JPS60206081A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS60206081A
JPS60206081A JP59062287A JP6228784A JPS60206081A JP S60206081 A JPS60206081 A JP S60206081A JP 59062287 A JP59062287 A JP 59062287A JP 6228784 A JP6228784 A JP 6228784A JP S60206081 A JPS60206081 A JP S60206081A
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JP
Japan
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layer
type
active layer
substrate
transition
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JP59062287A
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English (en)
Inventor
Morichika Yano
矢野　盛規
Saburo Yamamoto
三郎 山本
Haruhisa Takiguchi
滝口　治久
Shinji Kaneiwa
進治 兼岩
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Priority to US06/716,222 priority patent/US4712219A/en
Priority to EP85302179A priority patent/EP0157602B1/en
Priority to DE8585302179T priority patent/DE3581304D1/de
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 この発明は活性層の両側にクラッド層を有すダブルへテ
ロ構造の半導体レーザ装置に関する。
〈従来技術〉 半導体レーザ装置の短波長化は、光ディスクにおいては
集光ビーム径を小さく出来ることや、焦点深度を深くで
きるなどの点で有利であり、またレーザビームプリンタ
においては感光体の受光感度曲線から感度の上昇が見込
まれるため必要なことである。
しかし、半導体レーザ装置において、発振波長の短波長
化につれて、活性層では直接遷移と間接遷移間のエネル
ギー差が小さくなり、直接遷移に注入された電流坦体が
間接遷移へ分布する割合の増大がおこり、発振開始電流
の増大になる。また、活性層とクラッド層のエネルギー
差も小さくなり、活性層へ注入された電流坦体がクラッ
ド層へ流出していくため、やはり発振開始電流の増大に
つながる。ただし、これ等は全ての層が基板結晶と格子
定数が一致しているという条件での現象である。
他方、基板結晶および各層間で格子定数が一致しない場
合には、十分なエネルギー差がとれるが、格子定数の不
一致により結晶欠陥が導入され、発振開始電流の増大と
なったり、素子寿命の着しい低下がみられる。
〈発明の目的〉 そこで、この発明の目的は、発振開始電流が小さくて、
カリ寿命の長い半導体レーザ装置を提供することにある
。
〈発明の構成〉 上記目的を達成するため、この発明の構成は、基板結晶
としてＩｎＧａＡｓ混晶を用いて、基板結晶および各層
の格子定数を略一致させると共に、活性層の直接遷移と
間接遷移間のエネルギー差および上記活性層とクラッド
層間のエネルギー差を０．２ＳｅＶ以上にしたことを特
徴とする。
〈実施例〉 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基板（１）上にｐお
よびｎ型のＩ　ｎｏ、＋６Ｇａｏ、ａ＜Ａｓ層（２’）
、（３）を気相成長法あるいは分子線エピタキシャル法
により成長させる。この場合、ＧａＡｓ基板（１）とＩ
　ｎｏ、１６Ｇａｏ、ａ４ＡＳ層（２）との格子定数の
不一致はＧａＡｓから徐々にＩ　ｎｏ、＋　ｓ　Ｇ　ａ
ｏ、ｓ　Ｊ　Ａ　ｓ層（２）の組成に近づけるようにし
て緩和する。上記ｐおよび■１型のＩｎｏ、＋５Ｇａｏ
、ａ＜Ａｓ層（２）、（３）の厚さはそれぞれ１μ鴫と
する。
次に、このウェハー上に幅４μ随、深さ１．２μｍの■
形溝をストライブ状にホトエツチングして、ストライブ
部（７）を形成する。これは、注入電流をストライプ部
（７）にのみ流す効果と、作り付けの屈折率分布を与え
レーザ光をやはリストライプ部（７）に閉じ込める効果
をもたせ、発振モードの安定化を計るためのものである
。
このように細工したウェハーを用いて、液相エピタキシ
ャル法により、ｐ型ＩｎｏＧｃＡ　１０．３６　Ｐから
なるクラッド層（４）を１μ論、Ｉ　ａｏ６．５Ｇａｏ
、ｓｓＰからなる活性層（５）を０，１＃ｍ、ｎ型１　
ｎｏ６４Ａ　ＩＩ　Ｏ，３６Ｐからなるクラッド層（６
）を１μＩ成長させ、ダブルへテロ構造を形成する。さ
らに、このように構成したウェハーに電極（８）、（９
）を付ける。
上記ダブルへテロ構造を有する半導体レーザ装置は、第
２図に示すように、Ｉ　ｎｏ、５ｓＧａｏ、ｓ’ｓＰ活
性層（５）中での直接遷移と間接遷移間のエネルギー差
Ｅ、およびＩ　ｎｏ、ｂｓＧａｏ、３５Ｐ活性層（５）
とＩ　ｎｏ、ｓ＜Ａ／、、６Ｐクラッド層（４）または
（６）のエネルギー差Ｅ２は０．２ｅＶ以上が得られる
ことが分かる。そして、この半導体レーザ装置を発振さ
せると、第３図、第４図に示すように発振開始電流４０
ＩＩＩＡで、６？０ｎＩＩ＋の短波長発振が得られた。
すなわち、この半導体装置は発振開始電流が小さく、ま
た、基板結晶（１）の格子定数を徐々に変化させて、各
層の格子定数を略一致させているので、結晶欠陥が導入
されることがなく、発振開始電流が小さく、寿命が長く
なる。
本実施例で用いた各層の混晶比は発振波長６７０ｎ１１
についてのものであり、それより長波長側では全組成に
わたってエネルギー差Ｅ、、Ｅ２が０゜２５ｅＶ以上に
なることは第２図から明らかである。
〈発明の効果〉 以上の説明で明らかなように、この発明の半導体装置は
、前述の如く構成しているので、発振開始電流が小さく
、寿命が長いという利点を有する６
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の半導体レーザ装置の模式
図、第２図は格子定数−エネルギーギャップ図、第３図
は電流−出力特性図、第４図は発振スペクトル線図であ
る。 １・・・基板、２−ｐ型Ｉ　ｎｏ、＋　６　Ｇ　ａｏ、
ａ　４　Ａ　ｓ層、３−ｎ型Ｉｎｏ、＋６Ｇａｏ、ｔ４
ＡＳ層、４．６・・・クラッド層、５・・・活性層、７
・・・ストライプ部、８，９・・・電極。 特許出願人、シャープ株式会社 代　理　人　弁理士　青白　葆ばか２名第１図 格零定数（入） 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）活性層の両側にクラッド層を有する可視光ダブル
    へテロ構造の半導体レーザ装置において、基板結晶とし
    てＩｎＧａＡｓ混晶を用いて、基板結晶および各層の格
    子定数を略一致させると共に、上記活性層の直接遷移と
    間接遷移間のエネルギー差および上記活性層とクラッド
    層間のエネルギー差を０．２５ｅＶ以上にしたことを特
    徴とする半導体レーザ装置。
JP59062287A 1984-03-29 1984-03-29 半導体レ−ザ装置 Pending JPS60206081A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59062287A JPS60206081A (ja) 1984-03-29 1984-03-29 半導体レ−ザ装置
US06/716,222 US4712219A (en) 1984-03-29 1985-03-26 Visible double heterostructure-semiconductor laser
EP85302179A EP0157602B1 (en) 1984-03-29 1985-03-28 A visible double heterostructure-semiconductor laser
DE8585302179T DE3581304D1 (de) 1984-03-29 1985-03-28 Doppelheterostruktur-halbleiterlaser fuer sichtbare strahlung.

