JPH09283396A

JPH09283396A - 周辺露光装置および周辺露光方法

Info

Publication number: JPH09283396A
Application number: JP8084937A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Kishikawa; 豊岸川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-04-08
Filing date: 1996-04-08
Publication date: 1997-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理基板のフォトレジストのパターニング
時にパターンくずれ現象を起こすことなく、被処理基板
の周縁部表裏のフォトレジストを完全に露光することが
できる周辺露光装置および周辺露光方法を提供する。【解決手段】周辺露光装置３の周辺露光部５０が露光
光源５１、照明調整器５２、平行光とする光学系５３、
シャッター５４、スリット板５５および集光ミラー５６
により構成された周辺露光装置５０により、被処理基板
の周縁部表裏のフォトレジストを露光する。【効果】半導体ウェハ周縁部のフォトレジスト起因の
ダスト発生低減ができて、半導体装置の製造歩留向上が
可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は周辺露光装置および
周辺露光方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】通常半導体集積回路や液晶表示装置のア
クティブマトリクスアレイ基板等の製造工程において
は、半導体ウェハやガラス基板等にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジストを露光、現像してフォトレジ
ストのパターンを形成し、このパターニングされたフォ
トレジストをマスクとして半導体ウェハやガラス基板等
の加工処理等が行われる。

【０００３】上述した半導体ウェハやガラス基板等への
フォトレジスト塗布は一般にはスピンコーティング法に
より行われる。このスピンコーティング法は、スピンナ
ーに設置された半導体ウェハ上にフォトレジストをに滴
下し、その後スピンナーを回転させ、その時の遠心力を
利用してフォトレジストを半導体ウェハ上に均一に塗布
する方法である。このスピンコーティング法によるフォ
トレジスト塗布の問題点は、半導体ウェハ周縁部のフォ
トレジスト膜厚が半導体ウェハの内側のフォトレジスト
膜厚より厚くなること、および半導体ウェハ周縁部の裏
側にフォトレジストが回り込んで塗布されることであ
る。前者のフォトレジストは、露光工程での適正露光条
件で半導体ウェハ周縁部のフォトレジストが露光不足と
なって、現像時に半導体ウェハ周縁部のフォトレジスト
が残存し、後者のフォトレジストは、露光工程で露光さ
れず、半導体ウェハ周縁部の裏面にフォトレジストが残
存するという現象が生じる。この半導体ウェハ周縁部に
フォトレジストを残存した状態の半導体ウェハが半導体
製造装置における位置決め部材や搬送系部材等と接触し
て、フォトレジストが剥がれて発塵し、半導体ウェハ上
のダストとなり、半導体集積回路の製造歩留を低下させ
るという問題が発生する。

【０００４】上述した問題の対策として、通常半導体ウ
ェハにフォトレジストを塗布後、スピンナー上の半導体
ウェハを回転させながら、半導体ウェハの周縁部にフォ
トレジスト除去液を吐出し、半導体ウェハの周縁部から
数ｍｍ内側までのフォトレジストを除去する、所謂エッ
ジリンス工程が行われる。しかし、このエッジリンス法
で半導体ウェハ周縁部のフォトレジストを除去する際、
エッジリンス液が飛散し、半導体ウェハ周縁部より内部
にあるフォトレジストを除去してしまうとか、半導体ウ
ェハの周縁部でオリエンテーションフラット部のフォト
レジストが除去できないという問題が生ずる。近年、上
記のエッジリンス工程での問題対策として、半導体ウェ
ハの周縁部のみを露光する、周辺露光装置による露光工
程を取り入れ、半導体ウェハの周縁部のフォトレジスト
を除去する方法が行われている。なお、この周辺露光装
置は自動化されたレジスト処理装置内に設置されている
場合と、自動化された露光装置内に設置されている場合
がある。

【０００５】周辺露光装置が通常の自動化された露光装
置内に設置されている場合の従来例を図３〜図６を参照
して説明する。まず、図３に示すように、通常の自動化
された露光装置１は、半導体ウェハを自動的に搬送する
ウエハ搬送部２と、半導体ウェハのオリエンテーション
フラットを一定方向に揃えるプリアライメント動作およ
び周辺露光動作を行う周辺露光装置３と、レチクル又は
フォトマスクのパターンと半導体ウェハ上のパターンと
をアライメントするアライメント動作および露光動作と
を行う露光部４等で概略構成されている。

