JPH09283449A - プラズマ化学蒸着装置 - Google Patents
プラズマ化学蒸着装置Info
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- JPH09283449A JPH09283449A JP8092405A JP9240596A JPH09283449A JP H09283449 A JPH09283449 A JP H09283449A JP 8092405 A JP8092405 A JP 8092405A JP 9240596 A JP9240596 A JP 9240596A JP H09283449 A JPH09283449 A JP H09283449A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アモルファスシリコン感光ドラム、等の半導
体薄膜の製造に適用されるプラズマ化学蒸着装置に関
し、ａ−Ｓｉ膜の高速成膜時の発生する粉混入を防止す
る。 【解決手段】 反応容器３０内には、円筒形高周波電極
３１、接地電極となる円筒形ヒータ３３、円筒形基板３
２が平行配置され、両電極間には高周波電源３７、イン
ピーダンス整合器３８より高周波電力が供給される。更
に、容器３０の外より両電極３１，３３の軸に一対の電
磁コイル１−ａ，１−ｂが配置され、直流電源２より直
流電力が供給され、導入管３４より電極３１へ反応ガス
が導入され、ガス吐出管３５より両電極間に導かれ、グ
ロー放電プラズマが発生し、基板３２表面にａ−Ｓｉ薄
膜を形成する。プラズマ中の電子、粒子は磁力線まわり
を回転し、ガス分子との衝突を増すと共に発生する粉は
負に帯電してるので磁力線まわりを回転して基板３２へ
は移動しないので、基板表面での粉の混入を防止する。
体薄膜の製造に適用されるプラズマ化学蒸着装置に関
し、ａ−Ｓｉ膜の高速成膜時の発生する粉混入を防止す
る。 【解決手段】 反応容器３０内には、円筒形高周波電極
３１、接地電極となる円筒形ヒータ３３、円筒形基板３
２が平行配置され、両電極間には高周波電源３７、イン
ピーダンス整合器３８より高周波電力が供給される。更
に、容器３０の外より両電極３１，３３の軸に一対の電
磁コイル１−ａ，１−ｂが配置され、直流電源２より直
流電力が供給され、導入管３４より電極３１へ反応ガス
が導入され、ガス吐出管３５より両電極間に導かれ、グ
ロー放電プラズマが発生し、基板３２表面にａ−Ｓｉ薄
膜を形成する。プラズマ中の電子、粒子は磁力線まわり
を回転し、ガス分子との衝突を増すと共に発生する粉は
負に帯電してるので磁力線まわりを回転して基板３２へ
は移動しないので、基板表面での粉の混入を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアモルファスシリコ
ン感光ドラム、太陽電池、光センサ及び半導体保護膜な
どの各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適用さ
れるプラズマ化学蒸着装置に関する。
ン感光ドラム、太陽電池、光センサ及び半導体保護膜な
どの各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適用さ
れるプラズマ化学蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
と記す）薄膜や窒化シリコン（以下、ＳｉＮｘと記す）
薄膜を製造するために、従来より用いられているプラズ
マ化学蒸着装置（以下、プラズマＣＶＤ装置と称する）
の構成について、代表例を説明する。なお、薄膜を形成
する基板の形状は通常、平板及び円筒の２種類がある
が、ここでは、円筒形基板を対象にしたプラズマＣＶＤ
装置を示す。
と記す）薄膜や窒化シリコン（以下、ＳｉＮｘと記す）
薄膜を製造するために、従来より用いられているプラズ
マ化学蒸着装置（以下、プラズマＣＶＤ装置と称する）
の構成について、代表例を説明する。なお、薄膜を形成
する基板の形状は通常、平板及び円筒の２種類がある
が、ここでは、円筒形基板を対象にしたプラズマＣＶＤ
装置を示す。
【０００３】図５は従来の感光ドラムを製造するために
用いられるプラズマＣＶＤ装置の構成図である。同図に
おいて、反応容器３０内には、外側円筒電極、すなわ
ち、円筒形高周波電極３１、円筒形基板３２及び内側円
筒電極、すなわち、接地電極を兼ねる円筒形ヒータ３３
が基板ホルダ３６と共に平行に配置されている。
用いられるプラズマＣＶＤ装置の構成図である。同図に
おいて、反応容器３０内には、外側円筒電極、すなわ
ち、円筒形高周波電極３１、円筒形基板３２及び内側円
筒電極、すなわち、接地電極を兼ねる円筒形ヒータ３３
が基板ホルダ３６と共に平行に配置されている。
【０００４】なお、この高周波電極３１にはガス吐出管
３５が付属しており、図示しない反応ガス供給装置より
導入管３４を通して、例えばモノシランと水素の混合ガ
スが供給され、該ガス吐出管３５より上記高周波電極３
１と上記基板３２の空間に上記混合ガスが吐出される。
反応容器３０内のガスは、排気筒３９を通して、図示し
ない真空ポンプ４０を介して、排出される。
３５が付属しており、図示しない反応ガス供給装置より
導入管３４を通して、例えばモノシランと水素の混合ガ
スが供給され、該ガス吐出管３５より上記高周波電極３
１と上記基板３２の空間に上記混合ガスが吐出される。
反応容器３０内のガスは、排気筒３９を通して、図示し
ない真空ポンプ４０を介して、排出される。
【０００５】該高周波電極３１には、高周波電源３７か
らインピーダンス整合器３８を介して、例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が供給される。該ヒータ３３は、
反応容器３０とともに接地され、接地電極となってい
る。したがって、該高周波電極３１と該ヒータ３３、す
なわち基板３２との間でグロー放電プラズマが発生す
る。
らインピーダンス整合器３８を介して、例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が供給される。該ヒータ３３は、
反応容器３０とともに接地され、接地電極となってい
る。したがって、該高周波電極３１と該ヒータ３３、す
なわち基板３２との間でグロー放電プラズマが発生す
る。
【０００６】この装置を用いて、以下のようにしてａ−
Ｓｉ系薄膜を製造する。図示省略の真空ポンプを駆動し
て反応容器３０内を排気する。反応ガス導入管３４を通
して、例えばモノシランと水素の混合ガスを供給して反
応容器３０内の圧力を０．５〜２．０Torrに保ち、高周
波電源３７から高周波電極３１に電圧をかけると、グロ
ー放電プラズマが発生する。
Ｓｉ系薄膜を製造する。図示省略の真空ポンプを駆動し
て反応容器３０内を排気する。反応ガス導入管３４を通
して、例えばモノシランと水素の混合ガスを供給して反
応容器３０内の圧力を０．５〜２．０Torrに保ち、高周
波電源３７から高周波電極３１に電圧をかけると、グロ
ー放電プラズマが発生する。
【０００７】反応ガス吐出管３５より吐出された上記混
合ガスは、グロー放電によって、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 な
どＳｉを含むラジカルに分解、解離される。その結果、
基板３２表面にａ−Ｓｉ系薄膜が形成される。
合ガスは、グロー放電によって、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 な
どＳｉを含むラジカルに分解、解離される。その結果、
基板３２表面にａ−Ｓｉ系薄膜が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマＣＶＤ
装置では、ａ−Ｓｉ膜形成の成膜速度を大きくすると、
下記理由により大量の粉が発生し、感光ドラムなどの製
造では問題である。すなわち、図５において、高周波電
極３１と接地電極３３の間に供給する高周波電力を０．
１〜１KW、反応ガスの圧力０．２〜２．０Torrとし、成
膜速度を５〜２０Å／Ｓの高速にすると、プラズマ中で
粉すなわち、Ｓｉ2 Ｈ6 やＳｉ3 Ｈ8 などのポリマが発
生する。
装置では、ａ−Ｓｉ膜形成の成膜速度を大きくすると、
下記理由により大量の粉が発生し、感光ドラムなどの製
造では問題である。すなわち、図５において、高周波電
極３１と接地電極３３の間に供給する高周波電力を０．
１〜１KW、反応ガスの圧力０．２〜２．０Torrとし、成
膜速度を５〜２０Å／Ｓの高速にすると、プラズマ中で
粉すなわち、Ｓｉ2 Ｈ6 やＳｉ3 Ｈ8 などのポリマが発
生する。
【０００９】その結果、ａ−Ｓｉ膜は光導電率の低下や
ピンホールの発生などにより品質が著しく低下し、感光
ドラムや太陽電池などへの実用化が困難である。したが
って、膜質を低下せずに成膜速度を向上させることは非
常に困難であった。
ピンホールの発生などにより品質が著しく低下し、感光
ドラムや太陽電池などへの実用化が困難である。したが
って、膜質を低下せずに成膜速度を向上させることは非
常に困難であった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために次の手段を提供する。
を解決するために次の手段を提供する。
【００１１】反応容器と；同反応容器内に反応ガスを供
給する反応ガス吐出孔と；前記容器内の反応ガスを排出
する反応ガス排出孔と；前記反応容器内に設置された内
側円筒電極及び外側円筒電極から構成の一対の放電用円
筒電極と；同放電用円筒電極にグロー放電発生用電力を
供給する電源と；前記放電用円筒電極の内側と外側円筒
電極間に配置される円筒基板を加熱するヒータと；前記
放電用円筒電極の軸芯と同じ軸芯をもち、前記反応容器
外に配置された電磁コイルと；同電磁コイルに電力を供
給する直流電源とを具備してなり、前記円筒基板に前記
反応ガスによる薄膜を形成することを特徴とするプラズ
マ化学蒸着装置。
給する反応ガス吐出孔と；前記容器内の反応ガスを排出
する反応ガス排出孔と；前記反応容器内に設置された内
側円筒電極及び外側円筒電極から構成の一対の放電用円
筒電極と；同放電用円筒電極にグロー放電発生用電力を
供給する電源と；前記放電用円筒電極の内側と外側円筒
電極間に配置される円筒基板を加熱するヒータと；前記
放電用円筒電極の軸芯と同じ軸芯をもち、前記反応容器
外に配置された電磁コイルと；同電磁コイルに電力を供
給する直流電源とを具備してなり、前記円筒基板に前記
反応ガスによる薄膜を形成することを特徴とするプラズ
マ化学蒸着装置。
【００１２】本発明は、上記の手段において、反応容器
に反応ガス、例えば、モノシランと水素の混合ガスを所
定量導入し、反応ガス吐出孔より一対の放電用円筒電極
間に供給する。一対の電極間のヒータには近接して円筒
基板が配置されており、一対の電極間には電源より高周
波電力が供給され、かつ、電磁コイルには直流電源より
直流電力が供給されて、このコイルで磁場を発生させ
る。磁場が発生すると、上記電極間にグロー放電プラズ
マが形成される。ここで、反応容器内圧力は、例えば、
２．０Torr以下、磁場の強さは、４０〜１００ガウスと
する。
に反応ガス、例えば、モノシランと水素の混合ガスを所
定量導入し、反応ガス吐出孔より一対の放電用円筒電極
間に供給する。一対の電極間のヒータには近接して円筒
基板が配置されており、一対の電極間には電源より高周
波電力が供給され、かつ、電磁コイルには直流電源より
直流電力が供給されて、このコイルで磁場を発生させ
る。磁場が発生すると、上記電極間にグロー放電プラズ
マが形成される。ここで、反応容器内圧力は、例えば、
２．０Torr以下、磁場の強さは、４０〜１００ガウスと
する。
【００１３】この場合、プラズマ中の電子や荷電粒子
は、磁場、すなわち磁力線周りを回転するような運動を
起こす。すなわち、電子の反応ガス分子との衝突頻度は
著しく増大し、プラズマ密度が増大し、円筒基板表面に
形成されるａ−Ｓｉ薄膜形成の成膜速度は増大する。ま
た、プラズマ中に発生する粉、すなわちＳｉ2 Ｈ6 やＳ
ｉ3 Ｈ8 などのポリマは一般的には負に帯電しているの
で、この磁力線周りを回転する運動を起し、円筒基板の
方向へは輸送されないようになる。
は、磁場、すなわち磁力線周りを回転するような運動を
起こす。すなわち、電子の反応ガス分子との衝突頻度は
著しく増大し、プラズマ密度が増大し、円筒基板表面に
形成されるａ−Ｓｉ薄膜形成の成膜速度は増大する。ま
た、プラズマ中に発生する粉、すなわちＳｉ2 Ｈ6 やＳ
ｉ3 Ｈ8 などのポリマは一般的には負に帯電しているの
で、この磁力線周りを回転する運動を起し、円筒基板の
方向へは輸送されないようになる。
【００１４】この状況は後述の実施の形態で図３に基づ
いて説明するように、円筒基板の近傍をレーザ光で照射
し、その部分に浮遊している粉からの散乱光強度の計測
を行った結果、圧力０．５〜１Torrにおいて、磁場の強
さが５０ガウス近傍で粉からの散乱光強度が急激に弱く
なることからも分かるものである。すなわち、一対の円
筒電極で形成される電場に対し、電磁コイルによって直
角に磁場を加えることにより、円筒基板表面近傍に輸送
されてくる粉の量が抑制され、ａ−Ｓｉ薄膜形成におい
て膜中に混入する粉を抑制することになる。
いて説明するように、円筒基板の近傍をレーザ光で照射
し、その部分に浮遊している粉からの散乱光強度の計測
を行った結果、圧力０．５〜１Torrにおいて、磁場の強
さが５０ガウス近傍で粉からの散乱光強度が急激に弱く
なることからも分かるものである。すなわち、一対の円
筒電極で形成される電場に対し、電磁コイルによって直
角に磁場を加えることにより、円筒基板表面近傍に輸送
されてくる粉の量が抑制され、ａ−Ｓｉ薄膜形成におい
て膜中に混入する粉を抑制することになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて具体的に説明する。図１は本発明の実
施の一形態に係るプラズマ化学蒸着装置の構成図であ
る。図１において、符号３０乃至３１は図５の従来例と
同じ構成であるが、再度説明する。反応容器３０内には
円筒形高周波電極３１、円筒形基板３２及び円筒形ヒー
タ３３が基板ホルダ３６とともに平行に配置されてい
る。
て図面に基づいて具体的に説明する。図１は本発明の実
施の一形態に係るプラズマ化学蒸着装置の構成図であ
る。図１において、符号３０乃至３１は図５の従来例と
同じ構成であるが、再度説明する。反応容器３０内には
円筒形高周波電極３１、円筒形基板３２及び円筒形ヒー
タ３３が基板ホルダ３６とともに平行に配置されてい
る。
【００１６】該高周波電極３１には反応ガスを吐出する
ガス吐出管３５が付属しており、図示しない反応ガス供
給装置より導入管３４を通して、例えば、モノシランと
水素の混合ガスが供給され、該ガス吐出管３５より該高
周波電極３１と該基板３２の間の空間に上記混合ガスが
吐出される。
ガス吐出管３５が付属しており、図示しない反応ガス供
給装置より導入管３４を通して、例えば、モノシランと
水素の混合ガスが供給され、該ガス吐出管３５より該高
周波電極３１と該基板３２の間の空間に上記混合ガスが
吐出される。
【００１７】反応容器３０内のガスは、排気筒３９を通
して図示しない真空ポンプ４０を介して排出される。
して図示しない真空ポンプ４０を介して排出される。
【００１８】該高周波電極３１には、高周波電源３７か
らインピーダンス整合器３８を介して、例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が供給される。該ヒータ３３は、
反応容器３０と共に接地され、接地電極となっている。
したがって、該高周波電極３１と該ヒータ３３との間、
すなわち基板３２との間でグロー放電プラズマが発生す
る。
らインピーダンス整合器３８を介して、例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が供給される。該ヒータ３３は、
反応容器３０と共に接地され、接地電極となっている。
したがって、該高周波電極３１と該ヒータ３３との間、
すなわち基板３２との間でグロー放電プラズマが発生す
る。
【００１９】該反応容器３０の外側には、一対の電磁コ
イル１−ａ及び電磁コイル１−ｂが、それぞれの軸芯が
上記円筒形ヒータ３３及び円筒形高周波電極３１の軸芯
と一致するように配置される。
イル１−ａ及び電磁コイル１−ｂが、それぞれの軸芯が
上記円筒形ヒータ３３及び円筒形高周波電極３１の軸芯
と一致するように配置される。
【００２０】直流電源２からの出力は、一対の電磁コイ
ル１−ａ，１−ｂに供給され、該一対のコイル１−ａ，
１−ｂは、上記ヒータ３３及び基板３２の軸芯と、同じ
方向の磁力線すなわち磁場Ｂを発生する。（以下、磁場
Ｂ、電場Ｅでの文字Ｂ及びＥはベクトルを表す）。
ル１−ａ，１−ｂに供給され、該一対のコイル１−ａ，
１−ｂは、上記ヒータ３３及び基板３２の軸芯と、同じ
方向の磁力線すなわち磁場Ｂを発生する。（以下、磁場
Ｂ、電場Ｅでの文字Ｂ及びＥはベクトルを表す）。
【００２１】図２は図１の構成における接地電極３３と
高周波電極３１とが形成する電場Ｅ及び磁場Ｂの関係を
示し、（ａ）は両電極の水平面における電場の状態、
（ｂ）はｘ，ｙ，ｚ軸での電場と磁場の関係を示してい
る。
高周波電極３１とが形成する電場Ｅ及び磁場Ｂの関係を
示し、（ａ）は両電極の水平面における電場の状態、
（ｂ）はｘ，ｙ，ｚ軸での電場と磁場の関係を示してい
る。
【００２２】図２（ａ），（ｂ）において、磁場Ｂと電
場Ｅの発生により、接地電極３３と高周波電極３１の内
に発生したプラズマ中の電子や荷電粒子は、それぞれＥ
×Ｂドリフトを受ける。また、電子は磁場Ｂにより、ラ
ーモア旋回運動をする。
場Ｅの発生により、接地電極３３と高周波電極３１の内
に発生したプラズマ中の電子や荷電粒子は、それぞれＥ
×Ｂドリフトを受ける。また、電子は磁場Ｂにより、ラ
ーモア旋回運動をする。
【００２３】これらの運動で電子の反応ガス分子との衝
突頻度は著しく増大し、プラズマ密度が増大するので、
ａ−Ｓｉ薄膜形成の成膜速度は速くなる。更に、プラズ
マ中に発生する粉は一般的には負に帯電しているので、
磁力線の周りを回転するような運動をする。すなわち、
帯電した粉は磁場Ｂに補促されて、基板３２の方向への
移動が抑制される。
突頻度は著しく増大し、プラズマ密度が増大するので、
ａ−Ｓｉ薄膜形成の成膜速度は速くなる。更に、プラズ
マ中に発生する粉は一般的には負に帯電しているので、
磁力線の周りを回転するような運動をする。すなわち、
帯電した粉は磁場Ｂに補促されて、基板３２の方向への
移動が抑制される。
【００２４】図３はこのような粉の基板３２方向への移
動抑制効果を調査した結果である。円筒基板３２の近傍
をレーザ光で照射し、その部分に浮遊している粉からの
散乱光強度の計測を行った結果、図３に示すようなデー
タが得られたものである。同図によると、圧力０．５〜
１Torrにおいて、磁場の強さが５０ガウス近傍で粉から
の散乱光強度が急激に弱くなることが判った。
動抑制効果を調査した結果である。円筒基板３２の近傍
をレーザ光で照射し、その部分に浮遊している粉からの
散乱光強度の計測を行った結果、図３に示すようなデー
タが得られたものである。同図によると、圧力０．５〜
１Torrにおいて、磁場の強さが５０ガウス近傍で粉から
の散乱光強度が急激に弱くなることが判った。
【００２５】すなわち、一対の円筒電極３１で形成され
る電場Ｅに対し、直角方向に磁場Ｂを加えることによ
り、基板表面近傍に輸送されてくる粉の量が抑制される
ということが見い出された。従って、このようなプラズ
マ化学蒸着装置は、ａ−Ｓｉ薄膜形成において、膜中に
混入してくる粉の抑制に有効に作用するものである。
る電場Ｅに対し、直角方向に磁場Ｂを加えることによ
り、基板表面近傍に輸送されてくる粉の量が抑制される
ということが見い出された。従って、このようなプラズ
マ化学蒸着装置は、ａ−Ｓｉ薄膜形成において、膜中に
混入してくる粉の抑制に有効に作用するものである。
【００２６】上記に説明の実施の形態において、アモル
ファスシリコン薄膜を製造する具体例を説明する。図示
省略の真空ポンプにより反応容器３０内を排気する。反
応容器３０が充分に排気された後、例えば１×１０-6〜
１×１０-7Torrの圧力になった後、反応ガス吐出管３５
から、例えばモノシランを１００〜１５０cc／分程度の
流量で供給し、反応容器３０内の圧力を０．２〜２．０
Torrに保つ。
ファスシリコン薄膜を製造する具体例を説明する。図示
省略の真空ポンプにより反応容器３０内を排気する。反
応容器３０が充分に排気された後、例えば１×１０-6〜
１×１０-7Torrの圧力になった後、反応ガス吐出管３５
から、例えばモノシランを１００〜１５０cc／分程度の
流量で供給し、反応容器３０内の圧力を０．２〜２．０
Torrに保つ。
【００２７】高周波電源３７からインピーダンス整合器
３８を介して、高周波電極３１に例えば１３．５６ＭＨ
ｚ高周波電力２００Ｗ〜１０００Ｗを供給する。
３８を介して、高周波電極３１に例えば１３．５６ＭＨ
ｚ高周波電力２００Ｗ〜１０００Ｗを供給する。
【００２８】一方、電磁コイル１−ａ，１−ｂに直流電
源２より直流電力を供給し、磁場の強さ１０〜１００ガ
ウスの磁場を該電磁コイル内に発生させる。
源２より直流電力を供給し、磁場の強さ１０〜１００ガ
ウスの磁場を該電磁コイル内に発生させる。
【００２９】アモルファスシリコン薄膜の成膜速度は反
応ガス流量、圧力、高周波電力及び磁場の強さなどに依
存する。そこで、以下のような条件でアモルファス薄膜
を成膜した。
応ガス流量、圧力、高周波電力及び磁場の強さなどに依
存する。そこで、以下のような条件でアモルファス薄膜
を成膜した。
【００３０】反応ガスとして１００％モノシランを１０
０cc／分の流量で供給し、反応容器３０内の圧力を０．
２〜２．０Torrとした。高周波電力は５００Ｗ、磁場の
強さは６０ガウスとした。その成膜結果の一例を図４に
示す。
０cc／分の流量で供給し、反応容器３０内の圧力を０．
２〜２．０Torrとした。高周波電力は５００Ｗ、磁場の
強さは６０ガウスとした。その成膜結果の一例を図４に
示す。
【００３１】このデータによると、圧力範囲０．２〜
２．０Torrにおいて、屈折率が３．２以上あるので、粉
の混入の無い良質の膜と判断される。なお、ａ−Ｓｉの
場合、粉の混入があると屈折率が３．２以下になるが、
図４に示す結果によれば屈折率は３．２以上であり、粉
の混入のないことを示している。
２．０Torrにおいて、屈折率が３．２以上あるので、粉
の混入の無い良質の膜と判断される。なお、ａ−Ｓｉの
場合、粉の混入があると屈折率が３．２以下になるが、
図４に示す結果によれば屈折率は３．２以上であり、粉
の混入のないことを示している。
【００３２】
【発明の効果】以上、具体的に説明したように、本発明
は、反応容器、反応容器内の反応ガス吐出孔、反応ガス
排出孔、反応容器内に設置した一対の放電用円筒電極、
放電用円筒電極にグロー放電を発生させる電源、電極間
に配置される円筒基板を加熱するヒータ、放電用円筒電
極と同一軸芯となるように配置した電磁コイル及び電磁
コイルに電力を供給する直流電源とを備えた構成とした
ので次のような効果を奏する。
は、反応容器、反応容器内の反応ガス吐出孔、反応ガス
排出孔、反応容器内に設置した一対の放電用円筒電極、
放電用円筒電極にグロー放電を発生させる電源、電極間
に配置される円筒基板を加熱するヒータ、放電用円筒電
極と同一軸芯となるように配置した電磁コイル及び電磁
コイルに電力を供給する直流電源とを備えた構成とした
ので次のような効果を奏する。
【００３３】（１）円筒形放電用電極の軸芯に平行な方
向をも磁場Ｂを電磁コイルで付加することにより、プラ
ズマにＥ×Ｂドリフト及び磁場Ｂ周りに負に帯電した粉
を回転させる運動を起こさせることが実現したため、プ
ラズマ内で発生し、成長する粉が基板上のａ−Ｓｉ膜へ
混入しなくなった。
向をも磁場Ｂを電磁コイルで付加することにより、プラ
ズマにＥ×Ｂドリフト及び磁場Ｂ周りに負に帯電した粉
を回転させる運動を起こさせることが実現したため、プ
ラズマ内で発生し、成長する粉が基板上のａ−Ｓｉ膜へ
混入しなくなった。
【００３４】（２）その結果、従来困難視されていたａ
−Ｓｉ膜高速成膜時のａ−Ｓｉ膜への粉混入に伴う膜質
の低下が防止可能となった。したがって、ａ−Ｓｉ感光
ドラム、太陽電池及び光センサなどの製造分野での工業
的価値は著しく大きいものがある。
−Ｓｉ膜高速成膜時のａ−Ｓｉ膜への粉混入に伴う膜質
の低下が防止可能となった。したがって、ａ−Ｓｉ感光
ドラム、太陽電池及び光センサなどの製造分野での工業
的価値は著しく大きいものがある。
【図１】本発明の実施の一形態に係るプラズマ化学蒸着
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図２】本発明の実施の一形態に係るプラズマ化学蒸着
装置の作用を示す図で、（ａ）は電極の水平平面におけ
る電場の状態、（ｂ）はｘ，ｙ，ｚ軸上での電場と磁場
の関係を、それぞれ示す。
装置の作用を示す図で、（ａ）は電極の水平平面におけ
る電場の状態、（ｂ）はｘ，ｙ，ｚ軸上での電場と磁場
の関係を、それぞれ示す。
【図３】本発明の実施の一形態に係るプラズマ化学蒸着
装置で得られた粉からの散乱光の特性図である。
装置で得られた粉からの散乱光の特性図である。
【図４】本発明の実施の一形態に係るプラズマ化学蒸着
装置で得られた特性図で、（ａ）は成膜速度、（ｂ）は
屈折率、（ｃ）は光導電率、（ｄ）は暗導電率、をそれ
ぞれ示す。
装置で得られた特性図で、（ａ）は成膜速度、（ｂ）は
屈折率、（ｃ）は光導電率、（ｄ）は暗導電率、をそれ
ぞれ示す。
【図５】従来の円筒形放電用電極を用いたプラズマ化学
蒸着装置の構成図である。
蒸着装置の構成図である。
１−ａ，１−ｂ 電磁コイル ２ 直流電源 ３０ 反応容器 ３１ 円筒形高周波電極 ３２ 円筒形基板 ３３ 円筒形ヒータ ３４ 導入管 ３５ ガス吐出管 ３６ 基板ホルダ ３７ 高周波電源 ３８ インピーダンス整合器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｖ
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器と；同反応容器内に反応ガスを
供給する反応ガス吐出孔と；前記容器内の反応ガスを排
出する反応ガス排出孔と；前記反応容器内に設置された
内側円筒電極及び外側円筒電極から構成の一対の放電用
円筒電極と；同放電用円筒電極にグロー放電発生用電力
を供給する電源と；前記放電用円筒電極の内側と外側円
筒電極間に配置される円筒基板を加熱するヒータと；前
記放電用円筒電極の軸芯と同じ軸芯をもち、前記反応容
器外に配置された電磁コイルと；同電磁コイルに電力を
供給する直流電源とを具備してなり、前記円筒基板に前
記反応ガスによる薄膜を形成することを特徴とするプラ
ズマ化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092405A JPH09283449A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | プラズマ化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092405A JPH09283449A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | プラズマ化学蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283449A true JPH09283449A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14053514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8092405A Pending JPH09283449A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | プラズマ化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283449A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450286B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2004-10-15 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 플라즈마를 이용한 화학기상증착 장치 |
| TWI422288B (zh) * | 2009-09-11 | 2014-01-01 | Univ Nat Formosa | High dissociation rate plasma generation method and application device thereof |
| CN111569803A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-25 | 山东师范大学 | 一种用于等离子体催化重整温室气体的装置及方法 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP8092405A patent/JPH09283449A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450286B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2004-10-15 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 플라즈마를 이용한 화학기상증착 장치 |
| TWI422288B (zh) * | 2009-09-11 | 2014-01-01 | Univ Nat Formosa | High dissociation rate plasma generation method and application device thereof |
| CN111569803A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-25 | 山东师范大学 | 一种用于等离子体催化重整温室气体的装置及方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020723 |