JPH09282700A - 情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学素子の光学ブロックへの固定位置がずれ
ても、光学ブロックを共通して使用できる光学ブロック
を有する情報記録再生装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ(1a,1b) から出射される光
の断面形状を整形する整形手段(31a,32a) と、整形され
た光を２分割する分割手段(31a,32a) と、２分割された
光の一方を集光する集光レンズ(13)と、集光された光を
受光する光検出素子(6) と、半導体レーザ(1a,1b) 、整
形手段(31a,32a) 、分割手段(31a,32a)、集光レンズ(1
3)、光検出素子(6) とを固定する光学ブロック(15)とを
有し、この光学ブロック(15)は集光レンズ(13)を固定す
る固定手段(16)を有し、この固定手段(16)は集光レンズ
(13)をその光軸と直交する方向における第１の位置およ
びそれとは異なる位置に位置決めするための第１の当接
面および第２の当接面を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報を記
録及び再生の少なくとも一方を行う情報記録再生装置に
関するものであり、特に、光学ヘッドにおける各光学素
子を配置する光学ブロックに関する。

【０００２】

【従来技術】記録媒体に光学的に情報を記録および再生
の少なくとも一方を行う光学ヘッドとしては、特開平５
−３４７０２９号公報（従来例１）に開示されたものが
ある。図９に、この特開平５−３４７０２９号公報に開
示された光学ヘッドを示す。以下、図９を参照して特開
平５−３４７０２９号公報に開示された光学ヘッドにつ
いて説明する。半導体レーザ１からの出射光の出射方向
にコリメートレンズ２を設け、コリメートレンズ２を透
過する光線の透過方向に偏光ビームスプリッタ３を設け
る。偏光ビームスプリッタ３は、第１の面３ａ、第２の
面３ｂ、第３の面３ｃを有している。第１の面３ａには
偏光膜が施されており、入射する光を分割する。第１の
面３ａで反射された光線の反射方向には、光検出素子６
が設けられている。第１の面３ａを透過した光線が入射
する第２の面３ｂで全反射された光線の反射方向には、
対物レンズ４が設けられている。対物レンズ４を透過し
た光線が記録媒体（光磁気記録媒体）５に照射され、こ
こで反射された光線が往路と同一の経路を辿り、第１の
面３ａに入射し、ここで反射された光線が入射する第３
の面３ｃは、第２の面３ｂを透過する光線と半導体レー
ザ１からの出射光の出射方向と平行になるように形成さ
れている。第３の面３ｃで反射された光線が透過する第
２の面３ｂの透過方向には、１／２波長板７、集光レン
ズ８、ビームスプリッタ９が設けられている。また、ビ
ームスプリッタ９を透過する光線の透過方向には、光検
出素子１０が、ビームスプリッタ９で反射された光線の
反射方向には光検出素子１１が設けられている。上記し
た半導体レーザ１、コリメートレンズ２、偏光ビームス
プリッタ３、光検出素子６、１／２波長板７、集光レン
ズ８、ビームスプリッタ９、光検出素子１０、１１は、
固定光学ブロックに固定されている。

【０００３】次に、以上のように構成された光学ヘッド
の作用を説明すると、半導体レーザ１から出射された出
射光はコリメートレンズ２により平行光とされ、偏光ビ
ームスプリッタ３の第１の面３ａに斜めに入射する。こ
の第１の面３ａに入射した光線は反射光と透過光とに分
離され、反射光は光検出素子６に入射して半導体レーザ
１の出力が検出される。一方、透過光は第１の面３ａを
透過することによりビーム整形され、第２の面３ｂに臨
界角以上の角度で入射し記録媒体５方向に全反射され
る。このようにして、全反射された光線は、対物レンズ
４を透過することにより、集束光となって光磁気記録媒
体５面にビームスポットが照射される。

【０００４】光磁気記録媒体５で反射された光線は、往
路と同一経路を辿り対物レンズ４を透過し偏光ビームス
プリッタ３の第２の面３ｂで反射され第１の面３ａに戻
る。第１の面３ａに入射した光線は、ここで反射され第
３の面３ｃに入射する。第３の面３ｃに入射した光線
は、ここで反射され第２の面３ｂを透過し、半導体レー
ザ１からの出射光と平行となって１／２波長板７に入射
する。１／２波長板７を透過した光線は集光レンズ８で
集光された後、ビームスプリッタ９に入射して２つの光
線に分けられる。分けられたそれぞれの光線は、光検出
素子１０、光検出素子１１でそれぞれ受光される。

【０００５】また、他の光学ヘッドとしては、図１０に
示す特公平６−１９８６４号公報（従来例２）に開示さ
れたものがある。以下、図１０を参照してその光学ヘッ
ドを説明する。１０１は記録再生用の光ビームを発生す
る半導体レーザ、１０２は半導体レーザ１０１から出射
する発散光束を平行光束に変換するコリメートレンズ、
１０５は情報記録媒体、１０３は情報記録媒体１０５か
らの反射光を分離するビームスプリッタであり、これは
入射する光のうち５０〜９０％の光を透過し、残りは反
射するというハーフプリズムとしての特性を有してい
る。１０６は上記半導体レーザ１の出射光強度を検知す
るための光検知器、１１３はビームスプリッタ１０３で
反射された半導体レーザ１０１からの出射光の一部を光
検知器１０６の受光面に集光するためのレンズ、１０４
は半導体レーザ１０１から出射しコリメートレンズ１０
２によって平行光束に変換されビームスプリッタ１０３
を透過した平行光束を情報記録媒体１０５上に集光する
ための対物レンズ、１０９は情報記録媒体１０５で反射
されビームスプリッタ１０３によって進行方向を曲げら
れた光束を、情報信号再生系１２０に導くとともに、一
部をサーボ信号検出系１３０に導くためのビームスプリ
ッタである。ここで情報信号再生系１２０は、情報記録
媒体１０５からの情報信号光における偏光面回転を強度
変化に変換する検光子１１２、情報信号光を電気信号に
変換するための光検知器１１０および検光子１１２によ
って強度変動信号に変換された情報信号光を信号検知用
光検知器１１０に導くためのレンズ１４から構成されて
いる。また、サーボ信号検出系１３０は、収束レンズ１
１５、非点収差型フォーカスセンサのための円筒レンズ
１１１６およびサーボ用の６分割光検知器１１１から構
成されている。

【０００６】以下、この光学ヘッドの情報信号再生動作
について説明する。半導体レーザ１０１から出射した発
散光束はコリメートレンズ１０２により平行光束とな
り、ビームスプリッタ１０３を経て対物レンズ１０４に
よって情報記録媒体１０５上に集光される。情報記録媒
体１０５中には磁気光学効果を有する磁性薄膜が塗布さ
れており、この磁性薄膜上には幅１μｍ程度の情報記録
ピットが記録されている。情報記録ピット内では垂直磁
化方向の向きがその回りとは反対方向に向いており、こ
の磁化方向の向きに応じて反射光の偏光方向が＋θｋ、
もしくは−θｋなる回転角だけ回転する。そして情報記
録媒体１０５からの反射光はビームスプリッタ１０３及
びビームスプリッタ１０９を通り、検光子１１２に導か
れる。情報記録媒体１０５中での偏光面の回転は検光子
１１２によって光強度の変化に変換され、光検知器１１
０によって電気信号に変換される。一方、照射光の一部
は、ビームスプリッタ１０３によって反射され、レンズ
１１３によって光検知器１０６上に集光される。このレ
ンズ１１３によって光を集光させて光検知器１０６上に
照射させることで、光検知器１０６を高帯域化し、高速
応答性を実現できる。光検知器１０６の出力は、半導体
レーザ１０１の出射光強度に比例しているので、この電
気出力を半導体レーザ１の駆動回路にフィードバックす
ることにより、情報記録媒体１０５への照射光出力が一
定に保たれる。

【０００７】以上、２件の先行技術により、図１１に示
す光学ヘッドが考えられる。即ち、図９に示す光学ヘッ
ドにおける偏光ビームスプリッタ３と光検出素子６との
間に集光レンズ１３を配置する光学ヘッドである。な
お、１５は固定光学ブロック、１６は可動光学ブロッ
ク、１４は可動光学ブロックに載置され、偏光ビームス
プリッタから出射される往路光を対物レンズ方向に光軸
を変更させる立ち上げミラーである。

