JPH09288345A - 投影プリント用マスク - Google Patents
投影プリント用マスクInfo
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- JPH09288345A JPH09288345A JP9829396A JP9829396A JPH09288345A JP H09288345 A JPH09288345 A JP H09288345A JP 9829396 A JP9829396 A JP 9829396A JP 9829396 A JP9829396 A JP 9829396A JP H09288345 A JPH09288345 A JP H09288345A
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- JP
- Japan
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- illuminance
- transparent substrate
- mask
- cover film
- projection
- Prior art date
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光フィールド内の線幅のバラツキの原因の
ーつである照度むらを改善し、照度の均一性を向上させ
て、リソグラフィ工程で形成する線幅の均一性を向上さ
せることができる投影プリント用マスクを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 投影プリント用マスク２４は、例えばボ
ロシリケイト・ガラスからなる透明基板３２と、この透
明基板３２上に所望の高さのリング状スペーサ３４を介
して取り付けられたカバー膜３６により、構成される。
そして透明基板３２底面には、例えばクロム膜３８によ
り不透明パターンが描画され、従来のレチクルに相当す
る。また、カバー膜３６には、透明薄膜４０表面の所定
の領域に円形の不透明のドットパターン４２が規則的に
配置されているドットエリア４４がレイアウトされてい
る。
ーつである照度むらを改善し、照度の均一性を向上させ
て、リソグラフィ工程で形成する線幅の均一性を向上さ
せることができる投影プリント用マスクを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 投影プリント用マスク２４は、例えばボ
ロシリケイト・ガラスからなる透明基板３２と、この透
明基板３２上に所望の高さのリング状スペーサ３４を介
して取り付けられたカバー膜３６により、構成される。
そして透明基板３２底面には、例えばクロム膜３８によ
り不透明パターンが描画され、従来のレチクルに相当す
る。また、カバー膜３６には、透明薄膜４０表面の所定
の領域に円形の不透明のドットパターン４２が規則的に
配置されているドットエリア４４がレイアウトされてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影プリント用マスク
に係り、特に半導体プロセスにおける露光工程において
使用される投影プリント用マスクに関するものである。
に係り、特に半導体プロセスにおける露光工程において
使用される投影プリント用マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のＩＣ（Integrated Circuit）やＬ
ＳＩ（Large Scale Integration ）等の半導体装置の高
集積化、高密度化に伴い、リソグラフィ技術は微細加工
技術の中心となって発展してきた。このような半導体プ
ロセスのリソグラフィ工程において、露光の際の露光フ
ィールド内における照度むら等に起因して、形成される
線幅が不均一になるという問題があった。
ＳＩ（Large Scale Integration ）等の半導体装置の高
集積化、高密度化に伴い、リソグラフィ技術は微細加工
技術の中心となって発展してきた。このような半導体プ
ロセスのリソグラフィ工程において、露光の際の露光フ
ィールド内における照度むら等に起因して、形成される
線幅が不均一になるという問題があった。
【０００３】特に現在の縮小投影露光装置の光学系は部
分コヒーレント照明であり、レチクル照明系のＮＡ（開
口数）と投影系のＮＡとの比であるコヒーレンズファク
ターσに少なからずバラツキが存在する。即ち、このσ
バラツキにより、露光フィールド中央部においてはウエ
ーハに光が垂直に照射されるのに対して、その周辺部に
おいては、ウエーハに光が垂直に照射されず、不均一な
入射角で照射されることになる。
分コヒーレント照明であり、レチクル照明系のＮＡ（開
口数）と投影系のＮＡとの比であるコヒーレンズファク
ターσに少なからずバラツキが存在する。即ち、このσ
バラツキにより、露光フィールド中央部においてはウエ
ーハに光が垂直に照射されるのに対して、その周辺部に
おいては、ウエーハに光が垂直に照射されず、不均一な
入射角で照射されることになる。
【０００４】他方、この照射光の照度を計測する光ディ
