JPH0459390B2 - - Google Patents
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- JPH0459390B2 JPH0459390B2 JP63048773A JP4877388A JPH0459390B2 JP H0459390 B2 JPH0459390 B2 JP H0459390B2 JP 63048773 A JP63048773 A JP 63048773A JP 4877388 A JP4877388 A JP 4877388A JP H0459390 B2 JPH0459390 B2 JP H0459390B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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Description
（発明の属する技術分野）
本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性
膜、特に半導体デバイス、電子写真用感光体デバ
イス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイ
ス、光起電力デバイス等に用いるアモルフアス半
導体膜を形成するための方法に関するものであ
る。 〔従来技術の説明〕 従来、半導体デバイス、電子写真用感光体デバ
イス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイ
ス、光起電力素子、その他各種のエレクトロニク
ス素子、光学素子等に用いる素子部材として、ア
モルフアスシリコン、例えば水素（Ｈ）又は／及
びハロゲン（Ｘ）（例えばフツ素、塩素等）で補
償されたアモルフアスシリコン（以下〔Ａ−Si
（Ｈ，Ｘ）〕と記す）等のアモルフアス半導体等の
堆積膜を提案され、その中のいくつかは実用に付
されている。 そして、そうした堆積膜については、プラズマ
CVD法、即ち、原料ガスを直流又は高周波、マ
イクロ波グロー放電によつて分解し、ガラス、石
英、耐熱性合成樹脂フイルム、ステンレス、アル
ミニウムなどの基体上に薄膜状の堆積膜を形成す
る方法により形成されることが知られており、そ
のための装置も各種提案されている。 そうしたプラズマCVD法による堆積膜形成方
法において、電子写真用感光体をマイクロ波プラ
ズマCVD法により作製する装置の代表例を第３
図に示す。第３図ａは縦断面図、第３図ｂは横断
面図をそれぞれ表している。第３図において、１
０１は反応炉、１０２はアルミナセラミツクス又
は石英等のマイクロ波導入窓、１０３は導波管、
１０４は排気管、１０５は基体、１０６は放電空
間を示す。また、１０７は基体を加熱、保持する
ために基体に内蔵されたヒーターである。 なお、反応炉１０１は放電トリガー等を用いる
ことなく自励放電にて放電を開始せしめるため、
マイクロ波電源（図示せず）の発振周波数に共振
するような空洞共振器構造とするのが一般的であ
る。 こうした、堆積膜形成装置による堆積膜形成
は、以下のようにして行われる。 即ち、反応炉１０１内部を、排気管１０４を介
して真空排気すると共に、基体１０５を基体１０
５に内蔵されたヒーター１０７により所定温度に
加熱、保持し、駆動モーター（図示せず）にて、
所望の回転速度で一定に回転させる。次に、例え
ばアモルフアスシリコン堆積膜を形成する場合で
あれば、シランガス、水素ガス等の原料ガスを不
図示の原料ガス供給管等を用いて送入する。これ
と同時併行的に、マイクロ波電源（図示せず）か
ら周波数500MHz以上の、好ましくは2.45GHzの
マイクロ波を発生し、該マイクロ波は、導波管１
０３を通りマイクロ波導入窓１０２を介して反応
炉１０１内に導入される。かくして反応炉１０１
内の導入原料ガスは、マイクロ波のエネルギーに
より励起されて解離し、中性ラジカル粒子、イオ
ン粒子、電子等が生成され、それ等が相互に反応
して基体１０５の表面に堆積膜が形成される。 ところで、上述の様な原料ガスの分解によつて
堆積膜の形成が行われる際、基体１０５が駆動モ
ーターにより、所望の回転速度で一定に回転して
いる為、放電空間１０６に対して、基体の表面で
は、放電と非放電の繰り返しによる堆積膜の積層
が行われる。 第３図ｂにおいて、ア、イ、ウは基体表面が放
電空間に対してとる位置関係を典型化して示した
ものである。アは基体の表面が放電空間に対して
ほぼ正面を向いた位置を示している。イは基体の
表面が放電空間に対して斜めに向いた位置を示し
ている。又ウは基体の表面が放電空間の外側に向
いた位置を示しており、膜形成の行われない位置
を示す。 この場合、第３図ｂのアの部分の様に、放電空
間に対して、基体の表面が正面に向いている場合
は、均一なプラズマに基体の表面がさらされて均
一な膜（以下、正面膜と記す）が堆積されるが、
第３図ｂのイの部分の様に、放電空間に対して、
基体の表面が斜めとなる場合には、そこでのプラ
ズマが不均一となり易い為、堆積された膜（以下
斜面膜と記す）は、膜厚及び膜質が均一にならな
い。従つて、得られた電子写真用感光体は、特性
が芳しくなく、実用上に差し支えるという欠点が
あつた。 また、上述の様な堆積膜形成方法では、特に電
子写真用感光体を量産化しようとする場合には、
非常に歩留まりが悪いのが実状であつた。 〔発明の目的〕 本発明は、上述のごとき、複数の基体を回転さ
せて、放電と非放電の繰り返しによる堆積膜形成
方法における諸問題を克服して、半導体デバイ
ス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ライ
ンセンサー、撮影デバイス、光起電力素子、その
他の各種エレクトロニクス素子、光学素子等に用
いる素子部材としての堆積膜を安定して形成しう
る方法を提供することを目的とするものである。 本発明の他の目的は、量産性に優れ、電気的、
光学的に優れた堆積膜を均一に得ることが出来る
堆積膜形成方法を提供することにある。 本発明のさらに他の目的は、放電を所定の放電
空間に安定な状態で閉じ込めるとともに、基体の
回転数を制御して、放電と非放電の繰り返しによ
つて出来る基体上の一層当たりの膜厚を制御する
ことにより、均一なＡ−Si（Ｈ：Ｘ）を得ること
が出来る堆積膜形成方法を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明は、上述の目的を達成し得る堆積膜形成
方法を提供するものである。 即ち、本発明の堆積膜形成方法は、複数の基板
を収容する実質的に閉止された反応槽に、原料ガ
スに由来する反応ガス物質を含むグロー放電プラ
ズマを槽内に形成して、複数の基板を回転させ
て、放電と非放電の繰り返しによつて複数の基板
上に薄膜を積層させるための方法において、前記
原料ガスを放電空間に向かつて導入するためのガ
ス導入パイプを隣り合う前記複数の基体間に設け
ると同時に、前記基板上の一層当たりの薄厚を
1000Å以下にしたことを特徴とするものである。 本発明者は、従来の堆積膜形成方法における前
述の問題を克服して、前述の本発明の目的を達成
すべく鋭意研究を重ねたところ、以下に述べるよ
うな知見を得た。 第３図は、従来の堆積膜形成方法により作製し
た光導電膜の断面の一部を模式的に示した図であ
る。図中１は前記第３図ｂのアの部分の（正面
膜）に相当する膜である。３及び３′は第３図ｂ
のイの部分の〔斜面膜〕に相当する膜である。２
は基体表面が、まつたく膜の形成されることのな
い放電空間の裏側に回つた際に生じる層境界であ
る。このように堆積膜の断面はａの間隔で膜質が
周期的に変化するような一種の積層膜の構成を呈
する。ここで、３及び３′の斜面膜部分は前述の
とおり１の正面膜部分に比べ膜質が劣るという宿
命を持つているため、これらが積層された膜の特
性は正面膜の良好な特性と、斜面膜の不十分な特
性とがmixされたものとなる。 ところで正面膜と斜面膜の比率というのは発明
者らの知見によれば第９図のように円筒状基体の
直径に依存せず中心角θで一義的に決定されるた
め、全堆積膜中に占める正面膜の厚さの合計と斜
面膜の厚さの合計との比率は回転速度、内圧、そ
の他の堆積条件によらず一定のものとなる。従つ
てもし仮に前記正面膜と斜面膜の積層によつて得
られる全堆積膜の特性が、正面膜、斜面膜それぞ
れの膜厚の合計の比で決定されるものとすると、
基体を回転させ、放電、非放電を繰り返して堆積
膜を形成する従来の方法においては、堆積膜の特
性は動かしようのないものとなつてしまうことに
なる。 一方、斜面膜というのは前述のとおり、その付
近でのプラズマが不均一となることに起因するた
め、このプラズマの不均一性を緩和することによ
り改善がなされないかどうかという点、及び電子
写真用感光体デバイス等の場合堆積膜の層厚方向
に電荷を走行させて動作させることから、積層状
態のアレンジにより改善がなされないものかどう
かという点の２点に着目して検討を行つた。すな
わち第１図、第２図のような隣り合う基体間にガ
ス導入管１０８が設置され、かつ、ノズル１０
８′などによつて放電空間内に向かつて原料ガス
が放出されるように構成され、従つて原料ガスの
放電空間内への導入が有効に行われると同時に基
体と基体との間隙からの放電モレの防止が有効に
なされ、その結果として放電空間内の放電が安定
化されるような装置を用い、これに加えて基体の
回転速度を増すことによつて各積層膜の厚みを小
さくし、一層当たりに占める斜面膜の厚さを小さ
く押さえ、かつ堆積膜全層に亘つて分散させるこ
とにより改善がなされないかどうかを実験により
確かめてみたところ、第１図、第２図のような装
置を用いた上で各層の膜厚を減ずる方向、すなわ
ち、第８図ａの積層の周期を小さくする方向で改
善傾向がみられ、しかもある周期以下を境にこれ
が飛躍的に改善されることがわかつた。 第４図は、第１図、第２図に示す装置を用いて
成膜時の原料ガスとしてSiH4＝250sccmを流して
Ａ−Si：Ｈのサンプルを作製した時の一層当たり
の膜厚（Å）とＳ／Ｎ比（明導電率と暗導電率と
の比：σp／σd）との関係を調べた図である。一
層当たりの膜厚が1000Å以下の場合には、σp／
σdが104〜105と良い結果を示し、1000Åを越える
と、σp／σdは急激に減少して、３桁程度悪くな
ることが判明した。 次にSiH4流量を550sccm、1000sccmとして、同
様に一層当たりの膜厚（Å）とσp／σdの関係を
みたところ、第１０図のようにSiH4＝250sccmの
際と同様の傾向を示し、1000Åを境にＳ／Ｎ比の
急激な変化がみられることがわかつた。 上記の３回の実験は原料ガスの流量を異にする
ため、当然のことながらそれぞれの放電状態及び
その結果としての堆積速度は異なつたものとな
る。従つて積層膜一層当たりの膜厚が一定の場合
には、基体の回転数はそれぞれ異なつた値をとる
ことになる。 第５図乃至第７図はそれぞれSiH4＝250sccm、
550sccm、1000sccmの際の、基体の回転数と一層
当たりの膜厚との関係を調べたものである。一層
当たりの膜厚を1000ÅとするためにはSiH4＝
250sccmの場合約1.5RPM、550sccmの場合約
3.5RPM、1000sccmの場合は約6.2RPMの回転数
で基体を回転させる必要があることがわかる。 第１２図は、前記SiH4＝250sccmの際と同じ膜
形成条件下において膜形成装置として第３図のよ
うな従来の装置を用いて、同様に一層当たりの膜
層（Å）とσp／σdの関係を調べたものである。
点線で示すカーブは先の本発明に係る装置を用い
た際の結果を併記したものである。両者のカーブ
を比較すれば明らかな様に、従来の装置を用いた
場合でも一層当たりの膜厚が1000Å前後におい
て、Ｓ／Ｎ比の急激な変化が見られるが、1000Å
以下の領域におけるＳ／Ｎ比の絶対値は本発明に
係る装置を用いた前述のサンプルの場合に比べて
はるかに小さく、本発明の作用、効果が特定の装
置構成と、特定の層構成のアレンジメントとの相
乗的作用によるものであることがわかる。 以上のような経緯から、、特性の悪い斜面膜の、
全堆積膜に及ぼす悪影響は、第１図、第２図のよ
うな装置を用いると同時に堆積膜一層当たりに占
める斜面膜の厚さを小さくし、かつ全層に亘つて
分散させることによつて軽減でき、一層当たりの
膜厚の実用上の境界条件は、回転速度などの膜形
成条件には依存せず、積層膜一層当たりの膜厚に
より決定づけられ、しかもその具体的境界値は
1000Åであるということが示唆された。これらの
結果に基づき、更に各種膜形成パラメーターを変
化させ検討を繰り返した結果、どのような膜形成
条件下においても、積層膜一層当たりの膜厚を
1000Å以下にすることにより、膜の電気的特性に
顕著な改善が見られることがわかつた。 ここまで述べたきたとおり、本発明は積層膜一
層当たりの膜厚を1000Å以下に制御することをそ
の骨子とするが、これを実現するに当たつては、
各種堆積膜形成条件との兼ね合いが生ずる。 最も直接的な関係を有する膜形成パラメーター
は先に図によつても示したとおり堆積速度と回転
数である。すなわち相対的に早い堆積速度の膜形
成条件を選択する場合には、回転数を上げぎみに
し、回転周期を短くして、放電にさらされる単位
時間を短か目にしてやるような配慮が必要とな
る。堆積速度は、基体の曲面が回転につれて放電
中心に対してとる角度を時々刻々変えているた
め、回転周期内で変化することとなり、従つて回
転数との好適な相互関係を一義的に規定すること
は難しいが、便宜的には次のように決定される。 すなわち、まず、適当な回転速度で一定時間膜
形成を行い膜形成終了後膜厚を測定し、一分間当
たりの堆積速度（Å／min）に換算する。 しかる後この値を1000Åで除してやればこの値
が、この膜形成条件において一層1000Åを得るた
めに必要な回転数（RPM）であるから、それ以
上の回転数で行うことが、一層当たりの膜厚を
1000Å以下にするための条件となる。 本発明において、基体上に堆積される一層当た
りの膜厚は1000Å以下にすれば十分であるが更に
好ましくは500Å以下に制御することがより安定
な条件範囲を確保できるという点で望ましい。 本発明に採用される、隣り合う基板間に設置さ
れるガス導入管は、第２図の模式図のように円筒
形の棒状のものか又は、その側面に複数の細い棒
状ノズルを設けた第１図のようなものが基本形を
なすものであるが、これら以外でも隣り合う基体
間に設置可能であつて、各基体との間にガス分子
の流通をさまたげない程度の間隔を残して直立す
るものであれば任意の断面形状をとることができ
る。ガス導入孔の形態としては、前記第１図のよ
うに分岐された細い棒状ノズルを有しているもの
の他、ガス導入管の側面に直接細孔が穿たれたも
の等が用いられ、いずれにしても放電空間の中心
部に向かつて開口していることが必須条件とな
る。設置される位置としては、複数の基体の中心
を結んで描かれる円上の近傍とされるのが好まし
く、基体との間隔は目的とする堆積膜の形成条件
に合わせて任意に設定される。ガス導入管の材質
は、機械加工又は成形が容易で一定の剛性を有
し、又、コンタミネーシヨンの恐れのないもので
あればどのようなものでも使用可能だが、普通は
ステンレス、アルミニウムなどの金属、アルミナ
などのセラミツクス、石英ガラスなどが好適なも
のとして用いられる。 本発明を有効に適用する際のもう一つの重要な
膜形成パラメーターは放電空間の圧力である。 放電空間の圧力が相対的に高い場合において
は、明確な理由は定かではないが、正面膜に対す
る斜面膜の比率が増加するものとみられ、従つて
積層膜一層当たりの膜厚を、殊更小さくしないと
良好な特性の膜が得にくいという事態が生じ、こ
のため回転数などに関する条件範囲が狭められる
ということになる。 第１１図は先のSiH4＝250sccmの際の実験例と
同じ膜形成条件下での、放電空間の圧力とこの圧
力においてＳ／Ｎ比（σp／σd）が104を得るのに
必要な、積層膜一層当たりの膜厚との関係を調べ
た図である。約1Torrを境に一層当たりの膜厚を
急激に下げてやらないと良好な特性を維持できな
いことがわかる。この実験結果に基づき各種条件
下で実験を繰り返したところ、どのような膜形成
条件においても概ね1Torrを越えると急激に好適
範囲が狭められるという事実を見いだした。 以上のことから、本発明を有効に適用するに当
たつては、基体上に堆積膜を形成する際の放電空
間の圧力は1Torr以下から、安定な放電状態を維
持する上での下限値である１×10-5Torrまでの
範囲に設定するのが好ましく、１×10-2Torrか
ら１×10-4Torrの範囲が、より安定な条件範囲
を確保する上で更に好ましい。 〔実施例〕 以下、本発明の堆積膜形成方法について、図面
の実験例により更に詳しく説明するが、本発明
は、これにより何ら限定されるものではない。 以下の本発明の実施例は、第１図の装置を使用
して行つた。 即ち、図中、１０１は反応炉であり、１０２は
マイクロ波を反応炉１０１内に効率良く透過し、
かつ真空気密を保持し得るような材料（例えば石
英ガラス）で形成されたマイクロ波導入窓であ
る。１０３はマイクロ波の導波管で主として金属
製の導波管からなつており、三本柱整合器、アイ
ソレーター（図示せず）を介してマイクロ波電源
（図示せず）に接続されている。１０４は、一端
が反応炉１０１内に開口し、他端が排気装置（図
示せず）に連通している排気管である。１０７
は、基体１０５をＡ−Si：Ｈ：Ｘ膜が堆積するの
に好適な温度に加熱保持するためのヒーターであ
る。１０８は、原料ガス供給源（図示せず）に連
通している原料ガス供給管であり、マイクロ波を
効率良く透過する誘電体材料から形成されたもの
である。該原料ガス供給管には、複数のガス吹き
出し口１０８′が設けられており、放電空間１０
６に向かつてガスが吹き出し口から放出される様
に、ガス供給管が設置されている。 以下、実施例に従つて、本発明の堆積膜形成方
法を用いた電子写真用感光体の作製について説明
する。 実施例 １ 反応炉１０１の内部を排気管１０４を介して、
真空排気すると共に、基体１０５に内蔵されたヒ
ーター１０７により所定温度に加熱、保持する。 次に、原料ガス供給管１０８を介して、第１表
の作製条件に従つて、シランガス（SiH4）、水素
ガス（H2）、ジボランガス（B2H6）等の原料ガ
スを反応炉１０１内に、１×10-2Torr以下の真
空度を維持しながら放出する。そして、基体１０
５を駆動モーター（図示せず）にて、第１表の回
転速度にて、一定に回転させる。そして、次に、
マイクロ波電源（図示せず）より、2.45GHzのマ
イクロ波を導波管１０４及びマイクロ波導入窓１
０２を介して、放電空間１０６に導入する。 該放電空間１０６は、マイクロ波導入窓１０２
及び円周上に配置された導電性基体１０５に囲ま
れたマイクロ波空洞共振構造となつており、導入
されたマイクロ波エネルギーを効率よく吸収す
る。 かくして、放電空間１０６内の導入原料ガス
は、マイクロ波のエネルギーにより励起されて解
離し、中性ラジカル粒子、イオン粒子、電子等が
生成され、それ等が相互に反応して導電性基体１
０５の放電空間１０６側表面に堆積膜が形成され
る。 このとき、原料ガスの種類、流量、反応炉１０
１内の圧力、導入するマイクロ波エネルギー等
は、必要とする感光体の構成により、任意に変え
ることができる。 得られた感光体について、複写機（キヤノン(株)
製NP7550）に搭載して、電位特性（帯電能、感
度、残留電位）、画像性（画像流れ、ゴースト、
画像欠陥）を評価したところ、第２表に示す良好
な結果が得られた。また、得られた感光体の感光
層の一層当たりの膜厚は、第３表に示す様になつ
た。 比較例 １ 第１図、第２図の反応炉からガス導入パイプ１
０８を取り去つた状態で実施例１と全く同様の条
件で感光体を作成した。得られた感光体について
実施例１と全く同様の評価を行つたところ、第２
表の各項目には、一応実用を満たす程度の結果は
得られたものの、実施例１と比べると、帯電能、
感度については約２／３程度の値しか得られず、
残留電位は約２倍の値を示した。 実施例２及び比較例２ 基体の回転速度を第４表に示す種々の値に設定
し、あとは、実施例１と同様の作製装置、作製条
件にて、感光体を作製し、同様の評価を行つたと
ころ、第５表に示す結果が得られた。また、得ら
れた感光体の感光層の一層当たりの膜厚は、第５
表に示すものとなつた。 実施例３及び比較例３ 感光層の作製条件および基体の回転速度を第６
表の様に変えた以外は、実施例１と同様の作製装
置、作製条件で感光体を作製し、同様の評価を行
つたところ、第７表に示す結果が得られた。ま
た、得られた感光体の感光層の一層当たりの膜厚
は、第７表に示す結果となつた。 実施例４及び比較例４ 感光層形成時の放電空間の圧力を第８表のよう
に変えた以外は実施例１と同様の作製装置、作製
条件で感光体を作製し、同様の評価を行つたとこ
ろ第９表に示す結果が得られた。 〔発明の効果の概要〕 本発明によれば、複数の基体を回転させて、放
電と非放電の繰り返しによつて、前記基体上にプ
ラズマCVD法により、薄膜を積層させるための
方法において、原料ガスを放電空間に向かつて導
入するためのガス導入パイプを隣り合う前記複数
の基体間に設けると同様に基体上の一層当たりの
膜厚を1000Å以下とすることにより、放電空間内
のプラズマが安定化すると同時に斜面膜が一層当
たりに堆積される厚さを少なくすることが出来、
これらの相乗効果により良質な堆積膜を基体上に
堆積させることが可能となる。また、得られた膜
は、電気的にも、光学的にも優れた緻密なものと
なり、量産性に富んだ堆積膜形成方法となり得
る。
膜、特に半導体デバイス、電子写真用感光体デバ
イス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイ
ス、光起電力デバイス等に用いるアモルフアス半
導体膜を形成するための方法に関するものであ
る。 〔従来技術の説明〕 従来、半導体デバイス、電子写真用感光体デバ
イス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイ
ス、光起電力素子、その他各種のエレクトロニク
ス素子、光学素子等に用いる素子部材として、ア
モルフアスシリコン、例えば水素（Ｈ）又は／及
びハロゲン（Ｘ）（例えばフツ素、塩素等）で補
償されたアモルフアスシリコン（以下〔Ａ−Si
（Ｈ，Ｘ）〕と記す）等のアモルフアス半導体等の
堆積膜を提案され、その中のいくつかは実用に付
されている。 そして、そうした堆積膜については、プラズマ
CVD法、即ち、原料ガスを直流又は高周波、マ
イクロ波グロー放電によつて分解し、ガラス、石
英、耐熱性合成樹脂フイルム、ステンレス、アル
ミニウムなどの基体上に薄膜状の堆積膜を形成す
る方法により形成されることが知られており、そ
のための装置も各種提案されている。 そうしたプラズマCVD法による堆積膜形成方
法において、電子写真用感光体をマイクロ波プラ
ズマCVD法により作製する装置の代表例を第３
図に示す。第３図ａは縦断面図、第３図ｂは横断
面図をそれぞれ表している。第３図において、１
０１は反応炉、１０２はアルミナセラミツクス又
は石英等のマイクロ波導入窓、１０３は導波管、
１０４は排気管、１０５は基体、１０６は放電空
間を示す。また、１０７は基体を加熱、保持する
ために基体に内蔵されたヒーターである。 なお、反応炉１０１は放電トリガー等を用いる
ことなく自励放電にて放電を開始せしめるため、
マイクロ波電源（図示せず）の発振周波数に共振
するような空洞共振器構造とするのが一般的であ
る。 こうした、堆積膜形成装置による堆積膜形成
は、以下のようにして行われる。 即ち、反応炉１０１内部を、排気管１０４を介
して真空排気すると共に、基体１０５を基体１０
５に内蔵されたヒーター１０７により所定温度に
加熱、保持し、駆動モーター（図示せず）にて、
所望の回転速度で一定に回転させる。次に、例え
ばアモルフアスシリコン堆積膜を形成する場合で
あれば、シランガス、水素ガス等の原料ガスを不
図示の原料ガス供給管等を用いて送入する。これ
と同時併行的に、マイクロ波電源（図示せず）か
ら周波数500MHz以上の、好ましくは2.45GHzの
マイクロ波を発生し、該マイクロ波は、導波管１
０３を通りマイクロ波導入窓１０２を介して反応
炉１０１内に導入される。かくして反応炉１０１
内の導入原料ガスは、マイクロ波のエネルギーに
より励起されて解離し、中性ラジカル粒子、イオ
ン粒子、電子等が生成され、それ等が相互に反応
して基体１０５の表面に堆積膜が形成される。 ところで、上述の様な原料ガスの分解によつて
堆積膜の形成が行われる際、基体１０５が駆動モ
ーターにより、所望の回転速度で一定に回転して
いる為、放電空間１０６に対して、基体の表面で
は、放電と非放電の繰り返しによる堆積膜の積層
が行われる。 第３図ｂにおいて、ア、イ、ウは基体表面が放
電空間に対してとる位置関係を典型化して示した
ものである。アは基体の表面が放電空間に対して
ほぼ正面を向いた位置を示している。イは基体の
表面が放電空間に対して斜めに向いた位置を示し
ている。又ウは基体の表面が放電空間の外側に向
いた位置を示しており、膜形成の行われない位置
を示す。 この場合、第３図ｂのアの部分の様に、放電空
間に対して、基体の表面が正面に向いている場合
は、均一なプラズマに基体の表面がさらされて均
一な膜（以下、正面膜と記す）が堆積されるが、
第３図ｂのイの部分の様に、放電空間に対して、
基体の表面が斜めとなる場合には、そこでのプラ
ズマが不均一となり易い為、堆積された膜（以下
斜面膜と記す）は、膜厚及び膜質が均一にならな
い。従つて、得られた電子写真用感光体は、特性
が芳しくなく、実用上に差し支えるという欠点が
あつた。 また、上述の様な堆積膜形成方法では、特に電
子写真用感光体を量産化しようとする場合には、
非常に歩留まりが悪いのが実状であつた。 〔発明の目的〕 本発明は、上述のごとき、複数の基体を回転さ
せて、放電と非放電の繰り返しによる堆積膜形成
方法における諸問題を克服して、半導体デバイ
ス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ライ
ンセンサー、撮影デバイス、光起電力素子、その
他の各種エレクトロニクス素子、光学素子等に用
いる素子部材としての堆積膜を安定して形成しう
る方法を提供することを目的とするものである。 本発明の他の目的は、量産性に優れ、電気的、
光学的に優れた堆積膜を均一に得ることが出来る
堆積膜形成方法を提供することにある。 本発明のさらに他の目的は、放電を所定の放電
空間に安定な状態で閉じ込めるとともに、基体の
回転数を制御して、放電と非放電の繰り返しによ
つて出来る基体上の一層当たりの膜厚を制御する
ことにより、均一なＡ−Si（Ｈ：Ｘ）を得ること
が出来る堆積膜形成方法を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明は、上述の目的を達成し得る堆積膜形成
方法を提供するものである。 即ち、本発明の堆積膜形成方法は、複数の基板
を収容する実質的に閉止された反応槽に、原料ガ
スに由来する反応ガス物質を含むグロー放電プラ
ズマを槽内に形成して、複数の基板を回転させ
て、放電と非放電の繰り返しによつて複数の基板
上に薄膜を積層させるための方法において、前記
原料ガスを放電空間に向かつて導入するためのガ
ス導入パイプを隣り合う前記複数の基体間に設け
ると同時に、前記基板上の一層当たりの薄厚を
1000Å以下にしたことを特徴とするものである。 本発明者は、従来の堆積膜形成方法における前
述の問題を克服して、前述の本発明の目的を達成
すべく鋭意研究を重ねたところ、以下に述べるよ
うな知見を得た。 第３図は、従来の堆積膜形成方法により作製し
た光導電膜の断面の一部を模式的に示した図であ
る。図中１は前記第３図ｂのアの部分の（正面
膜）に相当する膜である。３及び３′は第３図ｂ
のイの部分の〔斜面膜〕に相当する膜である。２
は基体表面が、まつたく膜の形成されることのな
い放電空間の裏側に回つた際に生じる層境界であ
る。このように堆積膜の断面はａの間隔で膜質が
周期的に変化するような一種の積層膜の構成を呈
する。ここで、３及び３′の斜面膜部分は前述の
とおり１の正面膜部分に比べ膜質が劣るという宿
命を持つているため、これらが積層された膜の特
性は正面膜の良好な特性と、斜面膜の不十分な特
性とがmixされたものとなる。 ところで正面膜と斜面膜の比率というのは発明
者らの知見によれば第９図のように円筒状基体の
直径に依存せず中心角θで一義的に決定されるた
め、全堆積膜中に占める正面膜の厚さの合計と斜
面膜の厚さの合計との比率は回転速度、内圧、そ
の他の堆積条件によらず一定のものとなる。従つ
てもし仮に前記正面膜と斜面膜の積層によつて得
られる全堆積膜の特性が、正面膜、斜面膜それぞ
れの膜厚の合計の比で決定されるものとすると、
基体を回転させ、放電、非放電を繰り返して堆積
膜を形成する従来の方法においては、堆積膜の特
性は動かしようのないものとなつてしまうことに
なる。 一方、斜面膜というのは前述のとおり、その付
近でのプラズマが不均一となることに起因するた
め、このプラズマの不均一性を緩和することによ
り改善がなされないかどうかという点、及び電子
写真用感光体デバイス等の場合堆積膜の層厚方向
に電荷を走行させて動作させることから、積層状
態のアレンジにより改善がなされないものかどう
かという点の２点に着目して検討を行つた。すな
わち第１図、第２図のような隣り合う基体間にガ
ス導入管１０８が設置され、かつ、ノズル１０
８′などによつて放電空間内に向かつて原料ガス
が放出されるように構成され、従つて原料ガスの
放電空間内への導入が有効に行われると同時に基
体と基体との間隙からの放電モレの防止が有効に
なされ、その結果として放電空間内の放電が安定
化されるような装置を用い、これに加えて基体の
回転速度を増すことによつて各積層膜の厚みを小
さくし、一層当たりに占める斜面膜の厚さを小さ
く押さえ、かつ堆積膜全層に亘つて分散させるこ
とにより改善がなされないかどうかを実験により
確かめてみたところ、第１図、第２図のような装
置を用いた上で各層の膜厚を減ずる方向、すなわ
ち、第８図ａの積層の周期を小さくする方向で改
善傾向がみられ、しかもある周期以下を境にこれ
が飛躍的に改善されることがわかつた。 第４図は、第１図、第２図に示す装置を用いて
成膜時の原料ガスとしてSiH4＝250sccmを流して
Ａ−Si：Ｈのサンプルを作製した時の一層当たり
の膜厚（Å）とＳ／Ｎ比（明導電率と暗導電率と
の比：σp／σd）との関係を調べた図である。一
層当たりの膜厚が1000Å以下の場合には、σp／
σdが104〜105と良い結果を示し、1000Åを越える
と、σp／σdは急激に減少して、３桁程度悪くな
ることが判明した。 次にSiH4流量を550sccm、1000sccmとして、同
様に一層当たりの膜厚（Å）とσp／σdの関係を
みたところ、第１０図のようにSiH4＝250sccmの
際と同様の傾向を示し、1000Åを境にＳ／Ｎ比の
急激な変化がみられることがわかつた。 上記の３回の実験は原料ガスの流量を異にする
ため、当然のことながらそれぞれの放電状態及び
その結果としての堆積速度は異なつたものとな
る。従つて積層膜一層当たりの膜厚が一定の場合
には、基体の回転数はそれぞれ異なつた値をとる
ことになる。 第５図乃至第７図はそれぞれSiH4＝250sccm、
550sccm、1000sccmの際の、基体の回転数と一層
当たりの膜厚との関係を調べたものである。一層
当たりの膜厚を1000ÅとするためにはSiH4＝
250sccmの場合約1.5RPM、550sccmの場合約
3.5RPM、1000sccmの場合は約6.2RPMの回転数
で基体を回転させる必要があることがわかる。 第１２図は、前記SiH4＝250sccmの際と同じ膜
形成条件下において膜形成装置として第３図のよ
うな従来の装置を用いて、同様に一層当たりの膜
層（Å）とσp／σdの関係を調べたものである。
点線で示すカーブは先の本発明に係る装置を用い
た際の結果を併記したものである。両者のカーブ
を比較すれば明らかな様に、従来の装置を用いた
場合でも一層当たりの膜厚が1000Å前後におい
て、Ｓ／Ｎ比の急激な変化が見られるが、1000Å
以下の領域におけるＳ／Ｎ比の絶対値は本発明に
係る装置を用いた前述のサンプルの場合に比べて
はるかに小さく、本発明の作用、効果が特定の装
置構成と、特定の層構成のアレンジメントとの相
乗的作用によるものであることがわかる。 以上のような経緯から、、特性の悪い斜面膜の、
全堆積膜に及ぼす悪影響は、第１図、第２図のよ
うな装置を用いると同時に堆積膜一層当たりに占
める斜面膜の厚さを小さくし、かつ全層に亘つて
分散させることによつて軽減でき、一層当たりの
膜厚の実用上の境界条件は、回転速度などの膜形
成条件には依存せず、積層膜一層当たりの膜厚に
より決定づけられ、しかもその具体的境界値は
1000Åであるということが示唆された。これらの
結果に基づき、更に各種膜形成パラメーターを変
化させ検討を繰り返した結果、どのような膜形成
条件下においても、積層膜一層当たりの膜厚を
1000Å以下にすることにより、膜の電気的特性に
顕著な改善が見られることがわかつた。 ここまで述べたきたとおり、本発明は積層膜一
層当たりの膜厚を1000Å以下に制御することをそ
の骨子とするが、これを実現するに当たつては、
各種堆積膜形成条件との兼ね合いが生ずる。 最も直接的な関係を有する膜形成パラメーター
は先に図によつても示したとおり堆積速度と回転
数である。すなわち相対的に早い堆積速度の膜形
成条件を選択する場合には、回転数を上げぎみに
し、回転周期を短くして、放電にさらされる単位
時間を短か目にしてやるような配慮が必要とな
る。堆積速度は、基体の曲面が回転につれて放電
中心に対してとる角度を時々刻々変えているた
め、回転周期内で変化することとなり、従つて回
転数との好適な相互関係を一義的に規定すること
は難しいが、便宜的には次のように決定される。 すなわち、まず、適当な回転速度で一定時間膜
形成を行い膜形成終了後膜厚を測定し、一分間当
たりの堆積速度（Å／min）に換算する。 しかる後この値を1000Åで除してやればこの値
が、この膜形成条件において一層1000Åを得るた
めに必要な回転数（RPM）であるから、それ以
上の回転数で行うことが、一層当たりの膜厚を
1000Å以下にするための条件となる。 本発明において、基体上に堆積される一層当た
りの膜厚は1000Å以下にすれば十分であるが更に
好ましくは500Å以下に制御することがより安定
な条件範囲を確保できるという点で望ましい。 本発明に採用される、隣り合う基板間に設置さ
れるガス導入管は、第２図の模式図のように円筒
形の棒状のものか又は、その側面に複数の細い棒
状ノズルを設けた第１図のようなものが基本形を
なすものであるが、これら以外でも隣り合う基体
間に設置可能であつて、各基体との間にガス分子
の流通をさまたげない程度の間隔を残して直立す
るものであれば任意の断面形状をとることができ
る。ガス導入孔の形態としては、前記第１図のよ
うに分岐された細い棒状ノズルを有しているもの
の他、ガス導入管の側面に直接細孔が穿たれたも
の等が用いられ、いずれにしても放電空間の中心
部に向かつて開口していることが必須条件とな
る。設置される位置としては、複数の基体の中心
を結んで描かれる円上の近傍とされるのが好まし
く、基体との間隔は目的とする堆積膜の形成条件
に合わせて任意に設定される。ガス導入管の材質
は、機械加工又は成形が容易で一定の剛性を有
し、又、コンタミネーシヨンの恐れのないもので
あればどのようなものでも使用可能だが、普通は
ステンレス、アルミニウムなどの金属、アルミナ
などのセラミツクス、石英ガラスなどが好適なも
のとして用いられる。 本発明を有効に適用する際のもう一つの重要な
膜形成パラメーターは放電空間の圧力である。 放電空間の圧力が相対的に高い場合において
は、明確な理由は定かではないが、正面膜に対す
る斜面膜の比率が増加するものとみられ、従つて
積層膜一層当たりの膜厚を、殊更小さくしないと
良好な特性の膜が得にくいという事態が生じ、こ
のため回転数などに関する条件範囲が狭められる
ということになる。 第１１図は先のSiH4＝250sccmの際の実験例と
同じ膜形成条件下での、放電空間の圧力とこの圧
力においてＳ／Ｎ比（σp／σd）が104を得るのに
必要な、積層膜一層当たりの膜厚との関係を調べ
た図である。約1Torrを境に一層当たりの膜厚を
急激に下げてやらないと良好な特性を維持できな
いことがわかる。この実験結果に基づき各種条件
下で実験を繰り返したところ、どのような膜形成
条件においても概ね1Torrを越えると急激に好適
範囲が狭められるという事実を見いだした。 以上のことから、本発明を有効に適用するに当
たつては、基体上に堆積膜を形成する際の放電空
間の圧力は1Torr以下から、安定な放電状態を維
持する上での下限値である１×10-5Torrまでの
範囲に設定するのが好ましく、１×10-2Torrか
ら１×10-4Torrの範囲が、より安定な条件範囲
を確保する上で更に好ましい。 〔実施例〕 以下、本発明の堆積膜形成方法について、図面
の実験例により更に詳しく説明するが、本発明
は、これにより何ら限定されるものではない。 以下の本発明の実施例は、第１図の装置を使用
して行つた。 即ち、図中、１０１は反応炉であり、１０２は
マイクロ波を反応炉１０１内に効率良く透過し、
かつ真空気密を保持し得るような材料（例えば石
英ガラス）で形成されたマイクロ波導入窓であ
る。１０３はマイクロ波の導波管で主として金属
製の導波管からなつており、三本柱整合器、アイ
ソレーター（図示せず）を介してマイクロ波電源
（図示せず）に接続されている。１０４は、一端
が反応炉１０１内に開口し、他端が排気装置（図
示せず）に連通している排気管である。１０７
は、基体１０５をＡ−Si：Ｈ：Ｘ膜が堆積するの
に好適な温度に加熱保持するためのヒーターであ
る。１０８は、原料ガス供給源（図示せず）に連
通している原料ガス供給管であり、マイクロ波を
効率良く透過する誘電体材料から形成されたもの
である。該原料ガス供給管には、複数のガス吹き
出し口１０８′が設けられており、放電空間１０
６に向かつてガスが吹き出し口から放出される様
に、ガス供給管が設置されている。 以下、実施例に従つて、本発明の堆積膜形成方
法を用いた電子写真用感光体の作製について説明
する。 実施例 １ 反応炉１０１の内部を排気管１０４を介して、
真空排気すると共に、基体１０５に内蔵されたヒ
ーター１０７により所定温度に加熱、保持する。 次に、原料ガス供給管１０８を介して、第１表
の作製条件に従つて、シランガス（SiH4）、水素
ガス（H2）、ジボランガス（B2H6）等の原料ガ
スを反応炉１０１内に、１×10-2Torr以下の真
空度を維持しながら放出する。そして、基体１０
５を駆動モーター（図示せず）にて、第１表の回
転速度にて、一定に回転させる。そして、次に、
マイクロ波電源（図示せず）より、2.45GHzのマ
イクロ波を導波管１０４及びマイクロ波導入窓１
０２を介して、放電空間１０６に導入する。 該放電空間１０６は、マイクロ波導入窓１０２
及び円周上に配置された導電性基体１０５に囲ま
れたマイクロ波空洞共振構造となつており、導入
されたマイクロ波エネルギーを効率よく吸収す
る。 かくして、放電空間１０６内の導入原料ガス
は、マイクロ波のエネルギーにより励起されて解
離し、中性ラジカル粒子、イオン粒子、電子等が
生成され、それ等が相互に反応して導電性基体１
０５の放電空間１０６側表面に堆積膜が形成され
る。 このとき、原料ガスの種類、流量、反応炉１０
１内の圧力、導入するマイクロ波エネルギー等
は、必要とする感光体の構成により、任意に変え
ることができる。 得られた感光体について、複写機（キヤノン(株)
製NP7550）に搭載して、電位特性（帯電能、感
度、残留電位）、画像性（画像流れ、ゴースト、
画像欠陥）を評価したところ、第２表に示す良好
な結果が得られた。また、得られた感光体の感光
層の一層当たりの膜厚は、第３表に示す様になつ
た。 比較例 １ 第１図、第２図の反応炉からガス導入パイプ１
０８を取り去つた状態で実施例１と全く同様の条
件で感光体を作成した。得られた感光体について
実施例１と全く同様の評価を行つたところ、第２
表の各項目には、一応実用を満たす程度の結果は
得られたものの、実施例１と比べると、帯電能、
感度については約２／３程度の値しか得られず、
残留電位は約２倍の値を示した。 実施例２及び比較例２ 基体の回転速度を第４表に示す種々の値に設定
し、あとは、実施例１と同様の作製装置、作製条
件にて、感光体を作製し、同様の評価を行つたと
ころ、第５表に示す結果が得られた。また、得ら
れた感光体の感光層の一層当たりの膜厚は、第５
表に示すものとなつた。 実施例３及び比較例３ 感光層の作製条件および基体の回転速度を第６
表の様に変えた以外は、実施例１と同様の作製装
置、作製条件で感光体を作製し、同様の評価を行
つたところ、第７表に示す結果が得られた。ま
た、得られた感光体の感光層の一層当たりの膜厚
は、第７表に示す結果となつた。 実施例４及び比較例４ 感光層形成時の放電空間の圧力を第８表のよう
に変えた以外は実施例１と同様の作製装置、作製
条件で感光体を作製し、同様の評価を行つたとこ
ろ第９表に示す結果が得られた。 〔発明の効果の概要〕 本発明によれば、複数の基体を回転させて、放
電と非放電の繰り返しによつて、前記基体上にプ
ラズマCVD法により、薄膜を積層させるための
方法において、原料ガスを放電空間に向かつて導
入するためのガス導入パイプを隣り合う前記複数
の基体間に設けると同様に基体上の一層当たりの
膜厚を1000Å以下とすることにより、放電空間内
のプラズマが安定化すると同時に斜面膜が一層当
たりに堆積される厚さを少なくすることが出来、
これらの相乗効果により良質な堆積膜を基体上に
堆積させることが可能となる。また、得られた膜
は、電気的にも、光学的にも優れた緻密なものと
なり、量産性に富んだ堆積膜形成方法となり得
る。
【表】
【表】
○：良好
×：非実用的
×：非実用的
【表】
【表】
【表】
×：非実用的
【表】
【表】
【表】
○：良好
×：非実用的
×：非実用的
【表】
【表】
×：非実用的
第１図は、MW−PCVD法による堆積膜形成装
置の縦断面図であり、第２図は該装置の横断面図
である。第３図ａは従来の装置を縦断面図、第３
図ｂはその横断面図である。また、第４図、第１
０図、第１２図は、一層当たりの膜厚とσp／σd
の関係を示した図であり、第５図〜第７図は、そ
れぞれ、SiH4＝250sccm、500sccm、1000sccm流
した時の回転数と一層当たりの膜厚の関係を示し
た図である。第８図は、光導電膜の断面の模式図
である。第９図は、円筒状基体上に形成される正
面膜並びに斜面膜の位置関係を示した図である。
第１１図は、放電空間の圧力と、Ｓ／Ｎ比＝104
を得るのに必要な積層膜一層当たりの膜厚との関
係を表した図である。 第１図において、１０１…反応炉、１０２…マ
イクロ波導入窓、１０３…導波管、１０４…排気
管、１０５…基体、１０６…放電空間、１０７…
ヒーター、１０８…原料ガス供給管、１０８′…
ガス吹出口。 第８図において、８０１…正面膜、８０２…積
層膜境界、８０３，８０３′…斜面膜。
置の縦断面図であり、第２図は該装置の横断面図
である。第３図ａは従来の装置を縦断面図、第３
図ｂはその横断面図である。また、第４図、第１
０図、第１２図は、一層当たりの膜厚とσp／σd
の関係を示した図であり、第５図〜第７図は、そ
れぞれ、SiH4＝250sccm、500sccm、1000sccm流
した時の回転数と一層当たりの膜厚の関係を示し
た図である。第８図は、光導電膜の断面の模式図
である。第９図は、円筒状基体上に形成される正
面膜並びに斜面膜の位置関係を示した図である。
第１１図は、放電空間の圧力と、Ｓ／Ｎ比＝104
を得るのに必要な積層膜一層当たりの膜厚との関
係を表した図である。 第１図において、１０１…反応炉、１０２…マ
イクロ波導入窓、１０３…導波管、１０４…排気
管、１０５…基体、１０６…放電空間、１０７…
ヒーター、１０８…原料ガス供給管、１０８′…
ガス吹出口。 第８図において、８０１…正面膜、８０２…積
層膜境界、８０３，８０３′…斜面膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 実質的に閉止された反応炉に、放電空間をと
り囲む様に複数の基体を配置し、該基体を回転さ
せながら、原料ガスに由来する反応ガス物質を含
むグロー放電プラズマを、前記基体によつてとり
囲まれた放電空間に形成して前記基体上に堆積膜
を形成する方法において、前記原料ガスを放電空
間に向かつて導入するためのガス導入パイプを、
隣り合う前記複数の基体間に設けると同時に、回
転に伴い前記基体表面が放電空間に面したときの
膜堆積と、放電空間に対して裏面となる位置での
非膜堆積とが繰り返されることによつて形成され
る積層膜の一層当たりの膜厚を1000Å以下にした
ことを特徴とする堆積膜形成方法。 ２ 前記基体が円筒状であり、また、該反応炉に
マイクロ波エネルギーを導入して、内圧1Torr以
下で薄膜を堆積させることを特徴とする請求項１
に記載の堆積膜形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048773A JPH01127679A (ja) | 1987-03-27 | 1988-03-03 | 堆積膜形成方法 |
| US07/166,553 US4897284A (en) | 1987-03-27 | 1988-03-10 | Process for forming a deposited film on each of a plurality of substrates by way of microwave plasma chemical vapor deposition method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-73561 | 1987-03-27 | ||
| JP7356187 | 1987-03-27 | ||
| JP63048773A JPH01127679A (ja) | 1987-03-27 | 1988-03-03 | 堆積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01127679A JPH01127679A (ja) | 1989-05-19 |
| JPH0459390B2 true JPH0459390B2 (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=26389096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048773A Granted JPH01127679A (ja) | 1987-03-27 | 1988-03-03 | 堆積膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4897284A (ja) |
| JP (1) | JPH01127679A (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
| US5053244A (en) * | 1987-02-21 | 1991-10-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Process for depositing silicon oxide on a substrate |
| JPH0387372A (ja) * | 1988-07-22 | 1991-04-12 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
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1988
- 1988-03-03 JP JP63048773A patent/JPH01127679A/ja active Granted
- 1988-03-10 US US07/166,553 patent/US4897284A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01127679A (ja) | 1989-05-19 |
| US4897284A (en) | 1990-01-30 |
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