JPH09278732A - アミド誘導体及びこれを含有する外用剤組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 次の一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹ はＣ_1-40炭化水素、Ｒ² はＣ_1-6 アルキル
レン、Ｒ³ はＨ、ＯＨ、アルコキシ、Ｒ⁴ はＣ_1-39炭化
水素、Ｒ⁵ は 【化２】 又は−Ｏ−Ｒ¹⁰−Ｒ¹¹のときＲ³ はＯＨでない）で表わ
されるアミド誘導体及びこれを含有する外用剤組成物。 【効果】 皮膚に適用することにより、角層のバリアー
機能を本質的に改善し、皮膚炎症や肌荒れ等の改善・予
防効果が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に角層のバリア
ー機能を根本的に改善する（正常なバリアー機能を維持
し、バリアー機能の低下を回復させ補強する）効果を有
し、かつ配合安定性に優れる新規なアミド誘導体及びこ
れを含有する外用剤組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】表皮、特に角層は、身体の最表層に存在
する極薄の表皮由来成分であり、生体外からの種々の刺
激や侵入を防御するばかりでなく、体内の成分や水分の
損失、蒸散を防ぐ等の働きを有している。このような角
層の保護効果、すなわちバリアー機能は、表皮生理機能
の恒常性を司るのに重要である。

【０００３】このバリアー機能が、種々の内的原因、あ
るいは紫外線等の種々の外的原因により低下すると、皮
膚に炎症を生じたり、肌荒れや老化を助長する等の様々
なスキントラブルを起こす結果となる。そのため角層の
バリアー機能の維持・補強は、人の健全な日常生活を行
う上においても大変重要であることは言うまでもない。

【０００４】そこで、このような皮膚のトラブルの発生
を防止あるいは改善するため、種々の天然由来成分や化
学合成された成分を配合した皮膚外用剤が開発されてき
たが、これらの皮膚外用剤は、皮膚表面に被膜を形成さ
せることにより皮膚の保湿やバリアー機能を補う効果を
得ようとするものが主であり、これらは、あくまでも一
時的に皮膚表面に被膜を形成させることにより皮膚のバ
リアー機能を補填するにすぎず、本質的にバリアー機能
を改善（維持・補強）させる効果は、充分には期待でき
ないものであった。

【０００５】そこで、本出願人は、先に、皮膚のバリア
ー機能を本質的に改善する効果を有する皮膚外用剤とし
て、下記一般式（２）

【０００６】

【化６】

【０００７】（式中、Ｒ¹²は炭素数１０〜４０の直鎖又
は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素基を示し、Ｒ¹³は
炭素数３〜３９の直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を
示し、Ｒ¹⁴は水素原子、炭素数１０〜４０の直鎖若しく
は分岐鎖の飽和若しくは不飽和の炭化水素基又はアシル
基を示す。）で表わされるアミド誘導体を含有する皮膚
外用剤（特開平２−３０６９５２号公報）、更に次の一
般式（３）

【０００８】

【化７】

【０００９】（式中、Ｒ¹⁵は炭素数１０〜４０の直鎖又
は分岐鎖の炭化水素基を示し、Ｒ¹⁶は炭素数１〜３９の
直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を示し、Ｒ¹⁷は水素
原子又は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、Ｒ¹⁸は水素
原子、又は酸素原子を含有してもよい炭素数１〜４０の
直鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基を示
す。）で表わされるアミド誘導体を含有する皮膚外用剤
（特開平７−７００３０号公報）を提案した。また、ス
コットらも、同様の構造を有するアミド誘導体を含有す
る化粧品組成物を提案している（特開平４−２２５９０
７号及び特開平４−３４２５５３号公報）。

【００１０】これらのアミド誘導体は、角層に作用して
本質的に皮膚のバリアー機能を改善する効果を有するも
のであるが、皮膚外用剤に配合する場合には、基剤に対
する溶解性等の配合性及び配合安定性の点で必ずしも満
足し得るものではなかった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、皮膚に適用することにより、角層のバリアー機能を
本質的に改善（維持・補強）し、かつ皮膚外用剤に配合
する場合に、肌荒れや炎症を予防・治療し、更には皮膚
の老化を予防することができ、かつ低融点化、低結晶性
化又は基剤に対する溶解性の向上等の改善により、配合
性や配合安定性等が向上したアミド誘導体及びこれを含
有する皮膚外用剤を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】斯かる実情に鑑み本発明
者らは鋭意研究を行った結果、下記一般式（１）で表わ
される新規アミド誘導体及びこれを含有する外用剤組成
物が上記目的を達成することを見出し、本発明を完成し
た。

【００１３】すなわち本発明は、次の一般式（１）

【００１４】

【化８】

【００１５】（式中、Ｒ¹ は炭素数１〜４０の直鎖又は
分岐鎖の炭化水素基を示し、Ｒ² は炭素数１〜６の直鎖
又は分岐鎖のアルキレン基を示し、Ｒ³ は水素原子、ヒ
ドロキシル基、又はヒドロキシル基が置換していてもよ
い炭素数１〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基
を示し、Ｒ⁴ は炭素数１〜３９の直鎖又は分岐鎖の二価
の炭化水素基を示し、

【００１６】

【化９】

【００１７】（ここで、Ｒ⁶ は水素原子又は炭素数１〜
６の炭化水素基を示し、Ｒ⁷ は酸素原子を含有していて
もよい炭素数１〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ
炭化水素基を示し、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は同一又は異なって、
水素原子、又は酸素原子を含有していてもよい炭素数１
〜４０の直鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基
を示すか、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ が一緒になって酸素原子を含有
していてもよい炭素数１〜４０の二価の炭化水素基を形
成してもよく、Ｒ¹⁰はカルボニル基、メチレン基又は単
結合を示し、Ｒ¹¹は酸素原子を含有していてもよい炭素
数１〜４０の直鎖、分岐鎖、若しくは環構造を持つ炭化
水素基又は水素原子を示し、Ｒ¹⁰が単結合のときはＲ¹¹
は水素原子である） ただし、Ｒ⁵ が

【００１８】

【化１０】

【００１９】で表わされるアミド誘導体を提供するもの
である。また、本発明は当該アミド誘導体を含有する外
用剤組成物を提供するものである。

【００２０】本発明のアミド誘導体は、角層のバリアー
機能を本質的に改善（維持・補強）する効果を有し、か
つ外用剤組成物に配合する場合に、融点や結晶性が低
く、基剤に対する溶解性や安定性が良好で、基剤に安定
・容易に配合可能である。従って、本発明のアミド誘導
体を含有する外用剤組成物は、皮膚に適用することによ
り、角層のバリアー機能を本質的に改善し、皮膚炎症や
肌荒れ等の改善・予防効果が得られるものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明のアミド誘導体は、前記一
般式（１）で表わされるものであるが、式中Ｒ¹ で示さ
れる炭素数１〜４０の直鎖又は分岐鎖の炭化水素基は飽
和でも不飽和でもよく、具体的にはメチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デ
シル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシ
ル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサ
デシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ノ
ナデシル、ｎ−イコシル、ｎ−ヘニコシル、ｎ−ドコシ
ル、ｎ−トリコシル、ｎ−テトラコシル、ｎ−ペンタコ
シル、ｎ−ヘキサコシル、ｎ−ヘプタコシル、ｎ−オク
タコシル、ｎ−ノナコシル、ｎ−トリアコンチル、ｎ−
ヘントリアコンチル、ｎ−ドトリアコンチル、ｎ−トリ
トリアコンチル、ｎ−テトラトリアコンチル、ｎ−ペン
タトリアコンチル、ｎ−ヘキサトリアコンチル、ｎ−ヘ
プタトリアコンチル、ｎ−オクタトリアコンチル、ｎ−
ノナトリアコンチル、ｎ−テトラコンチル、エテニル、
プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、オク
テニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、トリデセ
ニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニ
ル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、
イコセニル、ヘニコセニル、トコセニル、トリコセニ
ル、テトラコセニル、ペンタコセニル、ヘキサコセニ
ル、ヘプタコセニル、オクタコセニル、ノナコセニル、
トリアコンテニル、ヘントリアコンテニル、ドトリアコ
ンテニル、トリトリアコンテニル、テトラトリアコンテ
ニル、ペンタトリアコンテニル、ヘキサトリアコンテニ
ル、ヘプタトリアコンテニル、オクタトリアコンテニ
ル、ノナトリアコンテニル、テトラコンテニル、イソス
テアリル、２−エチルヘキシル、２−ヘプチルウンデシ
ル、９，１２−オクタデカジエニル基等が挙げられる。

【００２２】Ｒ¹ としては、このうち炭素数１〜２６の
直鎖又は分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数４〜２
６の直鎖又は分岐鎖の炭化水素基が更に好ましく；炭素
数４〜２２の直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水素基が特に好
ましく；炭素数４〜１８の直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水
素基が殊更好ましく；具体的にはブチル、ヘキシル、オ
クチル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、メチル分岐イソステアリル及びドコ
サニル基等がより殊更好ましい。なお、ここで、Ｒ¹ と
してメチル分岐イソステアリル基を用いる場合、ダイマ
ー酸製造時の副生物であるイソステアリン酸を還元して
製造されるイソステアリルアルコール由来のイソステア
リル基を用いるのが好ましい。

【００２３】Ｒ² で示される炭素数１〜６の直鎖又は分
岐鎖のアルキレン基としては、メチレン、エチレン、ト
リメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサ
メチレン、１−メチルエチレン、１−メチルトリメチレ
ン、２−メチルトリメチレン、１，１−ジメチルエチレ
ン、１−エチルエチレン、１−メチルテトラメチレン、
２−エチルトリメチレン基等が挙げられる。Ｒ² として
は、このうち炭素数１〜６の直鎖のアルキレン基が好ま
しく；メチレン、エチレン及びトリメチレン基が特に好
ましい。

【００２４】また、Ｒ³ は水素原子、ヒドロキシル基、
又はヒドロキシル基を有していてもよい炭素数１〜１２
の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基を示し、該アルコ
キシ基の具体例としては、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デ
シルオキシ、１−メチルエトキシ、２−エチルヘキシル
オキシ、２−ヒドロキシエチルオキシ、２，３−ジヒド
ロキシプロピルオキシ基等が挙げられる。このうち、Ｒ
³ としては、水素原子、水酸基、炭素数１〜８のアルコ
キシ基、２−ヒドロキシエチルオキシ基、及び２，３−
ジヒドロキシプロピルオキシ基が好ましく；水素原子、
ヒドロキシル基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、１−
メチルエトキシ、２−エチルヘキシルオキシ、２−ヒド
ロキシエチルオキシ、２，３−ジヒドロキシプロピルオ
キシ基が特に好ましい。

【００２５】Ｒ⁴ の炭素数１〜３９の直鎖又は分岐鎖の
二価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、ジメ
チレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタ
メチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ノ
ナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、
ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメ
チレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン
基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノ
ナデカメチレン基、イコサメチレン基、ヘニコサメチレ
ン基、ドコサメチレン基、トリコサメチレン基、テトラ
コサメチレン基、ペンタコサメチレン基、ヘキサコサメ
チレン基、ヘプタコサメチレン基、オクタコサメチレン
基、ノナコサメチレン基、ヘプタデカン−１，１１−ジ
イル基、８−ヘプタデセン−１，１１−ジイル基等が挙
げられる。このうちＲ⁴ としては、直鎖かつ飽和の二価
の炭化水素基が好ましく、特にその炭素数が５〜３１の
もの、具体的には、ノナメチレン基、デカメチレン基、
ウンデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデ
カメチレン基、ヘントリアコンタメチレン基が特に好ま
しい。

