JPH0927590A - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
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- JPH0927590A JPH0927590A JP19578295A JP19578295A JPH0927590A JP H0927590 A JPH0927590 A JP H0927590A JP 19578295 A JP19578295 A JP 19578295A JP 19578295 A JP19578295 A JP 19578295A JP H0927590 A JPH0927590 A JP H0927590A
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- semiconductor device
- composite semiconductor
- insulating case
- resin
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Links
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 長手方向の寸法が大きくなっても半導体チッ
プ等に与える機械的ストレスを極力小さくし装置破壊の
おそれのない複合半導体装置を提供すること。 【構成】 絶縁ケース７の長手方向に直交する少なくと
も１対の対向する壁９ａ，９ｂを備え、該壁９ａ，９ｂ
に挟まれた中空部１１には樹脂が実質的に充填されない
ので、樹脂が充填される部分の長手方向の寸法が２分割
される。このため、膨張、収縮する寸法変化量が１／２
になり、内部構造物への機械的ストレスが小さくなり、
装置破壊のおそれを回避することができる。
プ等に与える機械的ストレスを極力小さくし装置破壊の
おそれのない複合半導体装置を提供すること。 【構成】 絶縁ケース７の長手方向に直交する少なくと
も１対の対向する壁９ａ，９ｂを備え、該壁９ａ，９ｂ
に挟まれた中空部１１には樹脂が実質的に充填されない
ので、樹脂が充填される部分の長手方向の寸法が２分割
される。このため、膨張、収縮する寸法変化量が１／２
になり、内部構造物への機械的ストレスが小さくなり、
装置破壊のおそれを回避することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止された複合半導
体装置に関し、特に半導体チップを含む内部構造物に与
える機械的ストレスを極力小さくした複合半導体装置に
関するものである。
体装置に関し、特に半導体チップを含む内部構造物に与
える機械的ストレスを極力小さくした複合半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の複合半導体装置の概略を
図４及び図５に示す。これらの図において、１は複合半
導体装置の全体を示す。この複合半導体装置１は金属放
熱板２の上面に、両面メタライズした絶縁板を介して半
導体チップ３が半田付けされ、この半導体チップ３の
上、下部からは温度補償板４を介してそれぞれ外部導出
端子５，６が外部へ導出される。また、両端開口した絶
縁ケース７の一方の開口端が金属放熱板２の外周を囲む
ように被せられて固着される。上記の絶縁ケース７の上
方開口端からはエポキシ樹脂等の液状樹脂８が充填・硬
化され半導体チップ、内部結線導体等が封止される。
図４及び図５に示す。これらの図において、１は複合半
導体装置の全体を示す。この複合半導体装置１は金属放
熱板２の上面に、両面メタライズした絶縁板を介して半
導体チップ３が半田付けされ、この半導体チップ３の
上、下部からは温度補償板４を介してそれぞれ外部導出
端子５，６が外部へ導出される。また、両端開口した絶
縁ケース７の一方の開口端が金属放熱板２の外周を囲む
ように被せられて固着される。上記の絶縁ケース７の上
方開口端からはエポキシ樹脂等の液状樹脂８が充填・硬
化され半導体チップ、内部結線導体等が封止される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の電
力用の複合半導体装置になると、長手方向の寸法が１０
０ｍｍ以上の大きさになる。このように寸法が大きくな
ると、絶縁ケース７の内部に充填・硬化されたエポキシ
樹脂の熱による膨張、収縮が大きくなり、これに伴い内
部に封入された半導体チップ等に機械的ストレスを与
え、最悪の場合には装置の破壊に結び付くという解決す
べき課題があった。
力用の複合半導体装置になると、長手方向の寸法が１０
０ｍｍ以上の大きさになる。このように寸法が大きくな
ると、絶縁ケース７の内部に充填・硬化されたエポキシ
樹脂の熱による膨張、収縮が大きくなり、これに伴い内
部に封入された半導体チップ等に機械的ストレスを与
え、最悪の場合には装置の破壊に結び付くという解決す
べき課題があった。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、絶縁ケース７の長手方向の寸法
が大きくなっても半導体チップ等に与える機械的ストレ
スを極力小さくし、装置破壊のおそれのない複合半導体
装置を提供することを目的とするものである。
ためになされたもので、絶縁ケース７の長手方向の寸法
が大きくなっても半導体チップ等に与える機械的ストレ
スを極力小さくし、装置破壊のおそれのない複合半導体
装置を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明の複合半導体装
置は、金属放熱板の上面に絶縁基板を介して固着された
半導体チップと外部導出端子とを有し、該放熱板の外周
を囲むようにして固着される両端開口の絶縁ケース内に
充填される樹脂により前記半導体チップ及び外部導出端
子が封止された複合半導体装置において、上記絶縁ケー
スの長手方向に直交する１対の対向する壁を備え、前記
封止用の樹脂充填される領域を２分割したことを特徴と
するものである。