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EP (1) EP0157602B1 (ja)
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DE (1) DE3581304D1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299186A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Hitachi Ltd 発光素子
US4829343A (en) * 1987-07-17 1989-05-09 American Telephone & Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Hot electron transistor
US5146295A (en) * 1988-03-29 1992-09-08 Omron Tateisi Electronic Co. Semiconductor light emitting device having a superlattice buffer layer
US5048036A (en) * 1989-09-18 1991-09-10 Spectra Diode Laboratories, Inc. Heterostructure laser with lattice mismatch
US4984242A (en) * 1989-09-18 1991-01-08 Spectra Diode Laboratories, Inc. GaAs/AlGaAs heterostructure laser containing indium
US5200972A (en) * 1991-06-17 1993-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy ND laser with co-doped ion(s) pumped by visible laser diodes
JP3362356B2 (ja) * 1993-03-23 2003-01-07 富士通株式会社 光半導体装置
JPH07183618A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置製造方法並びに集積型半導体レーザ装置
US5550065A (en) * 1994-11-25 1996-08-27 Motorola Method of fabricating self-aligned FET structure having a high temperature stable T-shaped Schottky gate contact
US5751753A (en) * 1995-07-24 1998-05-12 Fujitsu Limited Semiconductor laser with lattice mismatch
US6181721B1 (en) * 1996-05-20 2001-01-30 Sdl, Inc. Visible wavelength, semiconductor optoelectronic device with a high power broad, significantly laterally uniform, diffraction limited output beam
US5838705A (en) * 1996-11-04 1998-11-17 Motorola, Inc. Light emitting device having a defect inhibition layer
US8373152B2 (en) * 2008-03-27 2013-02-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting element and a production method therefor
WO2012051324A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Alliance For Sustainable Energy, Llc High bandgap iii-v alloys for high efficiency optoelectronics

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49113591A (ja) * 1973-02-26 1974-10-30
JPS5320881A (en) * 1976-08-11 1978-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photo semiconductor device
JPS582089A (ja) * 1981-06-19 1983-01-07 トムソン−セエスエフ 短波長半導体レ−ザ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5640292A (en) * 1979-09-11 1981-04-16 Fujitsu Ltd Semiconductor laser
JPS5727095A (en) * 1980-07-25 1982-02-13 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49113591A (ja) * 1973-02-26 1974-10-30
JPS5320881A (en) * 1976-08-11 1978-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photo semiconductor device
JPS582089A (ja) * 1981-06-19 1983-01-07 トムソン−セエスエフ 短波長半導体レ−ザ

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DE3581304D1 (de) 1991-02-21
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EP0157602B1 (en) 1991-01-16
US4712219A (en) 1987-12-08

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