、請求項１記載の本発明は、透明導電膜
（２）が塗布された基板（１）上に実質的に赤外線領域
の波長の光を照射する光照射系（４）と、透明導電膜
（２）からの光を検出し、基板上の透明導電膜に関する
情報を得る検出系（３、８、９）とを有することを特徴
とする透明導電膜検査装置である。
【０００６】請求項２記載の本発明は、光照射系（４、
５、１０、１１、１５）は、波長の異なる複数の光を照
射し、検出系は、光照射系が発する複数の光に応じた感
度を有する受光手段（３）を有することを特徴とするも
のである。請求項３記載の本発明は、光照射系が発する
赤外光の波長は、０．８μｍより長い波長の光であるこ
とを特徴とするものである。
５、１０、１１、１５）は、波長の異なる複数の光を照
射し、検出系は、光照射系が発する複数の光に応じた感
度を有する受光手段（３）を有することを特徴とするも
のである。請求項３記載の本発明は、光照射系が発する
赤外光の波長は、０．８μｍより長い波長の光であるこ
とを特徴とするものである。
【０００７】請求項５記載の本発明は、光照射生が発す
る赤外光の波長は０．８〜３μｍの波長範囲内であり、
検出系は０．８〜３μｍの波長範囲の光を検出可能な光
検出器を有することを特徴とするものである。請求項６
記載の本発明は、検出系は透明導電膜からの反射光を検
出する第１検出系（３）と、透明導電膜の透過光を検出
する第２光検出系（３’）とを有し、反射光と透過光と
を同時に検出することを特徴とするものである。
る赤外光の波長は０．８〜３μｍの波長範囲内であり、
検出系は０．８〜３μｍの波長範囲の光を検出可能な光
検出器を有することを特徴とするものである。請求項６
記載の本発明は、検出系は透明導電膜からの反射光を検
出する第１検出系（３）と、透明導電膜の透過光を検出
する第２光検出系（３’）とを有し、反射光と透過光と
を同時に検出することを特徴とするものである。
【０００８】請求項７記載の本発明は、第１光検出器と
第２光検出器との検出信号に基づいて、透明導電膜の面
積抵抗分布と膜厚分布との少なくとも一方を測定するこ
とを特徴とするものである。請求項８記載の本発明は、
透明導電膜の透過光を検出する光検出器を有し、透明導
電膜上のピンホールを検出することを特徴とするもので
ある。
第２光検出器との検出信号に基づいて、透明導電膜の面
積抵抗分布と膜厚分布との少なくとも一方を測定するこ
とを特徴とするものである。請求項８記載の本発明は、
透明導電膜の透過光を検出する光検出器を有し、透明導
電膜上のピンホールを検出することを特徴とするもので
ある。
【０００９】請求項９記載の本発明は、検出系は透明導
電膜の透過光を検出する光検出器を有し、透明導電膜の
面積抵抗分布と膜厚分布おき少なくとも一方を測定する
ものである。請求項１０記載の本発明は、基板上に塗布
された透明導電膜の状態を検査する方法において、基板
と透明導電膜との少なくとも一方から発する光のうち、
実質的に赤外線領域の光を検出して、透明導電膜の情報
を得ることを特徴とするものである。
電膜の透過光を検出する光検出器を有し、透明導電膜の
面積抵抗分布と膜厚分布おき少なくとも一方を測定する
ものである。請求項１０記載の本発明は、基板上に塗布
された透明導電膜の状態を検査する方法において、基板
と透明導電膜との少なくとも一方から発する光のうち、
実質的に赤外線領域の光を検出して、透明導電膜の情報
を得ることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施形態を
示す検査装置の概略構成を示す図である。１はＢＫ−７
などのガラス等の基板、２はＩＴＯ、ＡＴＯ、Ｉｎ2 Ｏ
3 、ＳｎＯ2膜等の透明導電膜、３はＰｔ−ＳｉＣＣＤ
等の０．８〜３μｍに感度を有する２次元ＣＣＤカメ
ラ、４はタングステンランプ等の近赤外領域光を放射す
る光源である。５はΔλ＝０．１μｍ程度の波長幅を持
つ１．８μｍを中心波長とする光学フィルター（波長選
別フィルター）である。光源４より放射された光は透明
導電膜により反射され、反射光は光学フィルター５によ
り１．８μｍの光のみ２次元ＣＣＤカメラ３に入射す
る。ＣＣＤカメラは、光源４からの光の正反射光を検出
するように配置されている。ＣＣＤカメラ３からの画像
信号は画像処理装置８に入力され、モニタ９に表示され
る。検査者は例えばこのモニタを見ることより基板上の
透明導電膜の状態（良否）を検査する。図６は、透明導
電膜が基板表面全体に塗布されている場合を検査したと
きに得られる均一性分布の検査画面９１を示す図であ
る。膜厚のムラを等高線表示にて示している。
示す検査装置の概略構成を示す図である。１はＢＫ−７
などのガラス等の基板、２はＩＴＯ、ＡＴＯ、Ｉｎ2 Ｏ
3 、ＳｎＯ2膜等の透明導電膜、３はＰｔ−ＳｉＣＣＤ
等の０．８〜３μｍに感度を有する２次元ＣＣＤカメ
ラ、４はタングステンランプ等の近赤外領域光を放射す
る光源である。５はΔλ＝０．１μｍ程度の波長幅を持
つ１．８μｍを中心波長とする光学フィルター（波長選
別フィルター）である。光源４より放射された光は透明
導電膜により反射され、反射光は光学フィルター５によ
り１．８μｍの光のみ２次元ＣＣＤカメラ３に入射す
る。ＣＣＤカメラは、光源４からの光の正反射光を検出
するように配置されている。ＣＣＤカメラ３からの画像
信号は画像処理装置８に入力され、モニタ９に表示され
る。検査者は例えばこのモニタを見ることより基板上の
透明導電膜の状態（良否）を検査する。図６は、透明導
電膜が基板表面全体に塗布されている場合を検査したと
きに得られる均一性分布の検査画面９１を示す図であ
る。膜厚のムラを等高線表示にて示している。
【００１１】また、本実施形態のモニタ９としてパソコ
ン等を用いれば、基板の検査結果や透明導電膜の膜厚の
均質状態の管理等を行うこともできる。また、本実施形
態においては透明導電膜の面積抵抗分布を測定すること
ができる。また、図２に示すように、光学フィルター５
をＣＣＤカメラの前（反射光の受光側）でなく、光源４
と基板との間（光の照射側）に設けても良い。また、図
２に示す装置においては、光学フィルターを異なる波長
の光を透過する複数の光学フィルター（図２においては
光学フィルター５、１５のみ図示）配置したターレット
板１０を有している。そして、駆動装置１１によってタ
ーレット板１０を回転し、所望の光学フィルターを光路
中に配置して、基板上に照射する光の波長を選択するこ
とができる。選択する波長は、少なくとも１つは赤外線
領域の波長を選択する。複数の光学フィルターのうちの
１つを可視領域の波長を選択する光学フィルターとして
も良い。このとき、ＣＣＤカメラ３は０．８〜３μｍの
波長域にのみ感度を有するので、別途可視領域の波長に
感度を有するＣＣＤカメラを配置することが必要であ
る。そして、赤外線領域の光による画像と可視領域の光
による画像とを夫々比較することにより、透明導電膜の
検査を行うことができる。また、光源側も、赤外線領域
の光を発する光源と、可視領域の光を発する光源とを夫
々配置して、同時に各々の光による画像を得るようにし
てもよい。また、ＣＣＤカメラは基板１からの正反射光
ではなく散乱光を受光するように配置されていてもよ
い。
ン等を用いれば、基板の検査結果や透明導電膜の膜厚の
均質状態の管理等を行うこともできる。また、本実施形
態においては透明導電膜の面積抵抗分布を測定すること
ができる。また、図２に示すように、光学フィルター５
をＣＣＤカメラの前（反射光の受光側）でなく、光源４
と基板との間（光の照射側）に設けても良い。また、図
２に示す装置においては、光学フィルターを異なる波長
の光を透過する複数の光学フィルター（図２においては
光学フィルター５、１５のみ図示）配置したターレット
板１０を有している。そして、駆動装置１１によってタ
ーレット板１０を回転し、所望の光学フィルターを光路
中に配置して、基板上に照射する光の波長を選択するこ
とができる。選択する波長は、少なくとも１つは赤外線
領域の波長を選択する。複数の光学フィルターのうちの
１つを可視領域の波長を選択する光学フィルターとして
も良い。このとき、ＣＣＤカメラ３は０．８〜３μｍの
波長域にのみ感度を有するので、別途可視領域の波長に
感度を有するＣＣＤカメラを配置することが必要であ
る。そして、赤外線領域の光による画像と可視領域の光
による画像とを夫々比較することにより、透明導電膜の
検査を行うことができる。また、光源側も、赤外線領域
の光を発する光源と、可視領域の光を発する光源とを夫
々配置して、同時に各々の光による画像を得るようにし
てもよい。また、ＣＣＤカメラは基板１からの正反射光
ではなく散乱光を受光するように配置されていてもよ
い。
【００１２】本実施形態によっても、透明導電膜の膜厚
分布や面積抵抗分布を測定することができる。本実施形
態で用いる光の波長は１．８μｍとしたが、特にこれに
限らず、赤外領域の波長、さらに具体的には０．８〜３
μｍの波長領域の赤外光を用いれることが望ましい。以
下に、検査対象である透明導電膜の波長特性について述
べる。