【０００８】集光レンズ１３の固定光学ブロック１５へ
の固定については、図１２に示すように光学ブロックに
形成されたＶ溝形状の集光レンズ固定部１６に対し、集
光レンズ１３の半径方向については集光レンズ１３の外
形円筒部を固定部１６に当てつけて、また集光レンズ１
３の光軸方向については集光レンズ１３のレンズ面を調
整ピンに当てつけて位置を決めてから、接着固定され
る。

【０００９】また、偏光ビームスプリッタ３の光学ブロ
ック１５への固定については、偏光ビームスプリッタ３
の位置決め後、接着剤によって光学ブロック１５に直接
接着固定される。また、光検出素子６の光学ブロック１
５への固定については、光検出素子６をプリント基板１
９に固定し、そのプリント基板１９を光学ブロック１５
へねじ止めすることで固定される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザは、その各メーカーによって出射する光線の広が
る角度が異なっている。広がり角の異なる半導体レーザ
を使用した場合に、偏光ビームスプリッタ３から対物レ
ンズ４に向けて出射する光線の断面形状をほぼ同一にす
るためには、前記広がり角に合わせて、偏光ビームスプ
リッタ３の第１の面３ａでの入射角度を変えて整形比を
変更する必要がある。

【００１１】図１３には、整形比２．３の整形面を有す
る偏光ビームスプリッタ３１（細線の実線で図示）及び
該偏光ビームスプリッタ３１における光線の軌跡（細線
の一点鎖線で図示）と、整形比２．７５の整形面を有す
る偏光ビームスプリッタ３２（太線の実線で図示）及び
該偏光ビームスプリッタ３２における光線の軌跡（太線
の一点鎖線で図示）している。この図１３からわかるよ
うに、整形比を変えても偏光ビームスプリッタの形状を
調整することで、半導体レーザから入射する光線（ａ）
と、対物レンズ側に出射する光線（ｂ）と、１／２波長
板７側に出射する光線（ｃ）の光軸を揃えることができ
る。しかしながら、集光レンズ１３方向に向かう光線
（ｄ）は異なる経路をたどることになってしまう。つま
り、半導体レーザが変更し、その広がり角度が異なるこ
とにより、それに合わせて偏光ビームスプリッタの整形
面の整形比を変更した場合、光学ブロック１５内の光学
系のレイアウトは図１４（ａ）（ビームスプリッタ３１
を用いた場合），（ｂ）（ビームスプリッタ３２を用い
た場合）に示すようになり、偏光ビームスプリッタ３
１、３２、集光レンズ１３及び検出素子６の光学ブロッ
ク１５への固定位置がずれることになる。

【００１２】従って、半導体レーザを変更し、それによ
って半導体レーザから出射される光の広がり角度が変わ
った場合、光学系を固定する光学ブロックを変える必要
があり、共通して使用することができなくなってしま
う。本発明は、上記問題点に鑑み、光学系を構成する光
学素子の光学ブロックへの固定位置がずれても、光学ブ
ロックを共通して使用できる光学ブロックを有する情報
記録再生装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために、光を出射する半導体レーザと、前記半導
体レーザからの光の断面形状を整形する整形手段と、前
記整形手段によって整形された光を２つの光に分割する
分割手段と、前記分割手段によって分割された一方の光
を集光させる集光レンズと、前記集光手段によって集光
された光を受光する光検出素子と、前記半導体レーザ、
整形手段、分割手段、集光レンズ、光検出素子とを固定
する光学ブロックとを有する情報記録再生装置におい
て、前記光学ブロックは前記集光レンズを固定する固定
手段を有し、前記固定手段は、前記集光レンズを集光レ
ンズの光軸と直交する方向における第１の位置及びそれ
とは異なる位置に位置決めするための第１の当接面およ
び第２の当接面を設けた。

【００１４】前記固定手段の第１の当接面には、直接ま
たはレンズ枠を介して集光レンズが当接され、第１の位
置に集光レンズを位置決めし、第２の当接面には、直接
またはレンズ枠を介して集光レンズが当接され、第１の
位置とは異なる位置（例えば第２の位置）に集光レンズ
を位置決めする。また、集光レンズの位置決めすべき位
置が３箇所以上ある場合には、第１の当接面と集光レン
ズの間にスペーサを配置して、集光レンズを該スペーサ
に当接させて位置決めさせる。