【０００６】周辺露光装置３のプリアライメント動作
は、モータ等で回転する半導体ウェハ載置台、所謂ウエ
ハチャック部上に載置された半導体ウェハを回転させな
がらオリエンテーションフラット位置を探し、オリエン
テーションフラットを一定の方向に揃えるための平板に
半導体ウェハのオリエンテーションフラットを押しつけ
ることで、オリエンテーションフラットを一定の方向に
揃えるものである。プリアライメント動作後、周辺露光
装置３は周辺露光動作を行う。この周辺露光動作を行う
機構のみに注目した周辺露光装置３の概略構成は図４に
示すようなものである。

【０００７】次に図４を参照して周辺露光装置３の構造
と動作を説明する。周辺露光装置３はウエハ載置部１
０、位置検出部２０および周辺露光部３０等で概略構成
されている。

【０００８】ウエハ載置部１０は半導体ウェハ１１を載
置するスピンチャック１２と、このスピンチャック１２
を回転させるモータ１３と、このモータ１３を載置し、
スピンチャック１３の回転中心より周辺露光部３０の露
光光の照射位置の方向に移動（矢印Ａ）するステージ１
４により構成れている。

【０００９】位置検出部２０は半導体ウェハ１１上に塗
布されたフォトレジストを感光させない光を光学系によ
り平行光にし、この光を半導体ウェハ１１の周縁部付近
に照射するための光源２１と、光源１１からの光で、半
導体ウェハにより遮られない光を受光し、半導体ウェハ
の周縁部位置を検出できる、例えばラインセンサのよう
な受光素子２２と、受光素子２２からの信号とモータの
回転角度より、半導体ウェハ１１の周縁部のスピンチャ
ック１２の回転中心からの距離と角度の関係を求め、こ
の位置情報を記憶する位置検出装置２３と、ステージ１
４を駆動する駆動装置２４より構成されている。

【００１０】周辺露光部３０は、フォトレジストを感光
させる露光波長、例えば４３６ｎｍ（ｇ線）や３６５
（ｉ線）の光を光学系により平行光にし、この光で半導
体ウェハ１１の周縁部を露光するための露光光源３１
と、半導体ウェハ１１の周縁部の露光領域を設定するた
めのスリット板３２と、スリット板３２を通り、半導体
ウェハの周縁部外を通った露光光源３１からの光を反射
して、半導体ウェハ１１の裏面に回り込んで塗布された
フォトレジストを露光するためのミラー３３により構成
されている。

【００１１】ここで、周辺露光部３０のＰ部を拡大した
概略図である図５により、Ｐ部の詳細を説明する。ま
ず、スリット板３２には開口３２ａのスリットが形成さ
れており、フォトレジスト１１ａが塗布された半導体ウ
ェハ１１の上方の開口３２ａ端部は半導体ウェハ１１の
周縁部より数ｍｍ内側にあり、半導体ウェハ１１の上方
の開口３２ａ端部と半導体ウェハ１１周縁部との距離ｍ
がフォトレジスト１１ａの周辺露光部幅となる。また、
半導体ウェハ１１の外側上方の開口３２ａ端部と半導体
ウェハ１１周縁部間を通る光は、半導体ウェハ１１の下
方に設置され、水平方向に対して角度θ°ほど傾けて設
置されたミラー３３で反射して半導体ウェハ１１の裏側
のフォトレジスト１１ａを露光する光として使用され
る。

【００１２】この周辺露光装置による露光動作は、ま
ず、スピンチャック１２に載置された半導体ウェハ１１
をモータで回転させ、半導体ウェハ１１の周縁部外を通
る光源２１からの光をラインセンサ等の受光素子２２で
受光する。受光素子２２は、スピンチャック１３の回転
中心から半導体ウェハ１１周縁部までの距離に応じた光
を受光し、光電変換された信号が位置検出装置２３に送
られる。位置検出装置２３では、モータの回転角と受光
素子２２からの信号により半導体ウェハ１１周縁部の位
置が算出され、この位置情報が記録される。

【００１３】次に、半導体ウェハ１１の周縁部から数ｍ
ｍ内側のフォトレジストを露光するため、位置検出装置
２３に記憶された半導体ウェハ１１周縁部の位置情報を
基にして、周辺露光部３０の露光位置、即ちスリット板
３２の開口３２ａ下方での半導体ウェハ１１の周縁部位
置を算出し、この算出した情報によりモータの回転角度
と、この回転角度に応じたステージ１４の移動距離の信
号を駆動装置２４に与え、この駆動装置２４によりモー
タ１３とステージ１４が駆動し、周辺露光部３０で露光
が行われる。

【００１４】ここでフォトレジストが塗布された半導体
ウェハ１１を上記周辺露光装置１で露光された状態を示
したのが図６である。この周辺露光装置１での周辺露光
は露光位置と半導体ウェハ１１周縁部との位置関係が一
定に保たれるため、図６に示すように、オリエンテーシ
ョンフラット部１１ｂにおいても、周辺露光部１１ｃの
幅が一定に保たれる。

【００１５】上記の周辺露光装置１で半導体ウェハ１１
の周縁部を露光すると、半導体ウェハ１１裏面のフォト
レジスト１１ａを露光する照度は半導体ウェハ１１表面
ののフォトレジスト１１ａを露光する照度より小さくな
る。この半導体ウェハ１１裏面を露光する照度Ｌは、半
導体ウェハ１１表面を露光する照度をＬ₀とし、ミラー
３３の水平方向に対する角度をθとすると、次式で与え
られる。Ｌ＝Ｌ₀×ｃｏｓθ×ｃｏｓ２θ 従って、半導体ウェハ１１表面のフォトレジスト１１ａ
を露光するに必要な照射露光量（照度と照射時間との
積）での露光では、半導体ウェハ１１裏面に回り込んで
塗布された表面同様の厚みを持つ部分のフォトレジスト
１１ａは露光不足となり、現像時にフォトレジスト１１
ａの一部が残る虞が発生する。。そこで半導体ウェハ１
１裏面のフォトレジスト１１ａを完全に露光しようとし
て、照射露光を多くすると、今度は周辺露光光の半導体
ウェハ１１表面での反射光や、ミラー３３での反射光で
半導体ウェハ１１の上方に漏れてくる光が、周辺露光装
置１の構成部材等で再度反射して、半導体ウェハ１１の
周縁部より内側の半導体装置形成部分に入る光量が多く
なり、この不必要光の露光に起因する、半導体装置形成
のためのフォトレジストのパターニング時にパターンく
ずれ、所謂カブリ現象によるパターンくずれが生ずる虞
があり、このパターンくずれが生ずると、半導体装置の
製造歩留が低下する。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した周
辺露光装置および周辺露光方法における問題点を解決す
ることをその目的とする。即ち本発明の課題は、被処理
基板のフォトレジストのパターニング時にパターンくず
れ現象を起こすことなく、被処理基板の周縁部表裏のフ
ォトレジストを完全に露光することができる周辺露光装
置および周辺露光方法を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の周辺露光装置お
よび周辺露光方法は、上述の課題を解決するために提案
するものであり、フォトレジストを塗布した被処理基板
の周縁部に光を照射し、被処理基板の周縁部のフォトレ
ジストを露光する周辺露光部を有する周辺露光装置にお
いて、被処理基板周縁部のフォトレジストを露光するた
めの露光光源と、露光光源の光を平行光とする光学系
と、平行光を遮断するシャッターと、平行光の通過領域
を制限するスリット板と、被処理基板の周縁部外側を通
るスリット板を通った平行光を反射させ、フォトレジス
トを塗布した前記被処理基板面の裏側に回り込んで塗布
されたフォトレジスト領域を露光する集光ミラーとを具
備した周辺露光部を有することを特徴とするものであ
る。また、上記周辺露光装置を用いて、被処理基板の周
縁部表裏のフォトレジストを露光することを特徴とする
ものである。

