JPH09275237A - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
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- JPH09275237A JPH09275237A JP8082755A JP8275596A JPH09275237A JP H09275237 A JPH09275237 A JP H09275237A JP 8082755 A JP8082755 A JP 8082755A JP 8275596 A JP8275596 A JP 8275596A JP H09275237 A JPH09275237 A JP H09275237A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 活性層に平行方向に出射するレーザー光の広
がり角を補正する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層２、ＧａＡｌＡｓ活性層３、ｐ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層４を順に積層し、さらにｐ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層４の上にストライプ状の開口部１２を有
するｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５を積層し、ｎ型Ｇａ
ＡｌＡｓブロック層５の開口部１２の上にｐ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層７を積層し、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック
層５の上の開口部１２以外の領域に電極９を形成し、電
極９に電圧を印加してｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４の
屈折率を変化させる。
がり角を補正する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層２、ＧａＡｌＡｓ活性層３、ｐ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層４を順に積層し、さらにｐ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層４の上にストライプ状の開口部１２を有
するｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５を積層し、ｎ型Ｇａ
ＡｌＡｓブロック層５の開口部１２の上にｐ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層７を積層し、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック
層５の上の開口部１２以外の領域に電極９を形成し、電
極９に電圧を印加してｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４の
屈折率を変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理装置や
光通信装置に用いられる半導体レーザー装置に関するも
のである。
光通信装置に用いられる半導体レーザー装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザー装置は、光ディスクの読
み書き光源や、光ファイバー通信の光源に必要不可欠の
ものである。これらの用途に半導体レーザー装置を用い
る場合、開口数の大きいレンズを用いてレーザー光を微
小スポットに絞ることがなされる。半導体レーザー装置
の中でレーザー光が閉じ込められている領域は１μｍ程
度（具体的には、例えば０．５μｍ×１．５μｍ程度の
楕円形）と非常に小さな領域であるので、半導体レーザ
ー装置から出射するレーザー光の広がり角は数十度と大
きなものになる。この大きな広がりのレーザー光を開口
数の大きいレンズで絞る場合、レーザー光の広がり角で
レンズに結合する光の割合（結合効率）が大きく変わ
る。また、一般に半導体レーザー装置から出射するレー
ザー光の広がり角は活性層に平行な方向と垂直な方向で
大きく異なるので、広がり角の精密な制御が必要にな
る。
み書き光源や、光ファイバー通信の光源に必要不可欠の
ものである。これらの用途に半導体レーザー装置を用い
る場合、開口数の大きいレンズを用いてレーザー光を微
小スポットに絞ることがなされる。半導体レーザー装置
の中でレーザー光が閉じ込められている領域は１μｍ程
度（具体的には、例えば０．５μｍ×１．５μｍ程度の
楕円形）と非常に小さな領域であるので、半導体レーザ
ー装置から出射するレーザー光の広がり角は数十度と大
きなものになる。この大きな広がりのレーザー光を開口
数の大きいレンズで絞る場合、レーザー光の広がり角で
レンズに結合する光の割合（結合効率）が大きく変わ
る。また、一般に半導体レーザー装置から出射するレー
ザー光の広がり角は活性層に平行な方向と垂直な方向で
大きく異なるので、広がり角の精密な制御が必要にな
る。
【０００３】図３に従来の半導体レーザー装置の斜視図
を示す（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｑｕａｎｔｕ
ｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．
６，ｐ１８８９，１９９３）。図３において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、３は
ＧａＡｌＡｓ活性層、４はｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層、５はｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層、７はｐ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層、８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１
０，１１は電極、１２はｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
に設けたストライプ状の開口部である。
を示す（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｑｕａｎｔｕ
ｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．
６，ｐ１８８９，１９９３）。図３において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、３は
ＧａＡｌＡｓ活性層、４はｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層、５はｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層、７はｐ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層、８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１
０，１１は電極、１２はｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