【００１５】

【発明の実施の形態】

（第１実施形態）図１乃至図４に本発明の第１実施形態
を示す。図１（ａ）及び（ｂ）は、半導体レーザ１の広
がり角に合わせて偏光ビームスプリッタ３の整形比を変
更した場合における、偏光ビームスプリッタ３、集光レ
ンズ１３及び検出素子６の光学ブロックでの相互の位置
関係を示す図であり、図２（ａ）及び（ｂ）は、光学ブ
ロックの集光レンズ固定部における集光レンズの固定の
詳細を示す図である。図３は、光学ブロック１５に固定
される光検出素子を示す図であり、図４は、固定光学ブ
ロックへ取り付けられる偏光ビームスプリッタの位置調
整を表す図である。なお、光学系全体は図１４と同様で
あるので説明については省略する。

【００１６】図１において、図１（ａ）は整形比２．３
の整形面を有する偏光ビームスプリッタ３１を用いた際
の、固定光学ブロック（以下、単に光学ブロックと呼
ぶ）１５における偏光ビームスプリッタ３１、集光レン
ズ１３および光検出素子６の配置を示し、図１（ｂ）は
整形比２．７５の整形面を有する偏光ビームスプリッタ
３２を用いた際の、光学ブロック１５における偏光ビー
ムスプリッタ３２、集光レンズ１３及び光検出素子６の
配置を示している。

【００１７】光学ブロック１５の底面１５ａには、固定
しようとする偏光ビームスプリッタ（本実施形態では整
形比２．３の整形面を有する偏光ビームスプリッタ３１
と整形比２．７５の整形面を有する偏光ビームスプリッ
タ３２と）が固定されるべき位置の外側に、固定しよう
とする偏光ビームスプリッタの傾きや位置を調整するた
めの３つの孔１５ｂが形成されている。この３つの孔１
５ｂはそれぞれ、後述する調整治具の調整ピンよりも大
きく形成されており、かつ、その大きさは、上記２つの
偏光ビームスプリッタ３１，３２のそれぞれの固定位置
のずれ量に対応できるほどの大きさに形成されている。

【００１８】また、光学ブロック１５の底面１５ａに
は、コの字状の集光レンズ固定部１６が突設されている
（図１，２参照）。この集光レンズ固定部１６の２つの
側壁１６ａ，１６ｂはそれぞれ集光レンズ１３の外形円
筒部が当てつけられる箇所である。２つの側壁のうち一
方の側壁１６ａの位置は、その一方の側壁１６ａに集光
レンズ１３を当てつけたときに、偏光ビームスプリッタ
３１からの反射光の光軸が集光レンズ１３に入射するよ
うに位置づけられており、他方の側壁１６ｂの位置は、
その他方の側壁１６ｂに集光レンズ１３を当てつけたと
きに、偏光ビームスプリッタ３２からの反射光の光軸が
集光レンズ１３に入射するようにされている。この２つ
の側壁１６ａ，１６ｂは集光レンズ１３の光軸とほぼ直
交する面内での位置調整のために設けられているもので
ある。

【００１９】また、この集光レンズ固定部１６の２つの
側壁１６ａ，１６ｂの間の光学ブロック底面１５ａには
孔１５ｃが形成されている。この孔１５ｃは、集光レン
ズ１３の光軸方向における位置調整に用いられるもので
あり、後述するがこの孔１５ｃに位置決め調整ピンが挿
入される。光学ブロック１５の底面１５ａに対して垂直
方向に形成されている側面１５ｄには、光検出素子６を
保持するプリント基板１９をねじ止めするためのねじ孔
が形成されている（図示せず）。プリント基板１９に
は、光学ブロック１５のねじ孔に対応して長孔１９ａが
形成されている。この長孔１９ａは、プリント基板１９
上に保持された光検出素子６が、２つの整形面で反射さ
れる光軸の異なる２つの光のそれぞれに対し受光できる
ように位置調整ができる程度に延在して形成されている
（図３（ａ）参照）。