【００１８】本発明によれば、被処理基板のフォトレジ
ストに周辺露光領域を形成する被処理基板面側の周辺露
光光の照度と、被処理基板の周縁部外の平行光化された
露光光を集光ミラーにより反射させる被処理基板の他の
面側の照度とを略等しくすることができる。従って照射
露光量を必要最小限に抑えた露光でも、被処理基板の周
縁部表裏のフォトレジストを完全に露光することがで
き、従来のように過剰な周辺露光光量によって起こる、
半導体装置形成のためのフォトレジストのパターニング
時に、パターンくずれ現象が起きない。

【００１９】

【実施の形態例】以下、本発明の具体的実施の形態例に
つき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術の説
明で参照した図４および図５中の構成部分と同様の構成
部分には、同一の参照符号を付すものとする。

【００２０】本実施の形態例は周辺露光装置および周辺
露光方法に本発明を適用した例であり、これを図１およ
び図２を参照して説明する。まず、図１に示すように、
本実施の形態例の周辺露光装置３の構造は従来例と概略
同様で、被処理基板、ウエハ載置部１０、位置検出部２
０および周辺露光部５０とで概略構成されている。

【００２１】ウエハ載置部１０は、従来と同様に、被処
理基板、例えばフォトレジストを塗布した半導体ウェハ
１１を載置するスピンチャック１２と、このスピンチャ
ック１２を回転させるモータ１３と、このモータ１３を
載置し、スピンチャック１３の回転中心より周辺露光部
３０の露光光の照射位置の方向に移動（矢印Ａ）するス
テージ１４により概略構成れている。また位置検出装置
２０の構成も従来と同様で、光源２１、受光素子２２、
位置検出装置２３および駆動装置２４より構成されてい
る。

【００２２】周辺露光部５０はフォトレジストを感光さ
せる露光波長、例えば４３６ｎｍ（ｇ線）や３６５ｎｍ
（ｉ線）等の光を出す光源５１、光の絞り機構又はＮＤ
フィルタの交換器等により露光光の照度を調整する照度
調整器５２、光源５１の光を平行光とする光学系５３、
平行光を遮断するシャッター５４、平行光の半導体ウェ
ハ１１の周縁部を露光する周辺露光領域を設定するため
のスリット板５５および半導体ウェハ１１の裏面に塗布
されてフォトレジストを露光するための集光ミラー５６
により構成されている。

【００２３】ここで、周辺露光部５０のＰ部を拡大した
概略図である図２により、Ｐ部の詳細を説明する。ま
ず、スリット板５５には半導体ウェハ１１の周縁部と直
交する方向に細長となる矩形の開口５５ａ、例えば約７
ｍｍ長さで約２．５ｍｍ幅のスリットが形成されてお
り、フォトレジスト１１ａが塗布された半導体ウェハ１
１の上方の開口３２ａ端部は半導体ウェハ１１の周縁部
より数ｍｍ内側、例えば約３ｍｍに常に制御されるよう
になっいて、半導体ウェハ１１の上方の開口３２ａ端部
と半導体ウェハ１１周縁部との距離ｈ、ここでは約３ｍ
ｍがフォトレジスト１１ａの周辺露光領域幅となる。ま
た、半導体ウェハ１１の外側上方の開口３２ａ端部と半
導体ウェハ１１周縁部間を通る光は、半導体ウェハ１１
の下方に設置された集光ミラー５６、例えば凹面ミラー
又は円弧状の円筒型ミラー等で反射して、半導体ウェハ
１１の裏側に回り込んだフォトレジスト１１ａ領域を露
光する光として使用する。

【００２４】図２の集光ミラー５６を、例えば円弧状の
円筒型ミラーとした時、半導体ウェハ１１表面の周辺露
光時の照度Ｌ₀と、円筒型ミラーの焦点距離ｆと、円筒
型ミラー面から半導体ウェハ１１までの距離ｋと、半導
体ウェハ１１裏面に回り込んで塗布されたフォトレジス
ト領域１１ａ幅のほぼ中央に入る光線ａと円筒型ミラー
面の法線方向との角度θとが与えられると、半導体ウェ
ハ１１の周辺露光時の裏面照度Ｌは概略次式となる。Ｌ≒Ｌ₀×ｃｏｓθ×ｃｏｓ２θ×ｆ／（ｆ−ｋ）ここで、ｃｏｓθ＊ｃｏｓ２θ＊ｆ／（ｆ−ｋ）≒１となるようにすれば、裏面照度Ｌは表面照度Ｌ₀とほぼ
等しくなって、半導体ウェハ１１表面の周縁部のフォト
レジスト１１ａを露光するのに必要な最低限の照射露光
量で、半導体ウェハ１１裏面のフォトレジスト１１ａも
露光できる。