分布や面積抵抗分布を測定することができる。本実施形
態で用いる光の波長は１．８μｍとしたが、特にこれに
限らず、赤外領域の波長、さらに具体的には０．８〜３
μｍの波長領域の赤外光を用いれることが望ましい。以
下に、検査対象である透明導電膜の波長特性について述
べる。
【００１３】本発明においては、図８に示す透明導電膜
の透過、反射、吸収特性を利用することを特徴とする。
すなわち、図８に示すように一般に０．８μｍ〜３μｍ
にかけて透明導電膜の透過率は下がり、反射率は増加す
る。そして、３μｍ以上の波長域ではほぼ９０％以上の
光を反射し、透過率は０％となる。また、０．８〜３μ
ｍの範囲内で吸収率が比較的おおきくなり、約１．２μ
ｍで吸収率がピークとなる。反射率及び透過率の変化に
おいては、例えばＩｎ2 Ｏ3 （酸化インジウム）単体の
膜に比べＳｎＯ2 をドープするにつれて、同一波長にお
いても透過率、反射率の変化が生じる。このことは、図
９に示すデータによってわかる。特に２μｍ、３μｍあ
たりではＳｎＯ2 のドープ量が変化すると反射率が急激
に変化することが分かる。これらの特性を利用すれば、
０．８〜３μｍ全体で透明導電膜のコート面の観察を行
うことも有効である。
の透過、反射、吸収特性を利用することを特徴とする。
すなわち、図８に示すように一般に０．８μｍ〜３μｍ
にかけて透明導電膜の透過率は下がり、反射率は増加す
る。そして、３μｍ以上の波長域ではほぼ９０％以上の
光を反射し、透過率は０％となる。また、０．８〜３μ
ｍの範囲内で吸収率が比較的おおきくなり、約１．２μ
ｍで吸収率がピークとなる。反射率及び透過率の変化に
おいては、例えばＩｎ2 Ｏ3 （酸化インジウム）単体の
膜に比べＳｎＯ2 をドープするにつれて、同一波長にお
いても透過率、反射率の変化が生じる。このことは、図
９に示すデータによってわかる。特に２μｍ、３μｍあ
たりではＳｎＯ2 のドープ量が変化すると反射率が急激
に変化することが分かる。これらの特性を利用すれば、
０．８〜３μｍ全体で透明導電膜のコート面の観察を行
うことも有効である。
【００１４】上述した波長範囲のうち、例えば１．５μ
ｍ近傍の情報、すなわち反射率の面分布を取れば、膜厚
と面抵抗値が混みになった形で膜の状態、即ち表面のム
ラを知ることが可能である。従って、複数の波長で観察
すれば、膜厚と面抵抗値との情報を独立に得ることがで
きる。また、透明導電膜をコートした基板材料は通常、
ＢＫ−７、石英等のガラスが多く、これらの分光透過率
は図１０に示すように約２．２μｍまではほぼ８０％以
上であり、特に無水合成石英は３．３μｍまで８０％以
上の透過率を有する。従って、パターンエッチングされ
た基板は前記の如く０．８〜３μｍの特定の波長での反
射率の差として検出するのは極めて容易となる。また、
１．２μｍ近傍の波長域では、透明導電膜の反射率は低
いが、吸収率が比較的大きいため、この光の吸収の状態
（例えば表面温度）をＣＣＤカメラによって検出するこ
とも可能である。
ｍ近傍の情報、すなわち反射率の面分布を取れば、膜厚
と面抵抗値が混みになった形で膜の状態、即ち表面のム
ラを知ることが可能である。従って、複数の波長で観察
すれば、膜厚と面抵抗値との情報を独立に得ることがで
きる。また、透明導電膜をコートした基板材料は通常、
ＢＫ−７、石英等のガラスが多く、これらの分光透過率
は図１０に示すように約２．２μｍまではほぼ８０％以
上であり、特に無水合成石英は３．３μｍまで８０％以
上の透過率を有する。従って、パターンエッチングされ
た基板は前記の如く０．８〜３μｍの特定の波長での反
射率の差として検出するのは極めて容易となる。また、
１．２μｍ近傍の波長域では、透明導電膜の反射率は低
いが、吸収率が比較的大きいため、この光の吸収の状態
（例えば表面温度）をＣＣＤカメラによって検出するこ
とも可能である。
【００１５】また、パターンエッチング状態のみなら
ず、エッチングの進行状態もエッチング液の吸収波長を
除いた波長を採用し、反射率の変化を測定することによ
りエッチングの終点検出を簡単に行うことができる。同
様の方法により、透明導電膜内に存在するピンホールの
ような欠陥検査も可能となる。ピンホールの検出は、反
射光の測定だけではなく、図８に示すように透明導電膜
の吸収率のピークが１．２μｍ近傍にあることを利用
し、１．２μｍの波長の光を照射して光の吸収を面観察
することにより、ピンホールの有無及びエッチング状態
を検査することが可能となる。
ず、エッチングの進行状態もエッチング液の吸収波長を
除いた波長を採用し、反射率の変化を測定することによ
りエッチングの終点検出を簡単に行うことができる。同
様の方法により、透明導電膜内に存在するピンホールの
ような欠陥検査も可能となる。ピンホールの検出は、反
射光の測定だけではなく、図８に示すように透明導電膜
の吸収率のピークが１．２μｍ近傍にあることを利用
し、１．２μｍの波長の光を照射して光の吸収を面観察
することにより、ピンホールの有無及びエッチング状態
を検査することが可能となる。
【００１６】図３は本発明の第２の実施形態の概略構成
を示す図である。図３に示す装置は、透明導電膜２の反
射率と透過率とを同時に測定することができる実施例で
ある。先の第１の実施形態と同一の機能を果たす部材に
は同じ符号を付している。ＣＣＤカメラ３、３’からの
画像信号を処理する画像処理装置、及びモニタは図示を
省略した。モニタは各ＣＣＤカメラに対応して２つ有し
てもよいし、１つのモニタ上に２つの画像を表示しても
良い。透過光を検出するＣＣＤカメラ３’はＣＣＤカメ
ラ３と同じ波長域の検出感度を有する。このように、透
明透明導電膜の透過光と反射光とを検出することによ
り、さらに精度よく透明導電膜の均質状態や、ピンホー
ルの有無等を検出することができる。
を示す図である。図３に示す装置は、透明導電膜２の反
射率と透過率とを同時に測定することができる実施例で
ある。先の第１の実施形態と同一の機能を果たす部材に
は同じ符号を付している。ＣＣＤカメラ３、３’からの
画像信号を処理する画像処理装置、及びモニタは図示を
省略した。モニタは各ＣＣＤカメラに対応して２つ有し
てもよいし、１つのモニタ上に２つの画像を表示しても
良い。透過光を検出するＣＣＤカメラ３’はＣＣＤカメ
ラ３と同じ波長域の検出感度を有する。このように、透
明透明導電膜の透過光と反射光とを検出することによ
り、さらに精度よく透明導電膜の均質状態や、ピンホー
ルの有無等を検出することができる。
【００１７】図４は本発明の第３実施形態の概略構成を
示す図である。ＣＣＤカメラ３カラ画像信号を処理する
信号処理装置、及びモニタの図示は省略した。本実施形
態の検査装置は、光源６として近赤外領域の発振波長を
持つレーザあるいは波長可変レーザを用いている。７は
光源６からのレーザ光を基板面内で走査するためのガル
バノミラーである。光源６としては、例えばＮｄ：ＹＡ
Ｇ（１．０６μｍ）、Ｎｄ：ＹＬＦ（１．０５μｍ）、
ＩｎＧａＡｓＰ（１．１〜１．６μｍ）、Ｅｒ：Ｇｌａ
ｓｓ（１．５５μｍ）、Ｈｏ：ＹＡＧ（２．１μｍ）等
が挙げられる。また、基板上を２次元走査するため、Ｘ
方向はガルバノミラー７、Ｙ方向は基板１を載置するス
テージ２０を移動させている。この構成以外にも、例え
ばガルバノミラーやレゾナントミラー等によりレーザ光
を基板上で２次元走査させるようにしても良い。図７
は、本実施形態の検査装置で得られる、透明導電膜がパ
ターンエッチングされたときのエッチングの状態と欠陥
の状態の検査画面９２を示す図である。図７において、
黒く表示されたパターン上にある欠陥２１を確認するこ
とができる。
示す図である。ＣＣＤカメラ３カラ画像信号を処理する
信号処理装置、及びモニタの図示は省略した。本実施形
態の検査装置は、光源６として近赤外領域の発振波長を
持つレーザあるいは波長可変レーザを用いている。７は
光源６からのレーザ光を基板面内で走査するためのガル
バノミラーである。光源６としては、例えばＮｄ：ＹＡ
Ｇ（１．０６μｍ）、Ｎｄ：ＹＬＦ（１．０５μｍ）、
ＩｎＧａＡｓＰ（１．１〜１．６μｍ）、Ｅｒ：Ｇｌａ
ｓｓ（１．５５μｍ）、Ｈｏ：ＹＡＧ（２．１μｍ）等
が挙げられる。また、基板上を２次元走査するため、Ｘ
方向はガルバノミラー７、Ｙ方向は基板１を載置するス
テージ２０を移動させている。この構成以外にも、例え
ばガルバノミラーやレゾナントミラー等によりレーザ光
を基板上で２次元走査させるようにしても良い。図７
は、本実施形態の検査装置で得られる、透明導電膜がパ
ターンエッチングされたときのエッチングの状態と欠陥
の状態の検査画面９２を示す図である。図７において、
黒く表示されたパターン上にある欠陥２１を確認するこ
とができる。
【００１８】図５は本発明の第４実施形態の概略構成を
示す図である。本実施形態の検査装置は、基板１を挟ん
で光源１４と光検出装置１３とを対峙させて配置してい
る。そして、透明導電膜の吸収を検出する。光検出装置
１３からの信号は信号処理装置１８にて信号処理され、
モニタ１９に画像信号として出力される。光検出装置１
３は、１〜２μｍの波長域に感度を有するラインセンサ