【００２６】

【化１１】

【００２７】ここでＲ⁶ は水素原子又は炭素数１〜６の
炭化水素基を示すが、この炭化水素基の具体例として
は、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐鎖のプロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル基、ビニル基、アリル基、
ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基が挙げられ
る。Ｒ⁶ としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁷ で示され
る酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４０の直
鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基としては、ヒド
ロキシ基（−ＯＨ）、エーテル結合（−Ｏ−）、ケトン
（−Ｃ（＝Ｏ）−）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）及
びカルボキレート結合（−ＣＯＯ−）の１種又は２種以
上を有していてもよい炭化水素基が挙げられる。具体例
としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル
基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシ
ル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−
ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基、ｎ−ヘニコ
シル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テト
ラコシル基、ｎ−ペンタコシル基、ｎ−ヘキサコシル
基、ｎ−ヘプタコシル基、ｎ−オクタコシル基、ｎ−ノ
ナコシル基、ｎ−トリアコンチル基、ｎ−ヘントリアコ
ンチル基、ｎ−ドトリアコンチル基、ｎ−トリトリアコ
ンチル基、ｎ−テトラトリアコンチル基、ｎ−ペンタト
リアコンチル基、ｎ−ヘキサトリアコンチル基、ｎ−ヘ
プタトリアコンチル基、ｎ−オクタトリアコンチル基、
ｎ−ノナトリアコンチル基、ｎ−テトラコンチル基、３
−ヘプチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、８
−ヘプタデシル基、イソヘプタデシル基、メチル分岐イ
ソヘプタデシル基、１２−ペンタコシル基、シクロヘキ
シルエチル基、８−ヘプタデセニル基、８，１１−ヘプ
タデカジエニル基、８，１１，１４−ヘプタデカトリエ
ニル基、コレステリル基、８−ヒドロキシオクチル基、
１１−ヒドロキシウンデシル基、１４−ヒドロキシテト
ラデシル基、１５−ヒドロキシペンタデシル基、１１−
ヒドロキシヘプタデシル基、１１−ヒドロキシ−８−ヘ
プタデセニル基、８，９−ジヒドロキシヘプタデシル
基、１１，１２−ジヒドロキシ−８−ヘプタデセニル
基、１１−メトキシヘプタデシル基、１１−エトキシヘ
プタデシル基、１１−ベンジルオキシヘプタデシル基、
１１−メトキシ−８−ヘプタデセニル基、１１−エトキ
シ−８−ヘプタデセニル基、１１−ベンジルオキシ−８
−ヘプタデセニル基、９，１０−（イソプロピリデンジ
オキシ）デシル基、８，９−（イソプロピリデンジオキ
シ）ヘプタデシル基、８，９：１１，１２−ビス（イソ
プロピリデンジオキシ）ヘプタデシル基、８，９：１
１，１２：１４，１５−トリス（イソプロピリデンジオ
キシ）ヘプタデシル基、１１，１２−（イソプロピリデ
ンジオキシ）−８−ヘプタデセニル基、８−（６−ヒド
ロキシヘキシロキシ）オクチル基、８−〔２−（ヘキシ
ロキシ）エトキシ〕オクチル基、１０−〔２−（ヘキシ
ロキシ）エトキシ〕デシル基、１０−〔２−（ブトキ
シ）エトキシ〕デシル基、１４−〔２−（ヘキシロキ
シ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−〔２−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−
〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−
〔ポリオキシプロピレン（５）〕テトラデシル基、８−
〔６−（２−ヒドロキシエトキシ）ヘキシロキシ〕オク
チル基、１１−〔２−（２−ヒドロキシエトキシ）エト
キシカルボニル〕ウンデシル基、１１−〔２−（ヘキシ
ロキシ）エトキシカルボニル〕ウンデシル基、１１−ア
セトキシ−８−ヘプタデセニル基等の炭化水素基が挙げ
られる。このうち、Ｒ⁷ としては炭素数７〜２５の分岐
鎖又は環構造を有する飽和の炭化水素基又は次の式

【００２８】

【化１２】

【００２９】〔式中、Ｒ⁷′は二重結合、水酸基及びエ
ーテル結合から選ばれる１個又は２個以上を有する炭素
数６〜１５の炭化水素基を示し、ｎは７〜１５の整数を
示す〕で表わされる基が好ましく、特にメチル分岐イソ
ヘプタデシル基、８−ヘプタデシル基、８−ヘプタデセ
ニル基、８，１１−ヘプタデカジエニル基、８，１１，
１４−ヘプタデカトリエニル基、１１−ヒドロキシウン
デシル基、１４−ヒドロキシテトラデシル基、１５−ヒ
ドロキシペンタデシル基、１１−ヒドロキシヘプタデシ
ル基、１１−ヒドロキシ−８−ヘプタデセニル基、８，
９−ジヒドロキシヘプタデシル基、１１，１２−ジヒド
ロキシ−８−ヘプタデセニル基、１１−メトキシヘプタ
デシル基、１１−エトキシヘプタデシル基、１１−ベン
ジルオキシヘプタデシル基、１１−メトキシ−８−ヘプ
タデセニル基、１１−ベンジルオキシ−８−ヘプタデセ
ニル基、８，９−（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタ
デシル基、８，９：１１，１２−ビス（イソプロピリデ
ンジオキシ）ヘプタデシル基、８，９：１１，１２：１
４，１５−トリス（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタ
デシル基、１１，１２−（イソプロピリデンジオキシ）
−８−ヘプタデセニル基、８−（６−ヒドロキシヘキシ
ロキシ）オクチル基、８−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕オクチル基、１０−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕デシル基、１０−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕
デシル基、１４−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕テ
トラデシル基、１４−〔２−（２−ヒドロキシエトキ
シ）エトキシ〕テトラデシル基、８−〔６−（２−ヒド
ロキシエトキシ）ヘキシロキシ〕オクチル基、１４−
〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−
〔ポリオキシプロピレン（５）〕テトラデシル基等の基
が好ましい。なお、ここで、Ｒ⁷′としてメチル分岐イ
ソヘプタデシル基を用いる場合、ダイマー酸製造時の副
生物であるイソヘプタデシル酸を還元して製造されるイ
ソヘプタデシルアルコール由来のイソヘプタデシル基を
用いるのが好ましい。

【００３０】Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は同一又は異なって、水素原
子、又は酸素原子を含有してもよい炭素数１〜４０の直
鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基を示すか、
Ｒ⁸及びＲ⁹ が一緒になって酸素原子を含有していても
よい炭素数１〜４０の二価の炭化水素基を形成してもよ
いが、ここで、酸素原子を含有していてもよい炭素数１
〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基とし
ては、飽和でも不飽和でもよく、ヒドロキシル基、アル
コキシ基、ヒドロキシアルコキシ基、アルケニルオキシ
基、ヒドロキシアルケニルオキシ基、アラルキルオキシ
基、アルキリデンジオキシ基、ポリオキシアルキレン
基、アシル基、アシルオキシ基等が置換してもよい炭化
水素基が挙げられる。当該炭化水素基の具体例として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、テトラデ
シル、ヘキサデシル、オクタデシル、イコシル、ドトリ
アコンチル、イソステアリル、２−エチルヘキシル、９
−オクタデセニル、９，１２−オクタデカジエニル、
９，１２，１６−オクタデカトリエニル、コレステリ
ル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、
１１−ヒドロキシウンデシル、１２−ヒドロキシドデシ
ル、１５−ヒドロキシペンタデシル、１６−ヒドロキシ
ヘキサデシル、１２−ヒドロキシオクタデシル、１２−
ヒドロキシ−９−オクタデセニル、９，１０−ジヒドロ
キシオクタデシル、２−（２−ヒドロキシエトキシ）エ
チル、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピル、１
２−メトキシオクタデシル、１２−エトキシオクタデシ
ル、１２−ベンジロキシオタデシル、１２−メトキシ−
９−オクタデセニル、１２−ベンジロキシ−９−オクタ
デセニル、９，１０−（イソプロピリデンジオキシ）オ
クタデシル、１５−［ポリオキシプロピレン（５）］ペ
ンタデシル、９−（６−ヒドロキシヘキシロキシ）ノニ
ル、３−ヘキサデシロキシ−２−ヒドロキシプロピル、
シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、フ
ェニル、ベンジル基等が挙げられる。このうち、炭素数
１〜２１のものがより好ましい。

【００３１】一方、Ｒ⁸ とＲ⁹ が一緒になって形成する
酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４０の二価の
炭化水素基としては、飽和でも不飽和でもよく、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルコキシ基、ア
ルケニルオキシ基、ヒドロキシアルケニルオキシ基、ア
ラルキルオキシ基、アルキリデンジオキシ基、ポリオキ
シアルキレン基、アシル基、アジオキシ基等が置換して
いてもよい二価の炭化水素基が挙げられるが、アルキレ
ン基、アルケニレン基、アルキレン−Ｏ−アルキレン基
又はアルケニレン−Ｏ−アルケニレン基がより好まし
く、具体例としては、テトラメチレン、ペンタメチレ
ン、３−オキソペンタメチレン基等が挙げられる。この
うち、炭素数１〜８のものがより好ましい。

【００３２】Ｒ⁸ 又はＲ⁹ のより好ましい具体例として
は、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、
テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、メチル分
岐イソステアリル、２−エチルヘキシル、９−オクタデ
セニル、９，１２−オクタデカジエニル、９，１２，１
６−オクタデカトリエニル、２−ヒドロキシエチル、３
−ヒドロキシプロピル、１１−ヒドロキシウンデシル、
１２−ヒドロキシドデシル、１５−ヒドロキシペンタデ
シル、１６−ヒドロキシヘキサデシル、１２−ヒドロキ
シオクタデシル、１２−ヒドロキシ−９−オクタデセニ
ル、９，１０−ジヒドロキシオクタデシル、２−（２−
ヒドロキシエトキシ）エチル、２−メトキシエチル、３
−メトキシプロピル、１２−メトキシオクタデシル、１
２−エトキシオタデシル、１２−ベンジロキシオクタデ
シル、１２−メトキシ−９−オクタデセニル、１２−ベ
ンジロキシ−９−オクタデセニル、９，１０−（イソプ
ロピリデンジオキシ）オクタデシル、１５−［ポリオキ
シプロピレン（５）］ペンタデシル、９−（６−ヒドロ
キシヘキシロキシ）ノニル、３−ヘキサデシロキシ−２
−ヒドロキシプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチル、フェニル、ベンジル基が挙げられ
る。

【００３３】Ｒ¹⁰はカルボニル基、メチレン基又は単結
合であり、Ｒ¹⁰が単結合のときはＲ ¹¹は水素原子であ
る。Ｒ¹¹で示される酸素原子を含有していてもよい炭素
数１〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基
としては、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、エーテル結合（−
Ｏ−）、ケトン（−Ｃ（＝Ｏ）−）、カルボキシル基
（−ＣＯＯＨ）及びカルボキシレート結合（−ＣＯＯ
−）の１種又は２種以上を有していてもよい炭化水素基
が挙げられる。具体例としては、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノ
ニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシ
ル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペ
ンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル
基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコ
シル基、ｎ−ヘニコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリ
コシル基、ｎ−テトラコシル基、ｎ−ペンタコシル基、
ｎ−ヘキサコシル基、ｎ−ヘプタコシル基、ｎ−オクタ
コシル基、ｎ−ノナコシル基、ｎ−トリアコンチル基、
ｎ−ヘントリアコンチル基、ｎ−ドトリアコンチル基、
ｎ−トリトリアコンチル基、ｎ−テトラトリアコンチル
基、ｎ−ペンタトリアコンチル基、ｎ−ヘキサトリアコ
ンチル基、ｎ−ヘプタトリアコンチル基、ｎ−オクタト
リアコンチル基、ｎ−ノナトリアコンチル基、ｎ−テト
ラコンチル基、３−ヘプチル基、２，４，４−トリメチ
ルペンチル基、８−ヘプタデシル基、イソヘプタデシル
基、メチル分岐イソヘプタデシル基、１２−ペンタコシ
ル基、シクロヘキシルエチル基、８−ヘプタデセニル
基、８，１１−ヘプタデカジエニル基、８，１１，１４
−ヘプタデカトリエニル基、コレステリル基、８−ヒド
ロキシオクチル基、１１−ヒドロキシウンデシル基、１
４−ヒドロキシテトラデシル基、１５−ヒドロキシペン
タデシル基、１１−ヒドロキシヘプタデシル基、１１−
ヒドロキシ−８−ヘプタデセニル基、８，９−ジヒドロ
キシヘプタデシル基、１１，１２−ジヒドロキシ−８−
ヘプタデセニル基、１１−メトキシヘプタデシル基、１
１−エトキシヘプタデシル基、１１−ベンジルオキシヘ
プタデシル基、１１−メトキシ−８−ヘプタデセニル
基、１１−エトキシ−８−ヘプタデセニル基、１１−ベ
ンジルオキシ−８−ヘプタデセニル基、９，１０−（イ
ソプロピリデンジオキシ）デシル基、８，９−（イソプ
ロピリデンジオキシ）ヘプタデシル基、８，９：１１，
１２−ビス（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタデシル
基、８，９：１１，１２：１４，１５−トリス（イソプ
ロピリデンジオキシ）ヘプタデシル基、１１，１２−
（イソプロピリデンジオキシ）−８−ヘプタデセニル
基、８−（６−ヒドロキシヘキシロキシ）オクチル基、
８−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕オクチル基、１
０−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕デシル基、１０
−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕デシル基、１４−〔２
−（ヘキシロキシ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−
〔２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ〕テトラデ
シル基、１４−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テトラデ
シル基、１４−〔ポリオキシプロピレン（５）〕テトラ
デシル基、８−〔６−（２−ヒドロキシエトキシ）ヘキ
シロキシ〕オクチル基、１１−〔２−（２−ヒドロキシ
エトキシ）エトキシカルボニル〕ウンデシル基、１１−
〔２−（ヘキシロキシ）エトキシカルボニル〕ウンデシ
ル基、１１−アセトキシ−８−ヘプタデセニル基等の炭
化水素基が挙げられる。このうち、Ｒ¹¹としては炭素数
７〜２５の分岐鎖又は環構造を有する飽和の炭化水素基
又は次の式