【００２５】なお、スリット板５５の半導体ウェハ１１
側の面、即ちスリット板５５下面は、露光光の半導体ウ
ェハ１１表面からの反射光や集光ミラー５６から半導体
ウェハ１１の上方にもれる露光光の反射を防止する反射
防止膜５５ｂ、例えばスリット板の黒色酸化処理膜等が
形成され、露光光がスリット板５５で再反射して半導体
ウェハ１１の周辺露光領域より内側のフォトレジスト１
１ａを露光しないようにしてある。更に、図示は省略し
ているが、周辺露光部５０においては、露光光源５１の
露光光がスリット板５５の開口５５ａ以外からは外部に
出ないような光遮蔽部が設けられている。

【００２６】次に、周辺露光装置による露光動作につい
て説明する。まず、スピンチャック１２に載置された半
導体ウェハ１１をモータで回転させ、半導体ウェハ１１
の周縁部外を通る光源２１からの光をラインセンサ等の
受光素子２２で受光する。受光素子２２は、スピンチャ
ック１３の回転中心から半導体ウェハ１１周縁部までの
距離に応じた光を受光し、光電変換された信号が位置検
出装置に送られる。位置検出装置では、モータの回転角
と受光素子２２からの信号により半導体ウェハ１１周縁
部の位置が算出され、この位置情報が記録される。その
後半導体ウェハ１１の周縁部から数ｍｍ内側、例えば約
３ｍｍ内側までのフォトレジストを露光するため、位置
検出装置２３に記憶された半導体ウェハ１１周縁部の位
置情報を基にして、周辺露光部３０の露光位置、即ちス
リット板５５の開口５５ａ部に対応した半導体ウェハ１
１の周縁部位置を算出し、この算出した情報でモータの
回転角度とこの回転角度に応じたステージ１４の移動距
離の信号を駆動装置２４に与え、この駆動装置２４によ
りモータ１３とステージ１４が駆動し、周辺露光部３０
で露光が行われる。

【００２７】上記の周辺露光部３０での露光動作は、シ
ャッター５４が開くと同時にモータ１３が回転し、この
モータの回転角に合わせて半導体ウェハ１１の周縁部の
周辺露光領域１１ａ（図６参照）を所定の幅とするよう
にステージ１４が矢印Ａで示す方向に移動しながら、半
導体ウェハ１１の周縁部のフォトレジスト１１ａを露光
する。半導体ウェハ１１が一回転した時点で、シャッタ
ー５４が閉じ、露光を終了する。

【００２８】今、半導体ウェハ１１の周縁部のフォトレ
ジスト１１ａを完全に露光するための必要最小限の照射
露光量（照度と露光時間の積）をＲ₀とした時、上記の
ような露光動作における露光時の照度Ｌ₀、モータの回
転速度による半導体ウェハ１１周縁部の速度ｖおよびス
リット板５５の開口５５ａ幅ｗとの間に次式の関係が成
り立つようにする。Ｒ₀≦Ｌ₀×ｗ／ｖ周辺露光時の露光光の反射光に起因した、半導体装置形
成するためのフォトレジストのパターニング時のパター
ンくずれ、所謂カブリ現象によるパターンくずれを抑え
るためには、露光時の照射露光量を必要最小限の照射露
光量Ｒ₀とすればよく、この為には上式の露光時の照度
Ｌ₀又はモータの回転速度による半導体ウェハ１１周縁
部の速度ｖを変えればよい。露光時の照度Ｌ₀の調整は
照明調整器５２で、また半導体ウェハ１１周縁部の速度
ｖの調整は駆動装置２４でモータ回転速度の調整をすれ
ばよい。

