JPH02168670A

JPH02168670A - 固体撮像装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH02168670A
Application number: JP1243845A
Authority: JP
Inventors: Shigenori Matsumoto; 松本　茂則; Toshihiro Kuriyama; 俊寛栗山; Yoshimitsu Hiroshima; 広島　義光
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-09-22
Filing date: 1989-09-20
Publication date: 1990-06-28
Anticipated expiration: 2013-07-30
Also published as: EP0360595A3; US5043783A; EP0360595A2; JP2781425B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はビデオカメラ等に使用される固体撮像装置およ
びその製造方法に関するものである。

従来の技術ＣＯＤ固体固体製像装置にインターライン転送方式ＣＣ
Ｄ固体撮像装置は、優れた解像度をもち、また高い感度
をもつなど、総合的に特性が優れているため、ビデオカ
メラ等に広く使われるようになってきた。

第６図は従来のＰＮ接合フォトダイオードを感光部とし
て用いたインターライン転送方式ＣＯＤ固体撮像装置の
画素部の断面図である。

第６図において、１つの画素部は感光部（Ｐ　Ｄ）と電
荷読み出し部（ＣＣＤ）とで構成されている。Ｎ形シリ
コン基板１の上にはＰ形つェル２が形成されている。Ｐ
形つェル２内の表面付近には隣接する画素間を分離する
Ｐ形のチャネルストップ領域３．４が形成されている。

これらのチャネルストップ領域３，４は接地電位に固定
されている。Ｐ形つェル２内の一方のチャネルストップ
領域３に隣接して、Ｎ形不純物を拡散したＮ影領域５が
形成されており、Ｐ形つェル２とＮ影領域５とで感光部
（Ｐ　Ｄ）のＰＮ接合フォトダイオードが形成される。

Ｐ形つェル２内の他方のチャネルストップ領域４に隣接
して、Ｎ形不純物を拡散したＮ影領域６が形成されてい
る。このＮ影領域６は、感光部（ＰＤ）で発生した信号
電荷を順次転送するためのＣＣＤ転送チャネルとなる。

Ｐウニ・ル２の表面全域は二酸化シリコン膜７で覆われ
ている。二酸化シリコン膜７内に多結晶シリコン電極８
が埋め込まれている。この多結晶シリコン電極８は、フ
ォトダイオードであるＮ影領域５からＣＣＤ転送チャネ
ルであるＮ影領域６へ信号電荷を読み出すための読み出
しゲートと、ＣＣＤ転送ゲートとを兼ねている。二酸化
シリコン膜７の表面には、フォトダイオード以外への入
射光を遮光するためのアルミニウム膜９が形成されてい
る。

過剰電荷をＮ形シリコン基板１にオーバーフローさせる
ために、バイアス源１０によってＮ形シリコン基板１に
Ｐ形つェル２に対して逆のバイアス電圧が印加されてい
る［この技術自体は、例えばアイニスニスシーシー・ダ
イジェスト・テクニカルベーバーズ（ＩＳＳＣＣ−Ｄｉ
ｇｅｓｔ４’ｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒｓ）Ｐ、１
６８〜１６９．１９８２に示されているコ。

なお、第６図にはＣＣＤ固体撮像装置の１画素分のみを
示したが、実際には多数の感光部（Ｐ　Ｄ）および電荷
読み出し部（ＣＯＤ）が紙面と直交する方向に一列に並
んでおり、更に二次元の固体撮像装置においては、その
ような感光部（Ｆ　Ｄ）列および電荷読み出し部（ＣＯ
Ｄ）列が紙面に沿った方向に多数列配置されている。

以上のような構成において、外部からの光が、アルミニ
ウム膜９で覆われていない部分から二酸化シリコン膜７
を通してフォトダイオードへ入射すると、フォトダイオ
ードを構成するＮ影領域５又はＰ形つェル２の付近に電
荷が生成される。これらの電荷は、多結晶シリコン電極
８に読み出し電位を与えることによりＣＣＤ側のＮ影領
域６内に読み出され、さらに紙面と直交する方向に並ん
だ多数の多結晶シリコン電極８に転送用の高電位と低電
位を交互に与えることによりＣＯＤ転送チャネルである
Ｎ影領域６内に蓄積された電荷が、順次、紙面と直交す
る方向に転送される。