に設けたストライプ状の開口部である。
【０００４】この半導体レーザー装置は、ＧａＡｌＡｓ
活性層３に平行および垂直方向の広がり角は、レーザー
光を閉じ込めている屈折率の分布形状で決まり、ＧａＡ
ｌＡｓ活性層３およびｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２，
ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４，ｐ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層７およびｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の膜厚と
組成およびｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の開口部１２
の幅によって決まる。したがって、広がり角の精密な制
御のためには、これらの精密な制御が必要となる。
活性層３に平行および垂直方向の広がり角は、レーザー
光を閉じ込めている屈折率の分布形状で決まり、ＧａＡ
ｌＡｓ活性層３およびｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２，
ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４，ｐ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層７およびｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の膜厚と
組成およびｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の開口部１２
の幅によって決まる。したがって、広がり角の精密な制
御のためには、これらの精密な制御が必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザー装置の
広がり角は、上に述べたように膜厚と組成によって決ま
るのであるが、製造上十分精密に制御することは難し
く、ばらつきが大きい。特に、ＧａＡｌＡｓ活性層３に
平行方向の広がり角のばらつきが大きく、現在の製造技
術では、一つのウエハ内で±１度、複数のウエハ間では
±２度程度のばらつきが出てしまう。この原因は膜厚お
よび組成の均一性と再現性が完全でないことと、エッチ
ングによるｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の開口部１２
の幅のばらつきが生じてしまうからである。これらのば
らつきのため、レンズと結合する時の仕様を満たさない
ものができて使えないものができてしまう。そこで、Ｇ
ａＡｌＡｓ活性層３に平行な方向の広がり角を補正する
ことができれば、製造上で大きな広がり角のばらつきが
出ても、レンズと結合する時の仕様を満たすことができ
ると考えられる。
広がり角は、上に述べたように膜厚と組成によって決ま
るのであるが、製造上十分精密に制御することは難し
く、ばらつきが大きい。特に、ＧａＡｌＡｓ活性層３に
平行方向の広がり角のばらつきが大きく、現在の製造技
術では、一つのウエハ内で±１度、複数のウエハ間では
±２度程度のばらつきが出てしまう。この原因は膜厚お
よび組成の均一性と再現性が完全でないことと、エッチ
ングによるｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の開口部１２
の幅のばらつきが生じてしまうからである。これらのば
らつきのため、レンズと結合する時の仕様を満たさない
ものができて使えないものができてしまう。そこで、Ｇ
ａＡｌＡｓ活性層３に平行な方向の広がり角を補正する
ことができれば、製造上で大きな広がり角のばらつきが
出ても、レンズと結合する時の仕様を満たすことができ
ると考えられる。
【０００６】したがって、この発明の目的は、活性層に
平行方向に出射するレーザー光の広がり角を補正するこ
とができる半導体レーザー装置を提供することである。
平行方向に出射するレーザー光の広がり角を補正するこ
とができる半導体レーザー装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体レーザ
ー装置は、一導電型の半導体基板の上に第１，第２およ
び第３の半導体層を順に積層し、さらに第３の半導体層
の上にストライプ状の開口部を有する第４の半導体層を
積層し、第４の半導体層の開口部の上に第５の半導体層
を積層し、第４の半導体層の上の開口部以外の領域に電
極を形成している。
ー装置は、一導電型の半導体基板の上に第１，第２およ
び第３の半導体層を順に積層し、さらに第３の半導体層
の上にストライプ状の開口部を有する第４の半導体層を
積層し、第４の半導体層の開口部の上に第５の半導体層
を積層し、第４の半導体層の上の開口部以外の領域に電
極を形成している。
【０００８】この場合、第１の半導体層は半導体基板と
同一導電型で半導体基板より禁制帯幅が大きい。第２の
半導体層は第１の半導体層より禁制帯幅が小さい。第３
の半導体層は第１の半導体層と反対導電型で第２の半導
体層より禁制帯幅が大きい。第４の半導体層は第１の半
導体層と同一導電型で第３の半導体層より禁制帯幅が大
きい。第５の半導体層は第３の半導体層と同一導電型で
禁制帯幅が第４の半導体層より小さく第２の半導体層よ
り大きい。
同一導電型で半導体基板より禁制帯幅が大きい。第２の
半導体層は第１の半導体層より禁制帯幅が小さい。第３
の半導体層は第１の半導体層と反対導電型で第２の半導
体層より禁制帯幅が大きい。第４の半導体層は第１の半
導体層と同一導電型で第３の半導体層より禁制帯幅が大
きい。第５の半導体層は第３の半導体層と同一導電型で
禁制帯幅が第４の半導体層より小さく第２の半導体層よ
り大きい。
【０００９】上記の半導体レーザー装置において、第４
の半導体層の第５の半導体層と接する側に、禁制帯幅が
第４の半導体層より小さい第６の半導体層を積層し、こ
の第６の半導体層の上に配線を形成してもよい。また、
第３の半導体層と第４の半導体層の間に、第３の半導体
層と同一導電型で開口部に臨む第７の半導体層を介在さ
せてもよい。さらに、第２の半導体層が禁制帯幅の異な
る複数の半導体層の多層構造からなっていてもよい。
の半導体層の第５の半導体層と接する側に、禁制帯幅が
第４の半導体層より小さい第６の半導体層を積層し、こ
の第６の半導体層の上に配線を形成してもよい。また、
第３の半導体層と第４の半導体層の間に、第３の半導体
層と同一導電型で開口部に臨む第７の半導体層を介在さ
せてもよい。さらに、第２の半導体層が禁制帯幅の異な
る複数の半導体層の多層構造からなっていてもよい。
【００１０】半導体基板と第１から第７まで各半導体層
は、例えば以下のような組成からなる。第１は、半導体
基板が砒化ガリウムからなり、第１，第２，第３，第
４，第５，第６および第７の半導体層が砒化ガリウムと
砒化アルミニウムの混晶からなる。
は、例えば以下のような組成からなる。第１は、半導体
基板が砒化ガリウムからなり、第１，第２，第３，第
４，第５，第６および第７の半導体層が砒化ガリウムと
砒化アルミニウムの混晶からなる。
【００１１】第２は、半導体基板が砒化ガリウムからな
り、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の
半導体層が燐化ガリウムと燐化アルミニウムと燐化イン
ジウムの混晶からなる。第３は、半導体基板が燐化イン
ジウムからなり、第１，第２，第３，第４，第５，第６
および第７の半導体層が三族元素であるガリウムおよび
インジウムと五族元素である燐および砒素の混晶からな
る。
り、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の
半導体層が燐化ガリウムと燐化アルミニウムと燐化イン
ジウムの混晶からなる。第３は、半導体基板が燐化イン
ジウムからなり、第１，第２，第３，第４，第５，第６
および第７の半導体層が三族元素であるガリウムおよび
インジウムと五族元素である燐および砒素の混晶からな
る。
【００１２】第４は、半導体基板が砒化ガリウムからな
り、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の
半導体層が二族元素であるマグネシウム，亜鉛およびカ
ドミウムと六族元素である硫黄，セレンおよびテルルの
混晶からなる。第５は、半導体基板がセレン化亜鉛から
なり、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７
の半導体層が二族元素であるマグネシウム，亜鉛および
カドミウムと六族元素である硫黄，セレンおよびテルル
の混晶からなる。
り、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の
半導体層が二族元素であるマグネシウム，亜鉛およびカ
ドミウムと六族元素である硫黄，セレンおよびテルルの
混晶からなる。第５は、半導体基板がセレン化亜鉛から
なり、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７
の半導体層が二族元素であるマグネシウム，亜鉛および
カドミウムと六族元素である硫黄，セレンおよびテルル
の混晶からなる。
【００１３】第６は、半導体基板が酸化アルミニウムか
らなり、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第
７の半導体層がガリウム，アルミニウムおよびインジウ
ムの各窒化物の混晶からなる。第７は、半導体基板が炭
化シリコンからなり、第１，第２，第３，第４，第５，
第６および第７の半導体層がガリウム，アルミニウムお
よびインジウムの各窒化物の混晶からなる。
らなり、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第
７の半導体層がガリウム，アルミニウムおよびインジウ
ムの各窒化物の混晶からなる。第７は、半導体基板が炭
化シリコンからなり、第１，第２，第３，第４，第５，
第６および第７の半導体層がガリウム，アルミニウムお
よびインジウムの各窒化物の混晶からなる。
【００１４】第８は、半導体基板が窒化ガリウムからな
り、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の
半導体層がガリウム，アルミニウムおよびインジウムの
各窒化物の混晶からなる。以上に述べた中で、本発明の
半導体レーザー装置は、第４の半導体層の上の開口部上
以外の領域に電極を設けた点を主要部とし、第４の半導
体層の第５の半導体層と接する側に第６の半導体層を積
層し、第６の半導体層の上に配線を形成した点と、第３
の半導体層と第４の半導体層の間に、第３の半導体層と
同一導電型の第７の半導体層を介在させ、この第７の半
導体層を第４の半導体層の開口部に臨ませる点と、第２
の半導体層が禁制帯幅の異なる複数の半導体層の多層構
造からなっている点とを付随的な構成としている。ここ
で、第１，第３および第５の半導体層はクラッド層と呼
ばれ、第２の半導体層は活性層と呼ばれ、第４の半導体
層はブロック層と呼ばれ、第６の半導体層はコンタクト
層と呼ばれている。
り、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の
半導体層がガリウム，アルミニウムおよびインジウムの
各窒化物の混晶からなる。以上に述べた中で、本発明の
半導体レーザー装置は、第４の半導体層の上の開口部上
以外の領域に電極を設けた点を主要部とし、第４の半導
体層の第５の半導体層と接する側に第６の半導体層を積
層し、第６の半導体層の上に配線を形成した点と、第３
の半導体層と第４の半導体層の間に、第３の半導体層と
同一導電型の第７の半導体層を介在させ、この第７の半
導体層を第４の半導体層の開口部に臨ませる点と、第２
の半導体層が禁制帯幅の異なる複数の半導体層の多層構
造からなっている点とを付随的な構成としている。ここ
で、第１，第３および第５の半導体層はクラッド層と呼
ばれ、第２の半導体層は活性層と呼ばれ、第４の半導体
層はブロック層と呼ばれ、第６の半導体層はコンタクト
層と呼ばれている。
【００１５】一般に、半導体レーザー装置においては、
広がり角は屈折率の分布形状で決まっているが、本発明
の半導体レーザー装置構造ではブロック層である第４の
半導体層の上に設けた電極に外部から電圧を加えて、各
第１，第２，第３および第４の半導体層に電界をかける
ことによって、クラッド層である第３の半導体層の屈折
率を変化させることができる。レーザー光は第４の半導
体層の開口部の直下の活性層である第２の半導体層を中
心にして閉じ込められているが、第４の半導体層に設け
た電極に印加する電圧によって第４の半導体層と接する
第３の半導体層の屈折率を変化させると、水平方向の屈
折率分布が変化し水平方向の広がり角を変化させること
ができる。このようにして出射するレーザー光の水平方
向の広がり角を補正制御して望みの値に設定することが
できるので、レンズとの結合を最適の状態にすることが
できる。
広がり角は屈折率の分布形状で決まっているが、本発明
の半導体レーザー装置構造ではブロック層である第４の
半導体層の上に設けた電極に外部から電圧を加えて、各
第１，第２，第３および第４の半導体層に電界をかける
ことによって、クラッド層である第３の半導体層の屈折
率を変化させることができる。レーザー光は第４の半導
体層の開口部の直下の活性層である第２の半導体層を中
心にして閉じ込められているが、第４の半導体層に設け
た電極に印加する電圧によって第４の半導体層と接する
第３の半導体層の屈折率を変化させると、水平方向の屈
折率分布が変化し水平方向の広がり角を変化させること
ができる。このようにして出射するレーザー光の水平方
向の広がり角を補正制御して望みの値に設定することが
できるので、レンズとの結合を最適の状態にすることが
できる。
【００１６】また、第４の半導体層の第５の半導体層と
接する側に第６の半導体層を設けることにより、第５の
半導体層を開口部の上にのみ残すエッチングの際に第６
の半導体層をエッチングストッパとして作用させること
ができ、第４の半導体層のエッチングを防止することが
できる。また、第３の半導体層と第４の半導体層の間
に、第３の半導体層と同一導電型の第７の半導体層を介
在させることにより、第４の半導体層をエッチングして
ストライプ状の開口部を形成する際に、第７の半導体層
をエッチングストッパとして作用させることができ、第
３の半導体層のエッチングを防止できる。
接する側に第６の半導体層を設けることにより、第５の
半導体層を開口部の上にのみ残すエッチングの際に第６
の半導体層をエッチングストッパとして作用させること
ができ、第４の半導体層のエッチングを防止することが
できる。また、第３の半導体層と第４の半導体層の間
に、第３の半導体層と同一導電型の第７の半導体層を介
在させることにより、第４の半導体層をエッチングして
ストライプ状の開口部を形成する際に、第７の半導体層
をエッチングストッパとして作用させることができ、第
３の半導体層のエッチングを防止できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１と図２を用いて説明する。図１に本発明の第１
