JPH09274988A

JPH09274988A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JPH09274988A
Application number: JP8083614A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Ikeda; 等池田; Hiroo Miyamoto; 裕生宮本; Minoru Saito; 稔斎藤; Shinko Kamikawa; 真弘上川
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1996-04-05
Filing date: 1996-04-05
Publication date: 1997-10-21

Abstract

(57)【要約】【課題】陰電極層１７側での電極配線の信頼性を改善
して、実用的な有機ＥＬ素子を提供すること。【解決手段】基板11、基板11の一部分上に設けられた
陽電極層13、陽電極層上から基板上に至るように設けら
れた有機ＥＬ層15と、有機ＥＬ層の少なくとも発光領域
15x とされる部分上に設けられた陰電極層17とを具え
る。さらに、引き出し電極層21であって、有機ＥＬ層の
発光領域とされる部分には接しない状態で陰電極層に一
部が接続され、有機ＥＬ層の発光領域とされる部分を除
いた部分上を経由して基板上に至るように設けられ、し
かも、陰電極層の材料に比べ化学的に安定でかつ有機Ｅ
Ｌ層および基板に対する密着性が良い材料で構成された
引き出し電極層21を具える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はエレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）現象を利用した有機ＥＬ素子に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の典型的な有機ＥＬ素子は、図５
（Ａ）、（Ｂ）に要部の斜視図および断面図をもって示
したように、発光光に対し透明性を有した基板１１上
に、透明性を有した陽電極層１３、単数あるいは複数の
有機ＥＬ層１５および陰電極層１７をこの順に具えた構
造となっている。なお、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の素子
をａ−ｂ線に添って切った断面図である。また、図５で
は有機ＥＬ層１５が有機正孔輸送層１５ａおよび有機電
子輸送性発光層１５ｂ（詳細は後述する）で構成される
例を示してある。ここで、有機ＥＬ層１５は、陽電極層
１３上から基板１１上に至るように設けられ、また、陰
電極層１７は、有機ＥＬ層１５の発光領域１５ｘとされ
る部分上から、該有機ＥＬ層１５の基板１１上に設けた
部分上を経由して、基板１１上に至るように設けられて
いる。有機ＥＬ層１５を基板１１上にまで至るように設
けたのは、特別に絶縁膜を設けずとも、陰電極層１７を
陽電極１３に短絡させることなく外部に引き出せるから
である。また陰電極層１７を基板１１上にまで至るよう
に設けたのは、陰電極層１７の基板１１上に設けた部分
１７ａにおいて外部信号源１９と陰電極層１７とを接続
するためである。これは、有機ＥＬ層１５と陰電極層１
７との密着性があまり高くないこと、および、有機ＥＬ
層１５の膜厚は約１００ｎｍでかつ陰電極層１７の膜厚
も数百ｎｍ程度と非常に薄いことから、陰電極層１７の
有機ＥＬ層上に当たる部分１７ｂで外部信号源１９との
接続を行なうと、陽電極層１３および陰電極層１７が短
絡したり、陰電極層１７が剥離する危険が高いので、そ
れを防止するためであった。また、陰電極層１７は、有
機ＥＬ層１５に効率良く電子を注入する観点から、仕事
関数が低い（おおむね４．０ｅＶ以下）例えばＭｇなど
の金属、或は、当該金属に他の金属を少量混ぜ構成した
合金で構成されることが多い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この出
願に係る発明者の詳細な研究によれば、上述の従来の有
機ＥＬ素子の陰電極層１７における、有機ＥＬ層１６の
表面と基板１１の表面との境界近傍の基板部分１１ａ上
に位置する部分１７ｘの、基板との密着性は、一般に悪
いとされている有機ＥＬ層１５と陰電極層１７との密着
性よりもさらに悪いことが分かった。具体的には、この
従来の有機ＥＬ素子を保護膜（後述する）などは設けな
い状態で大気中に数週間放置した場合上記の陰電極層部
分１７ｘが基板１１から剥離することが観察された（後
述の比較例参照）。また、この従来の有機ＥＬ素子を大
気雰囲気から遮断する意味で例えば不活性ガス雰囲気中
に封止した状態としても、この素子では千時間程度の駆
動で上記の陰電極層部分１７ｘが基板からやはり剥離す
ることが分かった。このような剥離現象は、有機ＥＬ素
子の信頼性を欠く現象であるから、解決が望まれる。

【０００４】また、低仕事関数の金属で構成された陰電
極層１７は大気中の酸素や水分により容易に酸化されて
発光領域に非発光部が生じるなど、電極としての機能を
果たさなくなり易い。比較的安定なＭｇでも、有機ＥＬ
素子を実用的な長期間で使用する場合は上記の電極劣化
は顕著になる。これを回避するためには少なくとも陰電
極層１７を大気からしかも陰電極層１７形成後なるべく
速く遮断する必要がある。すなわち少なくとも陰電極層
１７を封止する必要がある。しかし、従来の素子構造で
は、最も封止する必要がある陰電極層１７の少なくとも
一部は外部信号源１９との接続のためかなりの後まで露
出させる必要があるため、封止を有効に行なうことがで
きないという問題点もあった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そこで、この発明の有機
ＥＬ素子によれば、基板と、該基板の一部分上に設けら
れた陽電極層と、該陽電極層上から前記基板上に至るよ
うに設けられ単数あるいは複数層で構成された有機ＥＬ
層と、該有機ＥＬ層の少なくとも発光領域とされる部分
上に設けられた陰電極層とを具える有機ＥＬ素子におい
て、前記有機ＥＬ層の発光領域とされる部分には接しな
い状態で前記陰電極層に一部が接続され、前記有機ＥＬ
層の発光領域とされる部分を除いた部分上を経由して前
記基板上に至るように設けられ、しかも、前記陰電極層
の材料に比べ化学的に安定でかつ前記有機ＥＬ層および
基板に対する密着性が良い材料で構成された引き出し電
極層を具えたことを特徴とする。

【０００６】この発明によれば、引き出し電極層によ
り、有機ＥＬ層上から基板上に至る電極部分を構成出来
る。この引き出し電極層を構成する材料は、陰電極層に
要求される性質（低仕事関数のもの等）にこだわること
なく選択できる。具体的には、陰電極層の構成材料より
化学的に安定でかつ基板や有機ＥＬ層に対する密着性が
良い材料で構成できる。そのため、有機ＥＬ層表面と基
板の表面との境界近傍の基板部分（図５（Ｂ）の例でい
えば１１ａの部分）上に位置する電極部分での剥離の問
題は解決される。ここで、有機ＥＬ層の発光領域とされ
る部分に引き出し電極層が接しない状態にすると述べた
のは、発光領域に引き出し電極層が接すると発光領域に
は陰電極層とは仕事関数の異なる電極が接する部分が生
じることになり発光ムラ等が生じる危険があるので、そ
れを回避するためである。また、発光領域とは、有機Ｅ
Ｌ層の、陽電極層と陰電極層とによって挟まれる部分で
ある。

【０００７】なお、この発明の実施に当たり、前記引き
出し電極層を、前記有機ＥＬ層の前記発光領域以外の部
分上から前記基板上に至るように設け、前記陰電極層を
前記有機ＥＬ層の前記発光領域上から該引き出し電極層
上に至るように設けるのが好適である（例えば図１に示
したような構造とするのが好適である。）。この構造で
あると、例えば引き出し電極層形成後に試料を大気に放
置したりしてもその悪影響が少ないこと、また、引き出
し電極層上に陰電極層を形成した後に速やかに陰電極層
を封止層で覆う手順をとることが可能になるので、結果
的に信頼性に優れる有機ＥＬ素子が得られるからであ
る。つまり、陰電極層を先に形成した場合は、この上に
引き出し電極層を形成し終えるまで陰電極層を封止層で
覆えないとか、陰電極層を例えば蒸着法で形成した場合
は、真空破壊をすることなく引き出し電極層をこの上に
形成する必要が生じる等、種々の不都合が生じるのに対
し、この好適例ではそれが生じないのである。

【０００８】ここでこの発明において基板とは、有機Ｅ
Ｌ素子の設計に応じた任意好適なものとできる。典型的
には基板側に光を取り出すことが多いので、その場合の
基板は発光光に対し透明性を有したガラス基板またはフ
ィルムなどで構成できる。

【０００９】また、陽電極層も有機ＥＬ素子の設計に応
じた任意好適なものとできる。典型的には基板側に光を
取り出すことが多いので、その場合の陽電極層は透明導
電膜例えばＩＴＯで構成出来る。

【００１０】また、有機ＥＬ層の層構成は特に限定され
ない。有機発光層のみ、または有機正孔輸送層と有機電
子輸送性発光層との２層構造（後述の実施例で説明して
いる構造）、または有機正孔輸送性発光層と有機電子輸
送層との２層構造、または有機正孔輸送層と有機発光層
と有機電子輸送層とをこの順に積層させた３層構造等、
任意の層構成とできる。また有機ＥＬ層の構成材料も特
に限定されない。種々の好適な有機化合物およびそれら
の組み合わせが可能である。例えば、文献Ｉ（「有機Ｅ
Ｌ素子開発戦略」（サイエンスフォーラム１９９２年出
版））に開示されている化合物や積層の組み合わせはこ
の発明の適用例の一例とできる。また、有機ＥＬ層の成
膜方法は、実施例に示す真空蒸着法以外に、ウエットな
方法としては、ディップコ−ト法、スピンコート法、ラ
ングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法やミセル電解法な
どを、また、ドライな方法としては、有機分子線蒸着
（ＯＭＢＤ）法やプラズマ重合法などを用いることも可
能である。

【００１１】また、陰電極層の構成材料としては、例え
ばマグネシウム（Ｍｇ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウ
ム（Ｇａ）、カドミウム（Ｃｄ）が仕事関数が低い
（４．０ｅＶ以下）ので好適である。また、これら例示
金属に、これらの有機ＥＬ層に対する密着性を高めかつ
それを安定化させるために他の金属を微量混ぜて構成し
た合金を陰電極層の構成材料としても良い。例えば、Ｍ
ｇにＡｇ（銀）を微量混ぜ構成されるＭｇを主成分とす
る合金を用いても良い。また、別の系として、ＡｌＬｉ
（アルミニウムリチウム）系合金を用いても良い。

【００１２】また、引き出し電極層の構成材料として
は、陰電極層を構成する材料に比べ、有機ＥＬ薄膜およ
び基板への密着性が良くかつ化学的に安定なものから選
ぶこととが出来る。より好ましくは電気抵抗が低く簡易
に成膜できるものが好ましい。このような材料として
は、後の実施の形態で述べるＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、
Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリ
ブデン）、さらには、Ｔｉ（チタン）、Ｐｔ（白金）、
Ｃｒ（クロム）等を挙げることが出来る。なお、Ａｕの
ようにその層のみでは基板との密着性が悪いと考えられ
る材料を用いる場合は、Ｃｒ層やＴｉ層からなる薄い下
層を先ず設け、該下層上にＡｕ層を設けても良い。

【００１３】また、この発明の実施に当たり、少なくと
も有機ＥＬ層および陰電極層を大気から遮蔽するのが良
い。その具体的な方法としては、有機ＥＬ層および陰電
極層、若しくは素子全体を、固体例えば絶縁膜（蒸着絶
縁膜や樹脂例えば紫外線硬化型の樹脂）などで被覆する
構造、有機ＥＬ層および陰電極層、若しくは素子全体
を、有機ＥＬ素子の各構成成分を溶解しない液体により
覆う構造、有機ＥＬ層および陰電極層、若しくは素子全
体を、好適な気体例えば不活性ガスにより封止する構造
や真空雰囲気状態で封止する構造などが挙げられる。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の有機ＥＬ素
子のいくつかの実施例を比較例と併せて説明する。ただ
し説明に用いる各図は発明が理解出来る程度に各構成成
分の寸法、形状および配置関係を概略的に示してある。
また、各図において同様の構成成分については同一の番
号を付して示し、その重複する説明を省略する。また、
各図において従来と同様な構成成分については図５で用
いた番号と同一の番号を付して示してある。また、以下
の説明の中で用いる「電子輸送層」とは、仕事関数が小
さな電子注入電極を用いた場合に、多量の電子が注入可
能でしかも注入された電子が膜中を移動できる一方、正
孔は注入が困難であるか、注入は可能でも膜中を移動し
にくいような性質を持った薄膜層である。さらに、「正
孔輸送層」とは、仕事関数が大きな正孔注入電極を用い
た場合に、多量の正孔の注入が可能で、しかも注入され
た正孔が膜中を移動できる一方、電子の注入は困難であ
るか、注入可能でも膜中を移動しにくいような性質を持
った薄膜層である。

【００１５】１．実施例１図１は、実施例１の有機ＥＬ素子２０の構成を示した断
面図であって、図５（Ｂ）と同様な表記方法により示し
た断面図である。なお、この実施例１の有機ＥＬ素子２
０は、引き出し電極層２１を設けた点および、陰電極層
１７の配置が従来と多少異なる点を除いては、基本的な
構造は図５（Ａ）に示した有機ＥＬ素子と同じとしてあ
る。よって、実施例１の有機ＥＬ素子の全体構造は図５
（Ａ）を参照することで類推出来ると考え、斜視図は省
略している。

【００１６】この実施例１の有機ＥＬ素子２０は、基板
１１と、この基板１１の一部分上に設けられた陽電極層
１３と、この陽電極層１３上から基板１１上に至るよう
に設けられた有機ＥＬ層１５と、この有機ＥＬ層１５の
発光領域１５ｘ以外の部分上から基板１１上に至るよう
に設けられた引き出し電極層２１と、有機ＥＬ層１５の
少なくとも発光領域１５ｘを覆いかつそこから引き出し
電極層２１上に至るように設けられた陰電極層１７とを
具えている。したがって、この実施例１の有機ＥＬ素子
２０は、引き出し電極２１と陰電極層１７とが、有機Ｅ
Ｌ層１５の発光領域１５ｘから離れた部分上においてし
かも引き出し電極層２１の一部が陰電極層１７に対し下
層となった状態で接続された構造を有した素子となって
いる。

【００１７】ここで、基板１１は石英ガラス基板で構成
してある。また陽電極層１３は膜厚が１８０ｎｍでシー
ト抵抗が１０Ω／□以下でかつ幅（図１の横方向の寸法
Ｗ）が２ｍｍのＩＴＯ膜で構成してある。また有機ＥＬ
層１５は、図１中では区分けしていないが、正孔輸送層
と電子輸送性発光層とをこの順に積層した構成としてあ
る。そして正孔輸送層を、膜厚が５０ｎｍのトリフェニ
ルアミン誘導体（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−
４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤともいう。）の層で
構成し、電子輸送性発光層を、膜厚が５０ｎｍのアルミ
キノリノール錯体（トリス（８−ヒドロキシキノリノー
ル）アルミニウム（以下、Ａｌｑ₃ ともいう。）の層で
構成してある。また、引き出し電極層２１は、膜厚が２
００ｎｍで幅（図１の紙面に垂直な方向の寸法）が２．
５ｍｍのアルミニウム膜で構成してある。また、陰電極
層１７は膜厚が２００ｎｍで幅（図１の紙面に垂直な方
向の寸法）が２ｍｍのマグネシウム膜で構成してある。
ただし、陽電極層１３および陰電極層２１は互いのスト
ライプ方向が直交するような配置関係で設けてある。し
たがって、発光領域１５ｘの面積は２×２ｍｍ² となっ
ている。

【００１８】この実施例１の有機ＥＬ素子２０は次のよ
うな手順で形成した。なお以下の説明で用いる使用材料
および成膜方法、成膜条件、膜厚等の数値的条件は一例
にすぎない。

【００１９】石英ガラス基板１１を洗浄した後、この石
英ガラス基板１１上にスパッタリング法によりＩＴＯ膜
を膜厚が１８０ｎｍでかつシート抵抗が１０Ω／□以下
となる条件で形成した。次に、このＩＴＯ膜をフォトリ
ソグラフィ技術及びエッチング技術により加工し、２ｍ
ｍ幅の陽電極層１３を形成した。

【００２０】次に、この基板をアセトン、２−プロパノ
ールを順次に用いてそれぞれ１０分ずつ超音波洗浄した
後、乾燥し、次いで、有機ＥＬ層形成用の真空蒸着装置
内に設置し以下のように有機ＥＬ層１５を形成した。

【００２１】まず、正孔輸送層を形成するために、陽電
極層１３の形成が済んだ基板１１上に、真空蒸着法によ
り蒸着マスクを介しＴＰＤを厚さ５０ｎｍ程度になるよ
う蒸着した。なお、このときの蒸着速度は１．０ｎｍ／
ｓとした。引き続き、電子輸送性発光層を形成するため
に、同じ蒸着装置で、かつ同じ蒸着マスクを介し上記正
孔輸送層上にＡｌｑ₃ を厚さ５０ｎｍ程度になるように
真空蒸着した。このときの蒸着速度は１．０ｎｍ／ｓと
した。

【００２２】次にこの試料を別の真空蒸着装置（金属電
極用として用意した真空蒸着装置）に移し、この有機Ｅ
Ｌ層１５上に蒸着法により蒸着マスクを介しＡｌ膜を２
００ｎｍの膜厚で形成して引き出し電極層２１を形成し
た。なおこの時の蒸着速度は１．０ｎｍ／ｓとした。次
に、蒸着マスクを陰電極層用のものに交換した。このマ
スク交換は、蒸着装置の成膜室の真空破壊をすることな
く行った（そうでない例は後の実施例７に示す。）。次
に、この試料上に蒸着法により蒸着マスクを介してマグ
ネシウム膜を蒸着した。この蒸着においては、先ず、蒸
着速度を１．０ｎｍ／ｓとした条件で膜厚２０ｎｍのマ
グネシウム膜を形成後、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓとし
た条件で膜厚１８０ｎｍのマグネシウム膜を形成して、
合計２００ｎｍの膜厚のマグネシウム膜を形成した。こ
のように２段構成の成膜条件であると、下地（ここで
は、有機ＥＬ層１５）に対し比較的密着性の良いマグネ
シウム膜が形成できる。

【００２３】次に、この実施例１の有機ＥＬ素子２０を
以下のように動作させた。陽電極層１３および陰電極層
２１間に印加する電圧を徐々に変える。この印加電圧が
４Ｖにおいてこの有機ＥＬ素子２０は発光し始め、印加
電圧が１４Ｖの時に１６，２００ｃｄ／ｃｍ² の輝度を
示した。なお、このような発光特性は後述する比較例の
有機ＥＬ素子においても同様に得られた。

【００２４】また、この実施例１の有機ＥＬ素子を大気
中で１ケ月保管した後、引き出し電極層２１における、
有機ＥＬ層表面と基板の表面との境界近傍の基板部分
（図１の例でいえば１１ａの部分）上に位置する部分２
１ｘ（以下、境界近傍部分２１ｘともいう。）を、顕微
鏡により観察した。その結果、剥離は観察されなかっ
た。剥離が生じなかった理由は、専用の引き出し電極層
２１を設けたため、および、それをマグネシウムに比べ
化学的に安定でかつ基板１１や有機ＥＬ層１３に対する
密着性の良い材料（ここではアルミニウム）で構成した
ためと考える。

【００２５】２．実施例２〜５引き出し電極層２１の構成材料をアルミニウムでなく、
Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏとそれぞれしたこと以外は実施
例１と同様にして実施例２〜実施例５の有機ＥＬ素子を
それぞれ構成した。ただし、それぞれの実施例の素子を
形成する際の引き出し電極層を形成するための蒸着時の
蒸着速度は、Ａｇについては０．５ｎｍ／ｓ、Ａｕにつ
いては０．３ｎｍ／ｓ、Ｎｉについては０．９ｎｍ／
ｓ、Ｍｏについては０．９ｎｍ／ｓとそれぞれした。

【００２６】これら実施例２〜５の各素子も、実施例１
の素子と同様な発光特性を示し、また、大気中の１ケ月
の保管後においても境界近傍部分２１ｘでの剥離は観察
されなかった。

【００２７】３．比較例１有機ＥＬ層１５の形成工程までは実施例１と同様とし、
次に、引き出し電極層は形成することなく、マグネシウ
ムからなる陰電極層１７を有機ＥＬ層１５における発光
領域１５ａ上から、該有機ＥＬ層１５の基板１１上に設
けた部分上を経由して、基板１１上に至るように形成し
た。すなわち、図５を用いて説明した従来構造の有機Ｅ
Ｌ素子（比較例のＥＬ素子）を構成した。なお、この場
合の陰電極層１７の成膜条件は実施例１と同様とし、ま
た、陰電極層１７の幅や膜厚も実施例１と同様としてい
る。したがって、この場合も発光領域の面積は実施例と
同様２×２ｍｍ² となっている。

【００２８】この比較例１の素子の場合も発光特性につ
いては実施例１と同様な特性が得られることが分かっ
た。しかし、比較例１の素子の場合、大気中の１ケ月の
保管試験後、陰電極層１７の問題視している個所（図５
（Ｂ）に１７ｘで示した部分）での剥離が観察された。
その剥離の様子を光学顕微鏡により観察した写真を模写
した図を図２に示した。この図２はちょうど図５（Ａ）
中のＰ部分を基板裏面側から観察した顕微鏡写真の模写
図である。図２において、Ｉで示す領域は基板１１と陰
電極層１７とが積層している領域、IIで示す領域は基板
１１と有機ＥＬ層１５と陰電極層１７とが積層している
領域、III 示す領域は基板１１のみの領域、IVで示す領
域は基板１１と有機ＥＬ層１５とが積層している領域、
Ｃで示した線は有機ＥＬ層１５と基板１１との境界線を
それぞれ示す。境界線近傍の基板部分上の陰電極層では
該層が剥離して基板１１から浮いた状態の部分１７ｚが
生じているのが分かる。

【００２９】４．実施例６次に、図３に示すように、実施例１の構成に加え、有機
ＥＬ層１５および陰電極層１７の全てを覆い、引き出し
電極層２１の一部（引き出し電極層２１の基板１１上に
ある部分）は露出するような封止層３１を具えた有機Ｅ
Ｌ素子３３（実施例６の有機ＥＬ素子）を構成する。こ
の場合の封止層３１はエポキシ系の紫外線硬化型樹脂を
硬化させたもので構成してある。

【００３０】この実施例６の有機ＥＬ素子３３を、発光
領域１５ａの電流密度が１ｍＡ／ｃｍ² となるような定
電流駆動条件で３０００時間発光させた。この駆動が終
了した後、引き出し電極層２１における、有機ＥＬ層表
面と基板の表面との境界近傍の基板部分上に位置する部
分２１ｘでの剥離の有無を観察したが、剥離は観察され
なかった。

