JPH09289301A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH09289301A JPH09289301A JP8099762A JP9976296A JPH09289301A JP H09289301 A JPH09289301 A JP H09289301A JP 8099762 A JP8099762 A JP 8099762A JP 9976296 A JP9976296 A JP 9976296A JP H09289301 A JPH09289301 A JP H09289301A
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- Japan
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- diffusion region
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- region
- solid
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換部に蓄積されている信号電荷を、完
全かつ速やかに、読み出し部に転送する。 【解決手段】 ＢＰＤ１０の、ＴＧ１１の信号電荷の転
送方向に垂直な方向の幅を、ＴＧ１１に隣接する位置で
最大（７μｍ）とし、ＴＧ１１から最も離れた位置で最
小（３μｍ）とする。ＢＰＤ１０のＰ型拡散領域におい
て、Ｐ型不純物濃度が高く、かつ、一定とされる領域Ｒ
１は、ＴＧ１１から離れた位置にまでは形成されないの
で、光電変換により生成された信号電荷が、ＴＧ１１か
ら離れた位置に蓄積されない。
全かつ速やかに、読み出し部に転送する。 【解決手段】 ＢＰＤ１０の、ＴＧ１１の信号電荷の転
送方向に垂直な方向の幅を、ＴＧ１１に隣接する位置で
最大（７μｍ）とし、ＴＧ１１から最も離れた位置で最
小（３μｍ）とする。ＢＰＤ１０のＰ型拡散領域におい
て、Ｐ型不純物濃度が高く、かつ、一定とされる領域Ｒ
１は、ＴＧ１１から離れた位置にまでは形成されないの
で、光電変換により生成された信号電荷が、ＴＧ１１か
ら離れた位置に蓄積されない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、特に、光電変換部の、転送ゲートから離れた位置に
おける不純物濃度を低くすることにより、光電変換部に
蓄積されている信号電荷を、できるだけ速く、かつ完全
に、信号読み出し部に転送するようにした固体撮像装置
に関する。
し、特に、光電変換部の、転送ゲートから離れた位置に
おける不純物濃度を低くすることにより、光電変換部に
蓄積されている信号電荷を、できるだけ速く、かつ完全
に、信号読み出し部に転送するようにした固体撮像装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置は、その撮像領域に形成さ
れている複数の画素が被写体の光を受光し、その光を信
号電荷に光電変換することにより、被写体を撮像する装
置である。固体撮像装置には、インタライントランスフ
ァ型ＣＣＤ、フレームインタライントランスファ型ＣＣ
Ｄ等の種類があり、これらの固体撮像装置の単位画素
は、以下に示すような構成を有している。図１２は、上
記固体撮像装置の撮像領域の平面図であり（但し、１画
素分）、図１３は、図１２に示す固体撮像装置のＸ−
Ｘ’線断面図である。
れている複数の画素が被写体の光を受光し、その光を信
号電荷に光電変換することにより、被写体を撮像する装
置である。固体撮像装置には、インタライントランスフ
ァ型ＣＣＤ、フレームインタライントランスファ型ＣＣ
Ｄ等の種類があり、これらの固体撮像装置の単位画素
は、以下に示すような構成を有している。図１２は、上
記固体撮像装置の撮像領域の平面図であり（但し、１画
素分）、図１３は、図１２に示す固体撮像装置のＸ−
Ｘ’線断面図である。
【０００３】すなわち、図１２に示す固体撮像装置の１
画素（単位画素）においては、被写体からの光を受光し
て信号電荷に光電変換する光電変換部であるフォトダイ
オード（以下、ＰＤという）１００と、ＰＤ１００によ
り生成された信号電荷の読み出し部である垂直ＣＣＤ
（以下、ＶＣＣＤという）１０２の間に、トランスファ
ゲート（以下、ＴＧという）１０１が形成されており、
ＰＤ１００からＶＣＣＤ１０２への信号電荷の転送を制
御している。ＴＧ１０１は、第１層ポリシリコン１１６
に高レベルの電圧が印加されるとオンするようになされ
ている。
画素（単位画素）においては、被写体からの光を受光し
て信号電荷に光電変換する光電変換部であるフォトダイ
オード（以下、ＰＤという）１００と、ＰＤ１００によ
り生成された信号電荷の読み出し部である垂直ＣＣＤ
（以下、ＶＣＣＤという）１０２の間に、トランスファ
ゲート（以下、ＴＧという）１０１が形成されており、
ＰＤ１００からＶＣＣＤ１０２への信号電荷の転送を制
御している。ＴＧ１０１は、第１層ポリシリコン１１６
に高レベルの電圧が印加されるとオンするようになされ
ている。
【０００４】ＰＤ１００においては、Ｎ型基板１１０の
主面側に設けられているＰ型ウェル１１１中の表面近傍
に、Ｎ型拡散領域１１２が形成されており、Ｎ型拡散領
域１１２の表面に、Ｐ型拡散領域１１３が形成されてい
る。また、ＶＣＣＤ１０２においては、Ｐ型ウェル１１
１中にＮ型拡散領域１１４が形成されている。
主面側に設けられているＰ型ウェル１１１中の表面近傍
に、Ｎ型拡散領域１１２が形成されており、Ｎ型拡散領
域１１２の表面に、Ｐ型拡散領域１１３が形成されてい
る。また、ＶＣＣＤ１０２においては、Ｐ型ウェル１１