【００２０】次に、使用する半導体レーザによって、偏
光ビームスプリッタ３１を用いた場合の、偏光ビームス
プリッタ３１、集光レンズ１３及び光検出素子６の固定
について説明する。まず、偏光ビームスプリッタ３１の
固定について、図４を参照して説明する。偏光ビームス
プリッタ３１を光学ブロック１５に固定する際には、そ
れ専用の、つまり、偏光ビームスプリッタ３１用の調整
治具４１を用いる。調整治具４１は、一枚の基板４１ａ
とその基板から植設されている３本の調整ピン４１ｂか
ら構成されている。この調整治具４１の３本の調整ピン
４１ｂは、光学ブロック１５の底面１５ａに形成されて
いる３つの孔１５ｂにそれぞれ挿通され、偏光ビームス
プリッタ３１の側面が当てつけられる。調整治具４１に
よって偏光ビームスプリッタ３１の傾きおよび位置を調
整し、固定位置が決まったならば、接着剤で偏光ビーム
スプリッタ３１を光学ブロック１５に接着固定する。

【００２１】次に、集光レンズ１３の固定について、図
２（ａ）を参照して説明する。集光レンズ１３は、光学
ブロック１５に形成された集光レンズ固定部１６の図中
左側の側壁１６ａにその外形円筒部が当てつけられる。
そして、集光レンズ１３の外形円筒部と右側の側壁１６
ｂとの間に板ばね１７を湾曲させて挿入し、集光レンズ
１３を左側の側壁１６ａに付勢させる。

【００２２】この状態で集光レンズ１３の光軸方向の位
置調整を行う。光軸方向の位置調整については、集光レ
ンズ１３によって形成される光スポットが光検出素子６
の受光面上に位置するように、集光レンズ１３の位置を
調整する。集光レンズ固定部１６の２つの側壁の間で光
学ブロック１５の底面１５ａに形成された孔１５ｃから
２本の調整ピン４２を挿通させ、集光レンズ１３のレン
ズ面に調整ピン４２を当て付けて、集光レンズ１３の光
軸方向における位置を調整する。調整が完了したなら
ば、接着剤により集光レンズ１３を集光レンズ固定部１
６に接着固定する。

【００２３】つぎに、光検出素子６の固定について、図
３（ａ）および（ｂ）を参照して説明する。整形比２．
３の整形面３１ａで反射された光は集光レンズ１３によ
って集光され、図１（ａ）で図示されている通り、光学
ブロック１５の図中左側に光スポットを形成する。よっ
て、プリント基板１９は、光検出素子６の受光面上に該
光スポットを形成させるために光学ブロック１５の左側
に固定しなければならない（図３（ｂ）参照）。プリン
ト基板１９の長手方向に延在するように形成された長孔
１９ａの右側端部を、光学ブロック１５の側面１５ｄに
形成されたねじ孔に合わせてプリント基板１９を光学ブ
ロック１５にねじ止め固定する。

【００２４】上記したように、整形比２．３の整形面を
有する偏光ビームスプリッタ３１を用いた場合、偏光ビ
ームスプリッタ３１、集光レンズ１３及び光検出素子６
を光学ブロック１５に固定する。次に、同じ光学ブロッ
ク１５に対し、整形比２．７５の整形面を有する偏光ビ
ームスプリッタ３２を用いた場合の、偏光ビームスプリ
ッタ３２、集光レンズ１３及び光検出素子６の固定につ
いて説明する。

【００２５】まず、偏光ビームスプリッタ３２の固定に
ついて、図４を参照して説明する。偏光ビームスプリッ
タ３２を光学ブロック１５に固定する際には、偏光ビー
ムスプリッタ３２用の調整治具５１を用いる。調整治具
５１は、偏光ビームスプリッタ３１用の調整治具４１と
同様に、一枚の基板５１ａとその基板から植設されてい
る３本の調整ピン５１ｂから構成されている。ただし、
この３本の調整ピン５１ｂの互いの位置関係は、偏光ビ
ームスプリッタ３１用の調整治具４１とは当然異なって
いる。なお、偏光ビームスプリッタ３２の傾きおよび位
置の調整については、上述した場合と同様であるので説
明を省略する。

【００２６】次に、集光レンズ１３の固定について、図
２（ｂ）を参照して説明する。集光レンズ１３は、光学
ブロック１５に形成された集光レンズ固定部１６の図中
右側の側壁１６ｂにその外形円筒部が当てつけられる。
そして、集光レンズ１３の外形円筒部と左側の側壁１６
ａとの間に板ばね１７を湾曲させて挿入し、集光レンズ
１３を右側の側壁１６ｂに付勢させる。

