JPH0594942A

JPH0594942A - 集積回路の寸法測定システム

Info

Publication number: JPH0594942A
Application number: JP3278921A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yoshizawa; 正浩吉沢
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1991-10-01
Filing date: 1991-10-01
Publication date: 1993-04-16

Abstract

(57)【要約】【目的】アライメントマーク自体の描画位置のばらつ
き、パタンの露光位置のばらつき、露光装置と測定装置
の直交度の違いがあっても、正確に目的パタンを検出す
る。【構成】あらかじめ露光装置２００から各チップ描画
の位置データを描画位置データテーブル１１に、アライ
メント時のマーク位置のばらつきをアライメント初期値
テーブル１０に、露光装置２００によるアライメント値
の違い、直交度の違いをステージ直交度補正テーブル１
２に用意しておき、位置ずれ補正量算出部９では、これ
らのテーブルを参照して各チップ毎にステージ移動時に
ステージの停止位置またはビームシフト量を補正するこ
とを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＬＳＩ等の集積回路
内の金属，半導体，絶縁物等のパタンに荷電ビームを照
射し、反射電子または二次電子を検出してパタン寸法の
測定・パタン欠陥の検査を行うパタン測定、検査装置に
おいて、パタン位置合わせの精度を高めるための集積回
路の寸法測定システムに関するものである。特に、その
測定・検査の全自動化を精度良く、高スループットで達
成するための技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ等のパタン寸法の微細化に伴っ
て、荷電ビームを用いた寸法測長装置が用いられてい
る。この種の装置では、測定パタンがビーム直下に位置
するようにステージを移動し、対物レンズの初期設定，
微調整による焦点合わせを行い、荷電ビームを走査して
測定パタンに垂直な方向の二次電子信号波形を得て、被
測定パタンの寸法を測定している。二次電子信号波形か
ら寸法を測定する各種方法としては、二次電子信号に適
当なスライスレベルを設定して２値化し、その立ち上が
りと立ち下がりの間隔からパタン寸法を測定する方法の
他、エッジ・ベースラインそれぞれを直線で近似し、交
点の間隔からパタン寸法を測定する方法（特開昭６１−
８００１１号公報参照）等が用いられている。

【０００３】このようなパタン寸法を測定する一連の動
作において、被測定パタンの位置にステージを移動して
ＳＥＭ像を取込み、目的パタンを検出した後、測定，検
査を行う。しかし、ステージ移動の精度が悪いと、目的
パタンが視野内に入らないために測定ができない。ま
た、図４（ａ）のようにパタンの端に近い場合、あるい
は他の配線との交点に近い場所を測定する場合、図４
（ｂ）のように、ステージの停止位置がずれているとビ
ームの走査位置（点線）ではパタンが矩形でないので、
パタン幅が正確に測定できない。このようなステージ停
止位置のずれは、ステージ自体の停止精度が悪い場合も
あるが、図５のように、描画時にチップ位置自体がばら
ついている場合もある。図５（ａ）はランダムなばらつ
き（ステージの停止精度等の要因）による影響、図５
（ｂ）は露光装置と測定装置の直交度が異なる影響（Ｘ
軸とＹ軸の直交度は機械的に調整するため、厳密な直角
からはずれる）、図５（ｃ）は露光装置へのマスクの取
付けが露光装置のステージ移動軸と回転するために生じ
る影響（チップが回転して描画されている）を示してい
る。実際のパタンは、これらが組合わさっている。この
ような描画位置自体のばらつきがあるとステージ精度が
良くても、目的パタンを検出できないため、正確な測定
ができない。パタンの欠陥検査の場合にも同様である。

【０００４】ところで、図６に示すようにウエハ上のパ
タンを指定する設計座標は、ウエハを基準としたウエハ
座標系ｘ_W ，ｙ_W で定義されている。一方、ステージに
搭載されたウエハの移動は、ステージを基準としたステ
ージ座標系ｘ_S ，ｙ_S で制御する。ウエハをステージに
ロードした時、ステージ座標系とウエハ座標系は一致し
ないので、両者の補正を行うために、測定前にその中心
座標のずれ（ΔＸ，ΔＹ）と回転角θの３つのパラメー
タを求める。この３つのパラメータの算出を行うのがウ
エハアライメントである。

【０００５】ウエハアライメントは、設計座標の既知の
パタンを２つ以上検出し、そのステージ座標を読み込ん
で算出する。まず、ウエハアライメントの初期化によ
り、露光装置と測定装置のウエハ保持方法の違い等によ
り生じるずれをあらかじめ入力しておく。この初期値に
よって概略のマーク位置にステージを移動し、マーク検
出を行う。マーク検出方法としては、例えばあらかじめ
取り込んでおいた基準パタンと同一形状のパタンをマー
クとして用い、パタンマッチングによりその位置を求め
る方法等がある。マーク検出は、初め低倍率で行い、そ
の検出座標にステージを移動し、高倍率にして再度行う
２段階方式により、低倍率での像歪の影響が入らないよ
うにしている。マーク検出は、２点以上の所定のマーク
を検出し、その座標からアライメント値を算出する。

【０００６】３点のマークを検出場合を例に示す。マー
ク中心の設計座標（ウエハ座標系）を（ｘ_1D，ｙ_1D），
（ｘ_2D，ｙ_2D），（ｘ_3D，ｙ_3D）、測定したステージ座
標を（ｘ_1m，ｙ_1m），（ｘ_2m，ｙ_2m），（ｘ_3m，ｙ_3m）
とすると、アライメント値は以下の式で算出できる。

【０００７】 (1)３点マーク検出時 ΔＸ＝［ｘ_1m＋ｘ_2m−ａ（ｘ_1D＋ｘ_2D)cosθ＋ｂ（ｙ_1D＋ｙ_2D)sinθ］／２ ΔＹ＝［ｙ_1m＋ｙ_2m−ｂ（ｙ_1D＋ｙ_2D)cosθ−ａ（ｘ_1D＋ｘ_2D)sinθ］／２ θ＝ tan^-1（Ａ／Ｂ）Ａ＝ａ（ｘ_2D−ｘ_1D）（ｙ_2m−ｙ_1m）−ｂ（ｙ_2D−ｙ_1D）（ｘ_2m−ｘ_1m）Ｂ＝ａ（ｘ_2D−ｘ_1D）（ｘ_2m−ｘ_1m）＋ｂ（ｙ_2D−ｙ_1D）（ｙ_2m−ｙ_1m）ａ＝（Ｃ／Ｅ）^0.5 ，ｂ＝（Ｄ／Ｅ）^0.5 Ｃ＝[(ｘ_2m−ｘ_1m)²+(ｙ_2m−ｙ_1m)²](ｙ_3D−ｙ_2D)²-[( ｘ_3m−ｘ_2m)²+(ｙ_3m−ｙ _2m )²](ｙ_2D−ｙ_1D)² Ｄ＝[(ｘ_3m−ｘ_2m)²+(ｙ_3m−ｙ_2m)²](ｘ_2D−ｘ_1D)²-[( ｘ_2m−ｘ_1m)²+(ｙ_2m−ｙ _1m )²](ｘ_3D−ｘ_2D)² Ｅ＝（ｘ_2D−ｘ_1D)² (ｙ_3D−ｙ_2D)²− (ｘ_3D−ｘ_2D)² (ｙ_2D−ｙ_1D)² (2)２点マーク検出時（１点が検出できなかった時） ΔＸ＝［ｘ_1m＋ｘ_2m−ａ（ｘ_1D＋ｘ_2D)cosθ＋ａ（ｙ_1D＋ｙ_2D)sinθ］／２ ΔＹ＝［ｙ_1m＋ｙ_2m−ａ（ｙ_1D＋ｙ_2D)cosθ−ａ（ｘ_1D＋ｘ_2D)sinθ］／２ θ＝ tan^-1（Ａ／Ｂ）Ａ＝（ｘ_2D−ｘ_1D）（ｙ_2m−ｙ_1m）−（ｙ_2D−ｙ_1D）（ｘ_2m−ｘ_1m）Ｂ＝（ｘ_2D−ｘ_1D）（ｘ_2m−ｘ_1m）＋（ｙ_2D−ｙ_1D）（ｙ_2m−ｙ_1m）ａ＝ [{(ｘ_2m−ｘ_1m)²+(ｙ_2m−ｙ_1m)²}/{(ｘ_2D−ｘ_1D)²+(ｙ_2D−ｙ_1D)²}]^0.5 また、これらのアライメント値を用いて、ウエハ座標系
（ｘ_W ，ｙ_W ）とステージ座標系（ｘ_S ，ｙ_S ）の変換
は、以下の式で与えられる（ここで２点マーク検出では
ａ＝ｂ）。ｘ_S ＝ａｘ_W cosθ−ｂｙ_W sinθ＋ΔＸｙ_S ＝ａｘ_W sinθ＋ｂｙ_W cosθ＋ΔＸｘ_W ＝ａ（ｘ_S −ΔＸ） cosθ−ｂ（ｙ_S −ΔＹ） sinθ ｙ_W ＝ａ（ｘ_S −ΔＸ） sinθ＋ｂ（ｙ_S −ΔＹ） cosθ このようなウエハアラメント処理において、ステージの
停止位置がずれて、目的パタンが視野内に無い場合が生
じる。この位置がずれる要因としては、ウエハのステ
ージにロードする際の位置ばらつき、アライメントマ
ーク自体の描画位置のばらつき、が挙げられる。後者
は、露光装置側のステージにロードする際の位置ばらつ
き、あるいはウエハの直径等の形状ばらつきに起因する
ものであり、露光装置によって異なる。従って、正確に
目的パタンを検出するためには、の測定装置自体のロ
ード時の位置ばらつきの範囲だけでなく、アライメント
マーク自体の位置のばらつきを考慮して、パタンの検索
範囲を広げなければならない。しかし、回りの視野にパ
タンの検索範囲を広げると時間がかかるだけでなく、誤
って類似のパタンを目的パタンと誤認してしまうことが
ある。このため、ステージをできるだけ正確に目的パタ
ン位置に移動する必要がある。しかし、従来技術では、
のアライメントマーク自体の描画位置のばらつきの補
正はできなかった。

【０００８】また、ウエハアライメント後は、設計座標
にもとづいて、目的のパタン位置へステージを移動す
る。しかし、以下の要因によって、ステージ位置が目的
パタンからずれる。ステージ自体の停止精度が低い、
設計の位置と実際にパタンのある位置がずれている
（描画時のずれ）、パタンが描画されている座標系の
直交度が測定系の直交度とずれている、磁性体の影響
でビームが曲げられる。このうち、はレーザ干渉計を
搭載し、座標を測定してフィートバック制御して、停止
精度を高めることにより防ぐことができる。また、は
装置に固有な値を持つものであり、あらかじめそのずれ
量を測定してテーブル化しておき、ステージの座標に応
じてそのずれ量分だけステージまたはビームの位置をず
らすようにすれば、そのずれを防ぐことができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の測定装
置では、ウエハアライメントを行い、ステージ座標系と
ウエハ座標系のずれ、回転量をステージ移動時に補正し
ているが、チップごとのステージ移動時の位置補正は行
っていない。これはオペレータが目的パタンを測定して
測定するような半自動，手動の装置では、通常はステー
ジの停止精度が悪く補正量が停止精度よりも小さいため
である。ところが、全自動で測定しようとする場合に
は、チップごと、あるいはパタンごとに位置の補正を行
わないと、たとえレーザ干渉計を用いてステージの停止
位置を高精度化しても、目的パタンが低倍率でしか視野
内に入らないため検出に時間がかかる、あるいは検出ミ
スが発生するという問題があった。すなわち、上記の
，のパタン位置自体のずれは補正できなかった。

【００１０】本発明の目的は、荷電ビームを用いたパタ
ン幅測定において、アライメントマーク自体の描画位置
のばらつき、パタンの露光位置のばらつき、露光装置と
測定装置の直交度の違い等があっても、正確に目的パタ
ンを検出することになる。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる集積回路
の寸法測定システムは、露光装置から各ウエハのマーク
の描画位置データ、各チップごとの描画位置補正データ
を読込み、被測定パタン位置へのステージ移動時にステ
ージの停止位置またはビームシフト量を各チップごとに
補正するものである。

【００１２】また、ウエハアライメントマークへのステ
ージ移動に関しては、測定ウエハを描画する露光装置
での平均的アライメント値および該当ウエハを測定装置
でウエハアライメントした時の平均値を、アライメント
の初期値テーブルから読み込む。各露光装置と測定装置の直交度の補正値を、あらか
じめ用意したステージ直交度補正テーブルから読み込
む。測定ウエハのアライメントマーク位置データを前記
露光装置から読み込む。の描画時のアライメント値と、の露光装置での
平均的アライメント値とのずれを算出し、この値をの
装置側の平均的アライメント値に加えて、アライメント
値を求め、このアライメント値を用いて、目標マークの
ウエハ座標を、の直交度を補正したステージ座標系の
座標に変換する。以上の手順により、ウエハアライメントを行い、ウエハ
座標系とステージ座標系の変換を行い、このステージ座
標系を用いてウエハアライメントマークへのステージ移
動を行うものである。

【００１３】さらに、測定点へのステージ移動に関して
は、測定パタンの位置情報を測定条件ファイルから読み
込む。ウエハアライメント結果をもとに、設計座標をステ
ージ座標に変換する。測定したいチップの位置ずれ量をあらかじめ用意し
た描画位置データから読み込む。にの補正値を加えて、測定パタンの位置を算出
し、ステージを移動する。以上の手順により、測定点へのステージ移動を行うもの
である。

【００１４】

【作用】本発明では、露光装置から描画時のデータとし
て、各チップごとの描画位置補正データを読み込んでい
る。このため、各チップの描画位置がばらついていても
ステージ移動時にそのずれを露光装置から得て補正でき
るので、正確に目的パタン位置にステージを移動するこ
とができる。このため、パタンを検出するためにステー
ジまたはＳＥＭ像を検索する範囲を狭めることができ
る。

【００１５】

【実施例】図１は本発明の寸法測定システムの構成の一
例を示した図である。検査・測定装置１００は電子ビー
ムを目的試料に照射するための電子光学鏡筒（図示せ
ず）と、試料の位置を移動するためのステージ（図示せ
ず）、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭという）１，制
御計算機２，反射電子または二次電子等の信号を取り込
む二次電子検出系３，それを処理する信号処理・測定部
４，鏡筒制御系５，鏡筒制御テーブル６，電源インタフ
ェース７，ステージ制御系８，位置ずれ補正量算出部９
を備えている。１０はアライメント初期値テーブル、１
１は描画位置データファイル、１２はステージ直交度補
正テーブルである。鏡筒制御系５では、鏡筒制御テーブ
ル６を参照しながら、各照射条件に応じて各電磁レンズ
にどれだけの電流を流せば良いか（静電レンズでは電
圧）を計算し、各レンズにその電流を流してビームを制
御する。ステージ制御系８では、目的の座標にステージ
を精度良く停止させるために、レーザ干渉計やリニアス
ケール等により現在の位置座標を読込みながらステージ
移動にフィードバックをかけている。信号・処理測定部
４では、二次電子検出系３からのビームのスキャンに同
期して取り込んだ信号像を得て、目的パタンの検出，寸
法測定，欠陥検出等を行う。９〜１２を除く以上の構成
は、通常のＳＥＭ１においても用いられているものであ
る。なお、２００は露光装置を示す。

【００１６】本発明では、ステージの位置決め精度の向
上のため、ステージの位置ずれ補正量算出部９を付加し
ている。この位置ずれ補正量算出部９では、チップごと
の位置ばらつき等による位置ずれを補正するため、あら
かじめ露光装置２００から各チップ描画の位置データを
得て描画位置データテーブル１１としてテーブル化して
おく。また、アライメント時のマーク位置のばらつきを
アライメント初期値テーブル１０に、また、露光装置２
００によるアライメント値の違い、直交度の違いを補正
するため、ステージ直交度補正テーブル１２を持ってい
る。これらの各テーブル１０〜１２を用いて、アライメ
ントマーク自体の描画位置のばらつき、パタンの露光位
置のばらつき、露光装置２００と検査・測定装置１００
の直交度の違いによるずれを補正する。

【００１７】露光装置２００で描画されたウエハ内のパ
タン寸法を、検査・測定装置１００で測定する。この
時、露光時の描画結果データを測定前に検査・測定装置
１００の制御計算機２内のステージの位置ずれ補正量算
出部９につながる各テーブル１０〜１２に転送してお
く。転送するデータは、合わせマークの検出位置情報
（または描画位置ずれ情報）、各チップの描画位置デー
タの情報を含むものである。

【００１８】検査・測定装置１００の制御計算機２で
は、測定前に測定条件を登録する。これは、その都度指
定しても、あらかじめ作成しておいた測定条件を呼出し
ても良い。この測定条件の中にはウエハライメントで使
用するパタンの座標・形状，寸法を測定するパタンの位
置座標、およびこれらの測定の際に用いるビームの照射
条件が含まれている。この測定条件にもとづいて、ステ
ージの位置移動を行うが、この際、ステージの位置ずれ
補正量算出部９で描画データを参照しながらその位置補
正を行う。以下に、本発明の寸法測定システムによる位
置決めの高精度化、すなわち描画時の位置ずれの補正方
法について述べる。

【００１９】本発明の集積回路の寸法測定システムで
は、位置補正をウエハアライメントのためのアライメン
トマークへのステージ移動時、測定パタンへのステージ
移動時に行っている。［ウエハアライメントマークへのステージ移動］図２は
本発明によるアライメントマーク位置へのステージ移動
手順を示した図である。なお、(S1)〜(S9)は各ステップ
を示す。測定ウエハが描画された露光装置２００の平均的ア
ライメント値（シフト量、回転量）をアライメント初期
値テーブル１０から読み込む(S1)。これは、該当装置で
描画された複数のウエハを、本測定システムでウエハア
ライメントを実施した結果をあらかじめ求めてテーブル
化しておいたものである。この値は、ウエハアライメン
トの初期設定値（デフォルト値）として用いる。このテ
ーブルには描画装置側で得られたアライメント値の平均
値も一緒にテーブル化しておく。測定ウエハが描画された露光装置２００の直交度
と、検査・測定装置１００の直交度の補正値を、ステー
ジ直交度補正テーブル１２から読み込む(S2)。これは、
該当装置で描画された複数のウエハでチップ内の同一パ
タンを検出した結果（位置座標）から求めた結果をあら
かじめテーブル化しておいたものである。これは、Ｘ軸
とＹ軸の直交度は機械的に調整するため、厳密な直角か
らはずれることに起因し、個々の装置で異なる分を補正
するためのものである。測定したいウエハのアライメントマーク位置データ
（描画データまたはマーク検出結果）を読み込む(S3)。
ＬＳＩ工程では、既に形成されたパタンに合わせてパタ
ンを描画するため、ウエハ内に形成されたマークの位置
を検出して、位置補正を行っている。この時のマーク検
出位置を基準にして、パタンを形成している。この時の
各アライメントマークの検出位置情報、またはその描画
位置データを露光装置２００から受取り、描画時のアラ
イメント値を算出する（直接、描画時のアライメント値
を受け取るようにしても良い）(S4)。このデータは、事
前に露光装置２００から受け取って、描画位置データを
ファイル化しておく方が処理時間が早くなるのでよい
が、その場で受け取っても良い。からの値をもとに、アライメントマークのある
予測位置を算出する。すなわち、の描画時のアライメ
ント値と、の描画装置の平均的アライメント値とのず
れ（並行シフト分、回転ずれ）を算出する。この値を
の平均的アライメント値に加えて、アライメントを求め
る。この値を用いて、ウエハ座標をステージ座標に変換
する(S5)。

【００２０】上記算出位置へステージを移動し(S6)、マ
ークを検出し、その座標を記憶する(S7)。この処理を繰
り返し実施して、ウエハ座標とステージ座標のずれを算
出する(S8,S9) 。なお、マーク位置の予想位置算出にあ
たって、２点目以降のマーク検出時には、１点目のマー
ク位置を基準にして、ここからの想定回転量を考慮に
いれて、次のマーク位置を算出するようにしてもよい。［測定点へのステージ移動］図３は本発明による測定位
置へのステージ移動手順を示した図である。なお、(S1
1) 〜(S19) は各ステップを示す。ウエハアライメント終了後(S11) 、測定したい位置
の設計座標（ウエハ座標）を測定条件ファイルから読み
込む(S12) 。この位置情報は、測定するパタンのチップ
内での座標と、測定するチップ位置からなる。この情報
からウエハ中央を原点とする座標に換算する(S13) 。ウエハアライメント結果をもとに、上記設計座標を
ステージ座標（ｘ_S ，ｙ_S ）に変換する(S14) 。変換式
は従来技術のところで述べたとおりである。このとき、
露光装置２００と検査・測定装置１００の直交度の補正
値を参照して算出する。直交度がδずれている場合は、
Ｘ軸を基準にしてＹ軸がδだけ傾いていることになる。
この場合は、前述の式で得た結果を以下の置き換えをす
ればよい。

【００２１】ｘ＝ｘ＋ｙ sinδ，ｙ＝ｙ cosδ 測定したい位置のずれ量を描画位置データをもとに
算出する。通常は、光の露光装置を用いているので、チ
ップを一括露光する。この場合は、チップ内でのずれ量
は一様と考えてよいので、各チップ描画時の露光装置側
のステージ停止位置ずれデータを読み込むことにより、
設計位置とのずれ量とすることができる。図５（ｃ）の
ような回転ずれの可能性はあるが、これはウエハアライ
メント時にその値を検出可能である。すなわち、まず、
各マーク検出時に、画面上の像の回転量を算出する。次
に、複数マークを検出した時の各マークの位置座標をも
とに、ウエハ座標系の軸のずれ量を算出する。この両者
の差がチップ自身の回転量である。にの補正値を加えて、目的パタンの位置を算出
する(S15) 。

【００２２】上記の位置算出値にステージを移動し(S1
6) 、測定，検査を実施する(S17) 。この処理を繰り返
して全測定を行う(S18,S19) 。なお、チップのずれ分
は、ステージの移動でなく、ビームをシフトさせること
でも同じ目的を達成することができる。また、ステージ
停止後、座標を読み込み、目標位置とのずれ分だけビー
ムをシフトするようにすればさらに高精度化することが
できる。

【００２３】なお、上記でハパタン幅の寸法測定を対象
にして説明したが、荷電ビームを用いて高倍率で欠陥検
査を行う場合にも本発明は有効である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の寸法測定
システムでは、露光装置から各ウエハ，チップごとの描
画位置補正データを読込み、被測定パタン位置へステー
ジを正確に移動できるようにしている。このため、ウエ
ハアライメント時に目的のパタンの検索範囲を狭めるこ
とができ、短時間に正確に目的パタンを検出することが
できる。特に、周囲の類似パタンを目標パタンと誤認す
るミスが低減できる。また、測定時には、直接測定に用
いる高倍率で像を取り込んでも、目的パタンが視野内に
入る。このため、通常のように低倍率で測定パタンを探
した後、ステージの移動もしくはビームのシフトを行っ
てから高倍率で測定する手間が省ける。従って、目的パ
タンの検出ミスの低減、測定の高層化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる集積回路の寸法測定システムの
一実施例の構成を示した図である。

【図２】本発明によるウエハアライメントの手順を示し
た流れ図である。

【図３】測定点へのステージ移動（位置決め）手順を説
明するための流れ図である。

【図４】従来の走査型顕微鏡における位置決めが悪い場
合の影響を説明するための図である。

【図５】被測定対象パタン自体の位置ずれがある場合の
影響を示した図である。

【図６】ウエハ座標系とステージ座標系の関係を示した
図である。

【符号の説明】

１走査型電子顕微鏡２制御計算機３二次電子検出系４信号処理・測定部５鏡筒制御系６鏡筒制御テーブル７電源インタフェース８ステージ制御系９位置ずれ補正量算出部１０アライメント初期値テーブル１１描画位置データファイル１２ステージ直交度補正テーブル１００検査・測定装置２００露光装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電ビームを照射するための鏡筒、試料
を移動するステージ、反射電子または二次電子信号を検
出する手段を有し、露光装置で処理されたウエハの各チ
ップのパターンを検査・測定する検査・測定装置におい
て、前記露光装置から各ウエハのマークの描画位置デー
タ、各チップごとの描画位置補正データを読込み、被測
定パタン位置へのステージ移動時にステージの停止位置
またはビームシフト量を各チップごとに補正することを
特徴とする集積回路の寸法測定システム。
【請求項２】測定ウエハを描画する露光装置での平
均的アライメント値及び該当ウエハを測定装置でウエハ
アライメントした時の平均値を、アライメントの初期値
テーブルから読み込む。露光装置と測定装置の直交度の補正値を、あらかじ
め用意したステージ直交度補正テーブルから読み込む。測定ウエハのアライメントマーク位置データを前記
露光装置から読み込む。の描画時のアライメント値と、の露光装置での
平均的アライメント値とのずれを算出し、この値をの
装置側の平均的アライメント値に加えて、アライメント
値を求め、このアライメント値を用いて、目標マークの
ウエハ座標を、の直交度を補正したステージ座標系の
座標に変換する。以上の手順により、ウエハアライメントを行い、ウエハ
座標系とステージ座標系の変換を行い、このステージ座
標系を用いてウエハアライメントマークへのステージ移
動を行うことを特徴とする請求項１記載の集積回路の寸
法測定システム。
【請求項３】測定パタンの位置情報を測定条件ファイ
ルから読み込む。ウエハアライメント結果をもとに、設計座標をステ
ージ座標に変換する。測定したいチップの位置ずれ量をあらかじめ用意し
た描画位置データから読み込む。にの補正値を加えて、測定パタンの位置を算出
し、ステージを移動する。以上の手順により、測定点へのステージ移動を行うこと
を特徴とする請求項１記載の集積回路の寸法測定システ
ム。