１中にＮ型拡散領域１１４が形成されている。
【０００５】なお、ＰＤ１００及びＶＣＣＤ１０２を含
むＰ型ウェル１１１の表面上には、ＳｉＯ2膜１１５が
形成されており、ＳｉＯ2膜１１５の上部には、第１層
ポリシリコン１１６及び第２層ポリシリコン１１７（図
１３においては図示せず）が形成されている。
むＰ型ウェル１１１の表面上には、ＳｉＯ2膜１１５が
形成されており、ＳｉＯ2膜１１５の上部には、第１層
ポリシリコン１１６及び第２層ポリシリコン１１７（図
１３においては図示せず）が形成されている。
【０００６】この単位画素の信号電荷の蓄積時において
は、ＴＧ１０１がオフされており、ＰＤ１００によって
光電変換された信号電荷が、ＰＤ１００のＮ型拡散領域
１１２に蓄積される。そして、第１層ポリシリコン１１
６に高レベルの電圧が印加されると、ＴＧ１０１がオン
され、ＰＤ１００のＮ型拡散領域１１２に蓄積されてい
た信号電荷が、ＶＣＣＤ１０２のＮ型拡散領域１１４に
転送される。
は、ＴＧ１０１がオフされており、ＰＤ１００によって
光電変換された信号電荷が、ＰＤ１００のＮ型拡散領域
１１２に蓄積される。そして、第１層ポリシリコン１１
６に高レベルの電圧が印加されると、ＴＧ１０１がオン
され、ＰＤ１００のＮ型拡散領域１１２に蓄積されてい
た信号電荷が、ＶＣＣＤ１０２のＮ型拡散領域１１４に
転送される。
【０００７】次に、ＴＧ１０１がオフされて信号電荷の
転送が終了し、第２層ポリシリコン１１７に高レベルの
電圧が印加され、ＶＣＣＤ１０２に転送された信号電荷
が垂直方向に転送される。
転送が終了し、第２層ポリシリコン１１７に高レベルの
電圧が印加され、ＶＣＣＤ１０２に転送された信号電荷
が垂直方向に転送される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、高品
位テレビ等の発達に伴って、固体撮像装置の画素数が増
加され、その動作速度が高速度化される傾向にある。こ
のような場合において、表示画面における残像を抑制し
つつ、動作速度を上げるためには、各画素の光電変換部
（ＰＤ）に蓄積されている信号電荷を、できるだけ速や
かに、かつ完全に、信号読み出し部（ＶＣＣＤ）に転送
する必要がある。
位テレビ等の発達に伴って、固体撮像装置の画素数が増
加され、その動作速度が高速度化される傾向にある。こ
のような場合において、表示画面における残像を抑制し
つつ、動作速度を上げるためには、各画素の光電変換部
（ＰＤ）に蓄積されている信号電荷を、できるだけ速や
かに、かつ完全に、信号読み出し部（ＶＣＣＤ）に転送
する必要がある。
【０００９】しかしながら、例えば、図１２及び図１３
に示す、従来の固体撮像装置においては、以下に示す理
由により、上記の要件を満たすことが困難となるという
課題がある。
に示す、従来の固体撮像装置においては、以下に示す理
由により、上記の要件を満たすことが困難となるという
課題がある。
【００１０】すなわち、図１２に示す固体撮像装置にお
いては、図１４に示すように、光電変換部であるＰＤ１
００が長方形形状を有している（ＰＤ１００の、ＴＧ１
０１の信号電荷の転送方向に垂直な方向の幅が一定とさ
れている）。
いては、図１４に示すように、光電変換部であるＰＤ１
００が長方形形状を有している（ＰＤ１００の、ＴＧ１
０１の信号電荷の転送方向に垂直な方向の幅が一定とさ
れている）。
【００１１】ＰＤ１００のＮ型拡散領域１１２は、通
常、以下に示す方法によって形成される。すなわち、ま
ず、Ｎ型基板１１０の主面側に設けられているＰ型ウェ
ル１１１の表面上に、Ｎ型拡散領域１１２の形成位置を
囲むようにマスクを形成し、そのマスクの内側（すなわ
ち、Ｎ型拡散領域１１２の形成位置）に、所定の量のＮ
型不純物をイオン注入する。
常、以下に示す方法によって形成される。すなわち、ま
ず、Ｎ型基板１１０の主面側に設けられているＰ型ウェ
ル１１１の表面上に、Ｎ型拡散領域１１２の形成位置を
囲むようにマスクを形成し、そのマスクの内側（すなわ
ち、Ｎ型拡散領域１１２の形成位置）に、所定の量のＮ
型不純物をイオン注入する。
【００１２】次に、注入されたＮ型不純物を所望の深さ
まで熱拡散させて、Ｎ型拡散領域１１２を形成する。こ
のとき、Ｐ型ウェル１１１の表面にイオン注入されたＮ
型不純物は、Ｐ型ウェル１１１の深さ方向に拡散される
とともに、Ｐ型ウェル１１１の横方向（面に平行な方
向）にも拡散される。従って、Ｎ型拡散領域１１２の境
界（マスク）近傍の正味のＮ型不純物の濃度は、中央部
のＮ型不純物の濃度に比べて低くなっている。
まで熱拡散させて、Ｎ型拡散領域１１２を形成する。こ
のとき、Ｐ型ウェル１１１の表面にイオン注入されたＮ
型不純物は、Ｐ型ウェル１１１の深さ方向に拡散される
とともに、Ｐ型ウェル１１１の横方向（面に平行な方
向）にも拡散される。従って、Ｎ型拡散領域１１２の境
界（マスク）近傍の正味のＮ型不純物の濃度は、中央部
のＮ型不純物の濃度に比べて低くなっている。
【００１３】Ｎ型拡散領域１１２のうち、最もＮ型不純
物の濃度の高い領域は、図１４において網掛けで示され
ている、中央の長方形の領域Ｒ４であり、この領域Ｒ４
内においては、Ｎ型不純物の濃度は一定とされている。
一方、領域４の外側の領域においては、境界に近づくに
つれて、Ｎ型不純物の濃度が低くなる。
物の濃度の高い領域は、図１４において網掛けで示され
ている、中央の長方形の領域Ｒ４であり、この領域Ｒ４
内においては、Ｎ型不純物の濃度は一定とされている。
一方、領域４の外側の領域においては、境界に近づくに
つれて、Ｎ型不純物の濃度が低くなる。
【００１４】図１５は、図１３に示す画素の、位置Ｙ１
乃至Ｙ５におけるポテンシャル（信号電荷に対するポテ
ンシャル）を示すグラフである（但し、信号電荷蓄積
