JPH09283653A - 半導体容器 - Google Patents
半導体容器Info
- Publication number
- JPH09283653A JPH09283653A JP8095360A JP9536096A JPH09283653A JP H09283653 A JPH09283653 A JP H09283653A JP 8095360 A JP8095360 A JP 8095360A JP 9536096 A JP9536096 A JP 9536096A JP H09283653 A JPH09283653 A JP H09283653A
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- JP
- Japan
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- brazing material
- lead
- external
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体容器本体のメタライズ層にろう付けさ
れた外部リードに外力が働いた場合に剥がれるのを防止
する。 【解決手段】 外部リード３がろう付けされるセラミッ
ク基板１のメタライズ層２に溝５を外部リード３の根元
側３ａに接近させて設ける。そして余分なロー剤４を溝
５に受け入れてセラミック基板１のメタイライズ層２の
端２ａまで流れ込むのを防ぎ、外部リード３の接合強度
を向上させる。
れた外部リードに外力が働いた場合に剥がれるのを防止
する。 【解決手段】 外部リード３がろう付けされるセラミッ
ク基板１のメタライズ層２に溝５を外部リード３の根元
側３ａに接近させて設ける。そして余分なロー剤４を溝
５に受け入れてセラミック基板１のメタイライズ層２の
端２ａまで流れ込むのを防ぎ、外部リード３の接合強度
を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板上
に半導体チップを搭載した半導体容器、特に外部リード
の取付構造に関する。
に半導体チップを搭載した半導体容器、特に外部リード
の取付構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体容器においては、セラミッ
ク基板からなるパッケージに半導体素子が収納され、図
３に示すようにセラミック基板１に形成されたメタライ
ズ層２と、図示しない半導体素子の電極とが金等のワイ
ヤで接続され、かつメタライズ層２と外部リード３との
合わせ面全体がロー材４によりろう付けされていた。
ク基板からなるパッケージに半導体素子が収納され、図
３に示すようにセラミック基板１に形成されたメタライ
ズ層２と、図示しない半導体素子の電極とが金等のワイ
ヤで接続され、かつメタライズ層２と外部リード３との
合わせ面全体がロー材４によりろう付けされていた。
【０００３】しかしながら、半導体素子の組立，スクリ
ーニング，電気的測定を行う際に、外部リード３に外力
が加わり、外部リード３が剥がれるという問題があっ
た。
ーニング，電気的測定を行う際に、外部リード３に外力
が加わり、外部リード３が剥がれるという問題があっ
た。
【０００４】このため図４に示すように、外部リード３
をフォーミングし、外部リード３とメタライズ層２の間
に形成された空隙内にロー材４がメタライズ層２の先端
部２ａを越えない範囲で押し止めるようにし、外部リー
ド３に垂直方向の外力が働いたときに、メタライズ層２
の先端部２ａに外力が集中して外部リード３が剥がれや
すくなるのを改善した構造のものがある。
をフォーミングし、外部リード３とメタライズ層２の間
に形成された空隙内にロー材４がメタライズ層２の先端
部２ａを越えない範囲で押し止めるようにし、外部リー
ド３に垂直方向の外力が働いたときに、メタライズ層２
の先端部２ａに外力が集中して外部リード３が剥がれや
すくなるのを改善した構造のものがある。
【０００５】また図５では、メタライズ層２の先端部２
ａがセラミック基板１の端部を越えて側面まで延長して
設けられ、メタライズ層２と外部リード３の合わせ面が
ロー材４によりろう付けされるとともに、延長したメタ
ライズ層２と外部リード３の間にロー材４が盛付けられ
ており、外部リード３に垂直な外力が作用したときに、
一番剥がれやすいメタライズ層２と外部リード３の端部
に力が作用しない構造としていた。
ａがセラミック基板１の端部を越えて側面まで延長して
設けられ、メタライズ層２と外部リード３の合わせ面が
ロー材４によりろう付けされるとともに、延長したメタ
ライズ層２と外部リード３の間にロー材４が盛付けられ
ており、外部リード３に垂直な外力が作用したときに、
一番剥がれやすいメタライズ層２と外部リード３の端部
に力が作用しない構造としていた。
【０００６】また図６は、図４の外部リード３と図５の
メタライズ層２の構造を組み合わせたものであり、メタ
ライズ層２と外部リード３の合わせ面がロー材４でろう
付けされるとともに、外部リード３とメタライズ層２の
間に形成された空隙内の一部にロー材４を押し止め、し
かも外部リード３の先端側のメタライズ層２との間にロ
ー材４を充填しない空隙が残されている構造になってい
る。
メタライズ層２の構造を組み合わせたものであり、メタ
ライズ層２と外部リード３の合わせ面がロー材４でろう
付けされるとともに、外部リード３とメタライズ層２の
間に形成された空隙内の一部にロー材４を押し止め、し
かも外部リード３の先端側のメタライズ層２との間にロ
ー材４を充填しない空隙が残されている構造になってい
る。
【０００７】また、図７では、外部リード３が接続され
る部分のセラミック基板１に溝５を設けることにより、
外部リード３とメタライズ層２が位置ズレのしにくい構
造となっていた。図７ではロー材４はセラミック基板１
の端面まで流れ込む構造となっていた。
る部分のセラミック基板１に溝５を設けることにより、
外部リード３とメタライズ層２が位置ズレのしにくい構
造となっていた。図７ではロー材４はセラミック基板１
の端面まで流れ込む構造となっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図３〜図
５に示す従来の半導体容器では、外部リード３を接続す
る際にロー材４がメタライズ層２の端部まで流れ込む構
造となっており、また図６に示す従来の半導体容器で
は、外部リード３とメタライズ層２の合わせ面までロー
材４が流れ込む構造となっているため、ロー材４の量の
バラツキ，ロー材４の溶融条件のバラツキ等により、ロ
ー材４が流れやすく、十分な接合強度を得ることが困難
であった。
５に示す従来の半導体容器では、外部リード３を接続す
る際にロー材４がメタライズ層２の端部まで流れ込む構
造となっており、また図６に示す従来の半導体容器で
は、外部リード３とメタライズ層２の合わせ面までロー
材４が流れ込む構造となっているため、ロー材４の量の
バラツキ，ロー材４の溶融条件のバラツキ等により、ロ
ー材４が流れやすく、十分な接合強度を得ることが困難
であった。
【０００９】また図７に示すように外部リード３が取付
けられるメタライズ層２に溝５を設けた構造において
も、ロー材４の流れが生じ、充分な接合強度を得ること
が困難であった。
けられるメタライズ層２に溝５を設けた構造において
も、ロー材４の流れが生じ、充分な接合強度を得ること
が困難であった。
【００１０】ところで、外部リードをメタライズ層に取
り付けるにあたっては、特開昭５７ー１２５０号におい
ても、明らかなように、ロー材の量を少なくする必要が
ある。この要求に応じて図４においては、外部リードと
メタライズ層の合わせ面へのロー材の添着を阻止して、
外部リードとメタライズ層の間に形成された空隙内に限
ってロー材を添着しているが、ロー材４の量のバラツ
キ，ロー材４の溶融条件のバラツキ等により、ロー材４
がメタライズ層２の先端部２ａ側に流れるのを食い止め
ることは困難であり、十分な接合強度を得るためにロー
材の量を少なくすることには限界があった。
り付けるにあたっては、特開昭５７ー１２５０号におい
ても、明らかなように、ロー材の量を少なくする必要が
ある。この要求に応じて図４においては、外部リードと
メタライズ層の合わせ面へのロー材の添着を阻止して、
外部リードとメタライズ層の間に形成された空隙内に限
ってロー材を添着しているが、ロー材４の量のバラツ
キ，ロー材４の溶融条件のバラツキ等により、ロー材４
がメタライズ層２の先端部２ａ側に流れるのを食い止め
ることは困難であり、十分な接合強度を得るためにロー
材の量を少なくすることには限界があった。
【００１１】以上の考察からすると、外部リードを接合
する接着剤は、該外部リードの先端側とメタライズ層の
間に空隙を残し、該外部リードの根元付近の狭い範囲に
制限して付着されることが必要となる。
する接着剤は、該外部リードの先端側とメタライズ層の
間に空隙を残し、該外部リードの根元付近の狭い範囲に
制限して付着されることが必要となる。
【００１２】本発明の目的は、外部リードを接合する接
着剤を該外部リードの根元付近の狭い範囲に制限して付
着することを可能とし、ロー材の量を必要最小限として
外部リードの接合強度を向上させ、リード強度にバラツ
キのない信頼性の高い半導体容器を提供することにあ
る。
着剤を該外部リードの根元付近の狭い範囲に制限して付
着することを可能とし、ロー材の量を必要最小限として
外部リードの接合強度を向上させ、リード強度にバラツ
キのない信頼性の高い半導体容器を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体容器は、容器本体に半導体チッ
プを搭載してなる半導体容器であって、半導体チップに
接続される外部リードを有し、外部リードは、その根元
側が容器本体の導体部にあてがわれ接着剤により容器本
体の導体部に接合されたものであり、外部リードを接合
する接着剤は、該外部リードの先端側と容器本体の導体
部との間に空隙を残し該外部リードの根元付近の狭い範
囲に制限して付着されたものである。
め、本発明に係る半導体容器は、容器本体に半導体チッ
プを搭載してなる半導体容器であって、半導体チップに
接続される外部リードを有し、外部リードは、その根元
側が容器本体の導体部にあてがわれ接着剤により容器本
体の導体部に接合されたものであり、外部リードを接合
する接着剤は、該外部リードの先端側と容器本体の導体
部との間に空隙を残し該外部リードの根元付近の狭い範
囲に制限して付着されたものである。
【００１４】また前記容器本体は、溝を有し、溝は、接
着剤を受け入れて、これを外部リードの根元付近に押し
止めるものである。
着剤を受け入れて、これを外部リードの根元付近に押し
止めるものである。
【００１５】また前記溝は、外部リードの根元付近に隣
接して設けられたものである。
接して設けられたものである。
【００１６】また前記外部リードは、その先端部側が容
器本体との間に間隙をもつ形状に折曲加工されたもので
ある。
器本体との間に間隙をもつ形状に折曲加工されたもので
ある。
【００１７】また前記容器本体は、セラミック基板から
なるものである。
なるものである。
【００１８】
【作用】従来技術（特開昭５７−１２５０号）において
も、述べられている通り、外部リードの取り付けにあた
って、ロー材量を少なくすることにより、外部リードの
接着強度が向上する。そこで本発明では、ロー材を外部
リードの根元側に押し止める、具体的にはロー材を溝に
受け入れて外部リード側に押し止めてロー材の量を必要
最小限として外部リードの接合強度を向上させる。
も、述べられている通り、外部リードの取り付けにあた
って、ロー材量を少なくすることにより、外部リードの
接着強度が向上する。そこで本発明では、ロー材を外部
リードの根元側に押し止める、具体的にはロー材を溝に
受け入れて外部リード側に押し止めてロー材の量を必要
最小限として外部リードの接合強度を向上させる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係
る半導体容器を示す全体図である。図１において、半導
体チップを搭載する容器本体はセラミック基板（以下、
容器本体をセラミック基板という）１から構成され、図
示しない半導体チップの電極に接続される外部リード３
は、セラミック基板１に施されたメタライズ層２にロー
材（通常はＡｇＣｕが用いられる。）４により接続され
る。
して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係
る半導体容器を示す全体図である。図１において、半導
体チップを搭載する容器本体はセラミック基板（以下、
容器本体をセラミック基板という）１から構成され、図
示しない半導体チップの電極に接続される外部リード３
は、セラミック基板１に施されたメタライズ層２にロー
材（通常はＡｇＣｕが用いられる。）４により接続され
る。
【００２０】図２は、図１のＡ部を拡大したものであっ
て、外部リード３のろう付されている部分を示す断面図
である。図示はしていないが、メタライズ層２は、タン
グステンあるいは、モリブデン・マンガン等の焼き付け
を行い、さらにろう付を強固にするために、Ｎｉメッキ
等の適当な表面処理が施されている。
て、外部リード３のろう付されている部分を示す断面図
である。図示はしていないが、メタライズ層２は、タン
グステンあるいは、モリブデン・マンガン等の焼き付け
を行い、さらにろう付を強固にするために、Ｎｉメッキ
等の適当な表面処理が施されている。
【００２１】本発明に係る外部リード３は、その根元側
３ａがセラミック基板１の導体部（以下、メタライズ層
という）２にあてがわれロー材（接着剤）４によりセラ
ミック基板１のメタライズ層２に接合されるようになっ
ており、外部リード３を接合するロー材４は、外部リー
ド３の先端側３ｂとセラミック基板１のメタライズ層２
の間に空隙Ｓを残し、外部リード３の根元側３ａ付近の
狭い範囲に制限して付着されるようになっている。
３ａがセラミック基板１の導体部（以下、メタライズ層
という）２にあてがわれロー材（接着剤）４によりセラ
ミック基板１のメタライズ層２に接合されるようになっ
ており、外部リード３を接合するロー材４は、外部リー
ド３の先端側３ｂとセラミック基板１のメタライズ層２
の間に空隙Ｓを残し、外部リード３の根元側３ａ付近の
狭い範囲に制限して付着されるようになっている。
【００２２】ここに、ろう付される外部リード３は、通
常コバー等の材料が用いられ、Ｎｉ等の表面処理がされ
ており、外部リード３は、ＡｇＣｕ等のロー材４により
接着される。ロー材としてのＡｇＣｕには共晶合金を使
用し、６５０℃程度の炉の中でロー材を溶融させること
により、ろう付を行うことができる。
常コバー等の材料が用いられ、Ｎｉ等の表面処理がされ
ており、外部リード３は、ＡｇＣｕ等のロー材４により
接着される。ロー材としてのＡｇＣｕには共晶合金を使
用し、６５０℃程度の炉の中でロー材を溶融させること
により、ろう付を行うことができる。
【００２３】ロー材４を外部リード３の先端側３ｂとセ
ラミック基板１のメタライズ層２の間に空隙Ｓを残し外
部リード３の根元側３ａ付近の狭い範囲に制限して付着
するための具体例としては、セラミック基板１に溝５を
設け、溝５にロー材４を受け入れて、これを外部リード
３の根元側３ａ付近に押し止めるようにしている。その
ため溝５は、外部リード３の根元側３ａ付近に隣接して
設けられている。
ラミック基板１のメタライズ層２の間に空隙Ｓを残し外
部リード３の根元側３ａ付近の狭い範囲に制限して付着
するための具体例としては、セラミック基板１に溝５を
設け、溝５にロー材４を受け入れて、これを外部リード
３の根元側３ａ付近に押し止めるようにしている。その
ため溝５は、外部リード３の根元側３ａ付近に隣接して
設けられている。
【００２４】また外部リード３は、その先端側３ｂがセ
ラミック基板１のメタライズ層２との間に空隙Ｓをもつ
形状に折曲加工されている。したがって、ロー材４は、
外部リード３の先端側３ｂとセラミック基板１のメタラ
イズ層２の間に空隙Ｓを残し、外部リード３の根元側３
ａ付近の狭い範囲に制限して付着されるようになってい
る。
ラミック基板１のメタライズ層２との間に空隙Ｓをもつ
形状に折曲加工されている。したがって、ロー材４は、
外部リード３の先端側３ｂとセラミック基板１のメタラ
イズ層２の間に空隙Ｓを残し、外部リード３の根元側３
ａ付近の狭い範囲に制限して付着されるようになってい
る。
【００２５】このとき、メタライズ層２と外部リード３
との間の空隙Ｓ内に介在するロー材４は、溝５があるた
め、余分のものが溝５に流れ込み、外部リード３の先端
側３ｂとメタライズ層２の間には充填されることがな
く、図２のような形状となる。
との間の空隙Ｓ内に介在するロー材４は、溝５があるた
め、余分のものが溝５に流れ込み、外部リード３の先端
側３ｂとメタライズ層２の間には充填されることがな
く、図２のような形状となる。
【００２６】ロー材４と外部リード３の接着面積が大き
ければ、外部リード３の接着強度が向上するという考え
方が従来あったが、むしろ外部リード３の先端側３ｂと
メタライズ層２の間にはロー材４を充填せずに、図２に
示す本発明のように外部リード３の根元側３ａ付近の狭
い範囲に制限して付着するようにすることにより、外部
リード３の接着強度が増すことが分かった。
ければ、外部リード３の接着強度が向上するという考え
方が従来あったが、むしろ外部リード３の先端側３ｂと
メタライズ層２の間にはロー材４を充填せずに、図２に
示す本発明のように外部リード３の根元側３ａ付近の狭
い範囲に制限して付着するようにすることにより、外部
リード３の接着強度が増すことが分かった。
【００２７】図２に示すように外部リード３にリード方
向に対し、垂直方向に外力が加えられた場合、その応力
は、メタライズ層２の中間部２ｂに加わり、セラミック
基板１の端部１ａに応力が加わらない構造となってい
る。もし、セラミック基板１の端部１ａに応力が加わる
と、メタライズ層２を剥がす方向に力が加わるため、比
較的弱い力でも剥がれが進行し、メタライズ層２の中間
部２ｂに応力が作用した場合に比べ、５分の１以下に強
度が低下する。セラミック基板１の端部１ａまでロー材
４が流れた従来品（サンプルＡ品）と、メタライズ層２
の中間部２ｂまでに留まった本発明の実施形態に係るも
の（サンプルＢ品）のリード引張強度の試験結果を表１
に示す。
向に対し、垂直方向に外力が加えられた場合、その応力
は、メタライズ層２の中間部２ｂに加わり、セラミック
基板１の端部１ａに応力が加わらない構造となってい
る。もし、セラミック基板１の端部１ａに応力が加わる
と、メタライズ層２を剥がす方向に力が加わるため、比
較的弱い力でも剥がれが進行し、メタライズ層２の中間
部２ｂに応力が作用した場合に比べ、５分の１以下に強
度が低下する。セラミック基板１の端部１ａまでロー材
４が流れた従来品（サンプルＡ品）と、メタライズ層２
の中間部２ｂまでに留まった本発明の実施形態に係るも
の（サンプルＢ品）のリード引張強度の試験結果を表１
に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１では、長さ９ｍｍ，幅２ｍｍ，厚さ
０．１ｍｍのコバールからなる外部リード３を、アルミ
ナセラミック基板１上にＭｏ−Ｍｎペーストを用いて形
成されたメタライズ層２上に、ロー材４としてＡｇを用
いて接着したもののうち、ロー材４がセラミック基板１
の端部１ａまで充填されたものをサンプルＡ品（従来
品）、ロー材４がメタライズ層２の中間部２ｂまでしか
充填されず、外部リード３の先端側３ｂに未充填部（空
隙Ｓ）を有するサンプルＢ品（本発明品）について、そ
れぞれ外部リードを垂直方向に引き上げたときの引張強
度をまとめたものである。表１からわかる通り、ロー材
の流れ具合及び充填不具合により、本発明品に係るサン
プルＢ品は、従来品のサンプルＡ品に対して強度が約１
桁改善されることが分かる。
０．１ｍｍのコバールからなる外部リード３を、アルミ
ナセラミック基板１上にＭｏ−Ｍｎペーストを用いて形
成されたメタライズ層２上に、ロー材４としてＡｇを用
いて接着したもののうち、ロー材４がセラミック基板１
の端部１ａまで充填されたものをサンプルＡ品（従来
品）、ロー材４がメタライズ層２の中間部２ｂまでしか
充填されず、外部リード３の先端側３ｂに未充填部（空
隙Ｓ）を有するサンプルＢ品（本発明品）について、そ
れぞれ外部リードを垂直方向に引き上げたときの引張強
度をまとめたものである。表１からわかる通り、ロー材
の流れ具合及び充填不具合により、本発明品に係るサン
プルＢ品は、従来品のサンプルＡ品に対して強度が約１
桁改善されることが分かる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明は、ろう付け工程に
おけるロー材のバラツキ，ロー材の量が多い場合、ある
いは、ロー材が溶融したときのロー材を溝で吸収するた
め、外部リードの接着強度を向上でき、接着強度のバラ
ツキを少なくできるという効果を有する。
おけるロー材のバラツキ，ロー材の量が多い場合、ある
いは、ロー材が溶融したときのロー材を溝で吸収するた
め、外部リードの接着強度を向上でき、接着強度のバラ
ツキを少なくできるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施形態を示す全体図である。
【図２】図１のＡ部拡大断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
【図５】従来例を示す断面図である。
【図６】従来例を示す断面図である。
【図７】従来例を示す斜視図である。
１ セラミック基板 ２ メタライズ層 ３ 外部リード ４ ロー材 ５ 溝
Claims (5)
- 【請求項１】 容器本体に半導体チップを搭載してなる
半導体容器であって、 半導体チップに接続される外部リードを有し、 外部リードは、その根元側が容器本体の導体部にあてが
われ接着剤により容器本体の導体部に接合されたもので
あり、 外部リードを接合する接着剤は、該外部リードの先端側
と容器本体の導体部との間に空隙を残し該外部リードの
根元付近の狭い範囲に制限して付着されたものであるこ
とを特徴とする半導体容器。 - 【請求項２】 前記容器本体は、溝を有し、 溝は、接着剤を受け入れて、これを外部リードの根元付
近に押し止めるものであることを特徴とする請求項１に
記載の半導体容器。 - 【請求項３】 前記溝は、外部リードの根元付近に隣接
して設けられたものであることを特徴とする請求項２に
記載の半導体容器。 - 【請求項４】 前記外部リードは、その先端部側が容器
本体との間に間隙をもつ形状に折曲加工されたものであ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体容器。 - 【請求項５】 前記容器本体は、セラミック基板からな
るものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体
容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095360A JP2861926B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095360A JP2861926B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283653A true JPH09283653A (ja) | 1997-10-31 |
| JP2861926B2 JP2861926B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=14135479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8095360A Expired - Fee Related JP2861926B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861926B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165714A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP2012074667A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2017079258A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用基板および電子装置 |
| WO2024176740A1 (ja) * | 2023-02-20 | 2024-08-29 | ローム株式会社 | 半導体装置および車両 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH06181276A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リード |
| JPH06268093A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-09-22 | Nec Corp | セラミックパッケージ型半導体装置 |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP8095360A patent/JP2861926B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|
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