【００２９】上記周辺露光装置３を用いた周辺露光方法
によれば、半導体ウェハ１１周縁部表面の所定範囲のフ
ォトレジスト１１ａおよび半導体ウェハ１１周縁部裏面
の回り込んで塗布されたフォトレジスト１１ａを、必要
最小限の照射露光量にて完全に露光ができる。この為、
半導体装置形成のためのフォトレジストのパターニング
時に、周辺露光の影響によるパターンくずれ、所謂カブ
リ現象によるパターンくずれが抑えられる。従ってパタ
ーンくずれを抑えつつ、半導体ウェハ１１周縁部のフォ
トレジスト１１ａの完全除去にできるので、半導体ウェ
ハ１１周縁部のフォトレジスト１１ａ起因のダスト発生
低減ができて、半導体装置の製造歩留向上が可能とな
る。

【００３０】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば本実施の形態例は従来例と対比する形
で、自動化された露光装置１に組み込まれている、プリ
アライメント機能も持つ周辺露光装置３として説明した
が、本実施の形態例の周辺露光装置３を自動化されたレ
ジスト処理装置内に組み込んでもよい。また、本実施の
形態例では、集光ミラーを凹面ミラーや円弧状の円筒型
ミラーとしたが、多角形にミラーを配置した形状の集光
ミラーでもよい。

【００３１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の周辺露光装置および周辺露光方法を用いれば、パター
ンくずれを抑えつつ、半導体ウェハ周縁部のフォトレジ
ストの完全除去できるので、半導体ウェハ周縁部のフォ
トレジスト起因のダスト発生低減ができて、半導体装置
の製造歩留向上が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した周辺露光装置の概略図であ
る。

【図２】図１に示す本発明を適用した周辺露光装置のＰ
部の拡大図である。

【図３】周辺露光装置を組み込んだ露光装置内のブロッ
ク図である。

【図４】従来の周辺露光装置の概略図である。

【図５】図４に示す従来の周辺露光装置のＰ部の拡大図
である。

【図６】周辺露光装置によりフォトレジストが塗布され
た半導体ウェハの周辺露光領域をしめす図である。

【符号の説明】

１…露光装置、２…ウエハ搬送部、３，５０…周辺露光
装置、４…露光部、１１…半導体ウェハ、１１ａ…フォ
トレジスト、１１ｂ…オリエンテーションフラット、１
１ｃ…周辺露光領域、１２…スピンチャック、１３…モ
ータ、１４…ステージ、２１…光源、２２…受光素子、
２３…位置検出装置、２４…駆動装置、３１，５１…露
光光源、３２，５５…スリット板、３３…ミラー、３３
ａ，５５ａ…開口、５２…照度調整器、５３…光学系、
５４…シャッター、５５ｂ…光吸収膜、５６…集光ミラ
ー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フォトレジストを塗布した被処理基板の
周縁部に光を照射し、前記被処理基板の周縁部の前記フ
ォトレジストを露光する周辺露光部を有する周辺露光装
置において、前記被処理基板周縁部の前記フォトレジストを露光する
ための露光光源と、前記露光光源の光を平行光とする光学系と、前記平行光を遮断するシャッターと、前記平行光の通過領域を制限するスリット板と、前記被処理基板の周縁部外側を通る前記スリット板を通
った前記平行光を反射させ、前記フォトレジストを塗布
した前記被処理基板面の裏側に回り込んで塗布されたフ
ォトレジスト領域を露光する集光ミラーとを具備した周
辺露光部を有する周辺露光装置。
【請求項２】前記集光ミラーは、凹面ミラーおよび円
弧状の円筒ミラーの内、何れか一方であることを特徴と
する、請求項１記載の周辺露光装置。
【請求項３】前記周辺露光部に露光光の照度を調整す
る照度調整器を具備したことを特徴とする、請求項１記
載の周辺露光装置。
【請求項４】前記スリット板は、少なくとも前記被処
理基板と対向する前記スリット板面が反射防止膜を有す
ることを特徴とする、請求項１記載の周辺露光装置。
【請求項５】請求項１記載の周辺露光装置を用いて、
被処理基板の周縁部表裏のフォトレジストを露光するこ
とを特徴とする周辺露光方法。
【請求項６】周辺露光部の照度調整器により周辺露光
光の照度を調整し、前記被処理基板の周縁部のフォトレ
ジストを露光するために必要な略最小限の照射光量にて
露光することを特徴とする、請求項５記載の周辺露光方
法。