発明が解決しようとする課題ところで、第６図に示した従来のＣＣＤ固体撮像装置に
おいては、入射光を完全に遮断しても出力成分が観測さ
れる。これは暗電流と呼ばれる一種のノイズ成分である
。この暗電流は温度上昇に伴って指数Ｍ数的に増大する
ことが知られている。また、発明者らの実験によって次
のようなことも明らかになった。ＣＣＤ固体撮像装置の
特性のうち重要なものの１つに残像特性がある。残像特
性はフォトダイオードの構造で決まる。そこで、通常、
完全空乏化型と呼ばれる構造のフォトダイオードを用い
て残像を抑制している。ところが、このように残像特性
を向上するために完全空乏化型のフォトダイオードを用
いると暗電流が増大することが判った。

暗電流が増大すると、特に低照度時に、信号電流（Ｓ）
に対する暗電流（Ｎ）の比率が増大し、いわゆるＳ／Ｎ
比が劣化する。また各フォトダイオードごとに暗電流の
大きさがばらつくと、低照度時や高温時に固定パターン
雑音が増加する。

したがって、ＣＣＤ固体撮像装置の総合的な特性を高め
るためには、暗電流そのものの抑制と、暗電流のばらつ
きを抑制することが極めて重要である。

本発明の第１の目的は、暗電流を抑制することのできる
固体撮像装置を提供することにある。

本発明の第２の目的は、複数のフォトダイオード間での
暗電流のばらつきを抑制することのできる固体撮像装置
を提供することにある。

課題を解決するための手段本発明は、要約すると、フォトダイオードを構成する一
導電型を有する不純物領域の主平面のうち、ＣＯＤ転送
チャネルとなる不純物領域側の一部の領域を除く領域に
、逆導電型の不純物領域を形成したものである。

作用このように−導電型の不純物領域の主平面に逆導電型の
不純物領域を形成すれば、半導体基板とその表面の二酸
化シリコン膜との界面に生成される界面準位を低減する
ことができ、その結果、暗電流の発生を大幅に低減する
ことができる。

実施例第１図は本発明の固体撮像装置の第１の実施例の断面図
であり、第１図においても、第６図と同様に、ＰＮ接合
フォトダイオードを感光部として用いたインターライン
転送方式ＣＣＤ固体撮像装置の画素部のみを示している
。

第１図において、第６図に示した従来のＣＣＤ固体撮像
装置と実質的に同一機能をもつ部分には同一符号を付し
て説明を省略する。

第１図と第６図を比較すれば明らかなように、第１図に
おいては、フォトダイオードを構成するＮ影領域５の表
面にＰ型の不純物を注入又は拡散したＰ影領域１１を形
成している。Ｐ影領域１１の一端は多結晶シリコン電極
８の一端から距離１１だけ離れた所に位置しており、Ｐ
影領域１１の他端はＰ形のチャネルストップ領域３に接
続されている。したがってＰ影領域１１はチャネルスト
ップ領域３を介して接地電位に固定されている、。なお
、この実施例においては、Ｐ影領域１１の接合深さは０
．５　ａ　ｍ、表面濃度２Ｘ１０１θ／ａｌである。

暗電流の発生原因はいくつか考えられるが、発明者らの
実験の結果、シリコン基板とその表面の二酸化シリコン
膜の界面に発生する空乏化領域が、暗電流の主な発生場
所であることがわかった。前述のように、残像特性を向
上するために完全空乏化型のフォトダイオードを用いる
と暗電流が増大する、ということからも、基板と二酸化
シリコン膜の界面における空乏化領域が、暗電流成分生
成の支配的因子であることがわかる。

すなわち、第６図に示した従来のＣＯＤ固体撮像装置に
おいては、空乏化領域が、Ｐ形つェル２とＮ影領域５の
界面、およびＮ影領域５と二酸化シリコン膜７の界面に
発生する。このうち、特にＮ影領域５と二酸化シリコン
膜７の界面に発生する空乏化領域は、その界面に存在す
る界面準位を空乏化し、エレクトロンを発生させやすく
する。

このエレクトロンによる発生電流が暗電流成分の主なも
のとなる。しかも半導体処理プロセスにおけるプラズマ
処理やイオン処理工程でのダメージや静電気破壊によっ
て、Ｎ影領域５と二酸化シリコン膜７の界面準位密度が
増加し、また温度上昇に伴い界面準位密度が指数関数的
に増加するため、暗電流成分は必然的に大きくなる。

そこで、第１図に示す本発明の第１の実施例においては
、界面準位の発生する部分、すなわちＮ影領域５と二酸
化シリコン膜７の界面にＰ影領域１１を形成し、このＰ
影領域１１をＰ形のチャネルストップ領域３を介して接
地電位に固定している。

第２図（ａ）は第１図のＡ−Ａ線にそったポテンシャル
プロファイルを示したものである。二酸化シリコン膜７
の直下には、第２図にＸで模式的に示すような界面準位
１２が発生する。一方、第２図（ｂｌは第６図のＡ−Ａ
線にそったポテンシャルプロファイルを示したものであ
る。第６図に示した従来の構造においては、二酸化シリ
コン膜７の直下がＮ影領域５であったため、ポテンシャ
ルプロファイルは、第２図（ｂ）に１３で示すように、
Ｎ影領域５のポテンシャルが二酸化シリコン膜７の界面
までフラットに続く。このため界面準位１２から発生し
たエレクトロンがＮ影領域５に流れ込み、これが暗電流
の発生原因になる。ところが、第１図に示す本発明の第
１の実施例の構造によれば、Ｎ影領域５の表面にＰ影領
域１１が埋込まれ、このＰ影領域１１が接地電位に固定
されている。このためポテンシャルプロファイルには、
第２図（ａ）に太い実線で示すように、Ｐ影領域１１で
ＯＶに固定される。その結果、界面準位で発生したエレ
クトロンがＰ影領域１１および界面準位１２を介してホ
ールと再結合して消滅する。このため界面準位で発生し
たエレクトロンがＮ影領域５に流れ込むことはなくなり
、暗電流が大幅に抑制される。

なお、暗電流を抑制するためには、Ｎ影領域５の表面全
域にＰ影領域１１を埋込むことが望ましい。このように
すれば、第１図に１＋　で示す領域における界面準位の
影響をも抑えることができる。しかしながら、Ｉ！１を
０．５μｍ程度、すなわち１１をＰ影領域１１の接合深
さ程度にすると、Ｐ形不純物が多結晶シリコン電極８の
下部近くまで拡散し、信号電荷の読み出し動作時のポテ
ンシャル分布に影響を与えることがある。このため、信
号電荷の取り残しによる残像が発生しやすくなる。した
がって、１１はフォトダイオードの形状、Ｎ影領域５の
不純物分布等を考慮して決める必要がある。第１図の実
施例では、ｌｌを０．８μｍ、Ｎ影領域５の表面の約８
０％にＰ影領域１１を形成した。このとき、暗電流は従
来の約２５％に減少した。

なお、第１図の実施例ではＰ影領域１１の不純物給炭を
２　Ｘ　１０１８／ｃａｌとしたが、発明者らの実験に
よれば、Ｐ影領域１１の不純物濃度を１０１７オーダー
としたときは安定性が悪＜、１０１８オーダー以上にす
ると、通常動作時での界面の空乏化を防ぎ、安定に暗電
流を抑制することができた。

第１図に示した本発明の第１の実施例においては、ＣＣ
Ｄ側の読み出しゲート部、すなわちＮ影領域６．多結晶
シリコン電極８等の構造は、従来と同一構造でよい。こ
のため、残像その他の信号読み出し機能に関連する特性
は全く変化しない。

したがってＣＣＤ固体撮像装置に接続される外部回路等
の変更も不要である。

ところで、第１図、第２図の実施例では、暗電流そのも
のを抑制することを意図したが、現実には多数の画素間
で暗電流成分の大きさがばらつくことがあり、この暗電
流ムラによってＣＣＤの雑音が増えたり、あるいはダイ
ナミックレンジが狭くなり、低照度あるいは高温時に画
面全体がスリガラスを通したようにざらつく現象が起こ
る。

また、第１図の実施例に関連して述べたように、多結晶
シリコン電極８とＰ影領域１１の距離ｌＩを短くすれば
暗電流は減少するが、多結晶シリコン電極８とＮ影領域
５のオーバーラツプ部のポテンシャル分布がＰ影領域１
１の影響により高くなる。このため、読み出し動作時に
信号電荷の取り残しによる残像が発生しやすくなる。

このような暗電流のばらつきを抑え、また残像特性を改
善するためには、多結晶シリコン電極８に対するＰ影領
域１１の正確な位置制御が極めて重要となる。

第３図（ａｌ〜ｆｄｌは本発明の第２の実施例、すなわ
ち多結晶シリコン電極８に対するＰ影領域１１の正確な
位置制御を可能にする固体操像装置の製造方法を工程順
に示す断面図であり、第４図はその完成した状態を示す
断面図である。なお、第３図、第４図においても、第１
図と同様に、ＰＮ接合フォトダイオードを感光部として
用いたインターライン転送方式ＣＣＤ固体撮像装置の画
素部のみを示しており、第１図と実質的に同一の部分に
は同一符号を付している。

以下、第３図ｔａ＋〜（ｄｌにそってその製造方法を説
明する。

まず、第３図ｆａ）に示すように、二酸化シリコン膜７
のように多結晶シリコン電極８を形成する。その後、多
結晶シリコン電極８を酸化し、約２５００人の二酸化シ
リコン膜７を多結晶シリコン電極８の表面および側面に
形成する［第３図（ｂｌ　］。次いで第３図（Ｃ）に示
すように、二酸化シリコン膜７の表面から基板表面に向
けてボロン（Ｂ“）イオンを注入する。第３図（Ｃ）に
おいて、ボロンイオンは二酸化シリコン膜７を通して注
入されるが、多結晶シリコン電極８の側面は二酸化シリ
コン膜が厚く、シたがって多結晶シリコン電極８とその
側面の二酸化シリコン膜７がイオン注入時のマスクとし
て働く。このため、多結晶シリコン電極８からほぼ第３
図（ｂ）で成長した二酸化シリコン膜７の膜厚分だけ離
れた位置までボロンイオンが注入される。その後、９０
０℃、約１時間の熱処理により、ボロンイオンの不純物
を多結晶シリコン電極８側へ拡散させ、一部が多結晶シ
リコン電極８とオーバーラツプする形状のＰ影領域１１
を形成する［第３図（ｄ）コ。

その後、二酸化シリコン膜７の表面に遮光用のアルミニ
ウム膜９を形成することにより、第４図に示すような画
素部が完成する。

以上の製造プロセスにおいて、特に第３図（ｄ）に示す
熱拡散プロセスにおいて、ボロンイオンの不純物を多結
晶シリコン電極８側へ拡散する際、暗電流成分を極力抑
え、かつ信号電荷の読み出し時の残像を極力抑えるよう
に、プロセスの条件を最適化することが重要である。こ
のようなプロセス条件の最適化を行えば、第１図に示し
た本発明の第１の実施例のように、必ずしもＰ影領域１
１と多結晶シリコン電極８との間に距離１１を設けなく
ても、暗電流を十分に抑制し、かつ残像時、性を良好に
維持することができる。発明者らの実験によれば、第４
図におけるギャップｆｚ　　（すなわち多結晶シリコン
電極８とＮ影領域５のオーバーラツプする幅）を、Ｐ影
領域１１の接合深さ０．５μｍより長い１．０μｍとし
、かつ多結晶シリコン電極８の下方にまでＰ影領域１１
を拡散した場合でも、第３図（Ｃ）における多結晶シリ
コン電極８の側面の二酸化シリコン膜７の膜厚と、第３
図ｆｄ）における熱拡散の条件とを最適化することによ
り、多結晶シリコン電極８の下方のボロン濃度分布を正
確に制御することができ、その結果、暗電流特性と残像
特性を同時に改善することができた。

このように、第３図、第４図に示す本発明の第２の実施
例において注目すべき特徴は、多結晶シリコン電極８の
端部を基準とする自己整合によってＰ影領域１１の正確
な位置制御が可能となる点である。すなわち、第３図（
ｂｌにおいて、多結晶シリコン電極８の側面における二
酸化シリコン膜７の膜厚は正確にコントロールできる。

また第３図ｆｃ）において、これらの多結晶ンリコン電
極８．二酸化シリコン膜７をマスクとしてボロンイオン
が注入されるため、Ｐ形頌域１１の形状も正確にコント
ロールできる。そして第３図（ｄｌにおける熱処理条件
を最適化すれば、多結晶シリコン電極８の下方のボロン
濃度分布も正確にコントロールできる。

このように、第３図、第４図に示す第２の実施例によれ
ば、Ｐ影領域１１の形状及び多結晶シリコン電極８の下
方の不純物濃度を正確にコントロールすることができる
から、多数の画素間での暗電流の絶対値のばらつきを抑
えることができる。その結果、暗電流ムラによるＣＣＤ
の雑音の増加や、ダイナミックレンジの減少を防止する
ことができる。また残像特性を改善し、各画素毎の残像
特性のばらつきを抑えることができる。

ところで、第１図、第４図に示した第１．第２の実施例
においては、遮光用のアルミニウム膜９が、多結晶シリ
コン電極８の上面あるいは多結晶シリコン電極８の端部
かられずかにはみ出す程度の大きさで形成されているに
過ぎない。このため、フォトダイオード（ＰＤ）に対し
、図面右上から左下に向かって斜めに入射する光が、多
結晶シリコン電極８の端部付近を通過して、ＣＣＤ側に
直接入射することがある。このようにＣＣＤが直接斜め
入射光を受けると、ＣＣＤ読み出し期間中に、斜め入射
光による信号電荷が本来の転送電荷に加わり、一種の偽
信号となって画像が不鮮明になる、いわゆるスミアと呼
ばれる現象が起こる。

第５図はこのような問題を解決することのできる本発明
の第３の実施例を示すものである。第５図においても、
第１゜第２の実施例と同様に、ＰＮ接合フォトダイオー
ドを感光部として用いたインターライン転送方式ＣＯＤ
固体撮像装置の画素部のみを示している。第５図におい
て、第１図、第３図と実質的に同一機能の部分には同一
符号を付して説明を省略する。二酸化シリコン膜７の表
面には、フォトダイオード（Ｐ　Ｄ）の領域を除く部分
には遮光用のアルミニウム膜１４が形成されている。第
５図からも明らかなように、このアルミニウム膜１４の
端部は、多結晶シリコン電極８の両側にある二酸化シリ
コン膜７の表面をも覆うように形成されている。このよ
うにすれば、第５図に示すようにアルミニウム膜９が、
多結晶シリコン電極８の端部より、二酸化シリコン膜７
の膜厚Ｉ！３とアルミニウム膜９の膜厚１＜を加えた寸
法だけフォトダイオード（Ｐ　Ｄ）側へ張り出す形にな
る。このためＣＣＤ側へ入射する斜めの光をアルミニウ
ム膜９の端部で確実に阻止することができ、スミアの発
生を大幅に抑制することができる。

なお、以上の実施例では基板としてＰ形つェル２を用い
ている。エピタキシャル成長で形成されるＰ形つェル２
を基板として用いることにより、ブルーミングやスミア
現象を抑え、さらには分光感度を人間の目の感度に近付
けることができる等の効果が得られる。

また、以上の実施例では、過剰電荷をＮ形ンリコン基板
１にオーバーフローさせるものについて説明したが、過
剰電荷を基板表面に形成したドレインに掃き出す方式の
ものでも同様の効果が得られる。

さらに、以上いずれの実施例においてもＮ形シリコン基
板１を用いたが、Ｐ形シリコン基板上に形成してもよい
ことは言うまでもない。

また、ＣＯＤ以外の方式の固体搬像装置に応用しても同
様の効果が得られる。

発明の効果本発明は、ＰＮ接合フォトダイオードを構成する一導電
型の不純物領域の主表面のうち、電荷読み出し部側の一
部を除く領域に、逆導電型の不純物領域を形成したもの
である。このように−導電型の不純物領域の主平面に逆
導電型の不純物領域を形成すれば、半導体基板とその表
面の二酸化シリコン膜との界面に発生する界面準位を低
減することができ、その結果、暗電流の発生を大幅に低
減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における固体搬像装置の
１画素分の断面図、第２図（ａ）は第１図のＡ−Ａ線に
そったポテンシャルプロファイルを示す図、第２図（ｂ
ｌは第６図のＡ−Ａ線にそったポテンシャルプロファイ
ルを示す図、第３図（ａｌ〜（ｄ）は本発明の第２の実
施例における固体撮像装置の製造方法を工程順に示す断
面図、第４図は本発明の第２の実施例における固体撮像
装置の１画素分の断面図、第５図は本発明の第３の実施
例における固体撮像装置の１画素分の断面図、第６図は
従来の固体撮像装置の１画素分の断面図である。１・・・・・・Ｎ形シリコン基板、２・・・・・・Ｐ形
つェル、３．４・・・・・・Ｐ形チャネルストップ領域
、５，６・・・・・・Ｎ影領域、７・・・・・・二酸化
シリコン膜、８・・・・・・多結晶シリコン電極、９・
・・・・・アルミニウムＩＩＩ、１０・・・・・・バイ
アス源、１１・・・・・・Ｐ影領域。代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名１−一一〜
麿シリゴソＩＬ（２−−Ｐ清つＬル３．４−Ｆ＃ＩナヤンネルスＥヲフ番貢−（Ｓ・−−り
メＩζ−−シリコシ４【トに９−−〜７几ζニウム月美（ｏ−−］＼゛イアス源１／＋Ｉ−・−Ｐｉ頬工戴 −ＣＣＤ□　◆−−ＰＤ− 第図イー−Ｎｆｌシリゴフｆ板

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板表面
に形成された複数の画素とを備え、前記各画素を、感光
部と、この感光部からの信号電荷を読み出す電荷読み出
し部とで構成し、前記感光部を、前記半導体基板と、こ
の半導体基板の主表面に形成された第二導電型の不純物
領域とで構成し、かつ前記第二導電型の不純物領域の主
表面のうち、前記電荷読み出し部側の一部の領域を除く
主表面全域に、第一導電型の不純物領域を形成したこと
を特徴とする固体撮像装置。
（２）第一導電型の不純物領域を接地電位に接続したこ
とを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
（３）第一導電型の不純物領域の不純物濃度を１×１０
＾１＾８／ｃｍ＾３以上としたことを特徴とする請求項
１記載の固体撮像装置。
（４）第一導電型の不純物領域の一端と、電荷読み出し
部を構成する読み出しゲートの一端との間に、前記第一
導電型の不純物領域の接合深さ以上の長さのギャップを
設けたことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
（５）第一導電型の半導体基板として、第二導電型の半
導体基板の表面に形成した第一導電型のウェルを用いた
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
（６）第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板表面
に形成された複数の画素とを備え、前記各画素を、感光
部と、この感光部からの信号電荷を読み出す電荷読み出
し部とで構成し、前記電荷読み出し部を、前記半導体基
板の主表面に形成した第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁
膜の表面に形成した読み出しゲートと、前記読み出しゲ
ートの表面および側面に形成した第２の絶縁膜と、前記
第２の絶縁膜の表面および側面に形成した遮光膜とで構
成したことを特徴とする固体撮像装置。
（７）感光部を、半導体基板と、この半導体基板の主表
面に形成した第二導電型の不純物領域とで構成し、かつ
前記第二導電型の不純物領域の主表面のうち、前記電荷
読み出し部側の一部の領域を除く主表面全域に、第一導
電型の不純物領域を形成したことを特徴とする請求項６
記載の固体撮像装置。
（８）第一導電型の半導体基板として、第二導電型の半
導体基板表面に形成した第一導電型のウェルを用いたこ
とを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置。
（９）第一導電型の不純物領域を、接地電位に接続した
ことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
（１０）第一導電型の不純物領域の不純物濃度を１×１
０＾１＾８／ｃｍ＾３以上としたことを特徴とする請求
項７記載の固体撮像装置。
（１１）第一導電型の半導体基板の表面に、感光部を構
成する第二導電型の不純物領域を形成する工程、前記半
導体基板および前記不純物領域の表面に第１の絶縁膜を
形成する工程、前記第１の絶縁膜の表面に、一部が前記
不純物領域と重なり合うように、電荷読み出し部の読み
出しゲートを形成する工程、前記読み出しゲートの表面
および側面に第２の絶縁膜を形成する工程、前記読み出
しゲートとこの読み出しゲートの側面に形成された前記
第２の絶縁膜をマスクとして、前記第二導電型の不純物
領域の表面に第一導電型の不純物領域を形成する工程、
前記第一導電型の不純物領域を前記読み出しゲート側へ
拡散する工程を備えた固体撮像装置の製造方法。
（１２）第一導電型の不純物領域を接地電位に接続した
ことを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置の製造
方法。
（１３）第一導電型の不純物領域の不純物濃度を１×１
０＾１＾８／ｃｍ＾３以上としたことを特徴とする請求
項１１記載の固体撮像装置の製造方法。
（１４）第一導電型の半導体基板として、第二導電型の
半導体基板の表面に形成した第一導電型のウェルを用い
たことを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置の製
造方法。