【００３１】この発明によれば、長時間の駆動に耐え得
る実用的なかつ信頼性の高い有機ＥＬ素子が実現できる
ことが分かる。

【００３２】５．実施例７実施例１〜実施例６ではそれぞれの素子を製造する際、
引き出し電極層の形成と陰電極層の形成とを真空蒸着装
置の成膜室の真空破壊をすることなく行った。これに対
しこの実施例７では、引き出し電極層の形成を終えた後
に、蒸着装置の成膜室を一度大気に開放し、そして蒸着
マスクを陰電極層形成用のものに交換し、そして、再び
成膜室を所定真空度に引いた後、陰電極層を形成して有
機ＥＬ素子を形成してみた。なお、それ以外の条件は上
述の実施例１の条件と同じとしている。

【００３３】この実施例７の有機ＥＬ素子では、陽電極
層および陰電極層間の印加電圧を７Ｖとした時から発光
を開始、そして印加電圧が１６Ｖにおいて、実施例１の
印加電圧１４Ｖ時と同程度の輝度が得られることが分か
った。すなわち、実施例７の素子の場合、実施例１と同
じ発光特性を得るには、実施例１に比べ高い印加電圧が
必要なことが分かった。

【００３４】しかし、大気中の１ケ月の保管試験後で
は、問題視している個所（図１中の境界近傍部分２１
ｘ）での剥離は観察されず、実施例１と同様な特性を示
すことが分かった。

【００３５】なお、この実施例７の素子が実施例１の素
子に比べ発光開始電圧が高くなったり、実施例１の素子
と同じ輝度を得るための印加電圧が実施例１より高くな
ったのは、引き出し電極層であるＡｌ層の形成後に成膜
室を大気開放したためＡｌ層表面に酸化膜が形成され、
これが原因で陰電極層とのコンタクトが実施例１に比べ
不十分になったためと考えられる。この問題を軽減若し
くは実質無視できるようにするには、大気放置しても上
記問題が生じにくい材料例えばＡｇやＡｕやＰｔなどに
より引き出し電極層を構成するのが良い。

【００３６】６．実施例８〜１３引き出し電極層２１と陰電極層１７との接続部分におけ
るこれら層の上下関係を上記の各実施例とは逆としたこ
と以外は、実施例１と同様にして実施例８の素子を構成
し、実施例２と同様にして実施例９の素子を構成し、実
施例３と同様にして実施例１０の素子を構成し、実施例
４と同様にして実施例１１の素子を構成し、実施例５と
同様にして実施例１２の素子を構成し、実施例６同様に
して実施例１３の素子を構成する。この積層順序の相違
点について、図４を参照して説明する。この図４は図１
に対応する図である。

【００３７】実施例８〜１３の有機ＥＬ素子は、基板１
１と、この基板１１の一部分上に設けられた陽電極層１
３と、この陽電極層１３上から基板１１上に至るように
設けられた有機ＥＬ層１５とを実施例１と同様に具え
る。また、陰電極層１７は、有機ＥＬ層１５の少なくと
も発光領域１５ａを覆いかつそこから発光領域１５ａ以
外の有機ＥＬ層上に至るように設けてある。引き出し電
極層２１は、陰電極層１７の一部分上（図４の例では発
光領域１５ａ上ではない陰電極層部分上）から、この有
機ＥＬ層１５の発光領域１５ａ以外の部分上を経由して
基板１１上に至るように設けてある。したがって、この
実施例８〜１３の有機ＥＬ素子は、引き出し電極２１と
陰電極層１７とが、有機ＥＬ層１５の発光領域１５ａか
ら離れた部分上においてしかも引き出し電極層２１の一
部が陰電極層１７に対し上層となった状態で接続された
構造を有した素子となっている。

【００３８】実施例８〜１２の各有機ＥＬ素子いずれ
も、実施例１の素子と同様な発光特性を示し、また、大
気中での１ケ月放置した後においても、境界近傍部分２
１ｘでの剥離も生じないものであることが分かった。ま
た、実施例１３の有機ＥＬ素子は実施例６の素子と同様
に長期間の発光が可能なものであり、かつ、そのように
駆動した後での境界近傍部分２１ｘでの剥離は生じない
ものであることが分かった。

【００３９】

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明によれば、基板と、該基板の一部分上に設けられた
陽電極層と、該陽電極層上から前記基板上に至るように
設けられ単数あるいは複数層で構成された有機ＥＬ層
と、該有機ＥＬ層の少なくとも発光領域とされる部分上
に設けられた陰電極層とを具える有機ＥＬ素子におい
て、前記陰電極層に所定関係で接続されかつ所定状態で
基板上にまで至っていてかつ所定材料で構成された引き
出し電極層をさらに具えている。このため、有機ＥＬ層
の表面と基板の表面との境界近傍の基板部分上で電極層
が剥離し易いという問題がなくなる。また、陰電極側と
外部信号源との接続は、引き出し電極層の基板上に至っ
ている部分において行なえるから、陰電極層は例えばそ
の形成後の早い時期に封止できる。これらのことから、
この発明によれば、従来に比べ信頼性に優れた実用的な
有機ＥＬ素子を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の有機ＥＬ素子の要部説明に供する断
面図である。

【図２】比較例の説明図であり、陰電極層における剥離
が生じた部分の顕微鏡観察写真を模写した図である。

【図３】実施例６の有機ＥＬ素子の要部説明に供する断
面図である。

【図４】実施例８〜１３の有機ＥＬ素子の要部説明に供
する断面図である。

【図５】（Ａ）および（Ｂ）は従来技術および課題の説
明図である。

【符号の説明】

１１：基板１３：陽電極層１５：有機ＥＬ層１５ｘ：発光領域１７：陰電極層１９：外部信号源２０：実施例１の有機ＥＬ素子２１：引き出し電極層２１ｘ：境界近傍部分（引き出し電極層の、基板とＥＬ
層との境界近傍にある部分）３１：封止層３３：実施例６の有機ＥＬ素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上川真弘東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板の一部分上に設けられた
陽電極層と、該陽電極層上から前記基板上に至るように
設けられ単数あるいは複数層で構成された有機ＥＬ層
と、該有機ＥＬ層の少なくとも発光領域とされる部分上
に設けられた陰電極層と、を具える有機ＥＬ素子におい
て、前記有機ＥＬ層の発光領域とされる部分には接しない状
態で前記陰電極層に一部が接続され、前記有機ＥＬ層の
発光領域とされる部分を除いた部分上を経由して前記基
板上に至るように設けられ、しかも、前記陰電極層の材
料に比べ化学的に安定でかつ前記有機ＥＬ層および基板
に対する密着性が良い材料で構成された引き出し電極層
を具えたことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】請求項１に記載の有機ＥＬ素子におい
て、前記引き出し電極層を、前記有機ＥＬ層の前記発光領域
以外の部分上から前記基板上に至るように設けてあり、前記陰電極層を、前記有機ＥＬ層の前記発光領域上から
該引き出し電極層上に至るように設けてあることを特徴
とする有機ＥＬ素子。
【請求項３】請求項１に記載の有機ＥＬ素子におい
て、前記陰電極層をＭｇ（マグネシウム）またはＭｇを主成
分とする合金で構成してあることを特徴とする有機ＥＬ
素子。
【請求項４】請求項３に記載の有機ＥＬ素子におい
て、前記引き出し電極層をＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ
（銀）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）またはＭｏ（モ
リブデン）で構成してあることを特徴とする有機ＥＬ素
子。