【００２７】この状態で集光レンズ１３の光軸方向の位
置調整を行う。なお、光軸方向の位置調整については、
上述した場合と同様であるので説明を省略する。次に、
光検出素子６の固定について、図３（ａ）および（ｃ）
を参照して説明する。整形比２．７５の整形面３２ａで
反射された光は集光レンズ１３によって集光され、図１
（ｂ）で図示されている通り、光学ブロック１５の側面
１５ｄの図中右側に光スポットを形成する。よって、プ
リント基板１９は、光検出素子６の受光面上に該光スポ
ットを形成させるために光学ブロック１５の右側に固定
しなければならない（図３（ｃ）参照）。プリント基板
１９の長手方向に延在して形成された長孔１９ａの左側
端部を、光学ブロック１５の側面１５ｄに形成されたね
じ孔に合わせてプリント基板１９を光学ブロック１５に
ねじ止め固定する。

【００２８】上記したように、整形比２．７５の整形面
を有する偏光ビームスプリッタ３２を用いた場合、偏光
ビームスプリッタ３２、集光レンズ１３及び光検出素子
６を光学ブロック１５に固定する。以上説明した通り、
本実施の形態によれば、出射する広がり角の異なる２種
類の半導体レーザに合わせて、偏光ビームスプリッタに
形成された整形面の整形比を変更しても、共通の光学ブ
ロックを使用することができることから、用いる半導体
レーザの選択の幅が広がり、またコストダウンに貢献す
ることができる。 （第２実施形態）次に、本発明の第２実施形態を図５を
参照して説明する。なお、第１実施形態と説明が重複す
る部分については、その説明を省略する。

【００２９】本実施形態の光学ブロック２５は、半導体
レーザに合わせて整形比の異なる整形面を有する偏光ビ
ームスプリッタが３種類以上ある場合であっても、共有
化できるものである。以下、図５を参照してその構成を
説明する。図５は、集光レンズ固定部２６の変形例の詳
細を示す図である。

【００３０】集光レンズ固定部２６の２つの側壁２６
ａ，２６ｂは、最も小さい整形比と最も大きい整形比の
整形面によって反射される光に合わせて形成されてい
る。つまり、最も小さい整形比の整形面を有する偏光ビ
ームスプリッタを用いた場合には、集光レンズ１３を図
中左側の側壁２６ａにその外形円筒部を当て付けて接着
固定し、最も大きい整形比の整形面を有する偏光ビーム
スプリッタを用いた場合には、集光レンズ１３を図中右
側の側壁２６ｂにその外形円筒部を当て付けて接着固定
する。

【００３１】最も小さい整形比と最も大きい整形比との
間の整形比の整形面を有する偏光ビームスプリッタを用
いる場合には、それに合わせて厚みを決めたスペーサ２
１を図中左側の側壁２６ａに当て付けて接着固定し、そ
のスペーサ２１の表面（側面）に集光レンズ１３の外形
円筒部を当て付ける。そして、集光レンズ１３と右側の
側壁２６ｂとの間に、スポンジ状の部材２２を挿入する
ことにより、集光レンズ１３を固定する。

【００３２】以上説明した通り、本実施の形態によれ
ば、整形面の整形比がそれぞれ異なる偏光ビームスプリ
ッタを３種類用いても１つの光学ブロックで対応するこ
とができ、共通化することができる。また、用いる半導
体レーザの選択の幅がさらに広がる。なお、本実施の形
態では、３種類の異なる整形面を有する偏光ビームスプ
リッタに対応できる光学ブロックとして説明したが、厚
さの異なるスペーサを各種用いることによって、３種類
以上の異なる整形面を有する偏光ビームスプリッタに対
応することができる。 （第３実施形態）次に本発明の第３実施の形態について
図６を参照して説明する。

【００３３】本実施の形態では、Ｖ溝ではなく、集光レ
ンズ固定部３６ａをＷ溝とした。集光レンズ１３の固定
については第１の形態と同様であるので説明を省略す
る。本実施の形態においても、１つの光学ブロックで共
有化することができる。 （第４実施形態）次に本発明の第４実施の形態について
図７を参照して説明する。

【００３４】本実施の形態では、外形が円筒状の集光レ
ンズ１３を、外形が矩形状のレンズ枠４４に保持し、該
レンズ枠４４の側面を集光レンズ固定部４６の側壁４６
ａもしくは側壁４６ｂに当て付け、板ばね４７で付勢し
て固定するものである。集光レンズ固定部４６への固定
については、集光レンズ１３をレンズ枠４４を介して固
定することを除いて第１実施形態と同様であるので説明
を省略する。

【００３５】本実施の形態においても、１つの光学ブロ
ックで共有化することができる。なお、本実施形態で
は、外形が矩形状のレンズ枠としたが、外形が円筒状で
あってもよい。 （第５実施形態）次に本発明の第５実施の形態について
図８を参照して説明する。

【００３６】本実施の形態では、上記第４実施の形態と
同様に集光レンズ１３をレンズ枠５４に保持した状態で
光学ブロック５５（の底面５５ａ）に取り付けるが、本
実施の形態のレンズ枠５４は、集光レンズ固定部５６の
２つの側壁５６ａ，５６ｂの間に嵌合できる程度の長さ
を有し、集光レンズ１３を保持する部分（孔）５４ａは
一端側にのみ形成されている点で第４実施の形態とは異
なる。

【００３７】レンズ枠５４の集光レンズ保持部５４ａは
上述したように、レンズ枠５４の一端側のみに形成され
ているが、その保持部５４ａの位置は、集光レンズ固定
部５６の左側の側壁５６ａ側に保持部５４ａが位置する
ように固定した場合に（図８中の実線で示すように）、
そのレンズ枠５４に保持された集光レンズ１３に整形比
が小さい整形面からの反射光が入射され、かつ、そのレ
ンズ枠５４を反対にして（図８中の点線で示すよう
に）、右側の側壁側５６ｂに保持部５４ａが位置するよ
うに集光レンズ固定部５６に固定した場合に、そのレン
ズ枠５４に保持された集光レンズ１３に整形比が大きい
整形面からの反射光が入射されるように、その位置が決
められている。

【００３８】よって、整形比が小さい整形面を有する偏
光ビームスプリッタを用いた場合と、整形比が大きい整
形面を有する偏光ビームスプリッタを用いた場合とで
は、レンズ枠５４を反対にするか否かで対応できる。集
光レンズの光軸方向の位置調整については、上記各実施
の形態と同様であるので説明を省略する。

【００３９】なお、上記各実施形態において、集光レン
ズ固定部は、光学ブロックと一体成形によって設けても
よいし、集光レンズ固定部を別に製作してから光学ブロ
ックに接着固定してもよい。また、上記各実施形態にお
いて、分離光学系（可動光学ブロック１６と固定光学ブ
ロック１５とに分離）として説明されているが、本発明
はこれに限定されるわけではない。半導体レーザから偏
光ビームスプリッタ、対物レンズ、光検出素子までが一
つの光学ブロック上に載置された一体型の光学系の光学
ブロック上に集光レンズ固定部を設けてもよい。

【００４０】また、上記各実施形態においては、光磁気
記録媒体を対象にした光学系として説明したが、本発明
はこれに限定されるわけではない。相変化記録媒体、コ
ンパクトディスクなどの孔あけ型などの光記録媒体に対
する情報の再生および記録の少なくとも一方を行う情報
記録再生装置の光学系について適用することができる。

【００４１】また、上記各実施の形態では、偏光ビーム
スプリッタの第１面が、半導体レーザからの光を分割す
る分割手段と、半導体レーザからの光の断面形状を整形
する整形手段との両作用を兼ねているが、本発明はこの
ように両手段を兼用した面を有する偏光ビームスプリッ
タを用いる光学系のみに適用されるわけではなく、要は
整形比が異なる複数の整形面を用いる際の光学系につい
て適用されるのであって、上記両手段が兼用されている
か否かは問題ではない。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
広がり角の異なる光を射出する複数の半導体レーザを用
いることで、光学系のレイアウトに変更があっても、光
学ブロックを共有化することができるので、（１）用い
る半導体レーザの選択の幅が広がり、（２）光学ブロッ
クの製造コストを低く抑えることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明の第１実施形態の集光レンズ
固定部近傍の平面図である。

【図２】 図２は、第１実施形態の偏光ビームスプリッ
タ３１及び３２を用いた際のそれぞれの集光レンズ固定
部の側面図である。

【図３】 図３（ａ）は、光検出素子を保持するプリン
ト基板の平面図、図（ｂ）は、偏光ビームスプリッタ３
１を用いた際の光学ブロック１５に取り付けられたプリ
ント基板を示し、図（ｃ）は、偏光ビームスプリッタ３
２を用いた際の光学ブロック１５に取り付けられたプリ
ント基板を示す図である。

【図４】 図４は、偏光ビームスプリッタ３１および３
２の光学ブロック１５への取り付けの際の位置調整を示
す図である。

【図５】 図５は、本発明の第２実施の形態の集光レン
ズ固定部の側面図である。

【図６】 図６は、本発明の第３実施の形態の集光レン
ズ固定部の側面図である。

【図７】 図７は、本発明の第４実施の形態の集光レン
ズ固定部の側面図である。

【図８】 図８は、本発明の第５実施の形態の集光レン
ズ固定部の側面図である。

【図９】 図９は、従来例１の光学系を示す図である。

【図１０】 図１０は、従来例２の光学系を示す図であ
る。

【図１１】 図１１は、従来例３の光学系を示す図であ
る。

【図１２】 図１２は、従来の集光レンズ１３の固定を
示す平面図、および側面図である。

【図１３】 図１３は、偏光ビームスプリッタ３１およ
び３２を用いた際の光線の軌跡を示す図である。

【図１４】 図１４（ａ）は、偏光ビームスプリッタ３
１を用いた際の光学系を、図１４（ｂ）は、偏光ビーム
スプリッタ３２を用いた際の光学系を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザ ２ コリメートレンズ ３ 偏光ビームスプリッタ ４ 対物レンズ ５ 光磁気記録媒体 ６ 光検出素子 ７ １／４波長板 ８ 集光レンズ ９ ビームスプリッタ １０，１１ 光検出素子 １３ 集光レンズ １４ 立ち上げミラー １５ 固定光学ブロック １６ 集光レンズ固定部 １７ 板ばね １８ 可動光学ブロック １９ プリント基板 ２１ スペーサ ２２ スポンジ ２５ 固定光学ブロック ２６ 集光レンズ固定部 ３１，３２ 偏光ビームスプリッタ ３５ 固定光学ブロック ３６ 集光レンズ固定部 ４０ 集光レンズ用調整治具の調整ピン ４１ 偏光ビームスプリッタ３１用の調整治具 ４２ 集光レンズ用の調整治具の調整ピン ４４ レンズ枠 ４５ 固定光学ブロック ４６ 集光レンズ固定部 ４７ 板ばね ５１ 偏光ビームスプリッタ３２用の調整治具 ５３ 調整ピン ５４ レンズ枠 ５５ 固定光学ブロック ５６ 集光レンズ固定部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光を出射する半導体レーザと、 前記半導体レーザからの光の断面形状を整形する整形手
   段と、 前記整形手段によって整形された光を２つの光に分割す
   る分割手段と、 前記分割手段によって分割された一方の光を集光させる
   集光レンズと、 前記集光手段によって集光された光を受光する光検出素
   子と、 前記半導体レーザ、整形手段、分割手段、集光レンズ、
   光検出素子とを固定する光学ブロックとを有する情報記
   録再生装置において、 前記光学ブロックは、前記集光レンズを固定する固定手
   段を有し、 前記固定手段は、前記集光レンズを集光レンズの光軸と
   直交する方向における第１の位置及びそれとは異なる位
   置に位置決めするための第１の当接面および第２の当接
   面を設けたことを特徴とする情報記録再生装置。
2. 【請求項２】前記固定手段の第１および第２の当接面
   は、前記集光レンズのレンズ面ではない側面と当接し、
   前記レンズが前記第１の当接面に当接するときに前記第
   １の位置に、前記第２の当接面に当接するときに前記第
   １の位置とは異なる第２の位置に位置決めされることを
   特徴する請求項１記載の情報記録再生装置。
3. 【請求項３】前記固定手段の第１および第２の当接面
   は、前記集光レンズを保持するレンズ枠の側面と当接
   し、前記レンズが前記第１の当接面に当接するときに前
   記第１の位置に、前記第２の当接面に当接するときに前
   記第１の位置とは異なる第２の位置に位置決めされるこ
   とを特徴する請求項１記載の情報記録再生装置。