時）。図１５に示すように、ＰＤ１００の内部において
は、不純物濃度の高い領域Ｒ４が、ポテンシャルの最も
低い領域とされており、その領域Ｒ４からＰＤ１００の
境界の位置Ｙ２，Ｙ３に近づくにつれて、ポテンシャル
が高くなる（不純物濃度が低くなるため）。光電変換に
より生成された信号電荷は、ポテンシャルの低い領域
（不純物濃度の高い領域）により多く蓄積されるので、
領域Ｒ４に最も多くの信号電荷が蓄積される。
乃至Ｙ５におけるポテンシャル（信号電荷に対するポテ
ンシャル）を示すグラフである（但し、信号電荷蓄積
時）。図１５に示すように、ＰＤ１００の内部において
は、不純物濃度の高い領域Ｒ４が、ポテンシャルの最も
低い領域とされており、その領域Ｒ４からＰＤ１００の
境界の位置Ｙ２，Ｙ３に近づくにつれて、ポテンシャル
が高くなる（不純物濃度が低くなるため）。光電変換に
より生成された信号電荷は、ポテンシャルの低い領域
（不純物濃度の高い領域）により多く蓄積されるので、
領域Ｒ４に最も多くの信号電荷が蓄積される。
【００１５】図１６は、ＰＤ１００に蓄積された信号電
荷をＶＣＣＤ１０２に転送するときの（すなわち、ＴＧ
１０１がオンされたときの）、位置Ｙ１乃至Ｙ５の各位
置の信号電荷に対するポテンシャルを表すグラフであ
る。すなわち、ＰＤ１００の信号電荷をＶＣＣＤ１０２
に転送するとき、第１層ポリシリコン１１６に高レベル
の電圧が印加され、ＴＧ１０１がオンされる（ＴＧ１０
１（位置Ｙ３と位置Ｙ４の間）のポテンシャルがＰＤ１
００のポテンシャルよりも低くなる）。すると、ＰＤ１
００（位置Ｙ２乃至Ｙ３の間）に蓄積されていた信号電
荷が、ポテンシャルの低いＴＧ１０１を介して、ＶＣＣ
Ｄ１０２に転送される。
荷をＶＣＣＤ１０２に転送するときの（すなわち、ＴＧ
１０１がオンされたときの）、位置Ｙ１乃至Ｙ５の各位
置の信号電荷に対するポテンシャルを表すグラフであ
る。すなわち、ＰＤ１００の信号電荷をＶＣＣＤ１０２
に転送するとき、第１層ポリシリコン１１６に高レベル
の電圧が印加され、ＴＧ１０１がオンされる（ＴＧ１０
１（位置Ｙ３と位置Ｙ４の間）のポテンシャルがＰＤ１
００のポテンシャルよりも低くなる）。すると、ＰＤ１
００（位置Ｙ２乃至Ｙ３の間）に蓄積されていた信号電
荷が、ポテンシャルの低いＴＧ１０１を介して、ＶＣＣ
Ｄ１０２に転送される。
【００１６】しかしながら、このような従来の固体撮像
装置においては、ＰＤ１００の最もポテンシャルの低い
（Ｎ型不純物濃度の高い）領域Ｒ４が、ＴＧ１０１と隣
接する位置Ｙ３から比較的離れた位置にまで形成されて
いるので、ＴＧ１０１から離れた位置に蓄積されている
信号電荷を読み出す必要があり、信号電荷のＴＧ１０１
への転送が速やかに行われない（動作速度を高速度化す
ることができない）。また、ＴＧ１０１から離れた位置
（位置Ｙ３から離れた位置）に蓄積されている信号電荷
が完全に読み出されずに残ってしまう場合がある（残像
が発生してしまう）。
装置においては、ＰＤ１００の最もポテンシャルの低い
（Ｎ型不純物濃度の高い）領域Ｒ４が、ＴＧ１０１と隣
接する位置Ｙ３から比較的離れた位置にまで形成されて
いるので、ＴＧ１０１から離れた位置に蓄積されている
信号電荷を読み出す必要があり、信号電荷のＴＧ１０１
への転送が速やかに行われない（動作速度を高速度化す
ることができない）。また、ＴＧ１０１から離れた位置
（位置Ｙ３から離れた位置）に蓄積されている信号電荷
が完全に読み出されずに残ってしまう場合がある（残像
が発生してしまう）。
【００１７】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、光電変換部に蓄積されている信号電荷を、
完全かつ速やかに、読み出し部に転送することを目的と
する。
ものであり、光電変換部に蓄積されている信号電荷を、
完全かつ速やかに、読み出し部に転送することを目的と
する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の固体撮
像装置は、光電変換手段が、第１導電型の半導体基板の
主面側に設けられている第２導電型のウェル領域の表面
に形成されている第２導電型の第１の拡散領域と、ウェ
ル領域中の、第１の拡散領域の下側に形成されている第
１導電型の第２の拡散領域とを備え、第２の拡散領域
が、転送手段から離れた部分の濃度が低くなるように形
成されていることを特徴とする。
像装置は、光電変換手段が、第１導電型の半導体基板の
主面側に設けられている第２導電型のウェル領域の表面
に形成されている第２導電型の第１の拡散領域と、ウェ
ル領域中の、第１の拡散領域の下側に形成されている第
１導電型の第２の拡散領域とを備え、第２の拡散領域
が、転送手段から離れた部分の濃度が低くなるように形
成されていることを特徴とする。
【００１９】請求項１に記載の固体撮像装置において
は、光電変換手段が、第１導電型の半導体基板の主面側
に設けられている第２導電型のウェル領域の表面に形成
されている第２導電型の第１の拡散領域と、ウェル領域
中の、第１の拡散領域の下側に形成されている第１導電
型の第２の拡散領域とを備え、第２の拡散領域が、転送
手段から離れた部分の濃度が低くなるように形成されて
いる。
は、光電変換手段が、第１導電型の半導体基板の主面側
に設けられている第２導電型のウェル領域の表面に形成
されている第２導電型の第１の拡散領域と、ウェル領域
中の、第１の拡散領域の下側に形成されている第１導電
型の第２の拡散領域とを備え、第２の拡散領域が、転送
手段から離れた部分の濃度が低くなるように形成されて
いる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【００２１】図１は、本発明を適用した固体撮像装置の
うちの１画素の、一実施例の構成を示す平面図である
（但し、１画素分）。表面の形状が台形形状である埋め
込みフォトダイオード（以下、ＢＰＤという）１０は、
入射光を信号電荷に光電変換して蓄積するようになされ
ている。図１において、左右方向に形成されているトラ
ンスファゲート（以下、ＴＧという）配線１１Ａのうち
の、ＢＰＤ１０とＪＦＥＴ（電界降下トランジスタ）１
２の間のＴＧ１１は、ＢＰＤ１０に蓄積されている信号
電荷のＪＦＥＴ１２への転送を制御するようになされて
いる。
うちの１画素の、一実施例の構成を示す平面図である
（但し、１画素分）。表面の形状が台形形状である埋め
込みフォトダイオード（以下、ＢＰＤという）１０は、
入射光を信号電荷に光電変換して蓄積するようになされ
ている。図１において、左右方向に形成されているトラ
ンスファゲート（以下、ＴＧという）配線１１Ａのうち
の、ＢＰＤ１０とＪＦＥＴ（電界降下トランジスタ）１
２の間のＴＧ１１は、ＢＰＤ１０に蓄積されている信号
電荷のＪＦＥＴ１２への転送を制御するようになされて
いる。
【００２２】ＪＦＥＴ１２は、ＢＰＤ１０から転送され
た信号電荷を増幅し、図１において上下方向に形成され
ているソース配線１５に出力するようになされている。
ＪＦＥＴ１２のゲートに基準電位を設定するために、リ
セットドレイン（以下、ＲＳＤという）１４とリセット
ゲート（以下、ＲＳＧという）１３が配置されている。
ＲＳＧ１３は、ＪＦＥＴ１２とＲＳＤ１４の間のオン、
オフを制御する。なお、ＲＳＧ１３は、図中、左右方向
に形成されているＲＳＧ配線１３Ａに接続されている。
た信号電荷を増幅し、図１において上下方向に形成され
ているソース配線１５に出力するようになされている。
ＪＦＥＴ１２のゲートに基準電位を設定するために、リ
セットドレイン（以下、ＲＳＤという）１４とリセット
ゲート（以下、ＲＳＧという）１３が配置されている。
ＲＳＧ１３は、ＪＦＥＴ１２とＲＳＤ１４の間のオン、
オフを制御する。なお、ＲＳＧ１３は、図中、左右方向
に形成されているＲＳＧ配線１３Ａに接続されている。
【００２３】次に、本実施例の固体撮像装置の１画素の
断面構造について説明する。図２、図３、図４及び図５
は、それぞれ、図１に示す固体撮像装置の１画素のＡ−
Ａ’線断面図、Ｂ−Ｂ’線断面図、Ｃ−Ｃ’線断面図、
Ｄ−Ｄ’線断面図である。
断面構造について説明する。図２、図３、図４及び図５
は、それぞれ、図１に示す固体撮像装置の１画素のＡ−
Ａ’線断面図、Ｂ−Ｂ’線断面図、Ｃ−Ｃ’線断面図、
Ｄ−Ｄ’線断面図である。
【００２４】すなわち、本実施例の固体撮像装置におい
ては、Ｐ型基板（シリコン基板）２０の主面側にＮ型ウ
ェル２１が設けられている。ＢＰＤ１０においては、光
電変換によって生成された信号が蓄積される、深いＰ型
拡散領域２２（第２の拡散領域）が、Ｎ型ウェル２１中
の表面近傍に形成されており、Ｐ型拡散領域２２の表面
には、シリコン基板の表面の空乏化を防ぎ、Ｐ型拡散領
域２２を読み出し時に完全に空乏化させるための、浅い
Ｎ型拡散領域２３（第１の拡散領域）が形成されてい
る。すなわち、このＢＰＤ１０は、Ｎ型、Ｐ型、Ｎ型、
Ｐ型の各拡散領域が、表面から順に形成されている縦型
オーバーフロードレイン構造の埋め込みフォトダイオー
ドである。
ては、Ｐ型基板（シリコン基板）２０の主面側にＮ型ウ
ェル２１が設けられている。ＢＰＤ１０においては、光
電変換によって生成された信号が蓄積される、深いＰ型
拡散領域２２（第２の拡散領域）が、Ｎ型ウェル２１中
の表面近傍に形成されており、Ｐ型拡散領域２２の表面
には、シリコン基板の表面の空乏化を防ぎ、Ｐ型拡散領
域２２を読み出し時に完全に空乏化させるための、浅い
Ｎ型拡散領域２３（第１の拡散領域）が形成されてい
る。すなわち、このＢＰＤ１０は、Ｎ型、Ｐ型、Ｎ型、
Ｐ型の各拡散領域が、表面から順に形成されている縦型
オーバーフロードレイン構造の埋め込みフォトダイオー
ドである。
【００２５】ＪＦＥＴ１２においては、ゲートとして用
いられる、深いＰ型拡散領域２５がＮ型ウェル２１中の
表面近傍に形成されている。Ｐ型拡散領域２５の表面に
は、ソースまたはドレインとして用いられるＮ+型拡散
領域２６及び２９が形成されており、Ｎ+型拡散領域２
６と２９の間には、チャネルとされるＮ型拡散領域２８
が形成されている。Ｐ型拡散領域２５の表面のＮ+型拡
散領域２６及び２９以外の位置には、Ｐ型拡散領域２５
と繋ってゲートとして用いられる、浅いＰ+型拡散領域
が２７が形成されている。また、ソース（ソース配線１
５）とＮ+型拡散領域２６のコンタクトは、第１層アル
ミ（以下、１ｓｔＡｌという）４０によってとられてい
る。
いられる、深いＰ型拡散領域２５がＮ型ウェル２１中の
表面近傍に形成されている。Ｐ型拡散領域２５の表面に
は、ソースまたはドレインとして用いられるＮ+型拡散
領域２６及び２９が形成されており、Ｎ+型拡散領域２
６と２９の間には、チャネルとされるＮ型拡散領域２８
が形成されている。Ｐ型拡散領域２５の表面のＮ+型拡
散領域２６及び２９以外の位置には、Ｐ型拡散領域２５
と繋ってゲートとして用いられる、浅いＰ+型拡散領域
が２７が形成されている。また、ソース（ソース配線１
５）とＮ+型拡散領域２６のコンタクトは、第１層アル
ミ（以下、１ｓｔＡｌという）４０によってとられてい
る。
【００２６】ＪＦＥＴ１２に隣接して形成されているＲ
ＳＤ１４においては、深いＰ型拡散領域３０がＮ型ウェ
ル２１中の表面近傍に形成されており、Ｐ型拡散領域３
０の表面には、浅いＰ+型拡散領域３１が形成されてい
る。また、Ｐ+型拡散領域３１は、１ｓｔＡｌ４０を介
して第２層アルミ（以下、２ｎｄＡｌという）５０に接
続されている。
ＳＤ１４においては、深いＰ型拡散領域３０がＮ型ウェ
ル２１中の表面近傍に形成されており、Ｐ型拡散領域３
０の表面には、浅いＰ+型拡散領域３１が形成されてい
る。また、Ｐ+型拡散領域３１は、１ｓｔＡｌ４０を介
して第２層アルミ（以下、２ｎｄＡｌという）５０に接
続されている。
【００２７】ＴＧ１１及びＲＳＧ１３の下部のＮ型ウェ
ル２１中には、パンチスルーの防止とターンオン電圧
（Ｖｔｈ）の制御のための、深いＮ型拡散領域２４が形
成されている。また、隣接する画素との素子分離部分に
は、深いＮ型拡散領域２４Ｂと浅いＮ+型拡散領域２９
が形成されている（Ｎ+型拡散領域２９は、ＪＦＥＴ１
２のドレインを兼ねる）。
ル２１中には、パンチスルーの防止とターンオン電圧
（Ｖｔｈ）の制御のための、深いＮ型拡散領域２４が形
成されている。また、隣接する画素との素子分離部分に
は、深いＮ型拡散領域２４Ｂと浅いＮ+型拡散領域２９
が形成されている（Ｎ+型拡散領域２９は、ＪＦＥＴ１
２のドレインを兼ねる）。
【００２８】次に、本実施例の固体撮像装置のＢＰＤ１
０の形状について、図６を参照して説明する。本実施例
のＢＰＤ１０の表面形状は、上述したように、台形形状
とされており、ＴＧ１１の信号電荷の転送方向に垂直な
方向の幅が、ＴＧ配線１１Ａに隣接する位置において最
大（辺Ｌ１＝７μｍ）とされ、ＴＧ配線１１Ａから離れ
るにつれて小さくなり、最も離れた位置において最小
（辺Ｌ２＝３μｍ）とされている。また、ＢＰＤ１０
の、ＴＧ配線１１Ａに垂直な辺の長さは８μｍとされて
いる。
０の形状について、図６を参照して説明する。本実施例
のＢＰＤ１０の表面形状は、上述したように、台形形状
とされており、ＴＧ１１の信号電荷の転送方向に垂直な
方向の幅が、ＴＧ配線１１Ａに隣接する位置において最
大（辺Ｌ１＝７μｍ）とされ、ＴＧ配線１１Ａから離れ
るにつれて小さくなり、最も離れた位置において最小
（辺Ｌ２＝３μｍ）とされている。また、ＢＰＤ１０
の、ＴＧ配線１１Ａに垂直な辺の長さは８μｍとされて
いる。
【００２９】ところで、ＢＰＤ１０のＰ型拡散領域２２
は、従来例に示す場合と同様に、Ｐ型不純物の熱拡散処
理によって形成されている。すなわち、Ｎ型ウェル２１
の表面上の、Ｐ型拡散領域２２を形成する部分以外の位
置にマスクを形成し、Ｐ型拡散領域２２を形成する部分
（すなわち、マスクの内部）に、所定の量のＰ型不純物
をイオン注入させる。
は、従来例に示す場合と同様に、Ｐ型不純物の熱拡散処
理によって形成されている。すなわち、Ｎ型ウェル２１
の表面上の、Ｐ型拡散領域２２を形成する部分以外の位
置にマスクを形成し、Ｐ型拡散領域２２を形成する部分
（すなわち、マスクの内部）に、所定の量のＰ型不純物
をイオン注入させる。
【００３０】そして、Ｎ型ウェル２１の表面上にイオン
注入されたイオン（不純物）が熱拡散によって所望の深
さまで拡散され、表面の形状が台形形状のＰ型拡散領域
２２が形成される。
注入されたイオン（不純物）が熱拡散によって所望の深
さまで拡散され、表面の形状が台形形状のＰ型拡散領域
２２が形成される。
【００３１】また、従来例においても説明したように、
Ｎ型ウェル２１の表面にイオン注入されたＰ型不純物
は、熱拡散処理によりＮ型ウェル２１の深さ方向に拡散
されるとともに、Ｎ型ウェル２１の横方向（面に平行な
方向）にも拡散される。一方、Ｐ型拡散領域２２に隣接
して形成される、Ｎ型拡散領域２４Ａ，２４ＢのＮ型不
純物は、Ｐ型拡散領域２２の方向に拡散される。従っ
て、Ｐ型拡散領域２２の境界近傍では、正味のＰ型不純
物の濃度が低くなる。
Ｎ型ウェル２１の表面にイオン注入されたＰ型不純物
は、熱拡散処理によりＮ型ウェル２１の深さ方向に拡散
されるとともに、Ｎ型ウェル２１の横方向（面に平行な
方向）にも拡散される。一方、Ｐ型拡散領域２２に隣接
して形成される、Ｎ型拡散領域２４Ａ，２４ＢのＮ型不
純物は、Ｐ型拡散領域２２の方向に拡散される。従っ
て、Ｐ型拡散領域２２の境界近傍では、正味のＰ型不純
物の濃度が低くなる。
【００３２】この正味のＰ型不純物濃度が低くなる範囲
は、通常、Ｐ型拡散領域２２の境界からＰ型不純物領域
２２の内部に向かって拡散深さと同程度の距離まで及
ぶ。この例では、拡散深さは２μｍである。すなわち、
図６に示すように、Ｐ型不純物領域２２の平面形状であ
る台形の各辺（境界）から２μｍまでの範囲では、中央
部から各辺に向かうにつれて、Ｐ型不純物濃度が徐々に
低くなる。図６において、網掛けで示す領域Ｒ１は、こ
の台形の各辺（Ｐ型拡散領域２２の境界）から２μｍ以
上離れている領域であり、Ｐ型不純物濃度が最も高く、
かつ一定とされる領域である。
は、通常、Ｐ型拡散領域２２の境界からＰ型不純物領域
２２の内部に向かって拡散深さと同程度の距離まで及
ぶ。この例では、拡散深さは２μｍである。すなわち、
図６に示すように、Ｐ型不純物領域２２の平面形状であ
る台形の各辺（境界）から２μｍまでの範囲では、中央
部から各辺に向かうにつれて、Ｐ型不純物濃度が徐々に
低くなる。図６において、網掛けで示す領域Ｒ１は、こ
の台形の各辺（Ｐ型拡散領域２２の境界）から２μｍ以
上離れている領域であり、Ｐ型不純物濃度が最も高く、
かつ一定とされる領域である。
【００３３】また、本実施例においては、Ｐ型不純物領
域２２の表面形状を台形形状とし、その各辺の長さを上
記のように設定しているので、斜辺Ｌ３の影響により、
領域Ｒ１が三角形形状を有し、ＴＧ１１から最も離れて
いる領域Ｒ１の頂点から辺Ｌ２までの距離（＝約２．５
μｍ）が、ＴＧ１１に隣接している辺Ｌ１から領域Ｒ１
までの距離（＝２μｍ）よりも長い（すなわち、ＴＧ１
１から離れた位置におけるＰ型不純物の濃度が低くされ
ている）。
域２２の表面形状を台形形状とし、その各辺の長さを上
記のように設定しているので、斜辺Ｌ３の影響により、
領域Ｒ１が三角形形状を有し、ＴＧ１１から最も離れて
いる領域Ｒ１の頂点から辺Ｌ２までの距離（＝約２．５
μｍ）が、ＴＧ１１に隣接している辺Ｌ１から領域Ｒ１
までの距離（＝２μｍ）よりも長い（すなわち、ＴＧ１
１から離れた位置におけるＰ型不純物の濃度が低くされ
ている）。
【００３４】次に、本実施例の固体撮像装置の１画素の
各位置における、信号電荷に対するポテンシャルについ
て、図７乃至図１１を参照して説明する。
各位置における、信号電荷に対するポテンシャルについ
て、図７乃至図１１を参照して説明する。
【００３５】図７は、本実施例との比較のために、図６
に示すＢＰＤ１０と同条件（ＴＧ１１に隣接する辺の長
さが７μｍ、ＴＧ配線１１Ａに垂直な辺の長さが８μｍ
とされる条件）で作成された、表面形状が、従来例の場
合と同様の長方形形状とされるＢＰＤ２００の平面図で
ある。このＢＰＤ２００においては、Ｐ型不純物濃度が
高く、かつ、一定である領域（図７において、網掛けで
示す領域）Ｒ２が、長方形形状とされる。
に示すＢＰＤ１０と同条件（ＴＧ１１に隣接する辺の長
さが７μｍ、ＴＧ配線１１Ａに垂直な辺の長さが８μｍ
とされる条件）で作成された、表面形状が、従来例の場
合と同様の長方形形状とされるＢＰＤ２００の平面図で
ある。このＢＰＤ２００においては、Ｐ型不純物濃度が
高く、かつ、一定である領域（図７において、網掛けで
示す領域）Ｒ２が、長方形形状とされる。
【００３６】図８は、図６及び図７に、それぞれ示すＢ
ＰＤ１０及びＢＰＤ２００のＡ−Ａ’線の、信号電荷蓄
積時における、信号電荷に対するポテンシャルを示す図
である（但し、図中、ＢＰＤ１０のポテンシャルは実線
で示され、ＢＰＤ２００のポテンシャルは点線で示され
ている）。同図より明らかなように、本実施例のＢＰＤ
１０においては、Ｐ型不純物濃度が最も高く、かつ一定
とされている領域Ｒ１が、ＴＧ１１から２μｍ乃至約
５．５μｍとされている。一方、図７に示すＢＰＤ２０
０においては、Ｐ型不純物濃度が最も高く、かつ一定と
されている領域Ｒ２が、ＴＧ１１から２μｍ乃至６μｍ
とされている。従って、本実施例のＢＰＤ１０において
は、ＢＰＤ２００に比べて、ＴＧ１１（位置Ａ２）から
離れた位置に蓄積されている信号電荷の量が少ない。
ＰＤ１０及びＢＰＤ２００のＡ−Ａ’線の、信号電荷蓄
積時における、信号電荷に対するポテンシャルを示す図
である（但し、図中、ＢＰＤ１０のポテンシャルは実線
で示され、ＢＰＤ２００のポテンシャルは点線で示され
ている）。同図より明らかなように、本実施例のＢＰＤ
１０においては、Ｐ型不純物濃度が最も高く、かつ一定
とされている領域Ｒ１が、ＴＧ１１から２μｍ乃至約
５．５μｍとされている。一方、図７に示すＢＰＤ２０
０においては、Ｐ型不純物濃度が最も高く、かつ一定と
されている領域Ｒ２が、ＴＧ１１から２μｍ乃至６μｍ
とされている。従って、本実施例のＢＰＤ１０において
は、ＢＰＤ２００に比べて、ＴＧ１１（位置Ａ２）から
離れた位置に蓄積されている信号電荷の量が少ない。
【００３７】図９は、図６及び図７に、それぞれ示すＢ
ＰＤ１０及びＢＰＤ２００のＡ−Ａ’線の、信号電荷転
送時における、信号電荷に対するポテンシャルを示す図
である（但し、図中、ＢＰＤ１０のポテンシャルは実線
で示され、ＢＰＤ２００のポテンシャルは点線で示され
ている）。本実施例のＢＰＤ１０においては、ＢＰＤ２
００に比べて、ＴＧ１１（位置Ａ２）から離れた位置に
蓄積されている信号電荷が蓄積されるので、信号電荷の
ＪＦＥＴ１２への転送が、ＢＰＤ２００に比べて、速や
かに行われ、かつ、読み残しも抑制される。従って、信
号電荷の転送時間に対応する動作速度を高速化すること
ができるとともに、信号電荷の読み残しによる表示画面
上の残像現象を抑制することができる。
ＰＤ１０及びＢＰＤ２００のＡ−Ａ’線の、信号電荷転
送時における、信号電荷に対するポテンシャルを示す図
である（但し、図中、ＢＰＤ１０のポテンシャルは実線
で示され、ＢＰＤ２００のポテンシャルは点線で示され
ている）。本実施例のＢＰＤ１０においては、ＢＰＤ２
００に比べて、ＴＧ１１（位置Ａ２）から離れた位置に
蓄積されている信号電荷が蓄積されるので、信号電荷の
ＪＦＥＴ１２への転送が、ＢＰＤ２００に比べて、速や
かに行われ、かつ、読み残しも抑制される。従って、信
号電荷の転送時間に対応する動作速度を高速化すること
ができるとともに、信号電荷の読み残しによる表示画面
上の残像現象を抑制することができる。
【００３８】さらに、上述した効果は、図６及び図７
に、それぞれ示すＢＰＤ１０及びＢＰＤ２００の、Ｅ−
Ｅ’線において、顕著にあらわれる。図１０は、図６及
び図７に、それぞれ示すＢＰＤ１０及びＢＰＤ２００の
Ｅ−Ｅ’線の、信号電荷蓄積時における、信号電荷に対
するポテンシャルを示す図である（但し、図中、ＢＰＤ
１０のポテンシャルは実線で示され、ＢＰＤ２００のポ
テンシャルは点線で示されている）。同図より明らかな
ように、本実施例のＢＰＤ１０においては、信号電荷が
多く蓄積される領域Ｒ１が、ＴＧ１１（位置Ａ２）に近
い位置（ＢＰＤ２００の領域Ｒ２の約１／２ほどの位
置）で途切れている。従って、図１１に示すように、信
号電荷をＴＧ１１を介してＪＦＥＴ１２に転送する場
合、信号電荷が、速やか、かつ完全にＪＦＥＴ１２に転
送される。
に、それぞれ示すＢＰＤ１０及びＢＰＤ２００の、Ｅ−
Ｅ’線において、顕著にあらわれる。図１０は、図６及
び図７に、それぞれ示すＢＰＤ１０及びＢＰＤ２００の
Ｅ−Ｅ’線の、信号電荷蓄積時における、信号電荷に対
するポテンシャルを示す図である（但し、図中、ＢＰＤ
