JPH043450A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH043450A JPH043450A JP2105083A JP10508390A JPH043450A JP H043450 A JPH043450 A JP H043450A JP 2105083 A JP2105083 A JP 2105083A JP 10508390 A JP10508390 A JP 10508390A JP H043450 A JPH043450 A JP H043450A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- holes
- epoxy
- slippage
- recessed grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置の内部構造に関する
ものである。
ものである。
第５図〜第７図は一般的な樹脂封止型電力半導体装置を
示すもので、図において、１は牛導体チンプ２が搭載さ
れる金属基板、３は封止用エポキシ樹脂、４はリード線
である。５は金属基板１のチップ搭載周辺部に圧縮成形
加工を施した圧縮成形部であり、これは上記金属基板１
と封止用エポキシ樹脂３との界面面積を増すことで密奢
性企高め、また沿面距離を増加させることで、外部から
の水の浸入をより防ぎ、半導体の信頼性を向上させる目
的でなされる。
示すもので、図において、１は牛導体チンプ２が搭載さ
れる金属基板、３は封止用エポキシ樹脂、４はリード線
である。５は金属基板１のチップ搭載周辺部に圧縮成形
加工を施した圧縮成形部であり、これは上記金属基板１
と封止用エポキシ樹脂３との界面面積を増すことで密奢
性企高め、また沿面距離を増加させることで、外部から
の水の浸入をより防ぎ、半導体の信頼性を向上させる目
的でなされる。
次に作用について説明する。金属基板のチップ搭載周辺
の圧縮成形加工部５は、金属基板トエボキシ樹脂３とい
う異種材料の密着面積を増ＤＯさせ、卆の密着力Ｐ増加
させるとともに、半導体パフケージ裏面からの水の浸入
の経路を距離的に増大させることにより、半導体チップ
への影響を減少させ、信頼性の同上を可能としているこ
とは周知である。なお、その形成方法は、第８図に示す
のが一般的な方法であり、上下よりプレス金型６により
押圧して周辺部をつぶし、変形させることにより行なわ
れる。
の圧縮成形加工部５は、金属基板トエボキシ樹脂３とい
う異種材料の密着面積を増ＤＯさせ、卆の密着力Ｐ増加
させるとともに、半導体パフケージ裏面からの水の浸入
の経路を距離的に増大させることにより、半導体チップ
への影響を減少させ、信頼性の同上を可能としているこ
とは周知である。なお、その形成方法は、第８図に示す
のが一般的な方法であり、上下よりプレス金型６により
押圧して周辺部をつぶし、変形させることにより行なわ
れる。
しかしながら最近では、このような半導体の基板への半
田付方式が多様化しく例えば面実装）、その熱ストレス
もかなり大きくなってきている。
田付方式が多様化しく例えば面実装）、その熱ストレス
もかなり大きくなってきている。
そのため、圧縮成形部５の密着力は金属基板トエボキシ
樹脂３の膨張係数の差により熱を受けた時点で異種材料
間にすべりを生ずることにより低下し、その効果はうす
れる。そして、高温での半田付時にはこの低下が大きく
、信頼性にも大きく影響するなどの問題点があった。
樹脂３の膨張係数の差により熱を受けた時点で異種材料
間にすべりを生ずることにより低下し、その効果はうす
れる。そして、高温での半田付時にはこの低下が大きく
、信頼性にも大きく影響するなどの問題点があった。
この発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
チップ搭載基板周辺部に高温にさらされてもその接着力
を低下させない圧縮成形加工部を有する樹脂封圧型半導
体装置を得ることを目的とするＯ 〔課題を解決するための手段〕 この発明は、沿面距離を伸ばすとともに、密着、力を増
大させる目的で設けられた金属基板の圧縮成形部に、複
数個の貫通穴または凹溝を設けたものである。
チップ搭載基板周辺部に高温にさらされてもその接着力
を低下させない圧縮成形加工部を有する樹脂封圧型半導
体装置を得ることを目的とするＯ 〔課題を解決するための手段〕 この発明は、沿面距離を伸ばすとともに、密着、力を増
大させる目的で設けられた金属基板の圧縮成形部に、複
数個の貫通穴または凹溝を設けたものである。
第１図、第２図はこの発明の一実施例を示すもので、図
において、７は圧縮成形部５に配設された複数の１通穴
である。
において、７は圧縮成形部５に配設された複数の１通穴
である。
このようなものにおいて、エポキシ樹脂封止の完了した
半導体が熱ストレスを受けた場合、−船釣には膨張係数
の異なるエポキシ樹脂と金属基板の間にはすべりが生じ
、隙間が発生する場合もあるが、本発明の貫通穴７に充
てんされたエポキシ樹脂は、その材料自身の強度が保て
る限りは、丁べりを阻止する働きがある。
半導体が熱ストレスを受けた場合、−船釣には膨張係数
の異なるエポキシ樹脂と金属基板の間にはすべりが生じ
、隙間が発生する場合もあるが、本発明の貫通穴７に充
てんされたエポキシ樹脂は、その材料自身の強度が保て
る限りは、丁べりを阻止する働きがある。
よって、同等の熱ストレス比較においては、両材料のＴ
べり距離は、本発明の半導体装置における方が少ないこ
とは明らかである。
べり距離は、本発明の半導体装置における方が少ないこ
とは明らかである。
これによりエポキシ樹脂−金属基板間の密着力をより低
下させずに、半田付することが可能であり、信頼性が同
上する。
下させずに、半田付することが可能であり、信頼性が同
上する。
なお上記実施例では、貫通穴７を設けたが、Ｔペリに対
して阻止する方向にエポキシ樹脂を充てんする構造であ
れば効果のあることから、この部分に第８図、第４図の
ように穴に代えて凹溝８を設けても同様の効果がある。
して阻止する方向にエポキシ樹脂を充てんする構造であ
れば効果のあることから、この部分に第８図、第４図の
ように穴に代えて凹溝８を設けても同様の効果がある。
以上のようにこの発明によれば、金属基板の圧縮成形加
工部に複数個の貫通穴また凹溝を設けるという簡琳な構
成にて、接着力の低下をきたさない信頼性の高い樹脂封
止型半導体装置が得られる効果がある。
工部に複数個の貫通穴また凹溝を設けるという簡琳な構
成にて、接着力の低下をきたさない信頼性の高い樹脂封