である。基板１はステージ２０上に載置されている。ス
テージ２０は光検出装置１３のラインセンサの配列方向
に垂直な方向に移動可能である。ステージを移動させな
がら光検出機１３からの信号を蓄積することにより、基
板上の２次元情報を得ることができる。
示す図である。本実施形態の検査装置は、基板１を挟ん
で光源１４と光検出装置１３とを対峙させて配置してい
る。そして、透明導電膜の吸収を検出する。光検出装置
１３からの信号は信号処理装置１８にて信号処理され、
モニタ１９に画像信号として出力される。光検出装置１
３は、１〜２μｍの波長域に感度を有するラインセンサ
である。基板１はステージ２０上に載置されている。ス
テージ２０は光検出装置１３のラインセンサの配列方向
に垂直な方向に移動可能である。ステージを移動させな
がら光検出機１３からの信号を蓄積することにより、基
板上の２次元情報を得ることができる。
【００１９】図８に示すように、ＩＴＯ膜は１．２μｍ
近傍で吸収のピークを有する。透明導電膜の吸収の大き
な波長に該当する光源の選択、あるいは光検出器の検出
感度の選択により、透明導電膜の微小な欠陥を吸収の形
で検出することができる。また、光源１４からの光のう
ち殆どは透明導電膜によって反射してしまうが、透明導
電膜上にピンホールが存在すると、そのピンホールを透
過した光が光検出器に受光される。従って、本実施形態
においてはピンホールを精度良く検出することができ
る。
近傍で吸収のピークを有する。透明導電膜の吸収の大き
な波長に該当する光源の選択、あるいは光検出器の検出
感度の選択により、透明導電膜の微小な欠陥を吸収の形
で検出することができる。また、光源１４からの光のう
ち殆どは透明導電膜によって反射してしまうが、透明導
電膜上にピンホールが存在すると、そのピンホールを透
過した光が光検出器に受光される。従って、本実施形態
においてはピンホールを精度良く検出することができ
る。
【００２０】図１１は、本発明の第５実施形態の概略構
成を示す図である。本実施形態は赤外線を発する光源を
有せず、透明導電膜２が塗布された基板１をヒータ３１
によって加熱した後、赤外線領域に感度を有するＣＣＤ
カメラにて透明導電膜を検査する方法である。このよう
な検査方法により、加熱された基板１からの放射熱が赤
外線となって、透明導電膜上に形成されたピンホール等
を通ってＣＣＤカメラに入射するため、透明導電膜上の
ピンホールを精度よく検出することができる。
成を示す図である。本実施形態は赤外線を発する光源を
有せず、透明導電膜２が塗布された基板１をヒータ３１
によって加熱した後、赤外線領域に感度を有するＣＣＤ
カメラにて透明導電膜を検査する方法である。このよう
な検査方法により、加熱された基板１からの放射熱が赤
外線となって、透明導電膜上に形成されたピンホール等
を通ってＣＣＤカメラに入射するため、透明導電膜上の
ピンホールを精度よく検出することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のような本発明によれば、透明導電
膜の透過率、反射率、吸収率が急激に変化する近赤外領
域の分光特性を利用して、基板上に塗布された透明導電
膜を透過像、反射像、吸収像を得るため、これまで困難
とされてきた透明導電膜全体の膜厚のムラや、パターン
エッチングの状態の良否判定、ピンホールの検査等が簡
単な構成の装置で、十分な精度と高スループットで容易
に検査することができる。さらにエッチングの過程にお
いては、反射率、あるいは吸収率の変化を測定すること
により、安定した終点検出が可能となる。
膜の透過率、反射率、吸収率が急激に変化する近赤外領
域の分光特性を利用して、基板上に塗布された透明導電
膜を透過像、反射像、吸収像を得るため、これまで困難
とされてきた透明導電膜全体の膜厚のムラや、パターン
エッチングの状態の良否判定、ピンホールの検査等が簡
単な構成の装置で、十分な精度と高スループットで容易
に検査することができる。さらにエッチングの過程にお
いては、反射率、あるいは吸収率の変化を測定すること
により、安定した終点検出が可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態を示す図である。
【図２】第１実施形態の変形例を示す図である。
【図３】第２実施形態を示す図である。
【図４】第３実施形態を示す図である。
【図５】第４実施形態を示す図である。
【図６】第１実施形態の検査装置で得られた透明導電膜
の分布ムラを示す図である。
の分布ムラを示す図である。
【図７】第３実施形態の検査装置で得られたパターンエ
ッチング状態及び欠陥の状態を示す図である。
ッチング状態及び欠陥の状態を示す図である。
【図８】透明導電膜ＩＴＯの分光透過率、反射率、吸収
率の特性を示す図である。
率の特性を示す図である。
【図９】Ｉｎ2 Ｏ3 膜にＳｎＯ2 をドープしたときの分
光特性を示す図である。
光特性を示す図である。
【図１０】ガラスの分光特性を示す図である。
【図１１】本発明の第５実施形態の概略構成を示す図で
ある。
ある。
１・・・基板 ２・・・透明導電膜 ３・・・２次元ＣＣＤカメラ ４、６・・・光源 ５・・・光学フィルター ７・・・ガルバノミラー ８・・・画像処理装置 ９・・・モニタ ２０・・・ステージ
Claims (12)
- 【請求項１】 透明導電膜が塗布された基板上に実質的
に赤外線領域の波長の光を照射する光照射系と、前記透
明導電膜からの光を検出し、基板上の透明導電膜に関す
る情報を得る検出系とを有することを特徴とする透明導
電膜検査装置。 - 【請求項２】 前記検出系は、前記光照射系からの光の
波長に応じた感度を有する光検出器と、前記光検出器か
らの検出信号により前記透明導電膜の２次元情報を得る
検査装置とを有することを特徴とする請求項１記載の装
置 - 【請求項３】 前記光照射系は、波長の異なる複数の光
を照射し、前記検出系は、前記光照射系が発する複数の
光に応じた感度を有する受光手段を有することを特徴と
する請求項１又は２記載の装置。 - 【請求項４】 前記波長の異なる複数の光のうちの少な
くとも１つは赤外線以外の領域の波長であることを特徴
とする請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 前記光照射系が発する赤外光の波長は、
０．８〜３μｍの波長範囲内であり、前記検出系は０．
８〜３μｍの波長範囲の光を検出可能な光検出器を有す
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の装
置。 - 【請求項６】 前記検出系は、前記透明導電膜からの反
射光を検出する第１光検出器と、前記透明導電膜の透過
光を検出する第２光検出器とを有し、前記反射光と透過
光とを検出することを特徴とする請求項１または２に記
載の装置。 - 【請求項７】 前記第１光検出器と前記第２光検出器と
の検出信号に基づいて、前記透明導電膜の面積抵抗分布
と膜厚分布との少なくとも一方を測定することを特徴と
する請求項６に記載の装置。 - 【請求項８】 前記光照射系と前記検出系とは前記基板
を挟んで対峙して配置され、前記検出系は、前記透明導
電膜の透過光を検出して前記透明導電膜上のピンホール
を検出することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに
記載の装置。 - 【請求項９】 前記検出系は、前記透明導電膜の透過光
を検出する光検出器を有し、前記透明導電膜の面積抵抗
分布と膜厚分布との少なくとも一方を測定することを特
徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１０】 基板上に成膜された透明導電膜の状態
を検査する方法において、 前記基板と前記透明導電膜との少なくとも一方から発す
る光のうち、実質的に赤外線領域の光を検出して、前記
透明導電膜の情報を得ることを特徴とする透明導電膜検
査方法。 - 【請求項１１】 前記透明導電膜が塗布された基板を加
熱した後、前記基板と前記透明導電膜との少なくとも一
方から発する赤外線を検出することを特徴とする請求項
１０に記載の検査方法。 - 【請求項１２】 前記基板上に赤外線領域の光を照射し
て、前記透明導電膜から発する赤外光を検出することを
特徴とする請求項１０に記載の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8083715A JPH09273997A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 透明導電膜検査装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8083715A JPH09273997A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 透明導電膜検査装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09273997A