JPH09283501A - 紫外線処理装置 - Google Patents

紫外線処理装置

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Publication number
JPH09283501A
JPH09283501A JP8118335A JP11833596A JPH09283501A JP H09283501 A JPH09283501 A JP H09283501A JP 8118335 A JP8118335 A JP 8118335A JP 11833596 A JP11833596 A JP 11833596A JP H09283501 A JPH09283501 A JP H09283501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ozone
exhaust gas
decomposing
resist
treatment
Prior art date
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Pending
Application number
JP8118335A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Sakamoto
弘実 坂元
Koji Hosoya
細谷  浩二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Storage Battery Co Ltd
Original Assignee
Japan Storage Battery Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Storage Battery Co Ltd filed Critical Japan Storage Battery Co Ltd
Priority to JP8118335A priority Critical patent/JPH09283501A/ja
Publication of JPH09283501A publication Critical patent/JPH09283501A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オゾン処理後に排ガス中に残存するオゾンを
除去するため、排ガスを直接オゾン分解装置に通すと、
排ガス成分が触媒表面に付着し、オゾン分解性能を低下
させるという問題があり、オゾン分解装置の前に排ガス
を加熱分解する加熱手段を配設するものもあるが、40
0〜500℃を要するため装置が大型となるという問題
があった。 【解決手段】 加熱しながら紫外線とオゾンあるいは不
活性ガスによりレジストの分解を行う紫外線処理装置に
おいて、処理後の排ガスは先ず有機物分解触媒によりレ
ジストの未分解生成物を分解し、オゾン分解フィルター
を通して外部に放出する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はウエハあるいはガラ
ス基板上に塗布されたレジスト等の有機化合物被膜を紫
外線とオゾンあるいは不活性ガスにより分解,除去を行
う紫外線処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に半導体集積回路や液晶駆動回路の
製造において露光及び現像後のレジストはマスクとして
用いたエッチング工程の後、除去する方法が行われてい
る。このレジストを除去する方法としてアッシング処理
が行われる。
【0003】従来のアッシング装置は、処理室内を真空
に排気した後、反応ガスを導入し高周波電力を印加して
プラズマ放電を起こさせ励起された反応ガスによってア
ッシング処理を行うプラズマアッシング方式が一般的で
ある。
【0004】このプラズマアッシング方式は活性なラジ
カルやイオンにより反応が促進され高速処理が可能であ
るがイオンが基板に衝撃を与えたり電荷量が増加したり
していわゆるプラズマダメージがあり、回路パターンの
微細化が進行するとこれが問題になってくる。
【0005】これに対し、紫外線とオゾンを用いたアッ
シング方式も知られている。紫外線とオゾンの作用によ
りレジスト等の有機化合物は次の原理で分解、除去され
る。
【0006】紫外線ランプとしては波長185nm、25
4nmの紫外線を放射する合成石英製の低圧水銀ランプを
使用する。紫外線ランプから放射される波長185nmお
よび254nmの光エネルギーは、ほとんどの有機化合物
の結合を切断することができ、有機化合物のフリーラジ
カルや励起状態の分子を生成する。
【0007】一方、波長185nmの紫外線は大気中の酸
素に吸収されるとオゾンを発生する。これとオゾン発生
器によって発生したオゾンに波長254nmの紫外線が吸
収されると励起酸素原子が生成する。
【0008】この強力な酸化力を持つ励起酸素原子やオ
ゾンの熱分解によって発生した基底状態の酸素原子が紫
外線照射によって生成した有機化合物のフリーラジカル
や励起状態の分子と反応してCO2 やH2 Oのような揮
発性物質を生成する。これが有機化合物分解、除去する
アッシングの原理である。
【0009】オゾン処理に使用されたオゾンの大部分は
被処理面に作用して反応に消費されるが、一部は排気系
に残存オゾンとして排出される。オゾンは微量でも吸入
し続けると人体に影響があるので極力除去しなければな
らない。
【0010】従来からオゾン処理後に排ガス中に残存す
るオゾンを除去するため、触媒を用いたオゾン分解装置
が使用されるが、排ガスを直接オゾン分解装置に通す
と、排ガス中のレジスト未分解生成物が比較的低温の触
媒表面に付着し、オゾン分解性能を低下させるという問
題があり、オゾン分解装置の前に排ガスを加熱分解する
加熱手段を配設するものがある(特開平5−29291
号)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような加
熱手段を配設する装置では、排ガス中のレジスト未分解
生成物を分解するのに、400℃〜500℃の加熱を必
要とするため、他の部品への熱影響を防止するため、構
成が複雑になるという問題があった。
【0012】本発明は、このような問題を解決し、簡単
な装置構成で排気量が安定していて安定した処理ができ
る、オゾン分解フィルター劣化の少ない紫外線処理装置
を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の紫外線処理装置
は、加熱しながら紫外線とオゾンあるいは不活性ガスに
よりレジストの分解を行う紫外線処理装置において、処
理後の排ガスは有機物分解触媒によりレジストの未分解
生成物を分解し、オゾン分解フィルターを通して外部に
放出することを特徴とする。また、オゾン分解フィルタ
ーの上流あるいは下流に、流量計を設置する。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明による紫外線処理装置は、
流量計およびオゾン分解フィルターの前に有機物分解触
媒を設置し、処理後の排ガスは先ず有機物分解触媒によ
りレジストの未分解生成物を分解したのち、オゾン分解
フィルターを通して外部に放出するように構成する。ま
た、オゾン分解フィルターの上流あるいは下流に、流量
計を設置する。このようにすることにより、排ガス中の
レジスト未分解生成物は触媒により低分子の粘着性の無
いものになり、オゾン分解フィルターの劣化や流量計内
への付着が軽減され、簡単な装置構成で長期間安定した
排ガス処理が可能となる。
【0015】
【実施例】本発明紫外線処理装置を一実施例に基づいて
説明する。実施例の構成の模式図を図1に示す。図にお
いて1は処理を施される被処理基板であり、この被処理
基板1を加熱するためのステージ2上に載置されてい
る。3は基板1の上に配置された、基板1に紫外線を照
射するための、波長185nmと254nmの紫外線を主と
して放射する紫外線ランプであり、4は被処理基板1上
にオゾン等の処理ガスを吹き付けるための散布ノズルで
あり、これら1〜4は処理室5内に配置されている。
【0016】処理室内で使用された排ガスは排気ダクト
6により有機物分解触媒7に導かれ、排気ガス中に存在
する有機物を分解したのち、流量計8およびオゾン分解
フィルター9を通した後排気装置10によって大気中に
放出される。
【0017】有機物分解触媒7は分解効率を高めるため
に150℃程度に加熱するのが好ましい。流量計8はオ
ゾン分解フィルター9の前または後に設置すればよい。
【0018】実施例なる装置を用いて、ネガ型のレジス
トが2μm塗布された5″サイズのウエハを25枚/時
間の割合で処理を行った場合、8000時間経過後にお
いても、流量計の詰まり、オゾン分解フィルター9の劣
化は発生しなかった。
【0019】比較例として、有機分解触媒7の無い以外
は実施例と同じ構成の装置を用いて処理を行った場合、
300時間で流量計8のレジスト未分解生成物に起因す
る排気流量低下が生じ、処理能力が低下した。同時に、
オゾン分解フィルター9内部の触媒表面に、粘着性物質
の付着が観察された。
【0020】
【発明の効果】以上述べたように本発明による紫外線処
理装置は、流量計およびオゾン分解フィルターの前に有
機物分解触媒を設置し、処理後の排ガスは先ず有機物分
解触媒によりレジストの未分解生成物を分解したのち、
オゾン分解フィルターを通して外部に放出するようにす
ることにより、排ガス中のレジスト未分解生成物は触媒
により低分子の粘着性の無いものになり、オゾン分解フ
ィルターの劣化が軽減され、長期間安定した排ガス処理
が可能な紫外線処理装置がえられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明紫外線処理装置の一実施例の構成を示す
模式図。
【符号の説明】
1 被処理基板 2 ステージ 3 紫外線ランプ 4 散布ノズル 5 処理室 6 排気ダクト 7 有機物分解触媒 8 流量計 9 オゾン分解フィルター 10 排気装置

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加熱しながら紫外線とオゾンあるいは不
    活性ガスによりレジストの分解を行う紫外線処理装置に
    おいて、処理後の排ガスは有機物分解触媒によりレジス
    トの未分解生成物を分解し、オゾン分解フィルターを通
    して外部に放出することを特徴とする紫外線処理装置。
  2. 【請求項2】 オゾン分解フィルターの上流あるいは下
    流に、流量計を設置したことを特徴とする請求項1記載
    の紫外線処理装置。
JP8118335A 1996-04-15 1996-04-15 紫外線処理装置 Pending JPH09283501A (ja)

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JP8118335A JPH09283501A (ja) 1996-04-15 1996-04-15 紫外線処理装置

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JP8118335A JPH09283501A (ja) 1996-04-15 1996-04-15 紫外線処理装置

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JP8118335A Pending JPH09283501A (ja) 1996-04-15 1996-04-15 紫外線処理装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015098387A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ウシオ電機株式会社 光照射装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015098387A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP2015120129A (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 ウシオ電機株式会社 光照射装置

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