テクタは、光入射角依存性を有しており、光が垂直に照
射される露光フィールド中央部の照度よりもある入射角
をもって斜めに照射される露光フィールド周辺部の照度
を低く計測する。このため、こうした光ディテクタを用
いて露光フィールド内の照度を均一に補正しようとする
と、結果的に露光フィールド周辺部の照度が高くなって
しまう。従って、露光フィールド内において、露光フィ
ールド周辺部に行くほど線幅が細くなるという問題があ
った。
テクタは、光入射角依存性を有しており、光が垂直に照
射される露光フィールド中央部の照度よりもある入射角
をもって斜めに照射される露光フィールド周辺部の照度
を低く計測する。このため、こうした光ディテクタを用
いて露光フィールド内の照度を均一に補正しようとする
と、結果的に露光フィールド周辺部の照度が高くなって
しまう。従って、露光フィールド内において、露光フィ
ールド周辺部に行くほど線幅が細くなるという問題があ
った。
【０００５】このような露光フィールド内で発生する線
幅のバラツキに対しては、従来から露光装置の光学系を
改善・改造する等、主として装置面からの問題解決を図
ろうとするアプローチが行われてきた。
幅のバラツキに対しては、従来から露光装置の光学系を
改善・改造する等、主として装置面からの問題解決を図
ろうとするアプローチが行われてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような露光装置の光学系の改善等による露光フィール
ド内の線幅バラツキ低減策においては、以下のような問
題点があった。先ず第１に、半導体プロセスのリソグラ
フィ工程において使用するレチクルのパターンには、通
常、ゲートや配線等を形成するためのライン系パターン
と、多層配線間の接続をとるコンタクトホールを形成す
るためのコンタクト系パターンとがあるが、これらライ
ン系パターンの形成とコンタクト系パターンの形成とを
両立できるように光学調整を行うことが困難であるとい
う問題がある。また第２に、露光装置の光学系の改善・
改造等には、巨額の費用が必要となるという問題があ
る。
たような露光装置の光学系の改善等による露光フィール
ド内の線幅バラツキ低減策においては、以下のような問
題点があった。先ず第１に、半導体プロセスのリソグラ
フィ工程において使用するレチクルのパターンには、通
常、ゲートや配線等を形成するためのライン系パターン
と、多層配線間の接続をとるコンタクトホールを形成す
るためのコンタクト系パターンとがあるが、これらライ
ン系パターンの形成とコンタクト系パターンの形成とを
両立できるように光学調整を行うことが困難であるとい
う問題がある。また第２に、露光装置の光学系の改善・
改造等には、巨額の費用が必要となるという問題があ
る。
【０００７】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、露光フィールド内の線幅のバラツキの
原因のーつである照度むらを改善し、照度の均一性を向
上させて、リソグラフィ工程で形成する線幅の均一性を
向上させることができる投影プリント用マスクを提供す
ることを目的とする。
れたものであり、露光フィールド内の線幅のバラツキの
原因のーつである照度むらを改善し、照度の均一性を向
上させて、リソグラフィ工程で形成する線幅の均一性を
向上させることができる投影プリント用マスクを提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る投影プリント用マスクは、表面に所
定のパターンが描画されている透明基板と、前記透明基
板から所定の間隔をおいて設置され、光の透過率を局部
的に低下させるカバー膜とを有している。このように、
本発明に係る投影プリント用マスクにおいては、表面に
所定のパターンが描画されている透明基板と、光の透過
率を局部的に低下させるカバー膜とが、所定の間隔をお
いて配置されていることにより、投影プリント用マスク
を透過する光の照度を均一にすることが可能である。こ
のため、露光装置の光学系の改善・改造等を行うことな
く、露光フィールド内における照度むらを改善し、この
露光フィールド内での照度むらを原因のーつとして発生
する線幅のバラツキを低減することができる。また、ド
ットパターンのレイアウトを変更することにより、ライ
ン系パターンの形成にもコンタクト系パターンの形成に
も対応することが可能である。
ため、本発明に係る投影プリント用マスクは、表面に所
定のパターンが描画されている透明基板と、前記透明基
板から所定の間隔をおいて設置され、光の透過率を局部
的に低下させるカバー膜とを有している。このように、
本発明に係る投影プリント用マスクにおいては、表面に
所定のパターンが描画されている透明基板と、光の透過
率を局部的に低下させるカバー膜とが、所定の間隔をお
いて配置されていることにより、投影プリント用マスク
を透過する光の照度を均一にすることが可能である。こ
のため、露光装置の光学系の改善・改造等を行うことな
く、露光フィールド内における照度むらを改善し、この
露光フィールド内での照度むらを原因のーつとして発生
する線幅のバラツキを低減することができる。また、ド
ットパターンのレイアウトを変更することにより、ライ
ン系パターンの形成にもコンタクト系パターンの形成に
も対応することが可能である。
【０００９】本発明においては、上記の投影プリント用
マスクにおいて、前記カバー膜は、表面の所定の領域に
ドットパターンがレイアウトされている透明薄膜とする
のが好ましい。上記の投影プリント用マスクにおいて、
カバー膜が所定の領域にドットパターンがレイアウトさ
れている透明薄膜であることにより、表面に所定のパタ
ーンが描画されている透明基板を透過する光の照度の高
い領域に対応させてドットパターンをレイアウトするこ
とが容易に可能である。このため、投影プリント用マス
クを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にすること
ができる。
マスクにおいて、前記カバー膜は、表面の所定の領域に
ドットパターンがレイアウトされている透明薄膜とする
のが好ましい。上記の投影プリント用マスクにおいて、
カバー膜が所定の領域にドットパターンがレイアウトさ
れている透明薄膜であることにより、表面に所定のパタ
ーンが描画されている透明基板を透過する光の照度の高
い領域に対応させてドットパターンをレイアウトするこ
とが容易に可能である。このため、投影プリント用マス
クを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にすること
ができる。
【００１０】本発明においては、上記の投影プリント用
マスクにおいて、前記透明薄膜にレイアウトされている
前記ドットパターンの密度は、領域によって異なってい
るのが好ましい。上記の投影プリント用マスクにおい
て、透明薄膜表面にレイアウトされているドットパター
ンの密度が領域によって異なっていることにより、表面
に所定のパターンが描画されている透明基板を透過する
光の照度の高い領域にドットパターンの密度の高い領域
を対応させることが容易に可能である。このため、投影
プリント用マスクを透過する光の照度を容易かつ高精度
に疑似的に均一にすることができる。
マスクにおいて、前記透明薄膜にレイアウトされている
前記ドットパターンの密度は、領域によって異なってい
るのが好ましい。上記の投影プリント用マスクにおい
て、透明薄膜表面にレイアウトされているドットパター
ンの密度が領域によって異なっていることにより、表面
に所定のパターンが描画されている透明基板を透過する
光の照度の高い領域にドットパターンの密度の高い領域
を対応させることが容易に可能である。このため、投影
プリント用マスクを透過する光の照度を容易かつ高精度
に疑似的に均一にすることができる。
【００１１】本発明においては、上記の投影プリント用
マスクにおいて、前記カバー膜は、リング状スペーサを
介して、前記透明基板に取り付けられているのが好まし
い。上記の投影プリント用マスクにおいて、カバー膜が
リング状スペーサを介して透明基板に取り付けられてい
ることにより、表面に所定のパターンが描画されている
透明基板と光の透過率を局部的に低下させるカバー膜と
の位置合わせを精度よくかつ安定的に行うことが可能と
なる。例えば、表面に所定のパターンが描画されている
透明基板を透過する光の照度の高い領域とドットパター
ンをレイアウトした透明薄膜の領域とを精度よくかつ安
定的に対向させる可能である。このため、投影プリント
用マスクを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にす
ることができる。
マスクにおいて、前記カバー膜は、リング状スペーサを
介して、前記透明基板に取り付けられているのが好まし
い。上記の投影プリント用マスクにおいて、カバー膜が
リング状スペーサを介して透明基板に取り付けられてい
ることにより、表面に所定のパターンが描画されている
透明基板と光の透過率を局部的に低下させるカバー膜と
の位置合わせを精度よくかつ安定的に行うことが可能と
なる。例えば、表面に所定のパターンが描画されている
透明基板を透過する光の照度の高い領域とドットパター
ンをレイアウトした透明薄膜の領域とを精度よくかつ安
定的に対向させる可能である。このため、投影プリント
用マスクを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にす
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１は一の実施の形態
に係る投影プリント用マスクを使用してＩＣの露光を行
う露光装置を示す概要図であり、図２は図１の露光装置
に使用する投影プリント用マスクを示す斜視図であり、
図３（ａ）、（ｂ）はそれぞれその投影プリント用マス
クを示す断面図及び平面図である。
本発明の実施の形態を説明する。図１は一の実施の形態
に係る投影プリント用マスクを使用してＩＣの露光を行
う露光装置を示す概要図であり、図２は図１の露光装置
に使用する投影プリント用マスクを示す斜視図であり、
図３（ａ）、（ｂ）はそれぞれその投影プリント用マス
クを示す断面図及び平面図である。
【００１３】図１において、露光光源としてのＨｇ（水
銀）ランプ１０から放射状に発生した光束は、矢印で示
されるように、楕円ミラー１２によって効率的に集光さ
れた後、第１ミラー１４により反射され、コリメータ１
６を通ってインテグレータ１８に入射される。そしてこ
のインテグレータ１８において、積算露光量の測定を行
う。続いて、インテグレータ１８を出射した光は、第２
ミラー２０によって反射された後、コンデンサーレンズ
２２によって効率的に集光され、本実施の形態に係る投
影プリント用マスク２４に入射される。この投影プリン
ト用マスク２４を通過した光は、縮小投影レンズ２６を
介して、ウェーハステージ２８上に搭載されたウェーハ
３０表面に照射される。従って、投影プリント用マスク
２４に描画されている所定のパターンがウェーハ３０表
面に縮小投影される。
銀）ランプ１０から放射状に発生した光束は、矢印で示
されるように、楕円ミラー１２によって効率的に集光さ
れた後、第１ミラー１４により反射され、コリメータ１
６を通ってインテグレータ１８に入射される。そしてこ
のインテグレータ１８において、積算露光量の測定を行
う。続いて、インテグレータ１８を出射した光は、第２
ミラー２０によって反射された後、コンデンサーレンズ
２２によって効率的に集光され、本実施の形態に係る投
影プリント用マスク２４に入射される。この投影プリン
ト用マスク２４を通過した光は、縮小投影レンズ２６を
介して、ウェーハステージ２８上に搭載されたウェーハ
３０表面に照射される。従って、投影プリント用マスク
２４に描画されている所定のパターンがウェーハ３０表
面に縮小投影される。
【００１４】本実施の形態に係る投影プリント用マスク
２４は、図２及ぴ図３に示されるように、例えばボロシ
リケイト・ガラスからなる透明基板３２と、この透明基
板３２上に所望の高さのリング状スペーサ３４を介して
取り付けられたカバー膜３６により、構成される。そし
て透明基板３２底面には、例えばクロム膜３８により不
透明パターンが描画されている。従って、このクロム膜
３８による不透明パターンが描画されている透明基板３
２は従来のレチクルに相当する。また、透明基板３２と
カバー膜３６との間に所望の高さのリング状スペーサ３
４を介在させ、このリング状スペーサ３４の下面は透明
基板３２上に接着され、その上面にはカバー膜３６が張
着されていることにより、透明基板３２とカバー膜３６
とは常に所望の間隔に安定的に保持されている。
２４は、図２及ぴ図３に示されるように、例えばボロシ
リケイト・ガラスからなる透明基板３２と、この透明基
板３２上に所望の高さのリング状スペーサ３４を介して
取り付けられたカバー膜３６により、構成される。そし
て透明基板３２底面には、例えばクロム膜３８により不
透明パターンが描画されている。従って、このクロム膜
３８による不透明パターンが描画されている透明基板３
２は従来のレチクルに相当する。また、透明基板３２と
カバー膜３６との間に所望の高さのリング状スペーサ３
４を介在させ、このリング状スペーサ３４の下面は透明
基板３２上に接着され、その上面にはカバー膜３６が張
着されていることにより、透明基板３２とカバー膜３６
とは常に所望の間隔に安定的に保持されている。
【００１５】また、投影プリント用マスク２４を構成し
ているカバー膜３６は、図３に示されるように、透明薄
膜４０表面の所定の領域に円形の不透明のドットパター
ン４２が規則的に配置されているドットエリア４４がレ
イアウトされているものである。なお、このドットパタ
ーン４４は、光の透過率を低下させるためのものであ
り、ウェーハ３０表面に縮小投影されるものであっては
ならないため、その大きさは十分に小さいことが要求さ
れる。
ているカバー膜３６は、図３に示されるように、透明薄
膜４０表面の所定の領域に円形の不透明のドットパター
ン４２が規則的に配置されているドットエリア４４がレ
イアウトされているものである。なお、このドットパタ
ーン４４は、光の透過率を低下させるためのものであ
り、ウェーハ３０表面に縮小投影されるものであっては
ならないため、その大きさは十分に小さいことが要求さ
れる。
【００１６】このように、本実施の形態に係る投影プリ
ント用マスク２４によれば、従来のレチクルに相当する
クロム膜３８による不透明パターンが描画された透明基
板３４に対して、透明薄膜４０表面の所定の領域に不透
明のドットパターン４２が規則的に配置されているドッ
トエリア４４がレイアウトされているカバー膜３６が所
定の間隔をおいて設置されているため、カバー膜３６の
ドットエリア４４を通過する光の透過率はドットエリア
４４がレイアウトされている領域だけ局部的に低下し、
その部分の照度は相対的に低下する。
ント用マスク２４によれば、従来のレチクルに相当する
クロム膜３８による不透明パターンが描画された透明基
板３４に対して、透明薄膜４０表面の所定の領域に不透
明のドットパターン４２が規則的に配置されているドッ
トエリア４４がレイアウトされているカバー膜３６が所
定の間隔をおいて設置されているため、カバー膜３６の
ドットエリア４４を通過する光の透過率はドットエリア
４４がレイアウトされている領域だけ局部的に低下し、
その部分の照度は相対的に低下する。
【００１７】従って、クロム膜３８による不透明パター
ンが描画された透明基板３４を透過する光の照度が必要
以上に高くなる領域に対応させてドットパターン４２が
配置されているドットエリア４４のレイアウトを行うこ
とにより、投影プリント用マスク２４を透過する光の照
度を露光フィールド内で疑似的に均一にすることが可能
となる。このため、露光装置の光学系の改善、改造等を
行うことなく、露光フィールド内における照度むらが改
善され、線幅のバラツキを低減することができる。しか
も、ドットパターン４２が配置されているドットエリア
４４のレイアウトを変更することにより、ライン系パタ
ーンの形成にもコンタクト系パターンの形成にも対応す
ることが可能である。
ンが描画された透明基板３４を透過する光の照度が必要
以上に高くなる領域に対応させてドットパターン４２が
配置されているドットエリア４４のレイアウトを行うこ
とにより、投影プリント用マスク２４を透過する光の照
度を露光フィールド内で疑似的に均一にすることが可能
となる。このため、露光装置の光学系の改善、改造等を
行うことなく、露光フィールド内における照度むらが改
善され、線幅のバラツキを低減することができる。しか
も、ドットパターン４２が配置されているドットエリア
４４のレイアウトを変更することにより、ライン系パタ
ーンの形成にもコンタクト系パターンの形成にも対応す
ることが可能である。
【００１８】また、ドットパターン４２が配置されてい
るドットエリア４４がレイアウトされているカバー膜３
６は、所望の高さのリング状スペーサ３４を介して透明
基板３４に取り付けられているため、光の透過率を局部
的に低下させたい領域に対応させて、ドットエリア４４
のレイアウトを行ったカバー膜３６を透明基板３４に対
して精度よく、かつ安定的に位置合わせすることができ
る。
るドットエリア４４がレイアウトされているカバー膜３
６は、所望の高さのリング状スペーサ３４を介して透明
基板３４に取り付けられているため、光の透過率を局部
的に低下させたい領域に対応させて、ドットエリア４４
のレイアウトを行ったカバー膜３６を透明基板３４に対
して精度よく、かつ安定的に位置合わせすることができ
る。
【００１９】次に、本実施の形態に係る投影プリント用
マスク２４を使用して、露光フィールド周辺部に行くほ
ど線幅が細るという問題を解決する場合を、図４を用い
て説明する。ここで、図４は従来のレチクルを使用した
場合と本実施の形態に係る投影プリント用マスクを使用
した場合との露光フィールド内の照度分布の比較を示す
図である。
マスク２４を使用して、露光フィールド周辺部に行くほ
ど線幅が細るという問題を解決する場合を、図４を用い
て説明する。ここで、図４は従来のレチクルを使用した
場合と本実施の形態に係る投影プリント用マスクを使用
した場合との露光フィールド内の照度分布の比較を示す
図である。
【００２０】図４において、従来のレチクルを使用した
場合の露光フィールド４６ａ内の照度分布に示すよう
に、従来のレチクル、即ちクロム膜３８による不透明パ
ターンが描画された透明基板３４のみを使用したとき
は、露光フィールド中央部はほぼ照度が均一な領域４８
となっているが、露光フィールド周辺部、特に四隅の部
分は、露光フィールド中央部よりも照度が相対的に高い
領域５０となっている。しかもこの照度が相対的に高い
領域５０は、図示はしないが、周辺に行くほど照度が高
くなる傾向にある。
場合の露光フィールド４６ａ内の照度分布に示すよう
に、従来のレチクル、即ちクロム膜３８による不透明パ
ターンが描画された透明基板３４のみを使用したとき
は、露光フィールド中央部はほぼ照度が均一な領域４８
となっているが、露光フィールド周辺部、特に四隅の部
分は、露光フィールド中央部よりも照度が相対的に高い
領域５０となっている。しかもこの照度が相対的に高い
領域５０は、図示はしないが、周辺に行くほど照度が高
くなる傾向にある。
【００２１】かかる場合、図中に示すように、露光フィ
ールド４６ａ内の照度分布、即ち照度が高い領域４８に
対応させて、透明薄膜４０の四隅にドットエリア４４を
レイアウトしたカバー膜３６を作製する。そして図示は
しないが、このドットエリア４４におけるドットパター
ン４２は、露光フィールド４６ａ内の照度が高い領域４
８での周辺に行くほど照度が高くなる傾向に対応させ
て、周辺に行くほどドット密度が高くなるように配置す
る。
ールド４６ａ内の照度分布、即ち照度が高い領域４８に
対応させて、透明薄膜４０の四隅にドットエリア４４を
レイアウトしたカバー膜３６を作製する。そして図示は
しないが、このドットエリア４４におけるドットパター
ン４２は、露光フィールド４６ａ内の照度が高い領域４
８での周辺に行くほど照度が高くなる傾向に対応させ
て、周辺に行くほどドット密度が高くなるように配置す
る。
【００２２】このようにして、周辺に行くほどドット密
度が高くなるようにドットパターン４２が配置されたド
ットエリア４４を透明薄膜４０の四隅にレイアウトした
カバー膜３６を透明基板３４に取り付けた投影プリント
用マスク２４を使用することにより、ドットエリア４４
を通過する光の透過率が低下し、疑似的に露光フィール
ド周辺部の光照度が低下するため、図中に示すように、
露光フィールド４６ｂ内のほぼ全領域が照度が均一な領
域５２となる。従って、露光フィールド周辺部において
周辺に行くほど線幅が細るという問題を解決することが
できる。
度が高くなるようにドットパターン４２が配置されたド
ットエリア４４を透明薄膜４０の四隅にレイアウトした
カバー膜３６を透明基板３４に取り付けた投影プリント
用マスク２４を使用することにより、ドットエリア４４
を通過する光の透過率が低下し、疑似的に露光フィール
ド周辺部の光照度が低下するため、図中に示すように、
露光フィールド４６ｂ内のほぼ全領域が照度が均一な領
域５２となる。従って、露光フィールド周辺部において
周辺に行くほど線幅が細るという問題を解決することが
できる。
【００２３】なお、上記実施の形態に係る投影プリント
用マスクにおいては、光の透過率を局部的に低下させる
カバー膜として、透明薄膜４０表面の所定の領域に円形
の不透明のドットパターン４２が規則的に配置されてい
るドットエリア４４がレイアウトされたカバー膜３６を
用いているが、本発明はこうしたカバー膜３６に限定さ
れない。例えば、透明薄膜４０表面の所定の領域に透過
率の低い膜、例えば半透明の薄膜を選択的に張り付けた
カバー膜を用いてもよい。
用マスクにおいては、光の透過率を局部的に低下させる
カバー膜として、透明薄膜４０表面の所定の領域に円形
の不透明のドットパターン４２が規則的に配置されてい
るドットエリア４４がレイアウトされたカバー膜３６を
用いているが、本発明はこうしたカバー膜３６に限定さ
れない。例えば、透明薄膜４０表面の所定の領域に透過
率の低い膜、例えば半透明の薄膜を選択的に張り付けた
カバー膜を用いてもよい。
【００２４】但し、上記実施の形態に示したように、透
明薄膜４０表面の所定の領域に円形の不透明のドットパ
ターン４２が規則的に配置したカバー膜３６において
は、ドットパターン４２を配置したドットエリア４４を
光の透過率を局部的に低下させたい領域に対応させてレ
イアウトすることが容易に可能である。また、ドットエ
リア４４に配置するドットパターン４２の密度を領域に
よって変えることにより、このドットパターン４２の密
度を露光フィールド内の照度分布に対応させることが容
易に可能である。従って、投影プリント用マスクを透過
する光の照度を容易かつ高精度に疑似的に均一にすると
いう点からは、透明薄膜４０表面の所定の領域に円形の
不透明のドットパターン４２が規則的に配置したカバー
膜３６の方が望ましいといえる。
明薄膜４０表面の所定の領域に円形の不透明のドットパ
ターン４２が規則的に配置したカバー膜３６において
は、ドットパターン４２を配置したドットエリア４４を
光の透過率を局部的に低下させたい領域に対応させてレ
イアウトすることが容易に可能である。また、ドットエ
リア４４に配置するドットパターン４２の密度を領域に
よって変えることにより、このドットパターン４２の密
度を露光フィールド内の照度分布に対応させることが容
易に可能である。従って、投影プリント用マスクを透過
する光の照度を容易かつ高精度に疑似的に均一にすると
いう点からは、透明薄膜４０表面の所定の領域に円形の
不透明のドットパターン４２が規則的に配置したカバー
膜３６の方が望ましいといえる。
【００２５】なお、上記実施の形態におけるカバー膜３
６のドットエリア４４に配置された不透明のドットパタ
ーン４２は円形であるが、円形に限定する必要はない。
例えば、三角形、四角形、その他の形状であっても、ド
ットパターンが配置されたドットエリアを通過する光の
透過率を低下させる機能を発揮することができるもので
あればよい。
６のドットエリア４４に配置された不透明のドットパタ
ーン４２は円形であるが、円形に限定する必要はない。
例えば、三角形、四角形、その他の形状であっても、ド
ットパターンが配置されたドットエリアを通過する光の
透過率を低下させる機能を発揮することができるもので
あればよい。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る投影プリント用マスクによれば、次のような効果を奏
することができる。即ち、請求項１に係る投影プリント
用マスクによれば、表面に所定のパターンが描画されて
いる透明基板と光の透過率を局部的に低下させるカバー
膜とが所定の間隔をおいて配置されていることにより、
投影プリント用マスクを透過する光の照度を疑似的に均
一にすることが可能であるため、露光装置の光学系の改
善、改造等を行うことなく露光フィールド内における照
度むらを改善し、この露光フィールド内での照度むらを
原因のーつとして発生する線幅のバラツキを低減して、
線幅の均一性の向上を実現することができる。
る投影プリント用マスクによれば、次のような効果を奏
することができる。即ち、請求項１に係る投影プリント
用マスクによれば、表面に所定のパターンが描画されて
いる透明基板と光の透過率を局部的に低下させるカバー
膜とが所定の間隔をおいて配置されていることにより、
投影プリント用マスクを透過する光の照度を疑似的に均
一にすることが可能であるため、露光装置の光学系の改
善、改造等を行うことなく露光フィールド内における照
度むらを改善し、この露光フィールド内での照度むらを
原因のーつとして発生する線幅のバラツキを低減して、
線幅の均一性の向上を実現することができる。
【００２７】また、請求項２に係る投影プリント用マス
クによれば、カバー膜が所定の領域にドットパターンが
レイアウトされている透明薄膜であることにより、表面
に所定のパターンが描画されている透明基板を透過する
光の照度の高い領域に対応させてドットパターンをレイ
アウトすることが容易に可能であるため、投影プリント
用マスクを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にし
て線幅の均一性を向上させることができると共に、ドッ
トパターンのレイアウトを変更することにより、ライン
系パターンの形成にもコンタクト系パターンの形成にも
対応することが可能である。
クによれば、カバー膜が所定の領域にドットパターンが
レイアウトされている透明薄膜であることにより、表面
に所定のパターンが描画されている透明基板を透過する
光の照度の高い領域に対応させてドットパターンをレイ
アウトすることが容易に可能であるため、投影プリント
用マスクを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にし
て線幅の均一性を向上させることができると共に、ドッ
トパターンのレイアウトを変更することにより、ライン
系パターンの形成にもコンタクト系パターンの形成にも
対応することが可能である。
【００２８】また、請求項３に係る投影プリント用マス
クによれば、透明薄膜表面にレイアウトされているドッ
トパターンの密度が領域によって異なっていることによ
り、表面に所定のパターンが描画されている透明基板を
透過する光の照度分布に対応させてドットパターンの密
度を変化させることが可能であるため、投影プリント用
マスクを透過する光の照度を容易かつ高精度に疑似的に
均一にして、線幅の均一性を大幅に向上させることがで
きる。
クによれば、透明薄膜表面にレイアウトされているドッ
トパターンの密度が領域によって異なっていることによ
り、表面に所定のパターンが描画されている透明基板を
透過する光の照度分布に対応させてドットパターンの密
度を変化させることが可能であるため、投影プリント用
マスクを透過する光の照度を容易かつ高精度に疑似的に
均一にして、線幅の均一性を大幅に向上させることがで
きる。
【００２９】更に、請求項４に係る投影プリント用マス
クによれば、カバー膜がリング状スペーサを介して透明
基板に取り付けられていることにより、表面に所定のパ
ターンが描画されている透明基板と光の透過率を局部的
に低下させるカバー膜との位置合わせを精度よく、かつ
安定的に行うことが可能となるため、投影プリント用マ
スクを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にして、
線幅の均一性を向上させることができる。
クによれば、カバー膜がリング状スペーサを介して透明
基板に取り付けられていることにより、表面に所定のパ
ターンが描画されている透明基板と光の透過率を局部的
に低下させるカバー膜との位置合わせを精度よく、かつ
安定的に行うことが可能となるため、投影プリント用マ
スクを透過する光の照度を容易に疑似的に均一にして、
線幅の均一性を向上させることができる。
【図１】本発明の一の実施の形態に係る投影プリント用
マスクを使用する露光装置を示す概要図である。
マスクを使用する露光装置を示す概要図である。
【図２】図１の露光装置に使用する投影プリント用マス
クを示す斜視図である。
クを示す斜視図である。
【図３】図２の投影プリント用マスクを示す断面図及び
平面図である。
平面図である。
【図４】従来のレチクルを使用した場合と本実施の形態
に係る投影プリント用マスクを使用した場合との露光フ
ィールド内の照度分布の比較を示す図である。
に係る投影プリント用マスクを使用した場合との露光フ
ィールド内の照度分布の比較を示す図である。
１０……Ｈｇランプ、１２……楕円ミラー、１４……第
１ミラー、１６……コリメータ、１８……インテグレー
タ、２０……第２ミラー、２２……コンデンサーレン
ズ、２４……投影プリント用マスク、２６……縮小投影
レンズ、２８……ウェーハステージ、３０……ウェー
ハ、３２……透明基板、３４……リング状スペーサ、３
６……カバー膜、３８……クロム膜、４０……透明薄
膜、４２……ドットパターン、４４……ドットエリア、
４６ａ、４６ｂ……露光フィールド、４８……照度が均
一な領域、５０……照度が相対的に高い領域、５２……
照度が均一な領域。
１ミラー、１６……コリメータ、１８……インテグレー
タ、２０……第２ミラー、２２……コンデンサーレン
ズ、２４……投影プリント用マスク、２６……縮小投影
レンズ、２８……ウェーハステージ、３０……ウェー
ハ、３２……透明基板、３４……リング状スペーサ、３
６……カバー膜、３８……クロム膜、４０……透明薄
膜、４２……ドットパターン、４４……ドットエリア、
４６ａ、４６ｂ……露光フィールド、４８……照度が均
一な領域、５０……照度が相対的に高い領域、５２……
照度が均一な領域。
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に所定のパターンが描画されている
透明基板と、 前記透明基板から所定の間隔をおいて設置され、光の透
過率を局部的に低下させるカバー膜とを有することを特
徴とする投影プリント用マスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の投影プリント用マスクに
おいて、 前記カバー膜が、表面の所定の領域にドットパターンが
レイアウトされている透明薄膜であることを特徴とする
投影プリント用マスク。 - 【請求項３】 請求項２記載の投影プリント用マスクに
おいて、 前記透明薄膜表面にレイアウトされている前記ドットパ
ターンの密度が、領域によって異なっていることを特徴
とする投影プリント用マスク。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の投影
プリント用マスクにおいて、 前記カバー膜が、リング状スペーサを介して、前記透明
基板に取り付けられていることを特徴とする投影プリン
ト用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9829396A JPH09288345A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 投影プリント用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9829396A JPH09288345A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 投影プリント用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288345A true JPH09288345A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14215886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9829396A Pending JPH09288345A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 投影プリント用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09288345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG137657A1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-12-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
| US7824826B2 (en) | 2006-04-06 | 2010-11-02 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
-
1996
- 1996-04-19 JP JP9829396A patent/JPH09288345A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG137657A1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-12-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
| US7666554B2 (en) | 2002-11-12 | 2010-02-23 | Asml Masktools, B.V. | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
| US7985515B2 (en) | 2002-11-12 | 2011-07-26 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
| US7824826B2 (en) | 2006-04-06 | 2010-11-02 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
| US7981576B2 (en) | 2006-04-06 | 2011-07-19 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
| US8632930B2 (en) | 2006-04-06 | 2014-01-21 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing dark field double dipole lithography (DDL) |
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