JPH09284011A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH09284011A JPH09284011A JP11838096A JP11838096A JPH09284011A JP H09284011 A JPH09284011 A JP H09284011A JP 11838096 A JP11838096 A JP 11838096A JP 11838096 A JP11838096 A JP 11838096A JP H09284011 A JPH09284011 A JP H09284011A
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不要静磁波の減衰性能に優れた、静磁波装置
を提供する。 【解決手段】 静磁波装置１０は、フェリ磁性素子１２
を含む。フェリ磁性素子１２は、ＧＧＧ基板１４の上に
ＹＩＧ薄膜１６を積層して形成される。ＹＩＧ薄膜１６
の主面上には、入出力用のトランスデューサ１８ａおよ
び１８ｂが形成される。また、静磁波装置１０は、不要
な静磁波を減衰させるための静磁波減衰体２０ａおよび
２０ｂを含む。静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂは、フ
ェリ磁性素子１２の長手方向両端部にそれぞれ断面弓形
状に形成される。
を提供する。 【解決手段】 静磁波装置１０は、フェリ磁性素子１２
を含む。フェリ磁性素子１２は、ＧＧＧ基板１４の上に
ＹＩＧ薄膜１６を積層して形成される。ＹＩＧ薄膜１６
の主面上には、入出力用のトランスデューサ１８ａおよ
び１８ｂが形成される。また、静磁波装置１０は、不要
な静磁波を減衰させるための静磁波減衰体２０ａおよび
２０ｂを含む。静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂは、フ
ェリ磁性素子１２の長手方向両端部にそれぞれ断面弓形
状に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は静磁波装置に関
し、特にたとえば、静磁波フィルタなどとして用いられ
る静磁波装置に関する。
し、特にたとえば、静磁波フィルタなどとして用いられ
る静磁波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、この発明の背景となる従来の
静磁波装置の一例を示す斜視図である。図１１は、従来
の静磁波装置の静磁波の伝搬経路を示す図解図である。
静磁波装置１は、フェリ磁性素子２を含む。フェリ磁性
素子２は、矩形状のＧＧＧ（ガドリニウム−ガリウム−
ガーネット）基板３の上にフェリ磁性基体としてのＹＩ
Ｇ（イットリウム−アイアン−ガーネット）薄膜４を積
層して形成される。ＹＩＧ薄膜４の主面上には、入力用
トランスデューサ５ａおよび出力用トランスデューサ５
ｂが互いに対向して形成される。
静磁波装置の一例を示す斜視図である。図１１は、従来
の静磁波装置の静磁波の伝搬経路を示す図解図である。
静磁波装置１は、フェリ磁性素子２を含む。フェリ磁性
素子２は、矩形状のＧＧＧ（ガドリニウム−ガリウム−
ガーネット）基板３の上にフェリ磁性基体としてのＹＩ
Ｇ（イットリウム−アイアン−ガーネット）薄膜４を積
層して形成される。ＹＩＧ薄膜４の主面上には、入力用
トランスデューサ５ａおよび出力用トランスデューサ５
ｂが互いに対向して形成される。
【０００３】フェリ磁性素子２は、使用時に外部から直
流磁界Ｈｅｘがトランスデューサ５ａおよび５ｂの延び
る方向と平行に印加される。そして、入力用トランスデ
ューサ５ａに高周波信号が入力されると、表面静磁波
（以下、ＭＳＳＷという）が励起される。励起されたＭ
ＳＳＷは、図１１に示すように、４つの経路６ａ，６
ｂ，６ｃおよび６ｄを通ってＹＩＧ薄膜４中を伝搬す
る。４つの経路６ａ〜６ｄのそれぞれの遅延時間は、ｔ
ａ，ｔｂ，ｔｃおよびｔｄである。伝搬したＭＳＳＷ
は、出力用トランスデューサ５ｂにより受信され、再び
高周波信号として出力される。
流磁界Ｈｅｘがトランスデューサ５ａおよび５ｂの延び
る方向と平行に印加される。そして、入力用トランスデ
ューサ５ａに高周波信号が入力されると、表面静磁波
（以下、ＭＳＳＷという）が励起される。励起されたＭ
ＳＳＷは、図１１に示すように、４つの経路６ａ，６
ｂ，６ｃおよび６ｄを通ってＹＩＧ薄膜４中を伝搬す
る。４つの経路６ａ〜６ｄのそれぞれの遅延時間は、ｔ
ａ，ｔｂ，ｔｃおよびｔｄである。伝搬したＭＳＳＷ
は、出力用トランスデューサ５ｂにより受信され、再び
高周波信号として出力される。
【０００４】しかし、経路６ｂ〜６ｄを通るＭＳＳＷ
は、経路６ａを通るＭＳＳＷと干渉し、遅延時間ｔｂ〜
ｔｄと遅延時間ｔａとの差によって静磁波エコーを生じ
させる。そのため、経路６ｂ〜６ｄを通るＭＳＳＷは、
静磁波装置１の電気的特性を劣化させる原因となるもの
である。そこで、一般に従来の静磁波装置１では、経路
６ｂ〜６ｄを通るＭＳＳＷを減衰させるために、静磁波
減衰体７ａおよび７ｂがＹＩＧ薄膜４上に形成される。
この静磁波減衰体７ａおよび７ｂは、ＹＩＧ薄膜４上の
トランスデューサ５ａおよび５ｂで挟まれた領域の両外
側の、フェリ磁性素子２の長手方向両端部に均一な厚み
を有して形成される。このような静磁波装置１では、静
磁波減衰体７ａおよび７ｂによって、直流磁界Ｈｅｘが
乱されるので、フェリ磁性素子２内部の直流磁界が減少
する。そのため、ＹＩＧ薄膜４上のトランスデューサ５
ａおよび５ｂで挟まれた領域の両外側において、経路６
ｂ〜６ｄを通る不要なＭＳＳＷが減衰される。図１２
は、図１０に示す静磁波装置の静磁波の減衰状況を示す
図解図である。図１２において、横軸の伝達距離０ｍｍ
の点は、静磁波減衰体７ａおよび７ｂの形成されていな
いＹＩＧ薄膜４上にあり、０．００１ｍｍの点は、静磁
波減衰体７ａおよび７ｂの縁部８ａおよび８ｂ下のＹＩ
Ｇ薄膜４上にあり、さらに０．００２ｍｍの点は、静磁
波減衰体７ａおよび７ｂ下のＹＩＧ薄膜４上にある。図
１２に示すように、静磁波減衰体７ａおよび７ｂによっ
て内部磁界が弱められた領域に伝搬したＭＳＳＷは、指
数関数的に減衰する。
は、経路６ａを通るＭＳＳＷと干渉し、遅延時間ｔｂ〜
ｔｄと遅延時間ｔａとの差によって静磁波エコーを生じ
させる。そのため、経路６ｂ〜６ｄを通るＭＳＳＷは、
静磁波装置１の電気的特性を劣化させる原因となるもの
である。そこで、一般に従来の静磁波装置１では、経路
６ｂ〜６ｄを通るＭＳＳＷを減衰させるために、静磁波
減衰体７ａおよび７ｂがＹＩＧ薄膜４上に形成される。
この静磁波減衰体７ａおよび７ｂは、ＹＩＧ薄膜４上の
トランスデューサ５ａおよび５ｂで挟まれた領域の両外
側の、フェリ磁性素子２の長手方向両端部に均一な厚み
を有して形成される。このような静磁波装置１では、静
磁波減衰体７ａおよび７ｂによって、直流磁界Ｈｅｘが
乱されるので、フェリ磁性素子２内部の直流磁界が減少
する。そのため、ＹＩＧ薄膜４上のトランスデューサ５
ａおよび５ｂで挟まれた領域の両外側において、経路６
ｂ〜６ｄを通る不要なＭＳＳＷが減衰される。図１２
は、図１０に示す静磁波装置の静磁波の減衰状況を示す
図解図である。図１２において、横軸の伝達距離０ｍｍ
の点は、静磁波減衰体７ａおよび７ｂの形成されていな
いＹＩＧ薄膜４上にあり、０．００１ｍｍの点は、静磁
波減衰体７ａおよび７ｂの縁部８ａおよび８ｂ下のＹＩ
Ｇ薄膜４上にあり、さらに０．００２ｍｍの点は、静磁
波減衰体７ａおよび７ｂ下のＹＩＧ薄膜４上にある。図
１２に示すように、静磁波減衰体７ａおよび７ｂによっ
て内部磁界が弱められた領域に伝搬したＭＳＳＷは、指
数関数的に減衰する。
【０００５】静磁波の減衰原理は、次の２つが考えられ
る。すなわち、 １．直流磁界を減少させると、静磁波の波長が短くな
り、損失が大きくなって静磁波の減衰が生じる。 ２．直流磁界を減少させると、低磁界損が生じて、静磁
波の減衰が生じる。 というものである。ここでは、図１３および図１４を参
照しながら、原理１を説明する。図１３は、空気／ＹＩ
Ｇ薄膜／ＧＧＧ基板構造の静磁波装置において、直流磁
界の強さによるＭＳＳＷの分散曲線の変動状況を示すグ
ラフである。また、図１４は、直流磁界の強さによるＭ
ＳＳＷの伝搬距離と振幅との関係を示すグラフである。
図１４において、横軸の伝達距離０ｍｍの点は、静磁波
減衰体の縁部下のＹＩＧ薄膜上にあり、０．０４ｍｍの
点は、静磁波減衰体下のＹＩＧ薄膜４上にある。図１３
に示すように、直流磁界が強いと分散曲線は上方に移動
し、直流磁界が弱いと分散曲線は下方に移動する。この
静磁波装置において、動作点ｆ0 ＝２０００ＭＨｚとし
た場合には、図１３に示す交点Ｐαおよび交点Ｐβが、
それぞれ直流磁界が強い時の減衰定数αおよび伝搬定数
βを示す。また、交点Ｑαおよび交点Ｑβは、それぞれ
直流磁界が弱い時の減衰定数αおよび伝搬定数βを示
す。したがって、直流磁界が強まるに従い、減衰定数α
および伝搬定数βはそれぞれ小さくなり、直流磁界が弱
まるに従い、減衰定数αおよび伝搬定数βはそれぞれ大
きくなる。このように、直流磁界が強い時には、減衰定
数αが小さいので、図１４に実線で示すように、ＭＳＳ
Ｗは正弦波状に分布する。しかし、直流磁界が弱い時に
は、減衰定数αが大きいので、図１４に破線で示すよう
に、ＭＳＳＷは指数関数的に減衰する。そのため、直流
磁界の弱い部分に行くにしたがってＭＳＳＷのエネルギ
ーが減衰することになる。したがって、この原理を応用
して不要静磁波を減衰させるためには、ＹＩＧ薄膜４上
において、図１３に示す交点Ｐα，交点Ｐβと交点Ｑ
α，交点Ｑβとの差と同様の差を形成する必要がある。
そのため、従来の静磁波装置１では、上述のように、Ｙ
ＩＧ薄膜４上のトランスデューサ５ａおよび５ｂで挟ま
れた領域の両外側の、ＹＩＧ基板２の長手方向両端部に
静磁波減衰体７ａおよび７ｂが形成される。
る。すなわち、 １．直流磁界を減少させると、静磁波の波長が短くな
り、損失が大きくなって静磁波の減衰が生じる。 ２．直流磁界を減少させると、低磁界損が生じて、静磁
波の減衰が生じる。 というものである。ここでは、図１３および図１４を参
照しながら、原理１を説明する。図１３は、空気／ＹＩ
Ｇ薄膜／ＧＧＧ基板構造の静磁波装置において、直流磁
界の強さによるＭＳＳＷの分散曲線の変動状況を示すグ
ラフである。また、図１４は、直流磁界の強さによるＭ
ＳＳＷの伝搬距離と振幅との関係を示すグラフである。
図１４において、横軸の伝達距離０ｍｍの点は、静磁波
減衰体の縁部下のＹＩＧ薄膜上にあり、０．０４ｍｍの
点は、静磁波減衰体下のＹＩＧ薄膜４上にある。図１３
に示すように、直流磁界が強いと分散曲線は上方に移動
し、直流磁界が弱いと分散曲線は下方に移動する。この
静磁波装置において、動作点ｆ0 ＝２０００ＭＨｚとし
た場合には、図１３に示す交点Ｐαおよび交点Ｐβが、
それぞれ直流磁界が強い時の減衰定数αおよび伝搬定数
βを示す。また、交点Ｑαおよび交点Ｑβは、それぞれ
直流磁界が弱い時の減衰定数αおよび伝搬定数βを示
す。したがって、直流磁界が強まるに従い、減衰定数α
および伝搬定数βはそれぞれ小さくなり、直流磁界が弱
まるに従い、減衰定数αおよび伝搬定数βはそれぞれ大
きくなる。このように、直流磁界が強い時には、減衰定
数αが小さいので、図１４に実線で示すように、ＭＳＳ
Ｗは正弦波状に分布する。しかし、直流磁界が弱い時に
は、減衰定数αが大きいので、図１４に破線で示すよう
に、ＭＳＳＷは指数関数的に減衰する。そのため、直流
磁界の弱い部分に行くにしたがってＭＳＳＷのエネルギ
ーが減衰することになる。したがって、この原理を応用
して不要静磁波を減衰させるためには、ＹＩＧ薄膜４上
において、図１３に示す交点Ｐα，交点Ｐβと交点Ｑ
α，交点Ｑβとの差と同様の差を形成する必要がある。
そのため、従来の静磁波装置１では、上述のように、Ｙ
ＩＧ薄膜４上のトランスデューサ５ａおよび５ｂで挟ま
れた領域の両外側の、ＹＩＧ基板２の長手方向両端部に
静磁波減衰体７ａおよび７ｂが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな静磁波装置１では、静磁波減衰体７ａおよび７ｂが
均一な厚みで形成されているので、図１０に示すよう
に、トランスデューサ５ａおよび５ｂと対向した縁部８
ａおよび８ｂが、それぞれ所定の厚みを有している。こ
の場合、外部から印加された直流磁界Ｈｅｘは、静磁波
減衰体７ａおよび７ｂの縁部８ａおよび８ｂにおいて空
間的に急激に減少する。そのため、ＹＩＧ基板２の内部
において、直流磁界の強さが急激に変化する境界が生じ
る。この境界を図１２に破線で示す。この場合、図１２
に示すように、経路６ｂ〜６ｄを通る不要なＭＳＳＷ
は、境界を境にして急激に減衰するが、境界において一
部が反射されるため十分に減衰されず、静磁波装置１の
電気的特性劣化の原因となる。
うな静磁波装置１では、静磁波減衰体７ａおよび７ｂが
均一な厚みで形成されているので、図１０に示すよう
に、トランスデューサ５ａおよび５ｂと対向した縁部８
ａおよび８ｂが、それぞれ所定の厚みを有している。こ
の場合、外部から印加された直流磁界Ｈｅｘは、静磁波
減衰体７ａおよび７ｂの縁部８ａおよび８ｂにおいて空
間的に急激に減少する。そのため、ＹＩＧ基板２の内部
において、直流磁界の強さが急激に変化する境界が生じ
る。この境界を図１２に破線で示す。この場合、図１２
に示すように、経路６ｂ〜６ｄを通る不要なＭＳＳＷ
は、境界を境にして急激に減衰するが、境界において一
部が反射されるため十分に減衰されず、静磁波装置１の
電気的特性劣化の原因となる。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、不
要静磁波の減衰性能に優れた、静磁波装置を提供するこ
とである。
要静磁波の減衰性能に優れた、静磁波装置を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の静磁波装置
は、フェリ磁性基体と、フェリ磁性基体の主面上に形成
される複数のトランスデューサと、フェリ磁性基体の主
面上に形成され、不要な静磁波を減衰させるための静磁
波減衰体とを含む静磁波装置であって、静磁波減衰体
は、トランスデューサと対向する側に縁部を有し、その
縁部からトランスデューサと反対側へ向かって徐々に厚
みが厚くなるように形成される、静磁波装置である。
は、フェリ磁性基体と、フェリ磁性基体の主面上に形成
される複数のトランスデューサと、フェリ磁性基体の主
面上に形成され、不要な静磁波を減衰させるための静磁
波減衰体とを含む静磁波装置であって、静磁波減衰体
は、トランスデューサと対向する側に縁部を有し、その
縁部からトランスデューサと反対側へ向かって徐々に厚
みが厚くなるように形成される、静磁波装置である。
【０００９】また、この発明の静磁波装置は、フェリ磁
性基体と、フェリ磁性基体の主面上に形成されるトラン
スデューサと、フェリ磁性基体の主面上に形成され、不
要な静磁波を減衰させるための静磁波減衰体とを含む静
磁波装置であって、静磁波減衰体は、トランスデューサ
と対向する側に縁部を有し、その縁部からトランスデュ
ーサと反対側へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形
成され、さらに、その最も厚い部分からトランスデュー
サ側とは反対側の縁部へ向かって徐々に厚みが薄くなる
ように形成される、静磁波装置である。
性基体と、フェリ磁性基体の主面上に形成されるトラン
スデューサと、フェリ磁性基体の主面上に形成され、不
要な静磁波を減衰させるための静磁波減衰体とを含む静
磁波装置であって、静磁波減衰体は、トランスデューサ
と対向する側に縁部を有し、その縁部からトランスデュ
ーサと反対側へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形
成され、さらに、その最も厚い部分からトランスデュー
サ側とは反対側の縁部へ向かって徐々に厚みが薄くなる
ように形成される、静磁波装置である。
【００１０】
【作用】この発明の静磁波装置の静磁波減衰体は、トラ
ンスデューサと対向した縁部から反対側へ向かって徐々
に厚みが厚くなるように形成される。そのため、その厚
みの変化に応じて、静磁波減衰体の反磁界係数が徐々に
変化していくため、緩やかに直流磁界が減少していく。
そのため、この静磁波装置では、フェリ磁性基体の内部
において、直流磁界の境界が生じにくく、静磁波の反射
が起こりにくい。したがって、静磁波減衰体によって不
要静磁波が十分に減衰される。また、静磁波減衰体が、
トランスデューサと対向する縁部からトランスデューサ
と反対側へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成さ
れ、さらに、その最も厚い部分からトランスデューサ側
と反対側の縁部へ向かって徐々に厚みが薄くなるように
形成された場合には、静磁波減衰体の縁部において、そ
の厚みの変化に応じて静磁波減衰体の反磁界係数が徐々
に変化していくため、緩やかに直流磁界が減少してい
く。したがって、静磁波の反射がさらに起こりにくくな
る。
ンスデューサと対向した縁部から反対側へ向かって徐々
に厚みが厚くなるように形成される。そのため、その厚
みの変化に応じて、静磁波減衰体の反磁界係数が徐々に
変化していくため、緩やかに直流磁界が減少していく。
そのため、この静磁波装置では、フェリ磁性基体の内部
において、直流磁界の境界が生じにくく、静磁波の反射
が起こりにくい。したがって、静磁波減衰体によって不
要静磁波が十分に減衰される。また、静磁波減衰体が、
トランスデューサと対向する縁部からトランスデューサ
と反対側へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成さ
れ、さらに、その最も厚い部分からトランスデューサ側
と反対側の縁部へ向かって徐々に厚みが薄くなるように
形成された場合には、静磁波減衰体の縁部において、そ
の厚みの変化に応じて静磁波減衰体の反磁界係数が徐々
に変化していくため、緩やかに直流磁界が減少してい
く。したがって、静磁波の反射がさらに起こりにくくな
る。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、不要静磁波の減衰性
能に優れた静磁波装置を得ることができる。この静磁波
装置では、不要な静磁波が十分に減衰されるので電気的
特性が良い。
能に優れた静磁波装置を得ることができる。この静磁波
装置では、不要な静磁波が十分に減衰されるので電気的
特性が良い。
【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１３】
【実施例】図１は、この発明の一実施例を示す斜視図で
ある。図２は、図１に示す線ＩＩ−ＩＩにおける断面図
解図である。図３は、図１に示す線ＩＩＩ−ＩＩＩにお
ける断面図解図である。
ある。図２は、図１に示す線ＩＩ−ＩＩにおける断面図
解図である。図３は、図１に示す線ＩＩＩ−ＩＩＩにお
ける断面図解図である。
【００１４】図１に示す静磁波装置１０は、フェリ磁性
素子１２を含む。ＹＩＧ基板１２は、矩形状のＧＧＧ
（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基板１４の上
にフェリ磁性基体としてのＹＩＧ（イットリウム−アイ
アン−ガーネット）薄膜１６を積層して形成される。Ｙ
ＩＧ薄膜１６の主面上には、入力用トランスデューサ１
８ａおよび出力用トランスデューサ１８ｂが互いに対向
しつつ平行に延びるよう形成される。使用時には、外部
から直流磁界Ｈｅｘをトランスデューサ１８ａおよび１
８ｂと平行に印加しながら、入力用トランスデューサ１
８ａに高周波信号を入力する。すると、入力用トランス
デューサ１８ａから出力用トランスデューサ１８ｂへ向
かって、ＹＩＧ基板１２の長手方向へＭＳＳＷが伝搬す
る。伝搬したＭＳＳＷは、出力用トランスデューサ１８
ｂで受信されて、再び高周波信号として出力される。
素子１２を含む。ＹＩＧ基板１２は、矩形状のＧＧＧ
（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基板１４の上
にフェリ磁性基体としてのＹＩＧ（イットリウム−アイ
アン−ガーネット）薄膜１６を積層して形成される。Ｙ
ＩＧ薄膜１６の主面上には、入力用トランスデューサ１
８ａおよび出力用トランスデューサ１８ｂが互いに対向
しつつ平行に延びるよう形成される。使用時には、外部
から直流磁界Ｈｅｘをトランスデューサ１８ａおよび１
８ｂと平行に印加しながら、入力用トランスデューサ１
８ａに高周波信号を入力する。すると、入力用トランス
デューサ１８ａから出力用トランスデューサ１８ｂへ向
かって、ＹＩＧ基板１２の長手方向へＭＳＳＷが伝搬す
る。伝搬したＭＳＳＷは、出力用トランスデューサ１８
ｂで受信されて、再び高周波信号として出力される。
【００１５】また、この静磁波装置１０は、図１１に示
す経路６ｂ〜６ｄを通る不要な静磁波を減衰させるため
の静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂを含む。これらの静
磁波減衰体２０ａおよび２０ｂは、たとえば磁性体粉と
絶縁性物質との混合物からなり、ＹＩＧ薄膜１６の長手
方向両端部の一方主面上にそれぞれ形成される。したが
って、これらの静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂは、Ｙ
ＩＧ薄膜１６上のトランスデューサ１８ａおよび１８ｂ
で挟まれた領域の両外側に形成されていることになる。
す経路６ｂ〜６ｄを通る不要な静磁波を減衰させるため
の静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂを含む。これらの静
磁波減衰体２０ａおよび２０ｂは、たとえば磁性体粉と
絶縁性物質との混合物からなり、ＹＩＧ薄膜１６の長手
方向両端部の一方主面上にそれぞれ形成される。したが
って、これらの静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂは、Ｙ
ＩＧ薄膜１６上のトランスデューサ１８ａおよび１８ｂ
で挟まれた領域の両外側に形成されていることになる。
【００１６】さらに、これらの静磁波減衰体２０ａおよ
び２０ｂは、図１および図２に示すように、ＹＩＧ基板
１２の長手方向に断面弓形状に形成され、かつ、図１お
よび図３に示すように、ＹＩＧ基板１２の幅方向に断面
矩形状に形成される。そして、静磁波減衰体２０ａは、
入力用トランスデューサ１８ａと対向した側に縁部２２
ａを有し、入力用トランスデューサ１８ａと反対側に縁
部２４ａを有する。また、静磁波減衰体２０ｂは、出力
用トランスデューサ１８ｂと対向した側に縁部２２ｂを
有し、出力用トランスデューサ１８ｂと反対側に縁部２
４ｂを有する。したがって、静磁波減衰体２０ａは、縁
部２２ａから入力用トランスデューサ１８ａと反対側へ
向かって徐々に厚みが厚くなるように形成され、さら
に、その最も厚い部分から縁部２４ａへ向かって徐々に
厚みが薄くなるように形成されていることになる。ま
た、静磁波減衰体２０ｂは、縁部２２ｂから出力用トラ
ンスデューサ１８ｂと反対側へ向かって徐々に厚みが厚
くなるように形成され、さらに、その最も厚い部分から
縁部２４ｂへ向かって徐々に厚みが薄くなるように形成
されていることになる。
び２０ｂは、図１および図２に示すように、ＹＩＧ基板
１２の長手方向に断面弓形状に形成され、かつ、図１お
よび図３に示すように、ＹＩＧ基板１２の幅方向に断面
矩形状に形成される。そして、静磁波減衰体２０ａは、
入力用トランスデューサ１８ａと対向した側に縁部２２
ａを有し、入力用トランスデューサ１８ａと反対側に縁
部２４ａを有する。また、静磁波減衰体２０ｂは、出力
用トランスデューサ１８ｂと対向した側に縁部２２ｂを
有し、出力用トランスデューサ１８ｂと反対側に縁部２
４ｂを有する。したがって、静磁波減衰体２０ａは、縁
部２２ａから入力用トランスデューサ１８ａと反対側へ
向かって徐々に厚みが厚くなるように形成され、さら
に、その最も厚い部分から縁部２４ａへ向かって徐々に
厚みが薄くなるように形成されていることになる。ま
た、静磁波減衰体２０ｂは、縁部２２ｂから出力用トラ
ンスデューサ１８ｂと反対側へ向かって徐々に厚みが厚
くなるように形成され、さらに、その最も厚い部分から
縁部２４ｂへ向かって徐々に厚みが薄くなるように形成
されていることになる。
【００１７】図４は、図１に示す静磁波装置の静磁波の
減衰状況を示す図解図である。図４において、横軸の伝
達距離０ｍｍの点は、静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂ
の形成されていないＹＩＧ薄膜１６上にあり、０．００
１ｍｍの点は、縁部２２ａおよび２２ｂ下のＹＩＧ薄膜
１６上にあり、さらに０．００２ｍｍの点は、静磁波減
衰体２０ａおよび２０ｂ下のＹＩＧ薄膜１６上にある。
この実施例の静磁波装置１０では、静磁波減衰体２０ａ
および２０ｂが上述のように形成されているので、それ
らの厚みの変化に応じて、静磁波減衰体の反磁界係数が
徐々に変化していくため、緩やかに直流磁界が減少して
いく。そのため、ＹＩＧ基板１２の内部の直流磁界の強
さも、ＹＩＧ基板１２の中央部のトランスデューサ１８
ａおよび１８ｂ側から両端部の静磁波減衰体２０ａおよ
び２０ｂへ行くに従い、強い部分から弱い部分へと境界
なく移り変わって行く。そのため、図４に示すように、
静磁波のエネルギーも空間的に緩やかに減衰することに
なる。この場合、ＹＩＧ基板１２の内部において、従来
のような直流磁界Ｈｅｘの境界が生じにくく、静磁波の
反射が起こりにくい。そのため、静磁波減衰体２０ａお
よび２０ｂによって不要静磁波が十分に減衰される。
減衰状況を示す図解図である。図４において、横軸の伝
達距離０ｍｍの点は、静磁波減衰体２０ａおよび２０ｂ
の形成されていないＹＩＧ薄膜１６上にあり、０．００
１ｍｍの点は、縁部２２ａおよび２２ｂ下のＹＩＧ薄膜
１６上にあり、さらに０．００２ｍｍの点は、静磁波減
衰体２０ａおよび２０ｂ下のＹＩＧ薄膜１６上にある。
この実施例の静磁波装置１０では、静磁波減衰体２０ａ
および２０ｂが上述のように形成されているので、それ
らの厚みの変化に応じて、静磁波減衰体の反磁界係数が
徐々に変化していくため、緩やかに直流磁界が減少して
いく。そのため、ＹＩＧ基板１２の内部の直流磁界の強
さも、ＹＩＧ基板１２の中央部のトランスデューサ１８
ａおよび１８ｂ側から両端部の静磁波減衰体２０ａおよ
び２０ｂへ行くに従い、強い部分から弱い部分へと境界
なく移り変わって行く。そのため、図４に示すように、
静磁波のエネルギーも空間的に緩やかに減衰することに
なる。この場合、ＹＩＧ基板１２の内部において、従来
のような直流磁界Ｈｅｘの境界が生じにくく、静磁波の
反射が起こりにくい。そのため、静磁波減衰体２０ａお
よび２０ｂによって不要静磁波が十分に減衰される。
【００１８】次に、この静磁波装置１０を用いたフィル
タの特性を従来のものと比較して説明する。図５は、図
１に示す静磁波装置１０を用いたフィルタの特性を示す
グラフである。図６は、図５に示すグラフの破線で囲っ
た部分を拡大したグラフである。また、図１５は、図１
０に示す従来の静磁波装置１を用いたフィルタの特性を
示すグラフである。図１６は、図１５に示すグラフの破
線で囲った部分を拡大したグラフである。これらのグラ
フにおいて、Ｓ11とは、入力側の反射量を示し、Ｓ21と
は、入力側から出力側への通過量を示す。図１６および
図６から明らかなように、従来の静磁波装置１を用いた
フィルタでは、Ｓ21の変動量が周波数１．８５ＧＨｚ〜
２．１５ＧＨｚにおいて約３ｄＢである。一方、本願の
静磁波装置１０ではＳ21の変動量が周波数１．８５ＧＨ
ｚ〜２．１５ＧＨｚにおいて約１ｄＢ程度になる。この
ように、この実施例の静磁波装置１０では、Ｓ21の変動
量が小さいので、電気的特性に優れている。
タの特性を従来のものと比較して説明する。図５は、図
１に示す静磁波装置１０を用いたフィルタの特性を示す
グラフである。図６は、図５に示すグラフの破線で囲っ
た部分を拡大したグラフである。また、図１５は、図１
０に示す従来の静磁波装置１を用いたフィルタの特性を
示すグラフである。図１６は、図１５に示すグラフの破
線で囲った部分を拡大したグラフである。これらのグラ
フにおいて、Ｓ11とは、入力側の反射量を示し、Ｓ21と
は、入力側から出力側への通過量を示す。図１６および
図６から明らかなように、従来の静磁波装置１を用いた
フィルタでは、Ｓ21の変動量が周波数１．８５ＧＨｚ〜
２．１５ＧＨｚにおいて約３ｄＢである。一方、本願の
静磁波装置１０ではＳ21の変動量が周波数１．８５ＧＨ
ｚ〜２．１５ＧＨｚにおいて約１ｄＢ程度になる。この
ように、この実施例の静磁波装置１０では、Ｓ21の変動
量が小さいので、電気的特性に優れている。
【００１９】このように、この実施例によれば、不要静
磁波の減衰性能に優れた静磁波装置１０を得ることがで
きる。また、この静磁波装置１０では、不要な静磁波が
十分に減衰されるので電気的特性が良い。
磁波の減衰性能に優れた静磁波装置１０を得ることがで
きる。また、この静磁波装置１０では、不要な静磁波が
十分に減衰されるので電気的特性が良い。
【００２０】また、図７は、この発明の他の実施例を示
す斜視図である。図７に示す静磁波装置３０は、図１に
示す静磁波装置１０と比べて、静磁波減衰体の構造のみ
が異なる。図７に示す静磁波装置３０の静磁波減衰体３
２ａおよび３２ｂは、図７および図８に示すように、Ｙ
ＩＧ基板１２の長手方向に断面三角形状のくさび状に形
成され、かつ、図７および図９に示すように、ＹＩＧ基
板１２の幅方向に断面矩形状に形成される。そして、静
磁波減衰体３２ａは、入力用トランスデューサ１８ａと
対向した側に縁部３４ａを有し、入力用トランスデュー
サ１８ａと反対側に縁部３６ａを有する。また、静磁波
減衰体３２ｂは、出力用トランスデューサ１８ｂと対向
した側に縁部３４ｂを有し、出力用トランスデューサ１
８ｂと反対側に縁部３６ｂを有する。したがって、この
静磁波装置３０の静磁波減衰体３２ａは、縁部３４ａか
ら入力用トランスデューサ１８ａと反対側の縁部３６ａ
へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成されている
ことになる。また、静磁波減衰体３２ｂは、縁部３４ｂ
から出力用トランスデューサ１８ｂと反対側の縁部３６
ｂへ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成されてい
ることになる。
す斜視図である。図７に示す静磁波装置３０は、図１に
示す静磁波装置１０と比べて、静磁波減衰体の構造のみ
が異なる。図７に示す静磁波装置３０の静磁波減衰体３
２ａおよび３２ｂは、図７および図８に示すように、Ｙ
ＩＧ基板１２の長手方向に断面三角形状のくさび状に形
成され、かつ、図７および図９に示すように、ＹＩＧ基
板１２の幅方向に断面矩形状に形成される。そして、静
磁波減衰体３２ａは、入力用トランスデューサ１８ａと
対向した側に縁部３４ａを有し、入力用トランスデュー
サ１８ａと反対側に縁部３６ａを有する。また、静磁波
減衰体３２ｂは、出力用トランスデューサ１８ｂと対向
した側に縁部３４ｂを有し、出力用トランスデューサ１
８ｂと反対側に縁部３６ｂを有する。したがって、この
静磁波装置３０の静磁波減衰体３２ａは、縁部３４ａか
ら入力用トランスデューサ１８ａと反対側の縁部３６ａ
へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成されている
ことになる。また、静磁波減衰体３２ｂは、縁部３４ｂ
から出力用トランスデューサ１８ｂと反対側の縁部３６
ｂへ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成されてい
ることになる。
【００２１】図７に示す実施例でも図１に示す実施例と
同様の作用効果を得ることができる。
同様の作用効果を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す線ＩＩ−ＩＩにおける断面図解図で
ある。
ある。
【図３】図１に示す線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解
図である。
図である。
【図４】図１に示す静磁波装置の静磁波の減衰状況を示
す図解図である。
す図解図である。
【図５】図１に示す静磁波装置を用いたフィルタの特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】図５に示すグラフの破線で囲った部分を拡大し
たグラフである。
たグラフである。
【図７】この発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図８】図７に示す線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面
図解図である。
図解図である。
【図９】図７に示す線ＩＸ−ＩＸにおける断面図解図で
ある。
ある。
【図１０】この発明の背景となる従来の静磁波装置の一
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図１１】従来の静磁波装置の静磁波の伝搬経路を示す
図解図である。
図解図である。
【図１２】図１０に示す静磁波装置の静磁波の減衰状況
を示す図解図である。
を示す図解図である。
【図１３】空気／ＹＩＧ／ＧＧＧ構造の静磁波装置にお
いて、外部直流磁界の強さによるＭＳＳＷの分散曲線の
変動状況を示すグラフである。
いて、外部直流磁界の強さによるＭＳＳＷの分散曲線の
変動状況を示すグラフである。
【図１４】図１３に示すＰ点およびＱ点におけるＭＳＳ
Ｗの減衰状況を比較して示すグラフである。
Ｗの減衰状況を比較して示すグラフである。
【図１５】図１０に示す静磁波装置を用いたフィルタの
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
【図１６】図１５に示すグラフの破線で囲った部分を拡
大したグラフである。
大したグラフである。
１０ 静磁波装置 １２ ＹＩＧ基板 １４ ＧＧＧ基板 １６ ＹＩＧ薄膜 １８ａ 入力用トランスデューサ １８ｂ 出力用トランスデューサ ２０ａ，２０ｂ 静磁波減衰体 ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ 縁部
フロントページの続き (72)発明者 市 口 真 一 郎 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 梅 垣 俊 仁 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 フェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体の主面上に形成されるトランスデュ
ーサ、および前記フェリ磁性基体の主面上に形成され、
不要な静磁波を減衰させるための静磁波減衰体を含む静
磁波装置であって、 前記静磁波減衰体は、前記トランスデューサと対向する
側に縁部を有し、その縁部から前記トランスデューサと
反対側へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成され
る、静磁波装置。 - 【請求項２】 フェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体の主面上に形成されるトランスデュ
ーサ、および前記フェリ磁性基体の主面上に形成され、
不要な静磁波を減衰させるための静磁波減衰体を含む静
磁波装置であって、 前記静磁波減衰体は、前記トランスデューサと対向する
側に縁部を有し、その縁部から前記トランスデューサと
反対側へ向かって徐々に厚みが厚くなるように形成さ
れ、さらに、その最も厚い部分から前記トランスデュー
サ側とは反対側の縁部へ向かって徐々に厚みが薄くなる
ように形成される、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11838096A JPH09284011A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11838096A JPH09284011A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09284011A true JPH09284011A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14735274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11838096A Pending JPH09284011A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09284011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | 고주파 신호처리용 정자파 소자 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP11838096A patent/JPH09284011A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | 고주파 신호처리용 정자파 소자 |
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