置は、金属放熱板の上面に絶縁基板を介して固着された
半導体チップと外部導出端子とを有し、該放熱板の外周
を囲むようにして固着される両端開口の絶縁ケース内に
充填される樹脂により前記半導体チップ及び外部導出端
子が封止された複合半導体装置において、上記絶縁ケー
スの長手方向に直交する１対の対向する壁を備え、前記
封止用の樹脂充填される領域を２分割したことを特徴と
するものである。
【０００６】
【作用】本発明の複合半導体装置は、絶縁ケースの長手
方向に直交する少なくとも１対の対向する壁を備え、該
壁に挟まれた中空部には樹脂が実質的に充填されないの
で、樹脂が充填される部分の長手方向の寸法が２分割さ
れる。このため、膨張、収縮する寸法変化量が１／２に
なり、内部構造物への機械的ストレスも小さくなり、装
置破壊のおそれを回避することができる。
方向に直交する少なくとも１対の対向する壁を備え、該
壁に挟まれた中空部には樹脂が実質的に充填されないの
で、樹脂が充填される部分の長手方向の寸法が２分割さ
れる。このため、膨張、収縮する寸法変化量が１／２に
なり、内部構造物への機械的ストレスも小さくなり、装
置破壊のおそれを回避することができる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図を参照して説明
する。図１は本発明の第１の実施例を説明するための斜
視図である。図において、金属放熱板２の上面には図示
を省略した絶縁基板、半導体チップ、内部結線導体、外
部導出端子５の下端部が配置される。次に、樹脂等から
成る両端開口の絶縁ケース７の下端開口部が金属放熱板
２の外周を囲むように被せられて固着される。また、絶
縁ケース７の内部にはエポキシ樹脂等の液状樹脂８が充
填されるが、本発明の特徴は上記絶縁ケース７の構造に
ある。
する。図１は本発明の第１の実施例を説明するための斜
視図である。図において、金属放熱板２の上面には図示
を省略した絶縁基板、半導体チップ、内部結線導体、外
部導出端子５の下端部が配置される。次に、樹脂等から
成る両端開口の絶縁ケース７の下端開口部が金属放熱板
２の外周を囲むように被せられて固着される。また、絶
縁ケース７の内部にはエポキシ樹脂等の液状樹脂８が充
填されるが、本発明の特徴は上記絶縁ケース７の構造に
ある。
【０００８】すなわち、絶縁ケース７の長手方向の略中
央に該長手方向に直交する１対の対向する壁９ａ，９ｂ
が設けてあり、この壁９ａ，９ｂは両開口端に達する長
さを有している。なお、図１ではねじ止め用の円形中空
部１０が設けてあるが、この中空部１０は必ずしも必要
ではない。また、上記１対の対向する壁９ａ，９ｂに挟
まれて形成された中空部１１にはエポキシ樹脂等の液状
樹脂を充填しないままにしておく。また、この中空部１
１の下端には上述した半導体チップ等からなる内部構造
物は配置しないように配慮することは勿論である。
央に該長手方向に直交する１対の対向する壁９ａ，９ｂ
が設けてあり、この壁９ａ，９ｂは両開口端に達する長
さを有している。なお、図１ではねじ止め用の円形中空
部１０が設けてあるが、この中空部１０は必ずしも必要
ではない。また、上記１対の対向する壁９ａ，９ｂに挟
まれて形成された中空部１１にはエポキシ樹脂等の液状
樹脂を充填しないままにしておく。また、この中空部１
１の下端には上述した半導体チップ等からなる内部構造
物は配置しないように配慮することは勿論である。
【０００９】上記第１の実施例によれば、複合半導体装
置１の長手方向が中空部１１により２分割され、この２
分割された部分に液状樹脂８が充填・硬化されるので、
膨張、収縮する寸法変化量も１／２になり、内部構造物
への機械的ストレスを従来に比較して極力小さくするこ
とができ、装置破壊を回避することができる。
置１の長手方向が中空部１１により２分割され、この２
分割された部分に液状樹脂８が充填・硬化されるので、
膨張、収縮する寸法変化量も１／２になり、内部構造物
への機械的ストレスを従来に比較して極力小さくするこ
とができ、装置破壊を回避することができる。
【００１０】次に、本発明の第２の実施例につき、絶縁
ケース７のみを斜視図で示した図２を参照して説明す
る。この実施例では、絶縁ケース７の長手方向に直交す
る壁９ａ，９ｂを２組備えたものであり、第１の実施例
よりも大型の複合半導体装置に適用される。なお、この
樹脂ケース７を用いた複合半導体装置の製造過程は第１
の実施例と同様であるため、その説明は省略する。
ケース７のみを斜視図で示した図２を参照して説明す
る。この実施例では、絶縁ケース７の長手方向に直交す
る壁９ａ，９ｂを２組備えたものであり、第１の実施例
よりも大型の複合半導体装置に適用される。なお、この
樹脂ケース７を用いた複合半導体装置の製造過程は第１
の実施例と同様であるため、その説明は省略する。
【００１１】次に、本発明の第３の実施例につき、第２
の実施例と同様に樹脂ケース７のみを斜視図で示した図
３を参照して説明する。この実施例では樹脂ケース７の
長手方向及び幅方向に直交し、かつ、互いに対向する壁
９ａ，９ｂ及び壁１２ａ，１２ｂが設けてある。この実
施例は絶縁ケースの長手方向及び幅方向の寸法の間に比
較的差が無い場合に適用される。この第３の実施例の場
合においても対向する壁９ａ，９ｂ及び壁１２ａ，１２
ｂの間に形成される中空部１１にはエポキシ樹脂等の液
状樹脂を充填しない。このため、外形寸法が大きくなっ
ても樹脂充填部分が区分けされることにより熱膨張、収
縮による寸法変化は小さく半導体チップ等からなる内部
構造物への機械的ストレスの影響を小さくすることがで
きる。
の実施例と同様に樹脂ケース７のみを斜視図で示した図
３を参照して説明する。この実施例では樹脂ケース７の
長手方向及び幅方向に直交し、かつ、互いに対向する壁
９ａ，９ｂ及び壁１２ａ，１２ｂが設けてある。この実
施例は絶縁ケースの長手方向及び幅方向の寸法の間に比
較的差が無い場合に適用される。この第３の実施例の場
合においても対向する壁９ａ，９ｂ及び壁１２ａ，１２
ｂの間に形成される中空部１１にはエポキシ樹脂等の液