止型半導体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図は第
１図のＴＩ−ＴＩ線の断面図、第８図はこの発明の他の
実施例を示す平面図、第４図は第８図のＩＶ−ＩＶ線の
断面図、第５図、第６図は従来の樹脂封止型半導体の一
般例を示す斜視図と平面図、第７図は第６図の■−■線
の断面図、第８図は一般的金属基板の圧縮成形部の成形
方法を示す説明図である。 図中、１は金属基板、２は半導体チップ、３は封止樹脂
、５は圧縮成形部、７は貫通穴、８は凹溝である。 なお図中同一符号に同−丁たけ相当部分をボす。
１図のＴＩ−ＴＩ線の断面図、第８図はこの発明の他の
実施例を示す平面図、第４図は第８図のＩＶ−ＩＶ線の
断面図、第５図、第６図は従来の樹脂封止型半導体の一
般例を示す斜視図と平面図、第７図は第６図の■−■線
の断面図、第８図は一般的金属基板の圧縮成形部の成形
方法を示す説明図である。 図中、１は金属基板、２は半導体チップ、３は封止樹脂
、５は圧縮成形部、７は貫通穴、８は凹溝である。 なお図中同一符号に同−丁たけ相当部分をボす。
Claims (1)
- 半導体チップを搭載する金属基板の圧縮成形薄肉部に
、チップをとりまくように配置されてなる複数個の貫通
穴または凹溝を形成したことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105083A JPH043450A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105083A JPH043450A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043450A true JPH043450A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14398032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2105083A Pending JPH043450A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043450A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5328870A (en) * | 1992-01-17 | 1994-07-12 | Amkor Electronics, Inc. | Method for forming plastic molded package with heat sink for integrated circuit devices |
| US5701034A (en) * | 1994-05-03 | 1997-12-23 | Amkor Electronics, Inc. | Packaged semiconductor die including heat sink with locking feature |
| US6455348B1 (en) | 1998-03-12 | 2002-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame, resin-molded semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2011077215A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体パッケージ |
| JP2011077216A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| US8629566B2 (en) * | 2000-03-17 | 2014-01-14 | International Rectifier Corporation | Semiconductor multichip module package with improved thermal performance; reduced size and improved moisture resistance |
| JP2019207998A (ja) * | 2018-09-19 | 2019-12-05 | 株式会社加藤電器製作所 | 半導体モジュール |
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| US10777489B2 (en) | 2018-05-29 | 2020-09-15 | Katoh Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
| IT201900025009A1 (it) * | 2019-12-20 | 2021-06-20 | St Microelectronics Srl | Leadframe per dispositivi a semiconduttore, prodotto a semiconduttore e procedimento corrispondenti |
| US11056422B2 (en) | 2018-05-29 | 2021-07-06 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor module |
| WO2024241764A1 (ja) * | 2023-05-24 | 2024-11-28 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| EP4471853A1 (en) * | 2023-05-31 | 2024-12-04 | Nexperia B.V. | Die paddle |
| US12224229B2 (en) | 2021-03-16 | 2025-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with grooved die pad |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2105083A patent/JPH043450A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2019207999A (ja) * | 2018-09-19 | 2019-12-05 | 株式会社加藤電器製作所 | 半導体モジュール |
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