true JPH09273997A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13810213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8083715A Pending JPH09273997A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 透明導電膜検査装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09273997A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005224778A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布層検知方法及び装置、及びそれを用いた筒貼り方法及び装置 |
| JP2010008170A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 光透過性フィルムの欠陥検出装置 |
| CN102636498A (zh) * | 2012-03-22 | 2012-08-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的检测装置及检测方法 |
| WO2013129366A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2014191057A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | Ｉｔｏパターンの撮像装置及び撮像方法 |
| CN105675544A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-06-15 | 大连爱瑞德纳米科技有限公司 | 太阳能隔热膜反射率及透射率测试仪 |
| CN110308157A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-10-08 | 凌云光技术集团有限责任公司 | 一种检测透明印刷品模切质量的方法及装置 |
| WO2022163859A1 (ja) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | 三菱重工業株式会社 | 検査装置、および検査方法 |
| CN118464911A (zh) * | 2024-07-09 | 2024-08-09 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 料带孔洞检测系统和方法 |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP8083715A patent/JPH09273997A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005224778A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布層検知方法及び装置、及びそれを用いた筒貼り方法及び装置 |
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| JPWO2022163859A1 (ja) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | ||
| US12590903B2 (en) | 2021-02-01 | 2026-03-31 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Inspection device and inspection method with infrared light for scratch detection on inspection target |
| CN118464911A (zh) * | 2024-07-09 | 2024-08-09 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 料带孔洞检测系统和方法 |
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