状樹脂を充填しない。このため、外形寸法が大きくなっ
ても樹脂充填部分が区分けされることにより熱膨張、収
縮による寸法変化は小さく半導体チップ等からなる内部
構造物への機械的ストレスの影響を小さくすることがで
きる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、本発明は絶縁ケースの長
手方向に直交する少なくとも１対の対向する壁を備え、
該壁に挟まれた中空部には樹脂が実質的に充填されず、
エポキシ樹脂等の液状樹脂が充填される部分の長手方向
の寸法が２分割される。このため、膨張、収縮する寸法
変化量が１／２になり、内部構造物への機械的ストレス
が小さくなり、装置破壊のおそれを回避することができ
るなどの効果がある。
手方向に直交する少なくとも１対の対向する壁を備え、
該壁に挟まれた中空部には樹脂が実質的に充填されず、
エポキシ樹脂等の液状樹脂が充填される部分の長手方向
の寸法が２分割される。このため、膨張、収縮する寸法
変化量が１／２になり、内部構造物への機械的ストレス
が小さくなり、装置破壊のおそれを回避することができ
るなどの効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す複合半導体装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す複合半導体装置に
おける絶縁ケースの斜視図である。
おける絶縁ケースの斜視図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す複合半導体装置に
おける絶縁ケースの斜視図である。
おける絶縁ケースの斜視図である。
【図４】従来のこの種の複合半導体装置の斜視図であ
る。
る。
【図５】上記従来の複合半導体装置の縦断面図である。
１ 複合半導体装置 ２ 金属放熱板 ５，６ 外部導出端子 ７ 絶縁ケース ８ 液状樹脂 ９ａ，９ｂ，１２ａ，１２ｂ 壁 １１ 中空部
Claims (3)
- 【請求項１】 金属放熱板の上面に絶縁基板を介して固
着された半導体チップと外部導出端子とを有し、該放熱
板の外周を囲むようにして固着される両端開口の絶縁ケ
ース内に充填される樹脂により前記半導体チップ及び外
部導出端子が封止された複合半導体装置において、 上記絶縁ケースの長手方向に直交する１対の対向する壁
を備え、前記封止用の樹脂充填される領域を２分割した
ことを特徴とする複合半導体装置。 - 【請求項２】 上記絶縁ケースの長手方向に直交する１
対の対向する壁が複数組設けられてたことを特徴とする
請求項１に記載の複合半導体装置。 - 【請求項３】 １対の対向する壁が上記絶縁ケースの長
手方向に直交する側と、長手方向に平行な側との両方に
設けられたことを特徴とする請求項１若しくは請求項２
に記載の複合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19578295A JPH0927590A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19578295A JPH0927590A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 複合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927590A true JPH0927590A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16346883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19578295A Pending JPH0927590A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927590A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10136008A1 (de) * | 2001-07-24 | 2003-02-20 | Advalytix Ag | Verfahren zur Analyse von Makromolekülen und Verfahren zur Herstellung einer Analysevorrichtung |
| JP2017183657A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
| US10825746B2 (en) | 2018-05-16 | 2020-11-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP19578295A patent/JPH0927590A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10136008A1 (de) * | 2001-07-24 | 2003-02-20 | Advalytix Ag | Verfahren zur Analyse von Makromolekülen und Verfahren zur Herstellung einer Analysevorrichtung |
| DE10136008B4 (de) * | 2001-07-24 | 2005-03-31 | Advalytix Ag | Verfahren zur Analyse von Makromolekülen und Verfahren zur Herstellung einer Analysevorrichtung |
| JP2017183657A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
| US10825746B2 (en) | 2018-05-16 | 2020-11-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040114 |