の実施の形態における半導体レーザー装置の斜視図を示
す。この半導体レーザー装置は、図１に示すように、ｎ
型砒化ガリウム（ＧａＡｓ）からなるｎ型ＧａＡｓ基板
１の上に、ｎ型砒化ガリウムと砒化アルミニウム（Ａｌ
Ａｓ）の混晶（ＧａＡｌＡｓ）からなるｎ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層２と、同じくＧａＡｌＡｓ活性層３と、ｐ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層４とを順に積層している。さ
らに、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４の上にストライプ
状の開口部１２を有するｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
とｎ型ＧａＡｓコンタクト層６とを順に積層している。
て、図１と図２を用いて説明する。図１に本発明の第１
の実施の形態における半導体レーザー装置の斜視図を示
す。この半導体レーザー装置は、図１に示すように、ｎ
型砒化ガリウム（ＧａＡｓ）からなるｎ型ＧａＡｓ基板
１の上に、ｎ型砒化ガリウムと砒化アルミニウム（Ａｌ
Ａｓ）の混晶（ＧａＡｌＡｓ）からなるｎ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層２と、同じくＧａＡｌＡｓ活性層３と、ｐ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層４とを順に積層している。さ
らに、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４の上にストライプ
状の開口部１２を有するｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
とｎ型ＧａＡｓコンタクト層６とを順に積層している。
【００１８】ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５とｎ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層６に設けられたストライプ状の開口部
１２の上およびその近傍には、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層７とｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を順に積層してい
る。そして、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層６の上、ｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層８の上、ならびにｎ型ＧａＡｓ基板
１の裏面に電極９，１０，１１を形成している。
Ａｓコンタクト層６に設けられたストライプ状の開口部
１２の上およびその近傍には、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層７とｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を順に積層してい
る。そして、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層６の上、ｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層８の上、ならびにｎ型ＧａＡｓ基板
１の裏面に電極９，１０，１１を形成している。
【００１９】この場合において、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラ
ッド層２はｎ型ＧａＡｓ基板１より禁制帯幅が大きく、
ＧａＡｌＡｓ活性層３はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２
より禁制帯幅が小さく、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４
はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２と反対導電型でＧａＡ
ｌＡｓ活性層３より禁制帯幅が大きく、ｎ型ＧａＡｌＡ
ｓブロック層５はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２と同一
導電型でｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４より禁制帯幅が
大きく、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７は、ｐ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層４と同一導電型で禁制帯幅がｎ型Ｇａ
ＡｌＡｓブロック層５より小さくＧａＡｌＡｓ活性層３
より大きい。
ッド層２はｎ型ＧａＡｓ基板１より禁制帯幅が大きく、
ＧａＡｌＡｓ活性層３はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２
より禁制帯幅が小さく、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４
はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２と反対導電型でＧａＡ
ｌＡｓ活性層３より禁制帯幅が大きく、ｎ型ＧａＡｌＡ
ｓブロック層５はｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２と同一
導電型でｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４より禁制帯幅が
大きく、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７は、ｐ型ＧａＡ
ｌＡｓクラッド層４と同一導電型で禁制帯幅がｎ型Ｇａ
ＡｌＡｓブロック層５より小さくＧａＡｌＡｓ活性層３
より大きい。
【００２０】また、上記の各層のＧａＡｌＡｓ混晶のＡ
ｌＡｓの割合，膜厚，禁制帯幅および屈折率をまとめて
記すと、以下のようになる。
ｌＡｓの割合，膜厚，禁制帯幅および屈折率をまとめて
記すと、以下のようになる。
【００２１】
【表１】
【００２２】また、ストライプ状の開口部１２の幅はｎ
型ＧａＡｌＡｓブロック層５の下側で２．５μｍ、ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層７の幅は下側で５０μｍであ
る。本発明の半導体レーザー装置の第２の実施の形態と
しては、図１において、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
の上のｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がないものをあげる
ことができる。また、本発明の半導体レーザー装置の第
３の実施の形態としては、図３に示すように、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層４とｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
の間にｐ型ＧａＡｌＡｓ層１６を介在させたものをあげ
ることができる。このｐ型ＧａＡｌＡｓ層１６のＡｌＡ
ｓの割合は２０％、膜厚は０．０１μｍ、禁制帯幅は
１．６７ｅＶ、屈折率は３．４５である。
型ＧａＡｌＡｓブロック層５の下側で２．５μｍ、ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層７の幅は下側で５０μｍであ
る。本発明の半導体レーザー装置の第２の実施の形態と
しては、図１において、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
の上のｎ型ＧａＡｓコンタクト層６がないものをあげる
ことができる。また、本発明の半導体レーザー装置の第
３の実施の形態としては、図３に示すように、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層４とｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５
の間にｐ型ＧａＡｌＡｓ層１６を介在させたものをあげ
ることができる。このｐ型ＧａＡｌＡｓ層１６のＡｌＡ
ｓの割合は２０％、膜厚は０．０１μｍ、禁制帯幅は
１．６７ｅＶ、屈折率は３．４５である。
【００２３】図４に本発明の半導体レーザの作製工程の
端面図を示し、以下図４に基づいて作成方法を説明す
る。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に有機金属気相成長法
（ＭＯＶＰＥ法）によりｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
２、ＧａＡｌＡｓ活性層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層４、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５およびｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層６を連続して結晶成長する（図４
（ａ））。
端面図を示し、以下図４に基づいて作成方法を説明す
る。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に有機金属気相成長法
（ＭＯＶＰＥ法）によりｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
２、ＧａＡｌＡｓ活性層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層４、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５およびｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層６を連続して結晶成長する（図４
（ａ））。
【００２４】つぎに、ホトマスクを用いてエッチングに
より、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５およびｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層６にストライプ状の開口部１２を形成す
る（図４（ｂ））。つぎに、ＭＯＶＰＥ法により、ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層７とｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８とを結晶成長させる（図４（ｃ））。
より、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５およびｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層６にストライプ状の開口部１２を形成す
る（図４（ｂ））。つぎに、ＭＯＶＰＥ法により、ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層７とｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８とを結晶成長させる（図４（ｃ））。
【００２５】つぎに、もう一度ホトマスクを用いて開口
部１２上のｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７とｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層８以外をエッチングで除去しｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層６を露出させる（図４（ｄ））。最後
に、金電極９〜１１を蒸着により、ｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層６とｐ型ＧａＡｓコンタクト層８とｎ型ＧａＡｓ
基板１の裏面に形成する（図４（ｅ））。
部１２上のｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７とｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層８以外をエッチングで除去しｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層６を露出させる（図４（ｄ））。最後
に、金電極９〜１１を蒸着により、ｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層６とｐ型ＧａＡｓコンタクト層８とｎ型ＧａＡｓ
基板１の裏面に形成する（図４（ｅ））。
【００２６】ここで、予めｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
４とｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の間に、ｐ型で膜厚
が０．０５μｍ以下でＡｌＡｓが２０％のＧａＡｌＡｓ
層１６を入れておき、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５お
よびｎ型ＧａＡｓコンタクト層６をエッチングして開口
部１２を形成する時に、ＡｌＡｓの割合によってエッチ
ング速度が大きく変わるエッチング液を用いることによ
り、ＧａＡｌＡｓ層１６がエッチングストッパとなり、
再現性の良い溝形成が可能になる。また、ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓブロック層５の上側にｎ型ＧａＡｓコンタクト層６
を設けておくことにより、エッチングをｎ型ＧａＡｓコ
ンタクト層６で停止させることができる。
４とｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の間に、ｐ型で膜厚
が０．０５μｍ以下でＡｌＡｓが２０％のＧａＡｌＡｓ
層１６を入れておき、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５お
よびｎ型ＧａＡｓコンタクト層６をエッチングして開口
部１２を形成する時に、ＡｌＡｓの割合によってエッチ
ング速度が大きく変わるエッチング液を用いることによ
り、ＧａＡｌＡｓ層１６がエッチングストッパとなり、
再現性の良い溝形成が可能になる。また、ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓブロック層５の上側にｎ型ＧａＡｓコンタクト層６
を設けておくことにより、エッチングをｎ型ＧａＡｓコ
ンタクト層６で停止させることができる。
【００２７】つぎに、本発明の半導体レーザー装置の使
用方法を図５を参照しながら説明する。ｎ型ＧａＡｓ基
板１側の電極１１とｐ型ＧａＡｓコンタクト層８側の電
極１０との間にレーザーバイアス電源１３からレーザー
のしきい値以上の直流バイアス電圧を印加すると、開口
部１２の直下のＧａＡｌＡｓ活性層３でレーザー発振が
起こる。印加された電流はｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層
５の開口部１２に狭窄される。
用方法を図５を参照しながら説明する。ｎ型ＧａＡｓ基
板１側の電極１１とｐ型ＧａＡｓコンタクト層８側の電
極１０との間にレーザーバイアス電源１３からレーザー
のしきい値以上の直流バイアス電圧を印加すると、開口
部１２の直下のＧａＡｌＡｓ活性層３でレーザー発振が
起こる。印加された電流はｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層
５の開口部１２に狭窄される。
【００２８】発生したレーザー光は、図５に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５と開口部１２内のｐ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層７とにより形成される屈折率
差（Δｎ）によって、開口部１２直下に閉じ込められ
る。すなわち、ＧａＡｌＡｓ混晶では、ＡｌＡｓの割合
が増加するほど半導体の禁制帯幅が広がり、屈折率が減
少する。ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の方がｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層７よりもＡｌＡｓの割合を大きくし
ているので、屈折率はｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７の
方が大きくなり、ＧａＡｌＡｓ活性層３内のレーザー光
は水平方向に開口部１２直下に閉じ込められることにな
る。
に、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５と開口部１２内のｐ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層７とにより形成される屈折率
差（Δｎ）によって、開口部１２直下に閉じ込められ
る。すなわち、ＧａＡｌＡｓ混晶では、ＡｌＡｓの割合
が増加するほど半導体の禁制帯幅が広がり、屈折率が減
少する。ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の方がｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層７よりもＡｌＡｓの割合を大きくし
ているので、屈折率はｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７の
方が大きくなり、ＧａＡｌＡｓ活性層３内のレーザー光
は水平方向に開口部１２直下に閉じ込められることにな
る。
【００２９】水平方向のレーザー光の広がり角度は、Ｇ
ａＡｌＡｓ活性層３内に閉じ込められたレーザー光の水
平方向のスポットサイズによって決り、スポットサイズ
が小さい程広がり角度が大きくなる。スポットサイズは
主にレーザー光の波長と開口部１２の幅とｎ型ＧａＡｌ
Ａｓブロック層５とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７の屈
折率差（Δｎ）およびｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４の
厚さで決まる。
ａＡｌＡｓ活性層３内に閉じ込められたレーザー光の水
平方向のスポットサイズによって決り、スポットサイズ
が小さい程広がり角度が大きくなる。スポットサイズは
主にレーザー光の波長と開口部１２の幅とｎ型ＧａＡｌ
Ａｓブロック層５とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層７の屈
折率差（Δｎ）およびｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４の
厚さで決まる。
【００３０】そこで、スポットサイズ、すなわち水平広
がり角を変化させるには、上記パラメータのうちどれか
を変化させればよいのであるが、このうち外部から制御
するために、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の屈折率を
変化させる方法をとる。これを行うために、電極９と電
極１１の間に図５に示すように、広がり角制御用電源１
４から広がり角制御用電圧を印加する。
がり角を変化させるには、上記パラメータのうちどれか
を変化させればよいのであるが、このうち外部から制御
するために、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５の屈折率を
変化させる方法をとる。これを行うために、電極９と電
極１１の間に図５に示すように、広がり角制御用電源１
４から広がり角制御用電圧を印加する。
【００３１】このように広がり角制御用電圧を印加する
と、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５とｐ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層４にはｐｎ接合に対して逆方向にバイアスさ
れることになり、接合面に空乏層が形成されて屈折率が
変化する。この屈折率の変化によって水平方向の広がり
角が変化する。すなわち、電極９と電極１１間に印加す
る広がり角制御用電圧を制御して空乏層の幅を変えるこ
とにより、広がり角を制御するのである。抵抗１５が挿
入されているのは、電極１０に印加された電流がｎ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層６を通って電極９の方へ流れ、リー
ク電流になることを少なくするためであり、１００ｋΩ
程度にすれば、リーク電流はほとんど無視できる。
と、ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５とｐ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層４にはｐｎ接合に対して逆方向にバイアスさ
れることになり、接合面に空乏層が形成されて屈折率が
変化する。この屈折率の変化によって水平方向の広がり
角が変化する。すなわち、電極９と電極１１間に印加す
る広がり角制御用電圧を制御して空乏層の幅を変えるこ
とにより、広がり角を制御するのである。抵抗１５が挿
入されているのは、電極１０に印加された電流がｎ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層６を通って電極９の方へ流れ、リー
ク電流になることを少なくするためであり、１００ｋΩ
程度にすれば、リーク電流はほとんど無視できる。
【００３２】図６に印加する広がり角制御用電圧に対す
る水平広がり角の変化を示す。印加する広がり角制御用
電圧を高くする程空乏層の幅が広くなり、屈折率が高く
なってｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５と開口部１２の屈
折率差（Δｎ）が小さくなる。すると、レーザー光の水
平方向の閉じ込めが弱くなってスポットが広がり、放射
されるレーザー光の広がり角は狭くなる。図６では、１
０Ｖの電圧の変化で約±２度の広がり角の制御ができて
いることがわかる。
る水平広がり角の変化を示す。印加する広がり角制御用
電圧を高くする程空乏層の幅が広くなり、屈折率が高く
なってｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層５と開口部１２の屈
折率差（Δｎ）が小さくなる。すると、レーザー光の水
平方向の閉じ込めが弱くなってスポットが広がり、放射
されるレーザー光の広がり角は狭くなる。図６では、１
０Ｖの電圧の変化で約±２度の広がり角の制御ができて
いることがわかる。
【００３３】図５に示した構成では、開口部１２の両側
の電極９に広がり角制御用電圧を印加したが、片側の電
極９のみに電圧を印加することによって屈折率分布を開
口部１２の両側で非対称にすることができる。このよう
にすると、レーザー光の放射ビームの光軸の方向を水平
方向に変化させることができる。この効果を積極的に利
用すると、すなわち両側の電極９，９に独立した電圧を
印加することによって、レーザー光の広がり角とその方
向を自由に制御することが可能になる。
の電極９に広がり角制御用電圧を印加したが、片側の電
極９のみに電圧を印加することによって屈折率分布を開
口部１２の両側で非対称にすることができる。このよう
にすると、レーザー光の放射ビームの光軸の方向を水平
方向に変化させることができる。この効果を積極的に利
用すると、すなわち両側の電極９，９に独立した電圧を
印加することによって、レーザー光の広がり角とその方
向を自由に制御することが可能になる。
【００３４】屈折率差（Δｎ）を制御できるもう一つの
利点は、屈折率差を非常に小さく（約１００分の１以
下）し、適切な構造パラメータ（膜厚とＡｌＡｓの割
合）にすると、レーザー光に自励発振を起こさせること
ができる点である。自励発振とは、レーザー装置を定電
流で駆動させていても、光が１ＧＨｚ程度の高周波でパ
ルス発振する現象であり、自励発振するとスペクトルは
多モード化し、レーザー光の干渉性が低下して戻り光に
よるレーザー光の雑音が低減できることから、ＣＤ等の
光ディスクの読み出しにはこの現象を利用している。構
造パラメータを最適化することによって、印加電圧によ
って自励発振を外部から制御することも可能となる。
利点は、屈折率差を非常に小さく（約１００分の１以
下）し、適切な構造パラメータ（膜厚とＡｌＡｓの割
合）にすると、レーザー光に自励発振を起こさせること
ができる点である。自励発振とは、レーザー装置を定電
流で駆動させていても、光が１ＧＨｚ程度の高周波でパ
ルス発振する現象であり、自励発振するとスペクトルは
多モード化し、レーザー光の干渉性が低下して戻り光に
よるレーザー光の雑音が低減できることから、ＣＤ等の
光ディスクの読み出しにはこの現象を利用している。構
造パラメータを最適化することによって、印加電圧によ
って自励発振を外部から制御することも可能となる。
【００３５】ここまでで述べてきた実施の形態では、Ｇ
ａＡｌＡｓ活性層３はＧａＡｌＡｓの単層を用いたが、
膜厚が５〜１０ｎｍ程度の薄層を多数重ねた多重量子井
戸層を用いてもよい。また、この実施の形態では半導体
材料として、ＧａＡｓ基板上に結晶成長させたＧａＡｌ
Ａｓ混晶系を用いたが、以下のような組み合わせであっ
てもよい。例えば、ＧａＡｓ基板上に結晶成長させた燐
化ガリウム（ＧａＰ）と燐化アルミニウム（ＡｌＰ）と
燐化インジウム（ＩｎＰ）の混晶であるＧａＡｌＩｎＰ
混晶系を用いたもの、またはＧａＡｓ基板上に結晶成長
させたＧａＡｌＩｎＰ混晶系およびＧａＡｌＡｓ混晶系
の組み合わせを用いたものでもよい。また、半導体基板
がＩｎＰで混晶系が三族−五族系のＧａＩｎＡｓＰであ
るものや、半導体基板がＧａＡｓまたはセレン化亜鉛
（ＺｎＳｅ）で混晶系が二族元素であるマグネシウム
（Ｍａ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ）と六族元
素である硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）
からなるもの、半導体基板が酸化アルミニウム（アルミ
ナ），炭化シリコン（ＳｉＣ）または窒化ガリウム（Ｇ
ａＮ）で混晶系が窒化ガリウム（ＧａＮ）と窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）と窒化インジウム（ＩｎＮ）からなる
ＧａＡｌＩｎＮであるものであってもよい。
ａＡｌＡｓ活性層３はＧａＡｌＡｓの単層を用いたが、
膜厚が５〜１０ｎｍ程度の薄層を多数重ねた多重量子井
戸層を用いてもよい。また、この実施の形態では半導体
材料として、ＧａＡｓ基板上に結晶成長させたＧａＡｌ
Ａｓ混晶系を用いたが、以下のような組み合わせであっ
てもよい。例えば、ＧａＡｓ基板上に結晶成長させた燐
化ガリウム（ＧａＰ）と燐化アルミニウム（ＡｌＰ）と
燐化インジウム（ＩｎＰ）の混晶であるＧａＡｌＩｎＰ
混晶系を用いたもの、またはＧａＡｓ基板上に結晶成長
させたＧａＡｌＩｎＰ混晶系およびＧａＡｌＡｓ混晶系
の組み合わせを用いたものでもよい。また、半導体基板
がＩｎＰで混晶系が三族−五族系のＧａＩｎＡｓＰであ
るものや、半導体基板がＧａＡｓまたはセレン化亜鉛
（ＺｎＳｅ）で混晶系が二族元素であるマグネシウム
（Ｍａ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ）と六族元
素である硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ）
からなるもの、半導体基板が酸化アルミニウム（アルミ
ナ），炭化シリコン（ＳｉＣ）または窒化ガリウム（Ｇ
ａＮ）で混晶系が窒化ガリウム（ＧａＮ）と窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）と窒化インジウム（ＩｎＮ）からなる
ＧａＡｌＩｎＮであるものであってもよい。
【００３６】
【発明の効果】この発明の半導体レーザー装置によれ
ば、電極を介して第４の半導体層へ印加する電圧によっ
て第３の半導体層の屈折率を変化させることで、出射す
るレーザー光の水平方向の広がり角や光軸方向を制御す
ることができ、光ディスクや光通信の光源に応用する場
合にシステムに最適なビーム特性に設定することがで
き、応用上大なる効果を奏する。また、自励発振を制御
することも可能となり、従来にない新しい機能を実現す
る素子として用いることができる。
ば、電極を介して第４の半導体層へ印加する電圧によっ
て第３の半導体層の屈折率を変化させることで、出射す
るレーザー光の水平方向の広がり角や光軸方向を制御す
ることができ、光ディスクや光通信の光源に応用する場
合にシステムに最適なビーム特性に設定することがで
き、応用上大なる効果を奏する。また、自励発振を制御
することも可能となり、従来にない新しい機能を実現す
る素子として用いることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体レー
ザー装置の構造を示す斜視図である。
ザー装置の構造を示す斜視図である。
【図２】本発明の第３の実施の形態における半導体レー
ザー装置の構造を示す端面図である。
ザー装置の構造を示す端面図である。
【図３】従来の半導体レーザー装置の構造を示す斜視図
である。
である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体レーザー装
置の作製工程を示す工程順の端面図である。
置の作製工程を示す工程順の端面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体レーザー装
置の動作を説明するための概略図である。
置の動作を説明するための概略図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体レーザー装
置の広がり角制御用電圧に対する出射光の水平広がり角
を示す特性図である。
置の広がり角制御用電圧に対する出射光の水平広がり角
を示す特性図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ３ ＧａＡｌＡｓ活性層 ４ ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ５ ｎ型ＧａＡｌＡｓブロック層 ６ ｎ型ＧａＡｓコンタクト層 ７ ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ９ 電極 １０ 電極 １１ 電極 １２ 開口部 １３ レーザーバイアス電源 １４ 広がり角制御用電源 １５ 抵抗 １６ ｐ型ＧａＡｌＡｓ層
Claims (12)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板と、この半導体基
板の上に順に積層された第１，第２および第３の半導体
層と、この第３の半導体層の上に積層されてストライプ
状の開口部を有する第４の半導体層と、前記開口部の上
に積層された第５の半導体層と、前記第４の半導体層の
上の前記開口部以外の領域に形成された電極とを備え、 前記第１の半導体層は前記半導体基板と同一導電型で前
記半導体基板より禁制帯幅が大きく、前記第２の半導体
層は前記第１の半導体層より禁制帯幅が小さく、前記第
３の半導体層は前記第１の半導体層と反対導電型で前記
第２の半導体層より禁制帯幅が大きく、前記第４の半導
体層は前記第１の半導体層と同一導電型で前記第３の半
導体層より禁制帯幅が大きく、前記第５の半導体層は前
記第３の半導体層と同一導電型で禁制帯幅が前記第４の
半導体層より小さく前記第２の半導体層より大きいこと
を特徴とする半導体レーザー装置。 - 【請求項２】 第４の半導体層の第５の半導体層と接す
る側に、禁制帯幅が前記第４の半導体層より小さい第６
の半導体層を積層し、この第６の半導体層の上に配線を
形成していることを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザー装置。 - 【請求項３】 第３の半導体層と第４の半導体層の間
に、前記第３の半導体層と同一導電型で開口部に臨む第
７の半導体層を介在させたことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の半導体レーザー装置。 - 【請求項４】 第２の半導体層が禁制帯幅の異なる複数
の半導体層の多層構造からなることを特徴とする請求項
１，請求項２または請求項３記載の半導体レーザー装
置。 - 【請求項５】 半導体基板が砒化ガリウムからなり、第
１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の半導体
層が砒化ガリウムと砒化アルミニウムの混晶からなるこ
とを特徴とする請求項１，２，３または４記載の半導体
レーザー装置。 - 【請求項６】 半導体基板が砒化ガリウムからなり、第
１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の半導体
層が燐化ガリウムと燐化アルミニウムと燐化インジウム
の混晶からなることを特徴とする請求項１，２，３また
は４記載の半導体レーザー装置。 - 【請求項７】 半導体基板が燐化インジウムからなり、
第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の半導
体層が三族元素であるガリウムおよびインジウムと五族
元素である燐および砒素の混晶からなることを特徴とす
る請求項１，２，３または４記載の半導体レーザー装
置。 - 【請求項８】 半導体基板が砒化ガリウムからなり、第
１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の半導体
層が二族元素であるマグネシウム，亜鉛およびカドミウ
ムと六族元素である硫黄，セレンおよびテルルの混晶か
らなることを特徴とする請求項１，２，３または４記載
の半導体レーザー装置。 - 【請求項９】 半導体基板がセレン化亜鉛からなり、第
１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の半導体
層が二族元素であるマグネシウム，亜鉛およびカドミウ
ムと六族元素である硫黄，セレンおよびテルルの混晶か
らなることを特徴とする請求項１，２，３または４記載
の半導体レーザー装置。 - 【請求項１０】 半導体基板が酸化アルミニウムからな
り、第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の
半導体層がガリウム，アルミニウムおよびインジウムの
各窒化物の混晶からなることを特徴とする請求項１，
２，３または４記載の半導体レーザー装置。 - 【請求項１１】 半導体基板が炭化シリコンからなり、
第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の半導
体層がガリウム，アルミニウムおよびインジウムの各窒
化物の混晶からなることを特徴とする請求項１，２，３
または４記載の半導体レーザー装置。 - 【請求項１２】 半導体基板が窒化ガリウムからなり、
第１，第２，第３，第４，第５，第６および第７の半導
体層がガリウム，アルミニウムおよびインジウムの各窒
化物の混晶からなることを特徴とする請求項１，２，３
または４記載の半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082755A JPH09275237A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082755A JPH09275237A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 半導体レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275237A true JPH09275237A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13783263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8082755A Pending JPH09275237A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09275237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144374A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2015211171A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-04-04 JP JP8082755A patent/JPH09275237A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144374A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2015211171A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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