【００３４】

【化１３】

【００３５】（式中、Ｒ¹¹′は二重結合、水酸基及びエ
ーテル結合から選ばれる１個又は２個以上を有する炭素
数６〜１５の炭化水素基を示し、ｍは７〜１５の整数を
示す）で表わされる基が好ましく、特にメチル分岐イソ
ヘプタデシル基、８−ヘプタデシル基、８−ヘプタデセ
ニル基、８，１１−ヘプタデカジエニル基、８，１１，
１４−ヘプタデカトリエニル基、１１−ヒドロキシウン
デシル基、１４−ヒドロキシテトラデシル基、１５−ヒ
ドロキシペンタデシル基、１１−ヒドロキシヘプタデシ
ル基、１１−ヒドロキシ−８−ヘプタデセニル基、８，
９−ジヒドロキシヘプタデシル基、１１，１２−ジヒド
ロキシ−８−ヘプタデセニル基、１１−メトキシヘプタ
デシル基、１１−エトキシヘプタデシル基、１１−ベン
ジルオキシヘプタデシル基、１１−メトキシ−８−ヘプ
タデセニル基、１１−ベンジルオキシ−８−ヘプタデセ
ニル基、８，９−（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタ
デシル基、８，９：１１，１２−ビス（イソプロピリデ
ンジオキシ）ヘプタデシル基、８，９：１１，１２：１
４，１５−トリス（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタ
デシル基、１１，１２−（イソプロピリデンジオキシ）
−８−ヘプタデセニル基、８−（６−ヒドロキシヘキシ
ロキシ）オクチル基、８−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕オクチル基、１０−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕デシル基、１０−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕
デシル基、１４−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕テ
トラデシル基、１４−〔２−（２−ヒドロキシエトキ
シ）エトキシ〕テトラデシル基、８−〔６−（２−ヒド
ロキシエトキシ）ヘキシロキシ〕オクチル基、１４−
〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−
〔ポリオキシプロピレン（５）〕テトラデシル基等の基
が好ましい。

【００３６】本発明のアミド誘導体において、最も好ま
しい化合物は、前記のＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、
Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹がそれぞれ上述
の特に好ましい範囲の基である場合を組合わせた化合物
である。

【００３７】本発明のアミド誘導体は、特に限定される
ものではないが、例えば下記の反応式で示す方法により
合成することができる。

【００３８】

【化１４】

【００３９】〔式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ は前記と同じものを示
し、Ｒ¹⁹及びＲ²⁰は水素原子又は低級アルキル基を示
す〕 すなわち、グリシジルエーテル（４）とアミン（５）と
を反応させてアミノアルコール誘導体（６）を得る。一
方アミノカルボン酸誘導体（７）とカルボン酸誘導体
（８）又は酸クロリド（９）とを反応させてアミドカル
ボン酸誘導体（１０）を得る。このようにして得られた
化合物（６）と化合物（１０）を脱水剤又は塩基触媒の
存在下で反応させれば目的とするアミド誘導体（１−
Ａ）を得ることができる。

【００４０】詳細には、次の如くして製造すればよい。
アミノアルコール誘導体（６）は、グリシジルエーテル
（４）とアミン（５）を、無溶媒で、あるいは水又はメ
タノール、エタノール、イソプロパノール等の低級アル
コール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶
媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中等において、室
温〜１５０℃で反応させることにより得ることができ
る。

【００４１】一方、アミドカルボン酸誘導体（１０）
は、アミノカルボン酸誘導体（７）とカルボン酸誘導体
（８）又は酸クロリド（９）とを無溶媒あるいはクロロ
ホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン等のハ
ロゲン化炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中
等において、ピリジン、トリエチルアミン等の第三級ア
ミン等の塩基又は酸又はジシクロヘキシルカルボジイミ
ド等の脱水剤の存在下、若しくはこれらの無存在下、反
応させることにより得ることができる。

【００４２】上記の如くして製造したアミノアルコール
誘導体（６）とアミドカルボン酸誘導体（１０）とをジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の存在下で反
応させるか、若しくは水酸化カリウム、水酸化ナトリウ
ム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のア
ルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金
属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸
塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコ
ラート等の塩基性触媒の存在下、常圧〜０．０１mmHgの
減圧下に室温〜１５０℃で反応させることにより、本発
明のアミド誘導体（１−Ａ）を製造することができる。
この際、塩基性触媒の使用量はアミノアルコール誘導体
（６）に対して０．０１〜０．２当量が好ましく、また
反応により生じるアルコールを系外に除去しながら行う
と、反応が速く進行するので好ましい。

【００４３】

【化１５】

【００４４】〔式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ 、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は前記
と同じものを示し、Ｒ²¹は水素原子又は低級アルキル基
を示す。〕 すなわち、アミン（１１）とジカルボン酸誘導体（１
２）とを脱水剤の存在下で反応させてカルボン酸誘導体
（１３）を得る（工程１）。前記の反応によって得られ
た化合物（６）と化合物（１３）を脱水剤又は塩基触媒
の存在下で反応させれば目的とするアミド誘導体（１−
Ｂ）を得ることができる（工程２）。

【００４５】各工程における反応は次の通りである。

【００４６】工程１） カルボン酸誘導体（１３）は、アミン（１１）とジカル
ボン酸誘導体（１２）とを無溶媒あるいはクロロホル
ム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル
系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中等
において、ピリジン、トリエチルアミン等の第三級アミ
ン等の塩基の存在下又は無存在下、ジシクロヘキシルカ
ルボジイミド等の脱水剤の存在下で反応させることによ
り得ることができる。

【００４７】工程２） 前記の如くして製造したアミノアルコール誘導体（６）
とカルボン酸誘導体（１３）とをジシクロヘキシルカル
ボジイミド等の脱水剤の存在下で反応させるか、又は水
酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸
化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化
物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシ
ウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブト
キシド等のアルカリ金属アルコラート等の塩基性触媒の
存在下、常圧〜０．０１mmHgの減圧下に室温〜１５０℃
で反応させることにより、本発明のアミド誘導体（１−
Ｂ）を製造することができる。この際、塩基性触媒の使
用量はアミノアルコール誘導体（６）に対して０．０１
〜０．２当量が好ましく、また反応により生じるアルコ
ールを系外に除去しながら行うと、反応が速く進行する
ので好ましい。

【００４８】また、アミン化合物（６）にジカルボン酸
ジ低級アルキルエステル（R²¹OCO-R ⁴-COOR²¹）を反応さ
せることにより、Ｒ⁸ がR³-R²-であり、Ｒ⁹ がR¹O-CH₂C
H(OH)CH₂-である化合物を製造することができる。この
反応は、通常のアミド化反応に従って行えばよい。

【００４９】

【化１６】

【００５０】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 及びＲ⁴ は前記
一般式（１）における場合と同じ意味を表わし、Ｒ²²は
炭素数１〜５のアルキル基を示す。）

【００５１】すなわち、前記のアミン誘導体（６）に対
して、塩基触媒の存在下でヒドロキシ脂肪酸低級アルキ
ルエステル（１４−Ｃ）又はヒドロキシ脂肪酸ラクトン
（１５）を作用させ、生成する低級アルコールを留去し
つつ反応させることによりアミド誘導体（１−Ｃ）を製
造することができる。

【００５２】

【化１７】

【００５３】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 及びＲ¹¹
は前記一般式（１）における場合と同じ意味を表わし、
Ｒ²²は炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｒ²³はメチル
基、フェニル基又はｐ−トルイル基を示し、Ｘは塩素原
子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）

【００５４】すなわち、ヒドロキシ脂肪酸（１４）若し
くはヒドロキシ脂肪酸エステル（１４−Ｃ）とアルキル
ハライド（１６）若しくはスルホン酸アルキルエステル
（１７）とを塩基の存在下で反応させることによりエー
テル化脂肪酸エステル（１４−Ｄ）を得、これとアミン
誘導体（６）とを塩基触媒存在下で作用させ、生成する
アルコールを留去しつつ反応させることにより、アミド
誘導体（１−Ｄ）を製造することができる。

【００５５】

【化１８】

【００５６】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ¹¹及
びＲ²²は前記と同じ）

【００５７】すなわち、ヒドロキシ脂肪酸エステル（１
４−Ｃ）と脂肪酸（１８）とを適当な脱水剤、〔例え
ば、

【００５８】

【化１９】

【００５９】の存在下に縮合させてアシル脂肪酸エステ
ル（１４−Ｅ）とし、又は、ヒドロキシ脂肪酸エステル
（１４−Ｃ）にカルボン酸クロリド（１９）を反応させ
てアシル脂肪酸エステル（１４−Ｅ）とし、これと前記
の方法で得られるアミン誘導体（６）とを塩基触媒存在
下で作用させ、生成するアルコールを留去しつつ反応さ
せることによりアミド誘導体（１−Ｅ）を製造すること
ができる。

【００６０】このようにして得られる本発明のアミド誘
導体（１）は、角層間の脂質膜に浸透し、角層のバリア
ー機能を改善（維持・補強）する効果を有するものであ
る。

【００６１】本発明のアミド誘導体（１）は、公知の方
法により精製することができる。アミド誘導体（１）を
外用剤組成物に配合する場合、純度１００％に精製した
精製物でも、特に精製を行わずに中間体や反応副生成物
を含んだ純度７０〜１００％の混合物でも、効果、性能
に優れ、かつ安全性にも問題がない。また本発明化合物
には水和物に代表わされる溶媒和物も含まれる。

【００６２】本発明の外用剤組成物は、通常外用剤に用
いられる基剤（担体）に本発明のアミド誘導体（１）を
含有させてなるもので、その使用形態は、薬用皮膚外用
剤及び化粧料に大別される。

【００６３】薬用皮膚外用剤としては、例えば、薬効成
分を含有する各種軟膏剤を挙げることができる。軟膏剤
としては、油性基剤をベースとするもの、水中油型又は
油中水型の乳化系基剤をベースとするもののいずれであ
ってもよい。油性基剤としては、特に制限はなく、例え
ば植物油、動物油、合成油、脂肪酸及び天然又は合成の
グリセライド等が挙げられる。薬効成分としては、特に
制限はなく、例えば鎮痛消炎剤、鎮痒剤、殺菌消毒剤、
収斂剤、皮膚軟化剤、ホルモン剤等を必要に応じて適宜
使用することができる。

【００６４】また、化粧料として使用する場合は、必須
成分である本発明のアミド誘導体（１）の他に、化粧料
成分として一般に使用されている油分、界面活性剤、保
湿剤、紫外線吸収剤、美白剤、アルコール類、キレート
剤、pH調整剤、防腐剤、増粘剤、色素類、香料等を任意
に組合せて配合することができる。

【００６５】化粧料としては、種々の形態、例えば、油
中水型又は水中油型の乳化化粧料、クリーム、化粧乳
液、化粧水、油性化粧料、口紅、ファンデーション、皮
膚洗浄剤、ヘアートニック、整髪料、ヘアリンス、ヘア
トリートメント、養毛剤、育毛剤等の化粧料とすること
ができる。

【００６６】本発明の皮膚外用剤におけるアミド誘導体
（１）の配合量は、特に制限されないが、通常、乳化型
の皮膚外用剤の場合には、全組成の０．００１〜５０重
量％（以下、単に％で示す）が好ましく、スクワラン等
の液状炭化水素を基剤とする油性の皮膚外用剤の場合に
は、全組成の０．０１〜５０％が好ましく、いずれの場
合も特に好ましくは０．５〜２０％である。

【００６７】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。

【００６８】実施例１ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【００６９】

【化２０】

【００７０】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ａ）の製造：

【００７１】

【化２１】

【００７２】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミ
ン（６−ａ）の製造：攪拌装置、滴下ロート、窒素導入
管及び蒸留装置を備えた２リットルフラスコに、３−メ
トキシプロピルアミン（５−ａ）７４３．２ｇ（８．３
４mol）及びエタノール１５０mlを仕込み、窒素雰囲気
下で８０℃に加熱攪拌しつつ、これにヘキサデシルグリ
シジルエーテル（４−ａ）１６５．９ｇ（０．５６mo
l）を３時間かけて滴下した。滴下終了後、更に８０℃
で２時間攪拌した後、エタノール及び過剰の３−メトキ
シプロピルアミンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、
白色固体の標記化合物（６−ａ）１９６．５ｇを得た
（収率９１％対ヘキサデシルグリシジルエーテル）。

【００７３】（２）９，１０：１２，１３−ビス（イソ
プロピリデンジオキシ）オクタデカン酸（８−ａ）の製
造：攪拌装置を備えた２リットルフラスコに、リノール
酸メチル１４７．２ｇ（０．５mol）、メタクロロ過安
息香酸２０３．２ｇ（１．１８mol）及びジクロロメタ
ン５００mlを仕込み、室温で１８時間攪拌を行った。反
応終了後、析出しているメタクロロ安息香酸を濾別し、
チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄後、溶媒を減圧留去
し、残渣をアルミナショートカラムクロマトグラフィー
で精製し、９，１０：１２，１３−ジエポキシオクタデ
カン酸メチルを得た。

【００７４】次に、攪拌装置及び滴下ロートを備えた２
リットルフラスコに、アセトン１１６２ｇ（２０mol）
及び三フッ化ホウ素・エーテル錯体３．５５ｇ（２５mm
ol）を仕込み、室温で攪拌しながら上記で得られた９，
１０：１２，１３−ジエポキシオクタデカン酸メチルを
３時間かけて滴下した。滴下終了後、更に１時間攪拌を
行って反応を完結させた。次いで、この反応混合物に重
炭酸ソーダを加えて中和後、溶媒を減圧留去し、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することに
より、９，１０：１２，１３−ビス（イソプロピリデン
ジオキシ）オクタデカン酸メチル２０１．２ｇを得た
（収率９１％）。

【００７５】次に、攪拌装置を備えた２リットルフラス
コに、上記で得られた９，１０：１２，１３−ビス（イ
ソプロピリデンジオキシ）オクタデカン酸メチル１４
１．６ｇ（０．３２mol）及びエタノール４００mlを仕
込み、ここに、水酸化カリウム３５．８ｇ（０．６４mo
l）を溶解した水４０ml及びエタノール４００mlからな
る溶液を加え、５０℃で１時間攪拌した。次いで、この
反応混合物を塩酸で中和し、クロロホルムで抽出後、溶
媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製することにより、標記化合物（８−ａ）１
３２．０ｇを得た（収率９６％）。

【００７６】（３）１２−アミノドデカン酸メチル（７
−ａ）の製造：攪拌装置を備えた３リットルフラスコ
に、１２−アミノドデカン酸２００．０ｇ（０．９３mo
l）、メタノール６００ｇ及び硫酸１００ｇ（１．０mo
l）を仕込み、６０℃で５時間攪拌した。反応混合物を
放冷後、塩化メチレンで希釈し、炭酸ナトリウム水溶液
で中和した。減圧下で溶媒を留去した後、アルミナショ
ートカラムクロマトグラフィーで精製することにより、
標記化合物（７−ａ）２０１．７ｇを得た（収率９５
％）。

【００７７】（４）１２−〔９，１０：１２，１３−ビ
ス（イソプロピリデンジオキシ）オクタデカノイルアミ
ノ〕ドデカン酸メチル（１０−ａ）の製造：攪拌装置を
備えた１リットルフラスコに、上記（２）で得た化合物
（８−ａ）３４．３ｇ（８０mmol）、上記（３）で得た
化合物（７−ａ）２２．９ｇ（１００mmol）、１−ヒド
ロキシベンゾトリアゾール１８．４ｇ（１２０mmol）及
びクロロホルム５００mlを仕込み、室温で攪拌しなが
ら、Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド３３．
０ｇを加え、更に２４時間室温で攪拌した。反応終了
後、析出している白色固体を濾別し、減圧濃縮した後に
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
ことにより、標記化合物（１０−ａ）３３．１ｇを得た
（収率６８％）。

【００７８】（５）アミド誘導体（１−ａ）の製造：攪
拌装置、滴下ロート及び蒸留装置を備えた１００mlフラ
スコに、上記（１）で得た化合物（６−ａ）１１．６ｇ
（３０mmol）及び上記（４）で得た化合物（１０−ａ）
２０．１ｇ（３３mmol）を仕込み、Ｎ₂雰囲気下８０℃
で攪拌しながらナトリウムメトキシド２８％メタノール
溶液０．５８ｇ（３mmol）を滴下した。滴下終了後、８
０℃で１時間攪拌し、更に減圧下（１０Torr）８０℃で
６時間攪拌し、反応を完結させた。反応混合物を冷却
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製するこ
とにより、目的のアミド誘導体（１−ａ）２５．６ｇを
得た（収率８８％）。

【００７９】得られたアミド誘導体（１−ａ）の物性は
次の通りである。 淡黄色固体 融点；46〜48℃ IR(KBr,cm^-1); 3350, 2940, 2880, 1615, 1540, 1465,
1380, 1215,1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-2.05
(m,82H),2.15(t,J=7.5Hz,2H), 2.38(t,J=7.5Hz,2H),3.1
5-4.20(m,18H), 3.33(s,3H), 5.35-5.50(m,1H)

【００８０】実施例２ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【００８１】

【化２２】

【００８２】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｂ）の製造：

【００８３】

【化２３】

【００８４】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−２−メトキシエチルアミン
（６−ｂ）の製造：実施例１の（１）において、３−メ
トキシプロピルアミン（５−ａ）の代わりに２−メトキ
シエチルアミン（５−ｂ）を用いる以外は、実施例１の
（１）と同様に製造を行い、標記化合物（６−ｂ）を得
た。

【００８５】（２）１２−リノレオイルアミノドデカン
酸メチル（１０−ｂ）の製造：攪拌装置、滴下ロート及
び窒素導入管を備えた１リットルフラスコに実施例１の
（３）で得た化合物（７−ａ）４５．９ｇ（２００mmo
l）、トリエチルアミン３０．４ｇ（３００mmol）及び
塩化メチレン３００ｇを仕込み、室温で攪拌しながら、
リノール酸クロリド（９−ｂ）６５．８ｇ（２２０mmo
l）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、更に室温で
１時間攪拌し、反応を完結させた。

【００８６】得られた反応混合物を飽和食塩水で洗浄
後、減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製することにより、標記化合物（１０−ｂ）
８８．３ｇを得た（収率９０％）。

【００８７】（３）アミド誘導体（１−ｂ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｂ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに上記（２）で得た化合物（１０
−ｂ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同様に製造
を行い、目的のアミド誘導体（１−ｂ）を得た。

【００８８】得られたアミド誘導体（１−ｂ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；56〜58℃ IR(KBr,cm^-1); 3320, 2925, 2860, 1640, 1615, 1545,
1470, 1210,1110, 1060, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.80-1.00(m,6H), 1.10-1.80(m,62
H),1.95-2.15(m,4H), 2.15(t,J=7.5Hz,2H),2.30-2.50
(m,2H), 2.70-2.90(m,2H), 3.15-4.05(m,17H),2.50-5.5
0(m,5H)

【００８９】実施例３ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【００９０】

【化２４】

【００９１】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｃ）の製造：

【００９２】

【化２５】

【００９３】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−（２−（２−ヒドロキシエ
トキシ）エチルアミン（６−ｃ）の製造：実施例１の
（１）において、化合物（５−ａ）の代わりに２−（２
−アミノエトキシ）エタノール（５−ｃ）を用いる以外
は、実施例１の（１）と同様に製造を行い標記化合物
（６−ｃ）を得た。

【００９４】（２）アミド誘導体（１−ｃ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｃ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例２の（２）で得た化合物
（１０−ｂ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同様
に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｃ）を得た。

【００９５】得られたアミド誘導体（１−ｃ）の物性は
次の通りである。 無色固体 融点；73〜74℃ IR(KBr,cm^-1); 3315, 2925, 2855, 1620, 1545, 1465,
1210, 1110,1060, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.80-1.00(m,6H), 1.10-1.75(m,62
H),1.95-2.25(m,4H), 2.15(t,J=7.6Hz,2H), 2.30-2.50
(m,2H),2.70-2.85(m,2H), 3.15-4.10(m,19H), 5.25-5.5
0(m,5H)

【００９６】実施例４ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【００９７】

【化２６】

【００９８】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｄ）の製造：

【００９９】

【化２７】

【０１００】（１）１２−メトキシ−９−オクタデセン
酸（８−ｄ）の製造：攪拌装置、滴下ロート及び冷却管
を備えた１リットルフラスコに、６０％水素化ナトリウ
ム２４ｇ（０．６mol）及びジメチルホルムアミド５０
０mlを仕込み、Ｎ₂雰囲気下４０℃で攪拌しながら、リ
シノール酸エチル１６３．３ｇ（０．５mol）のヨウ化
メチル１４２ｇ（１．０mol）溶液を１時間かけて滴下
し、滴下終了後、更に４０℃で６時間攪拌した。得られ
た反応混合物にヘキサンを加え、塩化アンモニウム水溶
液及びチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄後、減圧濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
することにより、１２−メトキシ−９−オクタデセン酸
エチル１５５．８ｇを得た（収率９２％）。

【０１０１】次に、攪拌装置を備えた１リットルフラス
コに、上記で得た１２−メトキシ−９−オクタデセン酸
エチル６８．１ｇ（０．２mol）、エタノール６００ml
及び５０％水酸化カリウム水溶液４５ｇを仕込み、５０
℃で４時間攪拌した。得られた反応混合物にヘキサンを
加え、３Ｎ塩酸で中和後、飽和食塩水で洗浄した。減圧
濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、標記化合物（８−ｄ）５８．３ｇ
を得た（収率９３％）。

【０１０２】（２）アミド誘導体（１−ｄ）の製造：実
施例１の（４）〜（５）において、化合物（８−ａ）の
代わりに上記（１）で得た化合物（８−ｄ）を用いる以
外は、実施例１の（４）〜（５）と同様に製造を行い、
目的のアミド誘導体（１−ｄ）を得た。

【０１０３】得られたアミド誘導体（１−ｄ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；56〜58℃ IR(KBr,cm^-1); 3310, 2900, 1610, 1545, 1470, 1110,
950, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-1.78
(m,66H) 1.83(t,J=6.0Hz,2H), 1.95-2.10(m,2H),2.15(t,J=7.6H
z,2H), 2.18-2.30(m,2H),2.36(t,J=7.5Hz,2H), 3.10-3.
60(m,14H), 3.33(s,3H),3.34(s,3H), 3.85-4.05(m,1H),
5.30-5.60(m,3H)

【０１０４】実施例５ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１０５】

【化２８】

【０１０６】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｅ）の製造：

【０１０７】

【化２９】

【０１０８】実施例１の（４）〜（５）において、化合
物（８−ａ）の代わりに実施例４の（１）で得た化合物
（８−ｄ）を用い、また化合物（６−ａ）の代わりに実
施例３の（１）で得た化合物（６−ｃ）を用いる以外
は、実施例１の（４）〜（５）と同様に製造を行い、目
的のアミド誘導体（１−ｅ）を得た。

【０１０９】得られたアミド誘導体（１−ｅ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；69〜70℃ IR(KBr,cm^-1); 3310, 2895, 2870, 1605, 1540, 1460,
1105, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.80-0.97(m,6H), 1.10-1.80(m,66
H),1.95-2.30(m,4H), 2.15(t,J=7.7Hz,2H),2.30-2.50
(m,2H), 3.10-4.15(m,20H), 3.34(s,3H),5.35-5.55(m,3
H)

【０１１０】実施例６ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１１１】

【化３０】

【０１１２】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｆ）の製造：

【０１１３】

【化３１】

【０１１４】攪拌装置及び水素導入管を備えた１リット
ルフラスコに、実施例４で製造した化合物（１−ｄ）
９．１ｇ（１０．３mmol）、５％パラジウムカーボン
１．５ｇ及びエタノール３７０mlを仕込み、水素雰囲気
下、室温で２２時間攪拌した。得られた反応混合物を濾
過し、濾液を減圧濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製することにより、目的のアミド誘
導体（１−ｆ）９．０６ｇを得た（収率９９％）。

【０１１５】得られたアミド誘導体（１−ｆ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；58〜60℃ IR(KBr,cm^-1); 3330, 2920, 1630, 1550, 1470, 1205,
1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.2Hz,6H), 1.05-1.80
(m,74H),1.83(t,J=5.9Hz,2H), 2.15(t,J=7.6Hz,2H),2.3
6(t,J=7.5Hz,2H), 3.05-3.60(m,14H), 3.31(s,3H),3.33
(s,3H), 3.85-4.00(m,1H), 5.35-5.50(m,1H)

【０１１６】実施例７ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１１７】

【化３２】

【０１１８】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｇ）の製造：

【０１１９】

【化３３】

【０１２０】（１）１２−ベンジルオキシ−９−オクタ
デセン酸（８−ｇ）の製造：実施例４の（１）におい
て、ヨウ化メチルの代わりに臭化ベンジルを用いる以外
は、実施例４の（１）と同様に製造を行い、標記化合物
（８−ｇ）を得た。

【０１２１】（２）アミド誘導体（１−ｇ）の製造：実
施例１の（４）〜（５）において、化合物（８−ａ）の
代わりに上記（１）で得た化合物（８−ｇ）を用いる以
外は、実施例１の（４）〜（５）と同様に製造を行い、
目的のアミド誘導体（１−ｇ）を得た。

【０１２２】得られたアミド誘導体（１−ｇ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；56〜58℃ IR(KBr,cm^-1); 3335, 2900, 1625, 1550, 1470, 1105,
720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-1.75
(m,66H),1.83(t,J=5.9Hz,2H), 1.95-2.10(m,2H),2.14
(t,J=7.6Hz,2H), 2.25-2.45(m,2H),2.37(t,J=7.6Hz,2
H), 3.15-3.60(m,14H),3.33(s,3H), 3.85-4.00(m,1H),
4.53(dd,J=11.7Hz,20.0Hz,2H), 5.30-5.55(m,3H),7.20-
7.45(m,5H)

【０１２３】実施例８ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１２４】

【化３４】

【０１２５】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｈ）の製造：

【０１２６】

【化３５】

【０１２７】実施例１の（４）〜（５）において、化合
物（８−ａ）の代わりに実施例７の（１）で得た化合物
（８−ｇ）を用い、また化合物（６−ａ）の代わりに実
施例３の（１）で得た化合物（６−ｃ）を用いる以外
は、実施例１の（４）〜（５）と同様に製造を行い、目
的のアミド誘導体（１−ｈ）を得た。

【０１２８】得られたアミド誘導体（１−ｈ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；70〜71℃ IR(KBr,cm^-1); 3330, 2900, 1630, 1615, 1545, 1470,
1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-1.80
(m,66H),1.95-2.15(m,2H), 2.14(t,J=7.6Hz,2H), 2.25-
2.40(m,2H),2.38(t,J=7.4Hz,2H), 3.15-3.85(m,18H),3.
85-4.20(m,2H), 4.53(dd,J=11.7Hz,19.9Hz,2H),5.27-5.
55(m,3H), 7.25-7.40(m,5H)

【０１２９】実施例９ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１３０】

【化３６】

【０１３１】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｉ）の製造：

【０１３２】

【化３７】

【０１３３】（１）１２−ベンジルオキシ−オクタデカ
ン酸（８−ｉ）の製造：実施例４の（１）において、リ
シノール酸エチルの代わりに１２−ヒドロキシオクタデ
カン酸メチルを用い、またヨウ化メチルの代わりに臭化
ベンジルを用いる以外は、実施例４の（１）と同様に製
造を行い、標記化合物（８−ｉ）を得た。

【０１３４】（２）アミド誘導体（１−ｉ）の製造：実
施例１の（４）〜（５）において、化合物（８−ａ）の
代わりに上記（１）で得た化合物（８−ｉ）を用いる以
外は、実施例１の（４）〜（５）と同様に製造を行い目
的のアミド誘導体（１−ｉ）を得た。

【０１３５】得られたアミド誘導体（１−ｉ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；59〜61℃ IR(KBr,cm^-1); 3320, 2900, 1615, 1545, 1470, 1110,
720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.5Hz,6H), 1.00-1.95
(m,76H),2.15(t,J=7.5Hz,2H), 2.36(t,J=7.5Hz,2H),3.1
5-3.60(m,14H), 3.33(s,3H), 3.85-4.00(m,1H),4.50(s,
2H), 5.35-5.50(m,1H), 7.20-7.45(m,5H)

【０１３６】実施例１０ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１３７】

【化３８】

【０１３８】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｊ）の製造：

【０１３９】

【化３９】

【０１４０】（１）メチル分岐イソステアロイルアミノ
ドデカン酸メチル（１０−ｊ）の製造：実施例２の
（２）において、リノール酸クロリド（９−ｂ）の代わ
りにメチル分岐イソステアリン酸クロリド（９−ｊ）を
用いる以外は、実施例２の（２）と同様に製造を行い標
記化合物（１０−ｊ）を得た。

【０１４１】（２）アミド誘導体（１−ｊ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（１０−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（１０−ｊ）を用いた以外
は、実施例１の（５）と同様に製造を行い、目的のアミ
ド誘導体（１−ｊ）を得た。

【０１４２】得られたアミド誘導体（１−ｊ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；60〜63℃ IR(KBr,cm^-1); 3415, 3330, 2940, 2860, 2330, 1645,
1615, 1550,1470, 1380, 1215, 1110, 1050, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-0.98(m,9H), 0.98-1.80(m,73
H),1.83(t,J=5.7Hz,2H), 2.15(t,J=7.6Hz,2H),2.37(t,J
=7.5Hz,2H), 3.15-3.60(m,13H), 3.33(s,3H),3.80-4.00
(m,1H), 5.35-5.50(m,1H)

【０１４３】実施例１１ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１４４】

【化４０】

【０１４５】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｋ）の製造：

【０１４６】

【化４１】

【０１４７】（１）Ｎ−（３−メチル分岐イソステアロ
キシ−２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ−エチルアミン
（６−ｋ）の製造：実施例１の（１）において、３−メ
トキシプロピルアミン（５−ａ）の代わりにエチルアミ
ン（５−ｋ）を用い、またヘキサデシルグリシジルエー
テル（４−ａ）の代わりにメチル分岐イソステアリルグ
リシジルエーテル（４−ｋ）を用いる以外は、実施例１
の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（６−ｋ）を
得た。

【０１４８】（２）アミド誘導体（１−ｋ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｋ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例１０の（１）で得た化合
物（１０−ｊ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｋ）を得
た。

【０１４９】得られたアミド誘導体（１−ｋ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；61〜64℃ IR(KBr,cm^-1); 3400, 2930, 2865, 1625, 1540, 1470,
1380, 1230,1210, 1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-1.00(m,12H), 1.00-1.85(m,77
H),2.15(t,J=7.6Hz,2H), 2.35(t,J=7.6Hz,2H),3.15-3.6
0(m,11H), 3.80-4.00(m,1H), 5.35-5.50(m,1H)

【０１５０】実施例１２ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１５１】

【化４２】

【０１５２】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｌ）の製造：

【０１５３】

【化４３】

【０１５４】（１）化合物（８−ｌ）〔前記反応式にお
ける一般式（８）において、Ｒ⁷ が下記に示すものであ
る化合物〕の合成：

【０１５５】

【化４４】

【０１５６】攪拌装置、滴下ロート及び冷却管を備えた
２００mlフラスコに、１５−ヒドロキシペンタデカン酸
イソプロピル１０．０ｇ（３３．９mmol）、ジメチルホ
ルムアミド２５ml及び６０％水素化ナトリウム０．４ｇ
（１０mmol）を仕込み、ここにプロピレンオキシド１
９．７ｇ（３３９mmol）を加えて、１００℃で１８時間
攪拌した。反応終了後、５０％水酸化ナトリウム水溶液
８ｇ及びエタノール８０mlを加え、６０℃で１時間攪拌
した。室温まで冷却後、反応混合物に水を加え、ヘキサ
ンで洗浄した。３Ｎ塩酸で酸性とした後、イソプロピル
エーテルで抽出し、減圧濃縮することにより、標記化合
物の粗精製物（８−ｌ）１７．０ｇを得た（粗収率９２
％）。

【０１５７】（２）１１−アミノウンデカン酸メチル
（７−ｌ）の製造：実施例１の（３）において、１２−
アミノドデカン酸の代わりに１１−アミノウンデカン酸
を用いる以外は実施例１の（３）と同様に製造を行い、
標記化合物（７−ｌ）を得た。

【０１５８】（３）アミド誘導体（１−ｌ）の製造：実
施例１の（４）〜（５）において、化合物（８−ａ）の
代わりに上記（１）で得た化合物（８−ｌ）を用い、ま
た化合物（７−ａ）の代わりに上記（２）で得た化合物
（７−ｌ）を用いた以外は、実施例１の（４）〜（５）
と同様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｌ）を
得た。

【０１５９】得られたアミド誘導体（１−ｌ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；47〜55℃ IR(KBr,cm^-1); 3330, 2920, 1620, 1540, 1465, 1110,
720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-1.00(m,3H), 1.00-1.85(m,約83
H),1.85-2.05(m,4H), 2.15(t,J=7.5Hz,2H),2.30-2.50
(m,2H), 3.10-4.40(m,約30H),5.45-5.65(m,1H)

【０１６０】実施例１３ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１６１】

【化４５】

【０１６２】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｍ）の製造：

【０１６３】

【化４６】

【０１６４】（１）オクタデカノイルアミノデカン酸メ
チル（１０−ｍ）の製造：実施例２の（２）において、
リノール酸クロリド（９−ｂ）の代わりにオクタデカン
酸クロリド（９−ｍ）を用いる以外は、実施例２の
（２）と同様に製造を行い標記化合物（１０−ｍ）を得
た。

【０１６５】（２）アミド誘導体（１−ｍ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（１０−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（１０−ｍ）を用いた以外
は、実施例１の（５）と同様に製造を行い目的のアミド
誘導体（１−ｍ）を得た。

【０１６６】得られたアミド誘導体（１−ｍ）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；63〜64℃ IR(KBr,cm^-1); 3335, 2925, 1650, 1620, 1550, 1470,
1215, 1010, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.05-1.75
(m,76H),1.83(t,J=5.8Hz,2H), 2.15(t,J=7.5Hz,2H),2.3
6(t,J=7.5Hz,2H), 3.15-3.60(m,13H),3.33(s,3H), 3.85
-4.00(m,1H), 5.30-5.60(m,1H)

【０１６７】実施例１４ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１６８】

【化４７】

【０１６９】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｎ）の製造：

【０１７０】

【化４８】

【０１７１】（１）Ｎ−（３−ブチロキシ−２−ヒドロ
キシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン（６
−ｎ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサデシ
ルグリシジルエーテル（４−ａ）の代わりにブチルグリ
シジルエーテル（４−ｎ）を用いる以外は、実施例１の
（１）と同様に製造を行い、標記化合物（６−ｎ）を得
た。

【０１７２】（２）アミド誘導体（１−ｎ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｎ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例１０の（１）で得た化合
物（１０−ｊ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｎ）を得
た。得られたアミド誘導体（１−ｎ）の物性は次の通り
である。

【０１７３】無色油状物 IR(NaCl,cm^-1 ); 3320, 2930, 2860, 1630, 1550, 146
0, 1380, 1220, 1120,750¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.70-0.95(m,9H), 1.10-1.71(m,49
H),1.72-1.94(m,2H), 2.12(t,J=7.6Hz,2H),2.33(t,J=7.
6Hz,2H), 3.14-3.60(m,13H), 3.79-4.00(m,1H),5.34-5.
56(m,1H)

【０１７４】実施例１５ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１７５】

【化４９】

【０１７６】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｏ）の製造：

【０１７７】

【化５０】

【０１７８】（１）Ｎ−（３−オクチロキシ−２−ヒド
ロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン
（６−ｏ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサ
デシルグリシジルエーテル（４−ａ）の代わりにオクチ
ルグリシジルエーテル（４−ｏ）を用いる以外は、実施
例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（６−
ｏ）を得た。

【０１７９】（２）アミド誘導体（１−ｏ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｏ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例１０の（１）で得た化合
物（１０−ｊ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｏ）を得
た。得られたアミド誘導体（１−ｏ）の物性は次の通り
である。

【０１８０】白色固体 IR(KBr,cm^-1); 3320, 2930, 2860, 1630, 1550, 1470,
1380, 1260, 1210,1120, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.72-0.99(m,9H), 0.99-1.95(m,57
H),1.83(t,J=7.6Hz,2H), 2.16(t,J=7.6Hz,2H),2.39(t,J
=7.6Hz,2H), 3.10-3.62(m,13H), 3.33(s,3H),3.82-4.02
(m,1H), 5.35-5.58(m,1H)

【０１８１】実施例１６ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１８２】

【化５１】

【０１８３】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｐ）の製造：

【０１８４】

【化５２】

【０１８５】（１）Ｎ−（３−ドデシロキシ−２−ヒド
ロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン
（６−ｐ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサ
デシルグリシジルエーテル（４−ａ）の代わりにドデシ
ルグリシジルエーテル（４−ｐ）を用いる以外は、実施
例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（６−
ｐ）を得た。

【０１８６】（２）アミド誘導体（１−ｐ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｐ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例１０の（１）で得た化合
物（１０−ｊ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｐ）を得
た。得られたアミド誘導体（１−ｐ）の物性は次の通り
である。

【０１８７】白色固体 IR(KBr,cm^-1); 3330, 2930, 1650, 1560, 1470, 1380,
1260, 1215, 1100,750¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.72-1.00(m,9H), 1.00-1.95(m,65
H),1.83(t,J=7.6Hz,2H), 2.16(t,J=7.6Hz,2H),2.38(t,J
=7.6Hz,2H), 3.10-3.58(m,13H), 3.33(s,3H),3.80-4.00
(m,1H), 5.35-5.60(m,1H)

【０１８８】実施例１７ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１８９】

【化５３】

【０１９０】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｑ）の製造：

【０１９１】

【化５４】

【０１９２】（１）Ｎ−（３−オクタデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミ
ン（６−ｑ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキ
サデシルグリシジルエーテル（４−ａ）の代わりにオク
タデシルグリシジルエーテル（４−ｑ）を用いる以外
は、実施例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物
（６−ｑ）を得た。

【０１９３】（２）アミド誘導体（１−ｑ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｑ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例１０の（１）で得た化合
物（１０−ｊ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｑ）を得
た。得られたアミド誘導体（１−ｑ）の物性は次の通り
である。

【０１９４】白色固体 融点；66.5〜69℃ IR(KBr,cm^-1); 3400, 2930, 2860, 1640, 1550, 1470,
1380, 1260, 1210,1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.72-0.98(m,9H), 1.05-1.80(m,77
H), 1.81-1.94(m,2H),2.13(t,J=7.6Hz,2H), 2.35(t,J=
7.6Hz,2H),3.15-3.60(m,13H), 3.40(s,3H), 3.79-4.00
(m,1H),5.35-5.52(m,1H)

【０１９５】実施例１８ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０１９６】

【化５５】

【０１９７】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｒ）の製造：

【０１９８】

【化５６】

【０１９９】（１）Ｎ−（３−メチル分岐イソステアリ
ロキシ−２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシ
プロピルアミン（６−ｒ）の製造：実施例１の（１）に
おいて、ヘキサデシルグリシジルエーテル（４−ａ）の
代わりにメチル分岐イソステアリルグリシジルエーテル
（４−ｋ）を用いる以外は、実施例１の（１）と同様に
製造を行い、標記化合物（６−ｒ）を得た。

【０２００】（２）アミド誘導体（１−ｒ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｒ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例１０の（１）で得た化合
物（１０−ｊ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｒ）を得
た。得られたアミド誘導体（１−ｒ）の物性は次の通り
である。

【０２０１】白色粘重固体 IR(KBr,cm^-1); 3320, 2930, 2860, 1640, 1550, 1470,
1380, 1220, 1110,750¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.70-1.00(m,12H), 1.02-1.82(m,74
H), 1.82-1.97(m,4H),2.14(t,J=7.6Hz,2H), 2.34(t,J=
7.6Hz,2H),3.14-3.60(m,13H), 3.38(s,3H), 3.80-4.00
(m,1H),5.34-5.50(m,1H)

【０２０２】実施例１９ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２０３】

【化５７】

【０２０４】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｓ）の製造：

【０２０５】

【化５８】

【０２０６】（１）Ｎ−（３−ドコサノロキシ−２−ヒ
ドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン
（６−ｓ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサ
デシルグリシジルエーテル（４−ａ）の代わりにドコサ
ニルグリシジルエーテル（４−ｓ）を用いる以外は、実
施例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（６−
ｓ）を得た。

【０２０７】（２）アミド誘導体（１−ｓ）の製造：実
施例１の（５）において、化合物（６−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（６−ｓ）を用い、また化合物
（１０−ａ）の代わりに実施例１０の（１）で得た化合
物（１０−ｊ）を用いた以外は、実施例１の（５）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｓ）を得
た。得られたアミド誘導体（１−ｓ）の物性は次の通り
である。

【０２０８】白色固体 融点；69.5〜71.0℃ IR(KBr,cm^-1); 3400, 2930, 2860, 1640, 1620, 1550,
1470, 1380, 1260,1210, 1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.71-1.00(m,9H), 1.02-1.80(m,85
H), 1.81-1.97(m,2H),2.15(t,J=7.6Hz,2H), 2.34(t,J=
7.6Hz,2H),3.14-3.60(m,13H), 3.38(s,3H), 3.78-4.00
(m,1H),5.34-5.52(m,1H)

【０２０９】実施例２０ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２１０】

【化５９】

【０２１１】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｔ）の製造：

【０２１２】

【化６０】

【０２１３】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−２−ヒドロキシエチルアミ
ン（６−ｔ）の製造：攪拌装置、滴下ロート、窒素導入
管及び蒸留装置を備えた２リットルフラスコに、２−ア
ミノエタノール（５−ａ）６１１ｇ（１０．０mol）及
びエタノール１２２ｇを仕込み、窒素雰囲気下で８０℃
に加熱攪拌しつつ、これにヘキサデシルグリシジルエー
テル（４−ａ）２４３ｇ（０．８２mol）を３時間かけ
て滴下した。滴下終了後、更に８０℃で２時間攪拌した
後、エタノール及び過剰の２−アミノエタノールを減圧
下に加熱留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製することにより、白色固体の標記化合物
（６−ｔ）２６２ｇを得た（収率９０％対ヘキサデシル
グリシジルエーテル）。

【０２１４】（２）ドデカン２酸モノメチル（１２−
ｔ）の製造：攪拌装置及び窒素導入管を備えた２リット
ルフラスコに、ドデカン２酸６９．１ｇ（０．３mo
l）、メタノール５００ml及び硫酸１．４７ｇ（０．０
１５mol）を仕込み、窒素雰囲気下で６０℃で２４時間
加熱攪拌した。このものを水１リットルで洗浄し、有機
層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去
した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、白色固体の標記化合物（１２−
ｔ）３６．３ｇを得た（収率５０％対ドデカン２酸）。

【０２１５】（３）１１−（Ｎ−（２−エチルヘキシ
ル）カルバモイル）ウンデカン酸メチル（１３−ｔ）の
製造：攪拌装置及び窒素導入管を備えた５００mlフラス
コに、ドデカン２酸モノメチル（１２−ｔ）４．４０ｇ
（１８mmol）、２−エチルヘキシルアミン（１１−ｔ）
２．３３ｇ（１８mmol）、１−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール３．０４ｇ（２２．５mmol）、ジシクロヘキシル
カルボジイミド４．６４ｇ（２２．５mmol）及びクロロ
ホルム１５０mlを仕込み、室温で２４時間攪拌した。生
じた沈殿をろ過して除き、溶媒を減圧下に留去した後、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
ことにより、白色固体の標記化合物（１３−ｔ）５．１
２ｇを得た（収率８０％対ドデカン２酸モノメチル（１
２−ｔ））。

【０２１６】（４）アミド誘導体（１−ｔ）の製造：攪
拌装置及び窒素導入管を備えた５０mlフラスコに、上記
（１）で得た化合物（６−ｔ）１．７２ｇ（４．８mmo
l）、上記（３）で得た化合物（１３−ｔ）１．４２ｇ
（４．０mmol）及び２８％ナトリウムメトキシド／メタ
ノール溶液０．０７７ｇ（０．４mmol）を仕込み、８０
℃／１０Torrで減圧下に１２時間加熱攪拌した。得られ
た粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製することにより、白色固体の標記化合物（１−ｔ）
２．９２ｇを得た（収率８０％対化合物（１３−
ｔ））。

【０２１７】得られたアミド誘導体（１−ｔ）の物性は
次の通りである。

【０２１８】白色固体 融点；６２〜６３℃ IR(NaCl,cm^-1)；3312, 2932, 2860, 1644, 1556, 1468,
1380, 1234, 1116,754¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.89(br t,J=6.4Hz,9H), 1.15-1.85
(m,55H),2.16(t,J=7.5Hz,2H), 2.40(t,J=7.5Hz,2H),3.1
6-4.10(m,13H), 5.48(br,1H)

【０２１９】実施例２１ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２２０】

【化６１】

【０２２１】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｕ）の製造：

【０２２２】

【化６２】

【０２２３】（１）ドデカン２酸ジメチルの製造：攪拌
装置及び窒素導入管を備えた２リットルフラスコに、ド
デカン２酸６９．１ｇ（０．３mol）、メタノール５０
０ml及び硫酸１．４７ｇ（０．０１５mol）を仕込み、
窒素雰囲気下で６０℃で２４時間加熱攪拌した。このも
のを水１リットルで洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、
白色固体の標記化合物２５．５ｇを得た（収率３３％対
ドデカン２酸）。

【０２２４】（２）アミド誘導体（１−ｕ）の製造：攪
拌装置及び窒素導入管を備えた５００mlフラスコに、上
記（１）で得たドデカン２酸ジメチル５．０２ｇ（１
９．４mmol）、化合物（６−ｔ）２１．０ｇ（５８．３
mmol）及び２８％ナトリウムメトキシド／メタノール溶
液０．７５ｇ（３．９mmol）を仕込み、８０℃／１０To
rrで減圧下に十二時間加熱攪拌した。得られた粗生成物
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すること
により、白色固体の標記化合物（１−ｕ）１２．２ｇを
得た（収率６９％対ドデカン２酸ジメチル）。

【０２２５】得られたアミド誘導体（１−ｕ）の物性は
次の通りである。

【０２２６】白色固体 融点；４９〜５０℃ IR(NaCl,cm^-1)；3396, 2928, 2856, 1624, 1470, 1424,
1366, 1212, 1118,754¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.88(t,J=6.3Hz,6H), 1.15-1.75(m,
76H),2.40(t,J=7.5Hz,4H), 3.23-4.13(m,22H)

【０２２７】実施例２２ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２２８】

【化６３】

【０２２９】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｖ）の製造：

【０２３０】

【化６４】

【０２３１】（１）９，１２−オクタデカジエニルアミ
ン（１１−ｖ）の製造：攪拌装置、滴下ロート及び窒素
導入管を備えた１リットルフラスコに、テトラヒドロフ
ラン５０ml及び水素化リチウムアルミニウム５．６９ｇ
（０．１５mol）を仕込み、窒素雰囲気下室温で攪拌し
つつ、これにリノール酸アミド１４．０ｇ（０．０５mo
l）を３０分間かけて滴下した。滴下終了後、更に６０
℃で１２時間攪拌した後、硫酸ナトリウム１０水和物１
６ｇ（０．０５mol）を投入して過剰の水素化リチウム
アルミニウムを分解した。系内の固形分をろ過して除
き、溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体
の標記化合物（１１−ｖ）９．０５ｇを得た（収率６８
％対リノール酸アミド）。

【０２３２】（２）１１−（Ｎ−（９，１２−オクタデ
カジエニル）カルバモイル）ウンデカン酸メチル（１３
−ｖ）の製造：実施例２０の（３）において、（１１−
ｔ）の代わりに上記（１）で得た化合物（１１−ｖ）を
用いた以外は、実施例２０の（３）と同様に製造を行
い、標記化合物（１３−ｖ）を得た。

【０２３３】（３）アミド誘導体（１−ｖ）の製造：実
施例２０の（４）において、化合物（１３−ｔ）の代わ
りに上記（２）で得た化合物（１３−ｖ）を用いた以外
は、実施例２０の（４）と同様に製造を行い、目的のア
ミド誘導体（１−ｖ）を得た。

【０２３４】得られたアミド誘導体（１−ｖ）の物性は
次の通りである。

【０２３５】白色固体 融点；８２〜８３℃ IR(NaCl,cm^-1)；3320, 2924, 2852, 1618, 1538, 1464,
1430, 1370, 1262,1106¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.85-0.91(m,6H), 1.15-1.70(m,62
H), 1.99-2.18(m,6H),2.39(t,J=7.5Hz,2H), 2.77(t,J=
5.7Hz,2H),3.18-4.20(m,15H), 5.22-5.44(m,5H)

【０２３６】実施例２３ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２３７】

【化６５】

【０２３８】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｗ）の製造：

【０２３９】

【化６６】

【０２４０】（１）１１−（Ｎ，Ｎ−ジオクタデシルカ
ルバモイル）ウンデカン酸メチル（１３−ｗ）の製造：
実施例２０の（３）において、（１１−ｔ）の代わりに
ジステアリルアミン（１１−ｗ）を用いた以外は、実施
例２０の（３）と同様に製造を行い、標記化合物（１３
−ｗ）を得た。

【０２４１】（２）アミド誘導体（１−ｗ）の製造：実
施例２０の（４）において、化合物（１３−ｗ）の代わ
りに上記（２）で得た化合物（１３−ｔ）を用いた以外
は、実施例２０の（４）と同様に製造を行い、目的のア
ミド誘導体（１−ｗ）を得た。

【０２４２】得られたアミド誘導体（１−ｗ）の物性は
次の通りである。

【０２４３】無色油状物 IR(NaCl,cm^-1)；3388, 2928, 2856, 1732, 1644, 1460,
1378, 1304, 1110,862, 752, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.88(t,J=6.1Hz,9H), 1.10-2.00(m,
108H),2.22(t,J=7.6Hz,2H), 2.39(t,J=7.5Hz,2H),3.15-
4.20(m,17H)

【０２４４】実施例２４ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２４５】

【化６７】

【０２４６】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｘ）の製造：

【０２４７】

【化６８】

【０２４８】（１）アミド誘導体（１−ｘ）の製造：実
施例２２の（３）において、化合物（１３−ｖ）の代わ
りに実施例２（１）で得た化合物（６−ｂ）を用いた以
外は、実施例２２の（３）と同様に製造を行い、目的の
アミド誘導体（１−ｘ）を得た。

【０２４９】得られたアミド誘導体（１−ｘ）の物性は
次の通りである。

【０２５０】白色固体 融点；５７〜５９℃ IR(NaCl,cm^-1)；3324, 2920, 2854, 1620, 1540, 1458,
1426, 1366, 1264,1102¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.86-0.89(m,6H), 1.10-1.70(m,62
H), 2.00-2.18(m,6H),2.39(t,J=7.5Hz,2H), 2.77(t,J=
5.7Hz,2H),3.18-4.24(m,17H), 5.26-5.42(m,5H)

【０２５１】実施例２５ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２５２】

【化６９】

【０２５３】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｙ）の製造：

【０２５４】

【化７０】

【０２５５】（１）イソステアリルアミン（１１−ｙ）
の製造：実施例２２の（１）において、リノール酸アミ
ドの代わりにイソステアリン酸アミドを用いる以外は、
実施例２２の（１）と同様に製造を行い、標記化合物
（１１−ｙ）を得た。

【０２５６】（２）１１−（Ｎ−イソステアリルカルバ
モイル）ウンデカン酸メチル（１３−ｙ）の製造：実施
例１３の（３）において、（１１−ｔ）の代わりに上記
（１）で得た化合物（１１−ｙ）を用いる以外は、実施
例１３の（３）と同様に製造を行い、標記化合物（１１
−ｙ）を得た。

【０２５７】（３）アミド誘導体（１−ｙ）の製造：実
施例２０の（４）において、化合物（６−ｔ）の代わり
に実施例１（１）で得た化合物（６−ａ）を、また化合
物（１３−ｔ）の代わりに上記（２）で得た化合物（１
３−ｙ）を用いた以外は、実施例２０の（４）と同様に
製造を行い、目的のアミド誘導体（１−ｙ）を得た。

【０２５８】得られたアミド誘導体（１−ｙ）の物性は
次の通りである。

【０２５９】白色固体 融点；６１〜６４℃ IR(NaCl,cm^-1)；3416, 3328, 2924, 2854, 1644, 1616,
1548, 1470, 1378,1214, 1112, 952, 722¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.82-0.91(m,9H), 1.05-1.76(m,74
H), 1.83(m,2H),2.15(t,J=7.6Hz,2H), 2.37(t,J=7.5Hz,
2H),3.18-3.59(m,16H), 3.90(m,1H), 5.41(br,1H)

【０２６０】実施例２６ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２６１】

【化７１】

【０２６２】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ｚ）の製造：

【０２６３】

【化７２】

【０２６４】（１）アミド誘導体（１−ｚ）の製造：実
施例２２の（３）において、化合物（６−ｔ）の代わり
に実施例３（１）で得た化合物（６−ｃ）を用いた以外
は、実施例２２の（３）と同様に製造を行い、目的のア
ミド誘導体（１−ｚ）を得た。

【０２６５】得られたアミド誘導体（１−ｚ）の物性は
次の通りである。

【０２６６】白色固体 融点；７８〜７９℃ IR(NaCl,cm^-1)；3322, 2926, 2854, 1620, 1540, 1468,
1434, 1368, 1264,1104¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.85-0.89(m,6H), 1.15-1.80(m,62
H), 2.00-2.18(m,6H),2.38(t,J=7.5Hz,2H), 2.77(t,J=
5.7Hz,2H),3.18-4.15(m,19H), 5.28-5.46(m,5H)

【０２６７】実施例２７ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２６８】

【化７３】

【０２６９】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−α）の製造：

【０２７０】

【化７４】

【０２７１】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−エチルアミン（６−α）の
製造：攪拌装置、滴下ロート、窒素導入管及び蒸留装置
を備えた２リットルフラスコに、７０％エチルアミン水
溶液５００ml（約６mol）を仕込み、室温、窒素雰囲気
下で攪拌しつつ、これにヘキサデシルグリシジルエーテ
ル１１９ｇ（０．４mol）をエタノール５００mlに溶か
した溶液を１時間かけて滴下した。滴下終了後、更に室
温で５時間攪拌した後、エタノール、水及び過剰のエチ
ルアミンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体
の標記化合物（６−α）１３３ｇを得た（収率９６％対
ヘキサデシルグリシジルエーテル）。

【０２７２】（２）１１−（４−モルホリンカルボニ
ル）ウンデカン酸メチル（１３−α）の製造：実施例２
０の（３）において、（１１−ｔ）の代わりにモルホリ
ン（１１−α）を用いる以外は、実施例２０の（３）と
同様に製造を行い、標記化合物（１３−α）を得た。

【０２７３】（３）アミド誘導体（１−α）の製造：実
施例２０の（４）において、化合物（１３−ｔ）の代わ
りに上記（２）で得た化合物（１３−α）を用いた以外
は、実施例２０の（４）と同様に製造を行い、目的のア
ミド誘導体（１−α）を得た。

【０２７４】得られたアミド誘導体（１−α）の物性は
次の通りである。

【０２７５】無色油状物 IR(NaCl,cm^-1)；2924, 2854, 1620, 1540, 1470, 1384,
1224, 1120, 768¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.88(t,J=6.3Hz,6H), 1.07-1.75(m,
47H),2.28-2.41(m,J=7.5Hz,4H), 3.29-4.10(m,18H)

【０２７６】実施例２８ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２７７】

【化７５】

【０２７８】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹¹で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−β）の製造：

【０２７９】

【化７６】

【０２８０】（１）アミド誘導体（１−β）の製造：攪
拌装置、滴下ロート及び蒸留装置を備えた１００mlフラ
スコに、実施例１（１）で得た化合物（６−ａ）１１．
６ｇ（３０mmol）及び１６−ヒドロキシヘキサデカン酸
メチル（１４−β）９．０ｇ（３３mmol）を仕込み、窒
素雰囲気下８０℃で攪拌しながらナトリウムメトキシド
２８％メタノール溶液０．５８ｇ（３mmol）を滴下し
た。滴下終了後、８０℃で１時間攪拌し、更に減圧下
（１０Torr）８０℃で１０時間攪拌し、反応を完結させ
た。反応混合物を冷却後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製することにより、目的のアミド誘導体
（１−β）１５．７ｇを得た（収率８３％）。

【０２８１】得られたアミド誘導体（１−β）の物性は
次の通りである。 白色固体 融点；64〜66℃ IR(KBr,cm^-1);3370, 3320, 2900, 1625, 1470, 1120, 1
060, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(t,J=8.8Hz,3H), 0.95-2.00(m,5
6H),2.30-2.50(m,2H), 3.25-4.20(m,14H),3.33(s,3H)

【０２８２】実施例２９ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２８３】

【化７７】

【０２８４】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹¹で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−γ）の製造：

【０２８５】

【化７８】

【０２８６】（１）１６−（９Ｚ，１２Ｚ−オクタデカ
ジエニロキシ）ヘキサデカン酸メチル（１４−γ）の製
造：攪拌装置、滴下ロート、温度計及び還流冷却器を備
えた３００ml４ツ口フラスコに、１６−ヒドロキシヘキ
サデカン酸２．７２ｇ（１０mmol）、無水テトラヒドロ
フラン５０ml、無水ヘキサメチルホスホリルトリアミド
５ml及び水素化ナトリウム０．２４ｇ（１０mmol）を入
れ、窒素気流下、室温で３０分間攪拌した。次いで、こ
の混合物を−７０℃まで冷却し、１．６Ｎブチルリチウ
ムヘキサン溶液６．２５ml（１０mmol）を加えた後、３
０分かけて室温まで加温し、ここで水素化ナトリウム
０．２４ｇ（１０mmol）を加えて更に３０分間室温で攪
拌した。次に、ここにｐ−トルエンスルホン酸９Ｚ，１
２Ｚ−オクタデカジエニルエステル（１７−γ）９．２
５ｇ（２２mmol）を滴下し、６５℃で１８時間加熱攪拌
し、次いでこの反応混合物に無水メタノール１５０mlを
加え、更に６５℃で１時間攪拌した。反応混合物を室温
まで冷却後、塩化アンモニウム水溶液で過剰のアルカリ
を中和し、トルエンで反応混合物を抽出し、溶媒を減圧
留去後、残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、標記化合物（１４−γ）０．７２
ｇを得た（収率１３．５％）。

【０２８７】（２）アミド誘導体（１−γ）の製造：実
施例２８の（２）において、化合物（１４−β）の代わ
りに上記（１）で得た化合物（１４−γ）を用いた以外
は、実施例２８の（１）と同様にして製造を行い、目的
のアミド誘導体（１−γ）を得た。

【０２８８】白色固体 融点；51〜52℃ IR(KBr,cm^-1);3300, 2910, 2850, 1615, 1465, 1100, 7
20¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.80-0.95(m,6H), 0.95-1.95(m,74
H),1.95-2.15(m,4H), 2.25-2.50(m,2H),2.65-2.90(m,2
H), 3.33(s,3H), 3.20-4.25(m,16H),5.20-5.45(m,4H)

【０２８９】実施例３０ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２９０】

【化７９】

【０２９１】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹¹で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−δ）の製造：

【０２９２】

【化８０】

【０２９３】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−（２−（２−ヒドロキシエ
トキシ）エチルアミン（６−δ）の製造：実施例２８の
（１）において、３−メトキシプロピルアミンの代わり
に２−（２−アミノエトキシ）エタノールを用いた以外
は、実施例２８の（１）と同様に製造を行い標記化合物
（６−δ）を得た。

【０２９４】（２）１６−（９Ｚ，１２Ｚ−オクタデカ
ジエノイルオキシ）ヘキサデカン酸メチル（１４−δ）
の製造：攪拌装置、滴下ロート及び温度計を備えた３０
０mlフラスコに、１６−ヒドロキシヘキサデカン酸メチ
ル４．３０ｇ（１５mmol）、リノール酸８．４１ｇ（１
３mmol）、トリフェニルホスフィン７．８７ｇ（３０mm
ol）及びテトラヒドロフラン１００mlを仕込み、室温で
攪拌下にアゾジカルボン酸ジエチル５．２２ｇ（３０mm
ol）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、更に室温で
４時間攪拌した後、溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリ
カゲルフラッシュクロマトグラフィーで精製することに
より、標記化合物（１４−δ）６．７６ｇを得た（収率
８２％）。

【０２９５】（３）アミド誘導体（１−δ）の製造：実
施例２８の（２）において、化合物（６−β）の代わり
に上記（１）で得た化合物（６−γ）を用い、また化合
物（１４−β）の代わりに上記（２）で得た化合物（１
４−γ）を用いた以外は、実施例２８の（２）と同様に
製造を行い、目的のアミド誘導体（１−δ）を得た。

【０２９６】白色固体 融点；48〜49℃ IR(KBr,cm^-1);3315, 2925, 2855, 1615, 1465, 1440, 1
215, 1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.80-1.00(m,6H), 1.00-1.75(m,70
H),1.95-2.50(m,8H), 2.65-2.80(m,2H),3.20-4.35(m,17
H), 4.05(t,J=6.6Hz,2H), 5.25-5.50(m,4H)

【０２９７】実施例３１ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０２９８】

【化８１】

【０２９９】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹¹で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ε）の製造：

【０３００】

【化８２】

【０３０１】（１）１６−（１２−メトキシ−９−オク
タデセノイルオキシ）ヘキサデカン酸メチルの製造：実
施例３０の（２）において、リノール酸の代わりに実施
例４（１）で得た化合物を用いた以外は、実施例３０の
（２）と同様に製造を行い、標記化合物を得た。

【０３０２】（２）アミド誘導体（１−ε）の製造：実
施例２８の（２）において、化合物（１４−β）の代わ
りに上記（１）で得た化合物を用いた以外は、実施例２
８の（２）と同様に製造を行い、目的のアミド誘導体
（１−ε）を得た。

【０３０３】白色固体 融点；48〜50℃ IR(KBr,cm^-1);3310, 2900, 2870, 1610, 1550, 1465, 1
105, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-1.95
(m,76H),1.95-2.10(m,2H), 2.10-2.55(m,6H),3.10-3.70
(m,12H), 3.33(s,3H), 3.34(s,3H),3.80-4.05(m,1H),
4.05(t,J=6.6Hz,2H),5.30-5.60(2H)

【０３０４】実施例３２ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０３０５】

【化８３】

【０３０６】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹¹で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ζ）の製造：

【０３０７】

【化８４】

【０３０８】攪拌装置及び水素導入管を備えた１リット
ルフラスコに、実施例４で製造した化合物（１−ε）１
０．２ｇ（１１．３mmol）、５％パラジウムカーボン
１．５ｇ及びエタノール３００mlを仕込み、水素雰囲気
下、室温で２６時間攪拌した。得られた反応混合物を濾
過し、濾液を減圧濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製することにより、目的のアミド誘
導体（１−ζ）９．３ｇを得た（収率９５％）。

【０３０９】白色固体 融点；52〜53℃ IR(KBr,cm^-1);3330, 2930, 1625, 1550, 1210, 1110, 7
20¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz), 1.10-1.95(m,8
4H),2.29(t,J=7.5Hz,2H), 7.39(t,J=7.5Hz,2H),3.00-3.
70(m,12H), 3.32(s,3H), 3.33(s,3H),3.80-4.00(m,1H),
4.05(t,J=6.6Hz,2H)

【０３１０】実施例３３ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０３１１】

【化８５】

【０３１２】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹¹で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ａａ）の製造：

【０３１３】

【化８６】

【０３１４】（１）（メチル分岐イソステアロイルイル
オキシ）ヘキサデカン酸メチルの製造：実施例３０の
（２）において、リノール酸の代わりにメチル分岐イソ
ステアリン酸を用いた以外は、実施例３０の（２）と同
様に製造を行い、標記化合物を得た。

【０３１５】（２）アミド誘導体（１−ａａ）の製造：
実施例２８の（２）において、化合物（１４−β）の代
わりに上記（１）で得た化合物を用いる以外は実施例２
８の（２）と同様に製造を行い、目的のアミド誘導体
（１−ａａ）を得た。

【０３１６】白色固体 融点；55〜57℃ IR(KBr,cm^-1);3335, 2930, 1630, 1550, 1465, 1110, 7
20¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-1.00(m,9H), 1.00-1.95(m,83
H),2.29(t,J=7.5Hz,2H), 2.40(t,J=7.5Hz,2H),3.15-4.0
0(m,12H), 3.33(s,3H),4.05(t,J=6.6Hz,2H)

【０３１７】実施例３４ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【０３１８】

【化８７】

【０３１９】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹¹で示される基が次に示
すものであるアミド誘導体（１−ａｂ）の製造：

【０３２０】

【化８８】

【０３２１】（１）アミド誘導体（１−ａｂ）の製造：
実施例２８の（１）において、化合物（６−ｖ）の代わ
りに実施例１１（１）で得た化合物を用い、また化合物
（１４−ｖ）の代わりに実施例３３の（１）で得た化合
物を用いた以外は、実施例２８の（２）と同様に製造を
行い、目的のアミド誘導体（１−ａｂ）を得た。

【０３２２】白色固体 融点；54〜57℃ IR(KBr,cm^-1);3380, 2930, 1625, 1550, 1470, 1380, 1
210, 1100, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-1.00(m,12H), 1.00-1.85(m,85
H),2.29(t,J=7.5Hz,2H), 2.40(t,J=7.5Hz),3.15-4.00
(m,10H), 4.05(t,J=6.6Hz,2H)

【０３２３】以上の実施例中に示した本発明のアミド誘
導体は、先に特開平２−３０６９５２号公報で提案した
一般式（２）で表わされる化合物及び特開平７−７００
３０号公報で提案した一般式（３）で表わされる化合物
に比べて、融点が低く、基剤に対する溶解性や安定性に
も優れ、皮膚外用剤に配合する場合に配合性及び配合安
定性に優れていた。

【０３２４】試験例１ 下記表１及び表２に示す本発明のアミド誘導体１０％及
びスクワラン９０％からなる本発明の外用剤組成物（本
発明品）をそれぞれ調製し、これらの外用剤について下
記の試験方法により経皮水分蒸散量及び経皮吸収量を測
定評価した。また、比較としてスクワランのみからなる
外用剤（比較品）についても同様の試験評価を行った。
その結果を下記表１及び表２に示す。

【０３２５】（試験方法）必須脂肪酸を含まない飼料の
みでウィスター（Wister）系雄性ラットを飼育し、必須
脂肪酸欠乏症の症状を有するラットを本試験に用いた。
これら必須脂肪酸欠乏症ラットの背部を丁寧に剃毛した
後、評価外用剤を１日１回３週間塗布した。なお、それ
ぞれの評価外用剤に対して１群５匹ずつを本試験に供し
た。３週間後、下記の項目について試験を行った。

【０３２６】（１）経皮水分蒸散量 温水で試験ラットの背部を洗浄後、１時間静置（室温２
３℃、湿度４５％）後、皮膚からの水分蒸散量をエバポ
リメーターにて測定した。バリアー機能が正常なラット
では、通常、経皮水分蒸散量の値は１０以下であるが、
必須脂肪酸欠乏症ラットでは、２０〜３０以上の高値を
示す。これは、角層のバリアー機能が低下しているため
に、経皮水分蒸散量が上昇したためと考えられている。
すなわち、経皮水分蒸散量の値が高い程角層のバリアー
機能が低下し、肌荒れを起こしていることを示してい
る。従って、この経皮水分蒸散量の値を測定することに
より、本発明品の外用剤としての効果を検討することが
できる。なお、測定値は平均値で示した。

【０３２７】（２）経皮吸収量 ３７℃の温水でラットの背部を洗浄後、背部皮膚を切取
り、経皮吸収用チャンバーに表皮側を上にして固定し
た。下部受器にはリン酸緩衝塩類溶液を満たし、表皮上
部には３７ＫＢｑの¹⁴Ｃ−サリチル酸を含むリン酸緩衝
塩類溶液１mlを加え静置した。２時間後、下部受器から
１mlのリン酸緩衝塩類溶液を抜取り、浸透してきた¹⁴Ｃ
−サリチル酸の放射活性量を測定することにより評価し
た。なお、正常なバリアー機能が維持されている健常ラ
ットでは本実験時間（２時間）では ¹⁴Ｃ−サリチル酸は
殆ど浸透しないが、バリアー機能障害を起こした必須脂
肪酸欠乏症ラットでは有意に¹⁴Ｃ−サリチル酸の浸透量
が増加する。測定値は、平均値で示した。

【０３２８】

【表１】

【０３２９】

【表２】

【０３３０】上記表１及び表２に示す結果から明らかな
通り、本発明のアミド誘導体を含有する本発明品はいず
れも、スクワランのみを含有する比較品に比べて経皮水
分蒸散量及び経皮吸収量を抑制する効果に優れるもので
ある。

【０３３１】

【発明の効果】本発明のアミド誘導体は、角層のバリア
ー機能を本質的に改善（維持・補強）する効果を有し、
かつ皮膚外用剤に配合する場合に、融点や結晶性が低
く、基剤に対する溶解性や安定性が良好で、基剤に安定
・容易に配合可能である。従って、本発明のアミド誘導
体を含有する本発明の皮膚外用剤は、皮膚に適用するこ
とにより、角層のバリアー機能を本質的に改善し、皮膚
炎症や肌荒れ等の改善・予防効果が期待できるものであ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 陽一 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 目黒 真一 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 次の一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜４０の直鎖又は分岐鎖の炭化
   水素基を示し、Ｒ² は炭素数１〜６の直鎖又は分岐鎖の
   アルキレン基を示し、Ｒ³ は水素原子、ヒドロキシル
   基、又はヒドロキシル基が置換していてもよい炭素数１
   〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基を示し、Ｒ
   ⁴ は炭素数１〜３９の直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素
   基を示し、 【化２】 （ここで、Ｒ⁶ は水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素
   基を示し、Ｒ⁷ は酸素原子を含有していてもよい炭素数
   １〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基を
   示し、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は同一又は異なって、水素原子、又
   は酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４０の直
   鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基を示すか、
   Ｒ⁸ 及びＲ⁹ が一緒になって酸素原子を含有していても
   よい炭素数１〜４０の二価の炭化水素基を形成してもよ
   く、Ｒ¹⁰はカルボニル基、メチレン基又は単結合を示
   し、Ｒ¹¹は酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４
   ０の直鎖、分岐鎖、若しくは環構造を持つ炭化水素基又
   は水素原子を示し、Ｒ¹⁰が単結合のときはＲ¹¹は水素原
   子である） ただし、Ｒ⁵ が 【化３】 で表わされるアミド誘導体。
2. 【請求項２】 Ｒ¹ が炭素数４〜２６の直鎖又は分岐鎖
   の炭化水素基であり；Ｒ² が炭素数１〜６の直鎖又は分
   岐鎖のアルキレン基であり；Ｒ³ が水素原子、ヒドロキ
   シル基、又はヒドロキシル基が置換していてもよい炭素
   数１〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基であ
   り；Ｒ⁴ が炭素数５〜３１の直鎖の飽和の二価の炭化水
   素基であり；Ｒ⁵ が 【化４】 （ここで、Ｒ⁶ が水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素
   基であり；Ｒ⁷ がヒドロキシ基、エーテル結合、ケト
   ン、カルボキシル基及びカルボキシレート結合から選ば
   れる１又は２以上を有していてもよい炭素数７〜２５の
   直鎖、分岐鎖又は環構造を有する炭化水素基であり；Ｒ
   ⁸ 及びＲ⁹ が同一又は異なって水素原子又はヒドロキシ
   基、エーテル結合、ケトン、カルボキシル基及びカルボ
   キシレート結合から選ばれる１又は２以上を有していて
   もよい炭素数７〜２５の直鎖、分岐鎖又は環構造を有す
   る炭化水素基であるか、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ が一緒になって炭
   素数１〜４０のアルキレン、アルケニレン、アルキレン
   −Ｏ−アルキレン又はアルケニレン−Ｏ−アルケニレン
   を形成してもよく、Ｒ¹⁰がカルボニル基、メチレン基又
   は単結合であり；Ｒ¹¹がヒドロキシ基、エーテル結合、
   ケトン、カルボキシル基及びカルボキシレート結合から
   選ばれる１又は２以上を有していてもよい炭素数７〜２
   ５の直鎖、分岐鎖又は環構造を有する炭化水素基又は水
   素原子であり、Ｒ ¹⁰が単結合のときはＲ¹¹は水素原子で
   ある）、ただし、Ｒ⁵ が 【化５】 のとき、Ｒ³ はヒドロキシル基ではないものである請求
   項１記載の化合物。
3. 【請求項３】 Ｒ¹ が炭素数４〜２２の直鎖又は分岐鎖
   の飽和炭化水素基である請求項１又は２記載の化合物。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項記載の化合
   物を含有することを特徴とする外用剤組成物。
5. 【請求項５】 医薬又は化粧料として使用するものであ
   る請求項４記載の組成物。