JPH05224395A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH05224395A JPH05224395A JP2875792A JP2875792A JPH05224395A JP H05224395 A JPH05224395 A JP H05224395A JP 2875792 A JP2875792 A JP 2875792A JP 2875792 A JP2875792 A JP 2875792A JP H05224395 A JPH05224395 A JP H05224395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- resist
- coating
- backside
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトレチクル等レチクル裏面から紫外
線を照射する場合のレジスト塗布装置に関し，高スルー
プット化，高歩留化をはかることを目的とする。 【構成】 レチクル表面にレジストを塗布する塗布装置
と，該レチクルに裏面から紫外線を照射する裏面照射装
置と，該塗布装置と該裏面照射装置とを接続する搬送系
とを有するように構成する。
線を照射する場合のレジスト塗布装置に関し，高スルー
プット化，高歩留化をはかることを目的とする。 【構成】 レチクル表面にレジストを塗布する塗布装置
と，該レチクルに裏面から紫外線を照射する裏面照射装
置と，該塗布装置と該裏面照射装置とを接続する搬送系
とを有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置に係
り，特に位相シフトレチクル等裏面露光を必要とする場
合に対するレジスト塗布装置に関する。
り，特に位相シフトレチクル等裏面露光を必要とする場
合に対するレジスト塗布装置に関する。
【０００２】近年半導体装置の高集積化に伴い，レチク
ル（またはマスク）は微細化が要求され，そのため位相
シフタが形成されたレチクルが用いられるようになっ
た。位相シフトレチクルの製造工程においては，レチク
ルの遮光膜パターンが形成された面にレジストを塗布
後，裏面から露光する工程が必要となってきた。
ル（またはマスク）は微細化が要求され，そのため位相
シフタが形成されたレチクルが用いられるようになっ
た。位相シフトレチクルの製造工程においては，レチク
ルの遮光膜パターンが形成された面にレジストを塗布
後，裏面から露光する工程が必要となってきた。
【０００３】
【従来の技術】従来のレジスト塗布装置は塗布後のレジ
スト内のスカムを除去するためレチクル表面から紫外線
(UV光) を照射する機能を持っている。
スト内のスカムを除去するためレチクル表面から紫外線
(UV光) を照射する機能を持っている。
【０００４】図４は従来例によるレチクル塗布装置の説
明図である。図において，１は透明基板，２は遮光膜パ
ターンでクロム(Cr)パターン, ３はレチクルを載置する
ステージ，４はレチクル表面を照射するUVランプであ
る。
明図である。図において，１は透明基板，２は遮光膜パ
ターンでクロム(Cr)パターン, ３はレチクルを載置する
ステージ，４はレチクル表面を照射するUVランプであ
る。
【０００５】回転塗布によりレジストをレチクル表面に
塗布後，装置内でレチクルはステージ上に載せられ，UV
光で照射される。図５は従来例による裏面露光の説明図
である。
塗布後，装置内でレチクルはステージ上に載せられ，UV
光で照射される。図５は従来例による裏面露光の説明図
である。
【０００６】図において，５はコンタクトプリンタのマ
スタマスク側支持板，６はコンタクトプリンタのコピー
マスク側支持板である。従来例の装置では，位相シフト
レチクル等レチクル裏面から露光する必要がある場合
は，レジスト塗布後，レチクルを別の装置に移動して裏
返して装置にセットしなければならず，そのためレチク
ル表面に傷が付かないようにコンタクトプリンタのマス
タマスク側支持板５に保持して，レチクル裏面からの露
光を行っていた。
スタマスク側支持板，６はコンタクトプリンタのコピー
マスク側支持板である。従来例の装置では，位相シフト
レチクル等レチクル裏面から露光する必要がある場合
は，レジスト塗布後，レチクルを別の装置に移動して裏
返して装置にセットしなければならず，そのためレチク
ル表面に傷が付かないようにコンタクトプリンタのマス
タマスク側支持板５に保持して，レチクル裏面からの露
光を行っていた。
【０００７】例えば，セルフアラインプロセスを利用し
た位相シフトレチクルを製造にするはCrパターンを形成
した石英基板上にレジストを塗布し, 石英基板の裏面よ
り露光し現像すると, Crパターン上にこれと同じ大きさ
のレジストパターンが形成される。
た位相シフトレチクルを製造にするはCrパターンを形成
した石英基板上にレジストを塗布し, 石英基板の裏面よ
り露光し現像すると, Crパターン上にこれと同じ大きさ
のレジストパターンが形成される。
【０００８】次いで，レジストパターンをマスクにして
石英基板をエッチングして段差をつける。その後レジス
トパターンを剥離して, 再度石英基板表面にレジストを
塗布し，再度裏面露光（オーバ露光）して現像すると，
オーバ露光によりCrパターン上にこれより小さい即ちCr
パターンの周縁部が除去されたレジストパターンが形成
される。
石英基板をエッチングして段差をつける。その後レジス
トパターンを剥離して, 再度石英基板表面にレジストを
塗布し，再度裏面露光（オーバ露光）して現像すると，
オーバ露光によりCrパターン上にこれより小さい即ちCr
パターンの周縁部が除去されたレジストパターンが形成
される。
【０００９】次いで，このレジストパターンをマスクに
してCrパターンの周縁部をエッチング除去し，レジスト
パターンを剥離すると，Crパターンの周縁部にシフタ
（石英基板の厚い部分）が形成される。
してCrパターンの周縁部をエッチング除去し，レジスト
パターンを剥離すると，Crパターンの周縁部にシフタ
（石英基板の厚い部分）が形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来例の装置で位相シ
フトレチクル等レチクル裏面から露光する場合，レジス
ト塗布後別の装置にレチクルを移動して露光するため，
レチクル面に塵がつきやすくしたがってレチクルの製造
歩留が低下し，またスループットも低くなるといった欠
点があった。
フトレチクル等レチクル裏面から露光する場合，レジス
ト塗布後別の装置にレチクルを移動して露光するため，
レチクル面に塵がつきやすくしたがってレチクルの製造
歩留が低下し，またスループットも低くなるといった欠
点があった。
【００１１】本発明は位相シフトレチクル等レチクル裏
面から紫外線を照射する場合のレジスト塗布装置の高ス
ループット化，高歩留化をはかることを目的とする。
面から紫外線を照射する場合のレジスト塗布装置の高ス
ループット化，高歩留化をはかることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，レチ
クル表面にレジストを塗布する塗布装置と，該レチクル
に裏面から紫外線を照射する裏面照射装置と，該塗布装
置と該裏面照射装置とを接続する搬送系とを有するレジ
スト塗布装置により達成される。
クル表面にレジストを塗布する塗布装置と，該レチクル
に裏面から紫外線を照射する裏面照射装置と，該塗布装
置と該裏面照射装置とを接続する搬送系とを有するレジ
スト塗布装置により達成される。
【００１３】
【作用】図１は本発明の原理説明図である。図はレジス
ト塗布装置を説明するブロック図である。
ト塗布装置を説明するブロック図である。
【００１４】図で一点鎖線で囲まれた従来装置におい
て, 11はプロセッサで塗布装置, 12はレチクル表面から
のUV光照射装置, 13はローダ, 14はアンローダである。
点線で囲まれた本発明による追加部分において, 15はレ
チクル裏面からのUV光照射装置である。また，矢印はレ
チクルの搬送経路およびUV照射の実行を示している。
て, 11はプロセッサで塗布装置, 12はレチクル表面から
のUV光照射装置, 13はローダ, 14はアンローダである。
点線で囲まれた本発明による追加部分において, 15はレ
チクル裏面からのUV光照射装置である。また，矢印はレ
チクルの搬送経路およびUV照射の実行を示している。
【００１５】本発明ではレジスト塗布後, レチクルを別
の装置に移すことなく同一装置内でレチクル塗布装置に
搬送系に接続されたレチクル裏面からのUV光照射装置15
により露光することにより，レチクル面に付着する塵,
およびスループットの低下を抑制するようにしたもので
ある。
の装置に移すことなく同一装置内でレチクル塗布装置に
搬送系に接続されたレチクル裏面からのUV光照射装置15
により露光することにより，レチクル面に付着する塵,
およびスループットの低下を抑制するようにしたもので
ある。
【００１６】
【実施例】図２は本発明の実施例を説明する断面図であ
る。図において，15はレチクル裏面からのUV光照射装置
で, 15A のUVランプ, 15Bのミラー, 15C の光学レンズ
系, 15D のミラー, 15E のスリット, 16F のシャッタ
（フィルタ）を有する。また，16は搬送レール, 17はレ
チクルチャック, 18はレチクル，19はカバーである。
る。図において，15はレチクル裏面からのUV光照射装置
で, 15A のUVランプ, 15Bのミラー, 15C の光学レンズ
系, 15D のミラー, 15E のスリット, 16F のシャッタ
（フィルタ）を有する。また，16は搬送レール, 17はレ
チクルチャック, 18はレチクル，19はカバーである。
【００１７】図１のプロセッサの処理（レジスト塗布）
を終了したレチクル18は搬送ロボットによりIN側に待機
しているレチクルチャック17に受け渡される。次いでレ
チクル18を受け取ったチャック17を, 所定スピードで搬
送レール16上をOUT 側に移動させる。
を終了したレチクル18は搬送ロボットによりIN側に待機
しているレチクルチャック17に受け渡される。次いでレ
チクル18を受け取ったチャック17を, 所定スピードで搬
送レール16上をOUT 側に移動させる。
【００１８】この間に, レチクル18はUV光照射装置15の
スリット15E を透過した紫外線により裏面から露光され
る。露光が終わりOUT 側に移動されたレチクルは再び搬
送ロボットに渡される。
スリット15E を透過した紫外線により裏面から露光され
る。露光が終わりOUT 側に移動されたレチクルは再び搬
送ロボットに渡される。
【００１９】UV照射部を図のように構成することによ
り, 従来例のコンタクトプリンタを利用する場合より,
レジスト寸法のシフト量が大きく, 位相シフトレチクル
のシフタが形成が容易になる。
り, 従来例のコンタクトプリンタを利用する場合より,
レジスト寸法のシフト量が大きく, 位相シフトレチクル
のシフタが形成が容易になる。
【００２０】実施例では, 光源と光学系の最適像面位置
に合わせた円弧状のスリットによる照明方式のため，照
度むらがない。従って，レチクルを走査させたときの露
光量の面内分布がよい。これに対して従来例のコンタク
トプリンタを利用する場合は照度むらのため露光量の面
内ばらつきが大きい。従ってオーバ露光してレジスト寸
法をシフトさせる際のばらつきも大きくなり，シフタの
形成が難しくなる。
に合わせた円弧状のスリットによる照明方式のため，照
度むらがない。従って，レチクルを走査させたときの露
光量の面内分布がよい。これに対して従来例のコンタク
トプリンタを利用する場合は照度むらのため露光量の面
内ばらつきが大きい。従ってオーバ露光してレジスト寸
法をシフトさせる際のばらつきも大きくなり，シフタの
形成が難しくなる。
【００２１】図３は本発明の実施例を説明する平面図で
ある。図は搬送レール上をレチクルチャックが移動し
て，この間にレチクルはスリットから出る紫外線により
裏面から露光される。
ある。図は搬送レール上をレチクルチャックが移動し
て，この間にレチクルはスリットから出る紫外線により
裏面から露光される。
【００２２】レチクルチャックは機械的にあるいは吸引
によりレチクルを保持している。レチクルの移動部はカ
バーが設けられ，塵等の浸入を防いでいる。また，カバ
ーの内側は反射防止加工を行って，紫外線のレチクル表
面への反射を防止している。
によりレチクルを保持している。レチクルの移動部はカ
バーが設けられ，塵等の浸入を防いでいる。また，カバ
ーの内側は反射防止加工を行って，紫外線のレチクル表
面への反射を防止している。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば，裏面UV光照射装置付き
レチクル塗布装置が得られ，位相シフトレチクル等レチ
クル裏面から紫外線を照射する場合のレジスト塗布装置
の高スループット化，レチクル製造の高歩留化が達成で
きた。この結果，半導体装置の高集積化，高歩留化に寄
与することができた。
レチクル塗布装置が得られ，位相シフトレチクル等レチ
クル裏面から紫外線を照射する場合のレジスト塗布装置
の高スループット化，レチクル製造の高歩留化が達成で
きた。この結果，半導体装置の高集積化，高歩留化に寄
与することができた。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例を説明する断面図
【図３】 本発明の実施例を説明する平面図
【図４】 従来例によるレチクル塗布装置の説明図
【図５】 従来例による裏面露光の説明図
１ レチクルの透明基板 ２ レチクルの遮光膜パターンでCrパターン ３ レチクルを載置するステージ ４ レチクル表面を照射するUVランプ 11 プロセッサで塗布装置 12 レチクル表面からのUV光照射装置 13 ローダ 14 アンローダ 15 レチクル裏面からのUV光照射装置 15A UVランプ 15B,15D ミラー 15C 光学レンズ系 15E スリット 16F シャッタ（フィルタ） 16 搬送レール 17 レチクルチャック 18 レチクル 19 カバー
Claims (1)
- 【請求項１】 レチクル表面にレジストを塗布する塗布
装置と，該レチクルに裏面から紫外線を照射する裏面照
射装置と，該塗布装置と該裏面照射装置とを接続する搬
送系とを有することを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2875792A JPH05224395A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2875792A JPH05224395A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224395A true JPH05224395A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12257285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2875792A Withdrawn JPH05224395A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224395A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016515960A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-02 | エムアンドアール プリンティング エクイップメント，インコーポレイティド | スクリーン印刷用スクリーンを作成する方法及び装置 |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP2875792A patent/JPH05224395A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016515960A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-02 | エムアンドアール プリンティング エクイップメント，インコーポレイティド | スクリーン印刷用スクリーンを作成する方法及び装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |