JPH09283581A - 重ね合わせ誤差の測定方法 - Google Patents
重ね合わせ誤差の測定方法Info
- Publication number
- JPH09283581A JPH09283581A JP8094508A JP9450896A JPH09283581A JP H09283581 A JPH09283581 A JP H09283581A JP 8094508 A JP8094508 A JP 8094508A JP 9450896 A JP9450896 A JP 9450896A JP H09283581 A JPH09283581 A JP H09283581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge
- measurement
- overlay error
- mark
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の製造工程において、回路パター
ンの重ね合わせ誤差を正確且つ再現性良く測定する前提
となる、測定用マークの各エッジに対応する測定範囲を
決定する方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ上に重ね合わせて形成され
た２つの大きさの異なる四角形の測定用マークの顕微鏡
像を撮影し、デジタル画像に変換し、画像処理を行い、
その測定用マークの各エッジの位置を決定し、測定用マ
ークの重ね合わせ誤差を測定する方法において、その測
定用マークの画像の各エッジについて、ｘｙ直交座標に
おけるｘ方向及びｙ方向の最大相互相関係数を算出する
ことによって、各エッジを自動的に認識し、各エッジに
対応する測定範囲を自動的に決定する。
ンの重ね合わせ誤差を正確且つ再現性良く測定する前提
となる、測定用マークの各エッジに対応する測定範囲を
決定する方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ上に重ね合わせて形成され
た２つの大きさの異なる四角形の測定用マークの顕微鏡
像を撮影し、デジタル画像に変換し、画像処理を行い、
その測定用マークの各エッジの位置を決定し、測定用マ
ークの重ね合わせ誤差を測定する方法において、その測
定用マークの画像の各エッジについて、ｘｙ直交座標に
おけるｘ方向及びｙ方向の最大相互相関係数を算出する
ことによって、各エッジを自動的に認識し、各エッジに
対応する測定範囲を自動的に決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路製
造のフォトリソグラフィ工程において、半導体ウェハ上
に形成された工程毎の回路パターンの重ね合わせ精度を
検査する方法に関する。
造のフォトリソグラフィ工程において、半導体ウェハ上
に形成された工程毎の回路パターンの重ね合わせ精度を
検査する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に伴い、素
子製造のフォトリソグラフィ工程ではその工程毎の回路
パターン同士を精度良く重ね合わせる必要性が増しつつ
ある。そのためには、回路パターンとは別に重ね合わせ
誤差を測定するための測定用マークをウェハ上に設け、
例えば、第１の工程で作られた四角形の測定用マーク
（以下、第１ボックスマークという）と第１ボックスマ
ークより小さめの第２の工程で作られた四角形の測定用
マーク（以下、第２ボックスマークという）との２つの
ボックスマークの顕微鏡像の重ね合わせ誤差を測定して
いる。重ね合わせ誤差すなわち２つのボックスマークの
中心間距離の値が、許容範囲内にある場合はその半導体
ウェハを良品として次工程に投入し、許容範囲を越えて
いる場合は不良品として製造工程から除外していた。
子製造のフォトリソグラフィ工程ではその工程毎の回路
パターン同士を精度良く重ね合わせる必要性が増しつつ
ある。そのためには、回路パターンとは別に重ね合わせ
誤差を測定するための測定用マークをウェハ上に設け、
例えば、第１の工程で作られた四角形の測定用マーク
（以下、第１ボックスマークという）と第１ボックスマ
ークより小さめの第２の工程で作られた四角形の測定用
マーク（以下、第２ボックスマークという）との２つの
ボックスマークの顕微鏡像の重ね合わせ誤差を測定して
いる。重ね合わせ誤差すなわち２つのボックスマークの
中心間距離の値が、許容範囲内にある場合はその半導体
ウェハを良品として次工程に投入し、許容範囲を越えて
いる場合は不良品として製造工程から除外していた。
【０００３】従来、この重ね合わせ誤差の測定には、重
ね合わせ測定機が用いられており、バーニアマークの顕
微鏡像をオペレータの眼で観察し、その顕微鏡像により
目視にて重ね合わせ誤差を測定するマニュアル式と、受
光素子を用いて２つのボックスマークのエッジ付近の正
反射光強度の差を捉え、画像処理によってエッジ位置を
自動的に認識して該中心間距離を自動測定する方式とが
あった。エッジ位置を決定するには、先ず各エッジの周
辺に、図２の斜線部で表示するような測定範囲を決め、
その測定範囲に基づいて各エッジの正確な位置を検出す
る。
ね合わせ測定機が用いられており、バーニアマークの顕
微鏡像をオペレータの眼で観察し、その顕微鏡像により
目視にて重ね合わせ誤差を測定するマニュアル式と、受
光素子を用いて２つのボックスマークのエッジ付近の正
反射光強度の差を捉え、画像処理によってエッジ位置を
自動的に認識して該中心間距離を自動測定する方式とが
あった。エッジ位置を決定するには、先ず各エッジの周
辺に、図２の斜線部で表示するような測定範囲を決め、
その測定範囲に基づいて各エッジの正確な位置を検出す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の方法にお
いて、マニュアル式の場合は、バーニアマークの顕微鏡
像の目盛りの認識には、オペレータにより或いは顕微鏡
像の見え方により、差異が生じ易いために、測定が不正
確になっていた。一方、自動測定方式の場合は、エッジ
が鋭角でないときには特に正反射光のコントラストが弱
く、画像処理を行ってもエッジを正確に認識し難いため
に、適正な測定範囲を決める際に支障があり、結果的
に、２つのボックスマークの中心間距離の測定が不正確
になる恐れがあった。この自動測定方式においてマニュ
アルで測定範囲を決めるためには、オペレータにはある
程度の経験と熟練を要するが、それでも測定範囲の再現
性が良くなかったり、ボックスマークの相対するエッジ
の測定範囲が非対称になったりする不都合が生じてい
た。
いて、マニュアル式の場合は、バーニアマークの顕微鏡
像の目盛りの認識には、オペレータにより或いは顕微鏡
像の見え方により、差異が生じ易いために、測定が不正
確になっていた。一方、自動測定方式の場合は、エッジ
が鋭角でないときには特に正反射光のコントラストが弱
く、画像処理を行ってもエッジを正確に認識し難いため
に、適正な測定範囲を決める際に支障があり、結果的
に、２つのボックスマークの中心間距離の測定が不正確
になる恐れがあった。この自動測定方式においてマニュ
アルで測定範囲を決めるためには、オペレータにはある
程度の経験と熟練を要するが、それでも測定範囲の再現
性が良くなかったり、ボックスマークの相対するエッジ
の測定範囲が非対称になったりする不都合が生じてい
た。
【０００５】そこで本発明は、自動測定方式において、
エッジからの正反射光のコントラストが弱くともボック
スマーク像のエッジを認識し、測定範囲を決めるための
方法を提供することを目的とする。これにより、最終的
に、正確且つ再現性の良い重ね合わせ誤差の測定が可能
となる。
エッジからの正反射光のコントラストが弱くともボック
スマーク像のエッジを認識し、測定範囲を決めるための
方法を提供することを目的とする。これにより、最終的
に、正確且つ再現性の良い重ね合わせ誤差の測定が可能
となる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１に記載の発明は、半導体ウェハ
上に重ね合わせて形成された大きさの異なる２つの四角
形の測定用マークを顕微鏡で観察し、前記測定用マーク
の顕微鏡像を撮影し、デジタル画像に変換し、画像処理
を行い、前記測定用マークの各エッジの位置を決定し、
前記測定用マークの重ね合わせ誤差を測定する方法にお
いて、前記測定用マークの画像の各エッジについて、ｘ
ｙ直交座標におけるｘ方向及びｙ方向の最大相互相関係
数を算出することによって前記各エッジを自動認識し、
各エッジに対応する測定範囲を自動的に決定することを
特徴とするものである。
めに、本発明の請求項１に記載の発明は、半導体ウェハ
上に重ね合わせて形成された大きさの異なる２つの四角
形の測定用マークを顕微鏡で観察し、前記測定用マーク
の顕微鏡像を撮影し、デジタル画像に変換し、画像処理
を行い、前記測定用マークの各エッジの位置を決定し、
前記測定用マークの重ね合わせ誤差を測定する方法にお
いて、前記測定用マークの画像の各エッジについて、ｘ
ｙ直交座標におけるｘ方向及びｙ方向の最大相互相関係
数を算出することによって前記各エッジを自動認識し、
各エッジに対応する測定範囲を自動的に決定することを
特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】図４は、本発明の実施態様に係る
重ね合わせ誤差測定に用いられる重ね合わせ測定機の主
要部分の概略構成を示す図である。図４は、測定用ステ
ージ３、顕微鏡４、画像処理部５、システム制御部６、
ステージ駆動制御部７、焦点位置検出部８及び光源部９
から成る。さらに、測定用ステージ３は、ウェハ１０を
載置してＸ方向及びＹ方向（図中、紙面に垂直な方向）
に直線移動可能なＸＹステージ３ａ、Ｚ方向に直線移動
可能なＺステージ３ｂ及びＺ軸廻りに回転可能なθステ
ージ３ｃとから成る。画像処理部５は、ボックスマーク
の顕微鏡像を撮影するＣＣＤカメラ５ａと、その顕微鏡
像をデジタル画像に変換するＡ／Ｄ変換器５ｂと、その
デジタル画像を処理する画像処理装置５ｃとから成る。
画像処理装置５ｃにより処理された画像データは、例え
ばＬＡＮによってシステム制御部６に転送される。ステ
ージ駆動制御部７は、ＸＹステージ３ａの移動制御を行
うＸＹ駆動制御部７ａ、Ｚステージ３ｂの移動制御を行
うＺ駆動制御部７ｂ及びθステージ３ｃの回転制御を行
うθ駆動制御部７ｃから成る。ＸＹ駆動制御部７ａ及び
θ駆動制御部７ｃは、システム制御部６からの指令によ
り、それぞれＸＹステージ３ａの移動制御及びθステー
ジ３ｃの回転制御を行う。焦点位置検出部８は、検出値
をＺ駆動制御部７ｂに送り、Ｚステージ３ｂのＺ方向の
移動制御すなわち焦点調整を行う。又、光源部９から発
する光は、半透過鏡１１、１２及び顕微鏡４を通してウ
ェハ１０を照明し、ウェハ１０からの反射光は、顕微鏡
４、半透過鏡１２、１１を順次通過して、ＣＣＤカメラ
５ａにより画像として撮影される。光源部９の光源に
は、例えばメタルハライドランプが用いられる。
重ね合わせ誤差測定に用いられる重ね合わせ測定機の主
要部分の概略構成を示す図である。図４は、測定用ステ
ージ３、顕微鏡４、画像処理部５、システム制御部６、
ステージ駆動制御部７、焦点位置検出部８及び光源部９
から成る。さらに、測定用ステージ３は、ウェハ１０を
載置してＸ方向及びＹ方向（図中、紙面に垂直な方向）
に直線移動可能なＸＹステージ３ａ、Ｚ方向に直線移動
可能なＺステージ３ｂ及びＺ軸廻りに回転可能なθステ
ージ３ｃとから成る。画像処理部５は、ボックスマーク
の顕微鏡像を撮影するＣＣＤカメラ５ａと、その顕微鏡
像をデジタル画像に変換するＡ／Ｄ変換器５ｂと、その
デジタル画像を処理する画像処理装置５ｃとから成る。
画像処理装置５ｃにより処理された画像データは、例え
ばＬＡＮによってシステム制御部６に転送される。ステ
ージ駆動制御部７は、ＸＹステージ３ａの移動制御を行
うＸＹ駆動制御部７ａ、Ｚステージ３ｂの移動制御を行
うＺ駆動制御部７ｂ及びθステージ３ｃの回転制御を行
うθ駆動制御部７ｃから成る。ＸＹ駆動制御部７ａ及び
θ駆動制御部７ｃは、システム制御部６からの指令によ
り、それぞれＸＹステージ３ａの移動制御及びθステー
ジ３ｃの回転制御を行う。焦点位置検出部８は、検出値
をＺ駆動制御部７ｂに送り、Ｚステージ３ｂのＺ方向の
移動制御すなわち焦点調整を行う。又、光源部９から発
する光は、半透過鏡１１、１２及び顕微鏡４を通してウ
ェハ１０を照明し、ウェハ１０からの反射光は、顕微鏡
４、半透過鏡１２、１１を順次通過して、ＣＣＤカメラ
５ａにより画像として撮影される。光源部９の光源に
は、例えばメタルハライドランプが用いられる。
【０００８】次に、本発明の重ね合わせ誤差測定の手順
を説明する。ウェハ１０は、不図示の非接触プリアライ
メント部により偏心量算出と回転補正がなされた後に測
定用ステージ３の上に載置される。ウェハ１０は、顕微
鏡４の視野中心にボックスマークが位置するように、測
定用ステージ３のＸＹステージ３ａによりＸＹ方向に動
かされ、焦点を合わせるためにＺ方向に動かされる。ウ
ェハ１０は、ウェハ上の予め登録された２点のボックス
マークを用いて、いわゆるグローバルアライメントを行
い、θステージ３ｃによりウェハ１０の精密な回転補正
を行う。これによりボックスマークのエッジはＸＹステ
ージ３ａのＸ、Ｙ方向に平行となる。
を説明する。ウェハ１０は、不図示の非接触プリアライ
メント部により偏心量算出と回転補正がなされた後に測
定用ステージ３の上に載置される。ウェハ１０は、顕微
鏡４の視野中心にボックスマークが位置するように、測
定用ステージ３のＸＹステージ３ａによりＸＹ方向に動
かされ、焦点を合わせるためにＺ方向に動かされる。ウ
ェハ１０は、ウェハ上の予め登録された２点のボックス
マークを用いて、いわゆるグローバルアライメントを行
い、θステージ３ｃによりウェハ１０の精密な回転補正
を行う。これによりボックスマークのエッジはＸＹステ
ージ３ａのＸ、Ｙ方向に平行となる。
【０００９】ボックスマークの顕微鏡像はＣＣＤカメラ
５ａで撮影され、Ａ／Ｄ変換機５ｂでデジタル化された
後に、画像処理装置５ｃの記憶媒体に記憶される。この
画像データは、画像処理装置５ｃからシステム制御部６
に転送され、以下に述べるシーケンスに従って演算処理
を行う。図１は、本発明の実施態様に係る重ね合わせ誤
差測定における測定範囲を自動的に決定するための手順
を示すフローチャートである。
５ａで撮影され、Ａ／Ｄ変換機５ｂでデジタル化された
後に、画像処理装置５ｃの記憶媒体に記憶される。この
画像データは、画像処理装置５ｃからシステム制御部６
に転送され、以下に述べるシーケンスに従って演算処理
を行う。図１は、本発明の実施態様に係る重ね合わせ誤
差測定における測定範囲を自動的に決定するための手順
を示すフローチャートである。
【００１０】Ｓ０１において、図２に示すボックスマー
ク１及び２のデジタル化された像がシステム制御部６か
ら読み出される。ボックスマーク１の中心がｘｙ座標の
原点となるように位置合わせが行われ、ｘ、ｙ軸は各
々、ＸＹステージ３ａのＸ、Ｙ方向に平行となる。Ｓ０
２において、図４に示すｘ＝０のラインプロファイルと
ｘ≠０のうちの１本のラインプロファイルとの相互相関
係数Ｍ（τ）が次式により計算される。次式は、ｘ＝０
のベクトルをＲ、ｘ≠０のベクトルをＳとすると次のよ
うに書ける。なお、添字τは、ｘ≠０のｘ＝０に対する
ズレ量である。
ク１及び２のデジタル化された像がシステム制御部６か
ら読み出される。ボックスマーク１の中心がｘｙ座標の
原点となるように位置合わせが行われ、ｘ、ｙ軸は各
々、ＸＹステージ３ａのＸ、Ｙ方向に平行となる。Ｓ０
２において、図４に示すｘ＝０のラインプロファイルと
ｘ≠０のうちの１本のラインプロファイルとの相互相関
係数Ｍ（τ）が次式により計算される。次式は、ｘ＝０
のベクトルをＲ、ｘ≠０のベクトルをＳとすると次のよ
うに書ける。なお、添字τは、ｘ≠０のｘ＝０に対する
ズレ量である。
【００１１】
【数１】
【００１２】ｘ≠０の１本のラインについて、相互相関
係数のうち最大値を最大相互相関係数とする。但し、相
互相関係数Ｍ（τ）＜０のときは総てＭ（τ）＝０とみ
なす。ｘ≠０のライン毎に最大相互相関係数が算出さ
れ、各ｘラインについて最大相互相関係数値がプロット
される。Ｓ０３において、最大相互相関係数値のヒスト
グラムが作成される。一般に、画像にはノイズが含まれ
るので、ノイズ除去のためにこの処理を行う。
係数のうち最大値を最大相互相関係数とする。但し、相
互相関係数Ｍ（τ）＜０のときは総てＭ（τ）＝０とみ
なす。ｘ≠０のライン毎に最大相互相関係数が算出さ
れ、各ｘラインについて最大相互相関係数値がプロット
される。Ｓ０３において、最大相互相関係数値のヒスト
グラムが作成される。一般に、画像にはノイズが含まれ
るので、ノイズ除去のためにこの処理を行う。
【００１３】Ｓ０４において、上記ヒストグラムから最
大相互相関係数が同一として扱えるレベルを取り出す
と、図３に示すグラフが得られる。図３は、各ｘライン
について規格化された最大相互相関係数を示す。すなわ
ち、ｘ＝０からｘ方向にグラフを辿ってゆくと、図２に
示すボックスマーク１及び２の画像の両者の内側にある
間は、最大相互相関係数は高い同一のレベルをとり、ボ
ックスマーク２のエッジで最大相互相関係数は急激に変
化し、ボックスマーク２の外側に到ると、最大相互相関
係数は一段低くなり同一のレベルをとる。さらに、ボッ
クスマーク１のエッジで最大相互相関係数は急激に変化
して零となり、ボックスマーク１の外側でも零のレベル
を維持する。
大相互相関係数が同一として扱えるレベルを取り出す
と、図３に示すグラフが得られる。図３は、各ｘライン
について規格化された最大相互相関係数を示す。すなわ
ち、ｘ＝０からｘ方向にグラフを辿ってゆくと、図２に
示すボックスマーク１及び２の画像の両者の内側にある
間は、最大相互相関係数は高い同一のレベルをとり、ボ
ックスマーク２のエッジで最大相互相関係数は急激に変
化し、ボックスマーク２の外側に到ると、最大相互相関
係数は一段低くなり同一のレベルをとる。さらに、ボッ
クスマーク１のエッジで最大相互相関係数は急激に変化
して零となり、ボックスマーク１の外側でも零のレベル
を維持する。
【００１４】Ｓ０５において、図３のグラフからボック
スマークのエッジが認識される。すなわち、最大相互相
関係数が急激に変化する部分がエッジに対応する。Ｓ０
６において、図３のグラフの中心すなわちｘ＝０を基準
にほぼ対称となる位置に存在するエッジの対が認識さ
れ、エッジ位置が確定される。すなわち、図２に示す第
１ボックスマーク１のエッジ１ａ，１ｂに対応する値が
各々Ａ１，Ｂ１、第２ボックスマーク２のエッジ２ａ，
２ｂに対応する値が各々Ａ２，Ｂ２である。
スマークのエッジが認識される。すなわち、最大相互相
関係数が急激に変化する部分がエッジに対応する。Ｓ０
６において、図３のグラフの中心すなわちｘ＝０を基準
にほぼ対称となる位置に存在するエッジの対が認識さ
れ、エッジ位置が確定される。すなわち、図２に示す第
１ボックスマーク１のエッジ１ａ，１ｂに対応する値が
各々Ａ１，Ｂ１、第２ボックスマーク２のエッジ２ａ，
２ｂに対応する値が各々Ａ２，Ｂ２である。
【００１５】Ｓ０７において、各エッジについて測定範
囲が自動的に決定される。この測定範囲は、例えば、エ
ッジの急峻性や直線性及びエッジ周辺の状況に応じて適
切な広さに定められる。測定範囲が広い方がエッジ位置
の再現性は向上するが、確率的にノイズは増加するの
で、適切な広さを選ぶ必要がある。以上のＳ０１からＳ
０７までの各動作はｙラインについても同様に行われ、
最終的に、図２に示すように、ボックスマーク１及び２
の全エッジに対応する測定範囲（図２の中、斜線部で表
示）が決定される。
囲が自動的に決定される。この測定範囲は、例えば、エ
ッジの急峻性や直線性及びエッジ周辺の状況に応じて適
切な広さに定められる。測定範囲が広い方がエッジ位置
の再現性は向上するが、確率的にノイズは増加するの
で、適切な広さを選ぶ必要がある。以上のＳ０１からＳ
０７までの各動作はｙラインについても同様に行われ、
最終的に、図２に示すように、ボックスマーク１及び２
の全エッジに対応する測定範囲（図２の中、斜線部で表
示）が決定される。
【００１６】この後、上述の測定範囲に基づいてボック
スマーク１及び２の全エッジの位置が正確に検出され、
それにより重ね合わせ誤差量の測定が以下の手順で行わ
れる。先ず、２つのボックスマークのエッジ位置が測定
され、次に、２つのボックスマークのｘ方向の中点位置
が算出され、その中点間距離がｘ方向の重ね合わせ誤差
量Δｘとなる。同様に、ｙ方向についても、重ね合わせ
誤差量Δｙが求められる。従って、ΔｘとΔｙから２つ
のボックスマークの重ね合わせ誤差量が得られる。
スマーク１及び２の全エッジの位置が正確に検出され、
それにより重ね合わせ誤差量の測定が以下の手順で行わ
れる。先ず、２つのボックスマークのエッジ位置が測定
され、次に、２つのボックスマークのｘ方向の中点位置
が算出され、その中点間距離がｘ方向の重ね合わせ誤差
量Δｘとなる。同様に、ｙ方向についても、重ね合わせ
誤差量Δｙが求められる。従って、ΔｘとΔｙから２つ
のボックスマークの重ね合わせ誤差量が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上のとおり本発明によれば、重ね合わ
せ誤差量を測定するために設けられたボックスマークの
エッジが正確に自動認識でき、エッジ毎の測定範囲が自
動的に決定できるので、エッジのプロフィールが不鮮明
であっても適正な測定範囲が得られる。又、オペレータ
ーに熟練を必要としなくなる。その結果、ｘ方向の重ね
合わせ誤差量Δｘ、ｙ方向の重ね合わせ誤差量Δｙ及び
２つのボックスマークの重ね合わせ誤差量が高精度且つ
再現性良く測定できる。
せ誤差量を測定するために設けられたボックスマークの
エッジが正確に自動認識でき、エッジ毎の測定範囲が自
動的に決定できるので、エッジのプロフィールが不鮮明
であっても適正な測定範囲が得られる。又、オペレータ
ーに熟練を必要としなくなる。その結果、ｘ方向の重ね
合わせ誤差量Δｘ、ｙ方向の重ね合わせ誤差量Δｙ及び
２つのボックスマークの重ね合わせ誤差量が高精度且つ
再現性良く測定できる。
【００１８】さらに、ボックスマークのエッジとＸＹス
テージの移動方向とが多少合致していない場合でも相関
演算によりエッジ位置を認識しているので、適正な測定
範囲が決定できる。
テージの移動方向とが多少合致していない場合でも相関
演算によりエッジ位置を認識しているので、適正な測定
範囲が決定できる。
【図１】本発明の実施の形態に係る測定範囲を決定する
ための手順を示すフローチャート。
ための手順を示すフローチャート。
【図２】本発明の実施の形態に係る２つのボックスマー
クと測定範囲を示す概念図。
クと測定範囲を示す概念図。
【図３】本発明の実施の形態に係るｘライン方向の規格
化された最大相互相関係数の変化を示すグラフ。
化された最大相互相関係数の変化を示すグラフ。
【図４】本発明の実施の形態に係る重ね合わせ誤差測定
のための重ね合わせ測定機の主要部分の概略構成図。
のための重ね合わせ測定機の主要部分の概略構成図。
１ ・・・第１の工程で作られたボックスマーク ２ ・・・第２の工程で作られたボックスマーク ３ ・・・測定用ステージ ４ ・・・顕微鏡 ５ ・・・画像処理部 ５ａ ・・・ＣＣＤカメラ ５ｂ ・・・Ａ／Ｄ変換器 ５ｃ ・・・画像処理装置 ６ ・・・システム制御部 ７ ・・・ステージ駆動制御部 ８ ・・・焦点位置検出部 ９ ・・・光源部 １０ ・・・ウェハ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上に重ね合わせて形成され
た２つの大きさの異なる四角形の測定用マークを顕微鏡
で観察し、前記測定用マークの顕微鏡像を撮影し、デジ
タル画像に変換し、画像処理を行い、前記測定用マーク
の各エッジの位置を決定し、前記測定用マークの重ね合
わせ誤差を測定する方法において、 前記測定用マークの画像の各エッジについて、ｘｙ直交
座標におけるｘ方向及びｙ方向の最大相互相関係数を算
出することによって前記各エッジを自動的に認識し、各
エッジに対応する測定範囲を自動的に決定することを特
徴とする、重ね合わせ誤差の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09450896A JP3590810B2 (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 重ね合わせ誤差の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09450896A JP3590810B2 (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 重ね合わせ誤差の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283581A true JPH09283581A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3590810B2 JP3590810B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=14112269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09450896A Expired - Lifetime JP3590810B2 (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 重ね合わせ誤差の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3590810B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6801313B1 (en) | 1999-07-28 | 2004-10-05 | Nec Electronics Corporation | Overlay mark, method of measuring overlay accuracy, method of making alignment and semiconductor device therewith |
| JP2007232677A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Omron Corp | 測定位置指定方法およびこれを実行する寸法計測装置 |
| CN110360925A (zh) * | 2018-04-10 | 2019-10-22 | 中国科学院物理研究所 | 用于磁镊装置的磁球坐标的校准方法和校准装置 |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP09450896A patent/JP3590810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6801313B1 (en) | 1999-07-28 | 2004-10-05 | Nec Electronics Corporation | Overlay mark, method of measuring overlay accuracy, method of making alignment and semiconductor device therewith |
| JP2007232677A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Omron Corp | 測定位置指定方法およびこれを実行する寸法計測装置 |