１０のポテンシャルは実線で示され、ＢＰＤ２００のポ
テンシャルは点線で示されている）。同図より明らかな
ように、本実施例のＢＰＤ１０においては、信号電荷が
多く蓄積される領域Ｒ１が、ＴＧ１１（位置Ａ２）に近
い位置（ＢＰＤ２００の領域Ｒ２の約１／２ほどの位
置）で途切れている。従って、図１１に示すように、信
号電荷をＴＧ１１を介してＪＦＥＴ１２に転送する場
合、信号電荷が、速やか、かつ完全にＪＦＥＴ１２に転
送される。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明の固体撮像装置に
おいては、第１の拡散領域の下側の第２の拡散領域を、
転送手段から離れた部分の濃度が低くなるように形成す
るようにしたので、光電変換手段に蓄積されている信号
電荷を完全、かつ速やかに読み出し手段に転送すること
ができる。
おいては、第１の拡散領域の下側の第２の拡散領域を、
転送手段から離れた部分の濃度が低くなるように形成す
るようにしたので、光電変換手段に蓄積されている信号
電荷を完全、かつ速やかに読み出し手段に転送すること
ができる。
【図１】本発明を適用した固体撮像装置の１画素の一実
施例の構成を示す平面図である。
施例の構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す固体撮像装置の１画素の、Ａ−Ａ’
線断面図である。
線断面図である。
【図３】図１に示す固体撮像装置の１画素の、Ｂ−Ｂ’
線断面図である。
線断面図である。
【図４】図１に示す固体撮像装置の１画素の、Ｃ−Ｃ’
線断面図である。
線断面図である。
【図５】図１に示す固体撮像装置の１画素の、Ｄ−Ｄ’
線断面図である。
線断面図である。
【図６】図１に示すＢＰＤ１０の表面形状を示す平面図
である。
である。
【図７】図６に示すＢＰＤ１０と同条件で作成した、表
面形状が長方形形状のＢＰＤを示す平面図である。
面形状が長方形形状のＢＰＤを示す平面図である。
【図８】図６及び図７に、それぞれ示すＢＰＤ１０及び
２００の、信号電荷の蓄積時における、Ａ−Ａ’線断面
のポテンシャルを表すグラフである。
２００の、信号電荷の蓄積時における、Ａ−Ａ’線断面
のポテンシャルを表すグラフである。
【図９】図６及び図７に、それぞれ示すＢＰＤ１０及び
２００の、信号電荷の転送時における、Ａ−Ａ’線断面
のポテンシャルを表すグラフである。
２００の、信号電荷の転送時における、Ａ−Ａ’線断面
のポテンシャルを表すグラフである。
【図１０】図６及び図７に、それぞれ示すＢＰＤ１０及
び２００の、信号電荷の蓄積時における、Ｅ−Ｅ’線断
面のポテンシャルを表すグラフである。
び２００の、信号電荷の蓄積時における、Ｅ−Ｅ’線断
面のポテンシャルを表すグラフである。
【図１１】図６及び図７に、それぞれ示すＢＰＤ１０及
び２００の、信号電荷の転送時における、Ｅ−Ｅ’線断
面のポテンシャルを表すグラフである。
び２００の、信号電荷の転送時における、Ｅ−Ｅ’線断
面のポテンシャルを表すグラフである。
【図１２】従来の固体撮像装置の、１画素分の構成例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図１３】図１２に示す固体撮像装置の、Ｘ−Ｘ’線断
面図である。
面図である。
【図１４】図１２に示すＰＤ１００の濃度分布を示す平
面図である。
面図である。
【図１５】図１３に示す位置Ｙ１乃至Ｙ５の、信号電荷
の蓄積時におけるポテンシャルを表すグラフである。
の蓄積時におけるポテンシャルを表すグラフである。
【図１６】図１３に示す位置Ｙ１乃至Ｙ５の、信号電荷
の転送時におけるポテンシャルを表すグラフである。
の転送時におけるポテンシャルを表すグラフである。
１０ ＢＰＤ １１ ＴＧ １１Ａ ＴＧ配線 １２ ＪＦＥＴ １３ ＲＳＧ １３Ａ ＲＳＧ配線 １４ ＲＳＤ １５ ソース配線 ２０ Ｐ型基板 ２１ Ｎ型ウェル ２２ Ｐ型拡散領域 ２３ Ｎ型拡散領域 ２４Ａ，２４Ｂ Ｎ型拡散領域 ２５ Ｐ型拡散領域 ２６ Ｎ+型拡散領域 ２７ Ｐ+型拡散領域 ２９ Ｎ+型拡散領域 ３０ Ｐ型拡散領域 ３１ Ｐ+型拡散領域 ４０ １ｓｔＡｌ ５０ ２ｎｄＡｌ １００ ＰＤ １０１ ＴＧ １０２ ＶＣＣＤ ２００ ＢＰＤ
Claims (2)
- 【請求項１】 被写体の光を信号電荷に光電変換して蓄
積する光電変換手段と、 前記光電変換手段により生成された前記信号電荷を読み
出す読み出し手段と、 前記光電変換手段と前記読み出し手段の間に、各々に隣
接して形成され、前記光電変換手段に蓄積されている前
記信号電荷を前記読み出し手段に転送する転送手段とを
備える固体撮像装置において、 前記光電変換手段は、 第１導電型の半導体基板の主面側に設けられている第２
導電型のウェル領域の表面に形成されている第２導電型
の第１の拡散領域と、 前記ウェル領域中の、前記第１の拡散領域の下側に形成
されている第１導電型の第２の拡散領域とを備え、 前記第２の拡散領域は、前記転送手段から離れた部分の
濃度が低くなるように形成されていることを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記第２の拡散領域の、前記転送手段の
前記信号電荷の転送方向に垂直な方向の幅は、前記転送
手段に接する位置で最も大きく、前記転送手段から離れ
るに従って小さくなることを特徴とする請求項１に記載
の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8099762A JPH09289301A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8099762A JPH09289301A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289301A true JPH09289301A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14255997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8099762A Withdrawn JPH09289301A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289301A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001036061A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-02-09 | Motorola Inc | 電子コンポーネントおよび電子コンポーネントにおけるピクセル電荷移動を改善する方法 |
| JP2002231926A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置 |
| FR2824665A1 (fr) * | 2001-05-09 | 2002-11-15 | St Microelectronics Sa | Photodetecteur de type cmos |
| US6677656B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-01-13 | Stmicroelectronics S.A. | High-capacitance photodiode |
| US6781169B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-08-24 | Stmicroelectronics S.A. | Photodetector with three transistors |
| US6960799B2 (en) | 1998-07-28 | 2005-11-01 | Stmicroelectronics A.A. | Image sensor with a photodiode array |
| WO2010013811A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 国立大学法人静岡大学 | 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP8099762A patent/JPH09289301A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6960799B2 (en) | 1998-07-28 | 2005-11-01 | Stmicroelectronics A.A. | Image sensor with a photodiode array |
| JP2001036061A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-02-09 | Motorola Inc | 電子コンポーネントおよび電子コンポーネントにおけるピクセル電荷移動を改善する方法 |
| JP2002231926A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置 |
| US6677656B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-01-13 | Stmicroelectronics S.A. | High-capacitance photodiode |
| US6781169B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-08-24 | Stmicroelectronics S.A. | Photodetector with three transistors |
| FR2824665A1 (fr) * | 2001-05-09 | 2002-11-15 | St Microelectronics Sa | Photodetecteur de type cmos |
| US6984817B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-01-10 | Stmicroelectronic S.A. | CMOS-type photodetector for improved charge transfer from the photodetector to a MOS transistor |
| WO2010013811A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 国立大学法人静岡大学 | 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置 |
| US8587709B2 (en) | 2008-07-31 | 2013-11-19 | National University Corporation Shizuoka University | High-speed charge-transfer photodiode, a lock-in pixel, and a solid-state imaging device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030701 |