| CN110360925A (zh) * | 2018-04-10 | 2019-10-22 | 中国科学院物理研究所 | 用于磁镊装置的磁球坐标的校准方法和校准装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3590810B2 (ja) | 2004-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7643961B2 (en) | Position detecting device and position detecting method | |
| JP2756620B2 (ja) | 半導体露光方法およびその装置 | |
| JP3269343B2 (ja) | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 | |
| JP3211491B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置 | |
| CN112539714B (zh) | 一种偏心检测方法、检测方法、处理方法及检测设备 | |
| US10444647B2 (en) | Methods and apparatus for determining the position of a target structure on a substrate, methods and apparatus for determining the position of a substrate | |
| US10197390B2 (en) | Pre-alignment measurement device and method | |
| US7466854B2 (en) | Size checking method and apparatus | |
| IL138158A (en) | Method for determining the internal orientation of a wafer | |
| US7986409B2 (en) | Method for determining the centrality of masks | |
| JP6608130B2 (ja) | 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
| US6965687B2 (en) | Size checking method and apparatus | |
| JP3590810B2 (ja) | 重ね合わせ誤差の測定方法 | |
| WO2021115735A1 (en) | Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses | |
| JP3590809B2 (ja) | 重ね合わせ誤差の測定方法 | |
| JP4611663B2 (ja) | 重ね合わせ誤差測定方法、重ね合わせ誤差測定装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP3146568B2 (ja) | パターン認識装置 | |
| JP2711582B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP2001272217A (ja) | パターン検査システムの検査条件補正方法、半導体製造用マスク、パターン検査システムおよび記録媒体 | |
| CN112132904A (zh) | 一种对位相机与光学装置之间位置关系的确定方法及系统 | |
| CN117452782B (zh) | 一种图像聚焦方法和图像聚焦系统 | |
| JPH0594942A (ja) | 集積回路の寸法測定システム | |
| JP3491102B2 (ja) | 重ね合わせ測定装置 | |
| CN112132905A (zh) | 一种对位相机与光学装置之间位置关系的确定方法及系统 | |
| JPH11176724A (ja) | バーニア装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040420 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040608 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040621 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |