JPH09291048A - シクロヘキサン誘導体 - Google Patents
シクロヘキサン誘導体Info
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- JPH09291048A JPH09291048A JP8107297A JP10729796A JPH09291048A JP H09291048 A JPH09291048 A JP H09291048A JP 8107297 A JP8107297 A JP 8107297A JP 10729796 A JP10729796 A JP 10729796A JP H09291048 A JPH09291048 A JP H09291048A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式（Ｉ）
【化１】
（Ｒ：Ｃ１〜１２のアルキル、アルコキシル、Ｃ２〜１
２のアルケニル、Ｃ１〜７のアルコキシルにより置換さ
れたＣ１〜１２のアルキル、環Ａ：トランス−１，４−
シクロへキシレン、Ｆ原子により置換されてもよい１，
４−フェニレン基、Ｚ：単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、ｎ：
０〜４の整数、Ｙ：Ｆ原子、Ｈ原子）で表わされるシク
ロヘキサン環が重水素置換された（フルオロアルケニ
ル）シクロヘキサン誘導体とこれらの混合物及びこれら
を含有する液晶組成物。 【効果】 一般式（Ｉ）の化合物及び混合物は工業的に
容易に製造でき、これらを含有する液晶組成物は低粘性
で液晶温度範囲が広く、かつ対応する重水素置換されて
いない化合物を用いた場合よりも融点が低く、低温での
保存安定性に優れるので実用的液晶表示用材料として極
めて有用である。
２のアルケニル、Ｃ１〜７のアルコキシルにより置換さ
れたＣ１〜１２のアルキル、環Ａ：トランス−１，４−
シクロへキシレン、Ｆ原子により置換されてもよい１，
４−フェニレン基、Ｚ：単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、ｎ：
０〜４の整数、Ｙ：Ｆ原子、Ｈ原子）で表わされるシク
ロヘキサン環が重水素置換された（フルオロアルケニ
ル）シクロヘキサン誘導体とこれらの混合物及びこれら
を含有する液晶組成物。 【効果】 一般式（Ｉ）の化合物及び混合物は工業的に
容易に製造でき、これらを含有する液晶組成物は低粘性
で液晶温度範囲が広く、かつ対応する重水素置換されて
いない化合物を用いた場合よりも融点が低く、低温での
保存安定性に優れるので実用的液晶表示用材料として極
めて有用である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規液晶性化合物で
あり、電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示
用材料として有用な重水素置換されたシクロヘキサン誘
導体、より詳しくは１個又は２個のフッ素原子により置
換されたアルケニル基を有する重水素置換されたシクロ
ヘキサン誘導体及びそれらの混合物、更にそれを含有す
る液晶組成物に関する。
あり、電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示
用材料として有用な重水素置換されたシクロヘキサン誘
導体、より詳しくは１個又は２個のフッ素原子により置
換されたアルケニル基を有する重水素置換されたシクロ
ヘキサン誘導体及びそれらの混合物、更にそれを含有す
る液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、更に単純マトリ
ックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実
用化されている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、更に単純マトリ
ックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実
用化されている。
【０００３】これらの表示方式や駆動方式に応じて、液
晶材料としても種々の特性が要求されているが、高速応
答性は中でも非常に重要な特性である。応答の高速化の
ためには物性的に（ｉ）粘性を小さくするか、あるいは
（ｉｉ）弾性定数を大きくすることが必要であるが、弾
性定数を大きくするとしきい値電圧が上昇することが多
いので、粘性を小さくすることが最も効果的である。
晶材料としても種々の特性が要求されているが、高速応
答性は中でも非常に重要な特性である。応答の高速化の
ためには物性的に（ｉ）粘性を小さくするか、あるいは
（ｉｉ）弾性定数を大きくすることが必要であるが、弾
性定数を大きくするとしきい値電圧が上昇することが多
いので、粘性を小さくすることが最も効果的である。
【０００４】液晶材料の粘性を小さくするためには、液
晶組成物中に粘性の小さい液晶性化合物（いわゆる減粘
剤）を適量添加することが一般的である。減粘剤として
は通常、２環性のｎ型液晶性化合物が用いられることが
多いが、液晶組成物に添加した場合にそのネマチック相
上限温度（ＴN-I）をあまり低下させないならば、化合
物単独では必ずしも液晶性を示す必要はない。
晶組成物中に粘性の小さい液晶性化合物（いわゆる減粘
剤）を適量添加することが一般的である。減粘剤として
は通常、２環性のｎ型液晶性化合物が用いられることが
多いが、液晶組成物に添加した場合にそのネマチック相
上限温度（ＴN-I）をあまり低下させないならば、化合
物単独では必ずしも液晶性を示す必要はない。
【０００５】現在比較的よく用いられている減粘剤のな
かで、減粘効果に優れた液晶性化合物としては例えば、
一般式（ＩＩＩａ）で表わされるビシクロヘキサン誘導
体、一般式（ＶＩａ）で表わされる１，２−ジシクロヘ
キシルエタン誘導体あるいは一般式（Ｖａ）で表わされ
るフェニルシクロヘキサン誘導体等をあげることができ
る。
かで、減粘効果に優れた液晶性化合物としては例えば、
一般式（ＩＩＩａ）で表わされるビシクロヘキサン誘導
体、一般式（ＶＩａ）で表わされる１，２−ジシクロヘ
キシルエタン誘導体あるいは一般式（Ｖａ）で表わされ
るフェニルシクロヘキサン誘導体等をあげることができ
る。
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、Ｒa及びＲbは直鎖状アルキル基を
表わす。） しかしながら、これらの化合物はＴN-Iの低下度が比較
的大きく、その減粘効果も充分ではなかった。これらの
点を改良した化合物として、一般式（ＩＩＩｂ）あるい
は一般式（Ｖｂ）
表わす。） しかしながら、これらの化合物はＴN-Iの低下度が比較
的大きく、その減粘効果も充分ではなかった。これらの
点を改良した化合物として、一般式（ＩＩＩｂ）あるい
は一般式（Ｖｂ）
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、Ｒcは直鎖状アルケニル基を表わ
し、Ｒaは上述の意味を表わす。）で表わされるよう
な、側鎖がアルケニル基であるビシクロヘキサン誘導体
やフェニルシクロヘキサン誘導体が開発されている。
し、Ｒaは上述の意味を表わす。）で表わされるよう
な、側鎖がアルケニル基であるビシクロヘキサン誘導体
やフェニルシクロヘキサン誘導体が開発されている。
【００１０】しかしながら、これらの減粘剤を用いて
も、表示品質の向上に伴う液晶材料の粘性低下の要求に
は応え難くなってきているのが実情である。最近、アル
ケニル基の二重結合に１個ないし２個のフッ素原子を導
入した一般式（ＶＩａ）あるいは一般式（ＶＩｂ）
も、表示品質の向上に伴う液晶材料の粘性低下の要求に
は応え難くなってきているのが実情である。最近、アル
ケニル基の二重結合に１個ないし２個のフッ素原子を導
入した一般式（ＶＩａ）あるいは一般式（ＶＩｂ）
【００１１】
【化５】
【００１２】（式中、Ｒaは上述の意味を表わす。）の
化合物が報告されている（特開平１−３０８２３９号公
報及び特開平２−１８４６４２号公報に記載）。これら
の化合物はいずれも汎用のホスト液晶に１０〜１５％添
加することによりそのＴN-Iをあまり降下させることな
く、その粘性を大きく低減させることが可能である。ま
た、屈折率異方性を小さくすることができるので視野角
の優れた表示素子用の液晶材料用としても適している。
化合物が報告されている（特開平１−３０８２３９号公
報及び特開平２−１８４６４２号公報に記載）。これら
の化合物はいずれも汎用のホスト液晶に１０〜１５％添
加することによりそのＴN-Iをあまり降下させることな
く、その粘性を大きく低減させることが可能である。ま
た、屈折率異方性を小さくすることができるので視野角
の優れた表示素子用の液晶材料用としても適している。
【００１３】しかしながら、一般式（ＶＩａ）や一般式
（ＶＩｂ）の化合物もその相溶性においては決して問題
がないわけではなかった。これらの化合物は一般に融点
が低く、室温ではそれ自体が結晶として析出することは
ほとんどないが、添加量が多くなると低温で放置した場
合に相分離やそれに伴う結晶の析出を起こしやすくなる
という問題点がある。
（ＶＩｂ）の化合物もその相溶性においては決して問題
がないわけではなかった。これらの化合物は一般に融点
が低く、室温ではそれ自体が結晶として析出することは
ほとんどないが、添加量が多くなると低温で放置した場
合に相分離やそれに伴う結晶の析出を起こしやすくなる
という問題点がある。
【００１４】従って、一般式（ＶＩａ）や一般式（ＶＩ
ｂ）の化合物に匹敵する効果を有しながら、更に相溶性
にも優れた減粘剤が望まれている。
ｂ）の化合物に匹敵する効果を有しながら、更に相溶性
にも優れた減粘剤が望まれている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、以上の目的に応じるため、減粘効果及び相
溶性に優れた液晶性化合物として、シクロヘキサン環が
重水素原子（Ｄ）により置換された（フルオロアルケニ
ル）シクロヘキサン誘導体及びこれらの混合物を提供
し、更にこれを用いて低粘性で液晶温度範囲が広い液晶
組成物を提供することにある。
する課題は、以上の目的に応じるため、減粘効果及び相
溶性に優れた液晶性化合物として、シクロヘキサン環が
重水素原子（Ｄ）により置換された（フルオロアルケニ
ル）シクロヘキサン誘導体及びこれらの混合物を提供
し、更にこれを用いて低粘性で液晶温度範囲が広い液晶
組成物を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一般式（Ｉ）
決するために、一般式（Ｉ）
【００１７】
【化６】
【００１８】（式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキ
ル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシル基、炭素原子
数２〜１２のアルケニル基又は炭素原子数１〜７のアル
コキシル基により置換された炭素原子数１〜１２のアル
キル基を表わし、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキ
シレン基あるいは１個又は２個のフッ素原子により置換
されていてもよい１，４−フェニレン基を表わし、Ｚは
単結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わし、ｎは０、１、２、
３又は４の整数を表わし、Ｙはフッ素又は水素原子を表
わす。）で表わされる重水素置換されたシクロヘキサン
誘導体、より詳しくは（フルオロアルケニル）シクロヘ
キサン誘導体を提供する。
ル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシル基、炭素原子
数２〜１２のアルケニル基又は炭素原子数１〜７のアル
コキシル基により置換された炭素原子数１〜１２のアル
キル基を表わし、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキ
シレン基あるいは１個又は２個のフッ素原子により置換
されていてもよい１，４−フェニレン基を表わし、Ｚは
単結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わし、ｎは０、１、２、
３又は４の整数を表わし、Ｙはフッ素又は水素原子を表
わす。）で表わされる重水素置換されたシクロヘキサン
誘導体、より詳しくは（フルオロアルケニル）シクロヘ
キサン誘導体を提供する。
【００１９】上式において、Ｒは炭素原子数１〜７の直
鎖状アルキル基が好ましく、環Ａはトランス−１，４−
シクロヘキシレン基あるいは１，４−フェニレン基が好
ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基が最も
好ましい。Ｚは単結合が好ましく、ｎは０又は１が好ま
しく、０が最も好ましい。Ｙが水素原子を表わす場合に
は二重結合はトランス(E)配置が好ましいが、シス−ト
ランス混合物の状態でもトランス体の比率が７０％以
上、好ましくは８０％以上であれば実用上あまり問題が
ない。
鎖状アルキル基が好ましく、環Ａはトランス−１，４−
シクロヘキシレン基あるいは１，４−フェニレン基が好
ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基が最も
好ましい。Ｚは単結合が好ましく、ｎは０又は１が好ま
しく、０が最も好ましい。Ｙが水素原子を表わす場合に
は二重結合はトランス(E)配置が好ましいが、シス−ト
ランス混合物の状態でもトランス体の比率が７０％以
上、好ましくは８０％以上であれば実用上あまり問題が
ない。
【００２０】従って、一般式（Ｉ）で表わされる化合物
のなかで好ましいのは以下の式（Ｉａａ）〜（Ｉｂｅ）
のなかで好ましいのは以下の式（Ｉａａ）〜（Ｉｂｅ）
【００２１】
【化７】
【００２２】（式中、Ｒaは上述の意味を表わす。）の
化合物であり、これらの中では式（Ｉａａ）及び式（Ｉ
ｂａ）の化合物が更に好ましい。本発明はまた、一般式
（ＩＩ）
化合物であり、これらの中では式（Ｉａａ）及び式（Ｉ
ｂａ）の化合物が更に好ましい。本発明はまた、一般式
（ＩＩ）
【００２３】
【化８】
【００２４】（式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキ
ル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシル基、炭素原子
数２〜１２のアルケニル基又は炭素原子数１〜７のアル
コキシル基により置換された炭素原子数１〜１２のアル
キル基を表わし、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキ
シレン基あるいは１個又は２個のフッ素原子により置換
されていてもよい１，４−フェニレン基を表わし、Ｚは
単結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わし、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞ
れ独立的に水素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わ
し、ｎは０、１、２、３又は４の整数を表わし、Ｙはフ
ッ素又は水素原子を表わす。）で表わされるシクロヘキ
サン誘導体において、Ｘ1〜Ｘ4が水素原子（Ｈ）あるい
は重水素原子（Ｄ）である化合物からなる混合物を提供
する。
ル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシル基、炭素原子
数２〜１２のアルケニル基又は炭素原子数１〜７のアル
コキシル基により置換された炭素原子数１〜１２のアル
キル基を表わし、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキ
シレン基あるいは１個又は２個のフッ素原子により置換
されていてもよい１，４−フェニレン基を表わし、Ｚは
単結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わし、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞ
れ独立的に水素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わ
し、ｎは０、１、２、３又は４の整数を表わし、Ｙはフ
ッ素又は水素原子を表わす。）で表わされるシクロヘキ
サン誘導体において、Ｘ1〜Ｘ4が水素原子（Ｈ）あるい
は重水素原子（Ｄ）である化合物からなる混合物を提供
する。
【００２５】この混合物中の各化合物は極めて類似した
特性を示し、混合物全体としても一般式（Ｉ）の化合物
と類似した特性を示すが、前述の相溶性の向上に関して
は一般式（Ｉ）より優れた効果を示す。こうした効果を
得るためには、一般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物
における重水素原子（Ｄ）の数の割合が、一般式（Ｉ
Ｉ）におけるＸ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4の総数に対して５０
〜９５％の範囲にある混合物が好ましく、６０〜９０％
の範囲であることがより好ましく、７０〜９０％の範囲
であることが特に好ましい。
特性を示し、混合物全体としても一般式（Ｉ）の化合物
と類似した特性を示すが、前述の相溶性の向上に関して
は一般式（Ｉ）より優れた効果を示す。こうした効果を
得るためには、一般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物
における重水素原子（Ｄ）の数の割合が、一般式（Ｉ
Ｉ）におけるＸ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4の総数に対して５０
〜９５％の範囲にある混合物が好ましく、６０〜９０％
の範囲であることがより好ましく、７０〜９０％の範囲
であることが特に好ましい。
【００２６】一般式（Ｉ）の化合物は、例えば以下のよ
うにして製造することができる。一般式（ＶＩＩ）
うにして製造することができる。一般式（ＶＩＩ）
【００２７】
【化９】
【００２８】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｚ及びｎは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わされる重
水素置換されたシクロヘキサンアルカナール誘導体を、
トリフェニルホスフィン存在下にジフルオロカルベン発
生剤と反応させることにより、一般式（Ｉ）において、
Ｙがフッ素原子である一般式（Ｉｂ）
（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わされる重
水素置換されたシクロヘキサンアルカナール誘導体を、
トリフェニルホスフィン存在下にジフルオロカルベン発
生剤と反応させることにより、一般式（Ｉ）において、
Ｙがフッ素原子である一般式（Ｉｂ）
【００２９】
【化１０】
【００３０】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｚ及びｎは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）の化合物を得る
ことができる。ここでジフルオロカルベン発生剤として
はクロロジフルオロ酢酸のアルカリ金属塩等を用いるこ
とができる。
（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）の化合物を得る
ことができる。ここでジフルオロカルベン発生剤として
はクロロジフルオロ酢酸のアルカリ金属塩等を用いるこ
とができる。
【００３１】この一般式（Ｉｂ）の化合物を適当な還元
剤で処理することにより、一般式（Ｉ）においてＹが水
素原子である一般式（Ｉａ）
剤で処理することにより、一般式（Ｉ）においてＹが水
素原子である一般式（Ｉａ）
【００３２】
【化１１】
【００３３】（式中、Ｒ、環Ａ、Ｚ及びｎは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）の化合物を得る
ことができる。還元剤としては水素化ジ（２−メトキシ
エトキシ）アルミニウムナトリウム等を用いることがで
きる。得られた一般式（Ｉａ）はその二重結合がトラン
ス(E)配置及びシス(Z)配置の混合物であるが、カラムク
ロマトグラフィーや再結晶等の通常の精製方法により分
離が可能である。ただし、前述のようにシス配置が少量
混入した状態でも使用することができる。
（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）の化合物を得る
ことができる。還元剤としては水素化ジ（２−メトキシ
エトキシ）アルミニウムナトリウム等を用いることがで
きる。得られた一般式（Ｉａ）はその二重結合がトラン
ス(E)配置及びシス(Z)配置の混合物であるが、カラムク
ロマトグラフィーや再結晶等の通常の精製方法により分
離が可能である。ただし、前述のようにシス配置が少量
混入した状態でも使用することができる。
【００３４】ここで、中間体である一般式（ＶＩＩ）
は、汎用の液晶中間体である一般式（ＶＩＩＩ）
は、汎用の液晶中間体である一般式（ＶＩＩＩ）
【００３５】
【化１２】
【００３６】（式中、Ｒ、環Ａ及びＺは一般式（Ｉ）に
おけると同じ意味を表わす。）のシクロヘキサノン誘導
体から容易に製造することができる。一般式（ＶＩＩ
Ｉ）をジクロロメタン等の溶媒に溶解し、塩基及び相間
移動触媒の存在下に重水と反応させることにより、重水
素置換されたシクロヘキサノン誘導体である一般式（Ｉ
Ｘ）
おけると同じ意味を表わす。）のシクロヘキサノン誘導
体から容易に製造することができる。一般式（ＶＩＩ
Ｉ）をジクロロメタン等の溶媒に溶解し、塩基及び相間
移動触媒の存在下に重水と反応させることにより、重水
素置換されたシクロヘキサノン誘導体である一般式（Ｉ
Ｘ）
【００３７】
【化１３】
【００３８】（式中、Ｒ、環Ａ及びＺは一般式（Ｉ）に
おけると同じ意味を表わし、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ独立的
に水素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わす。）に
おいてＸ1〜Ｘ4が水素原子（Ｈ）あるいは重水素原子
（Ｄ）である化合物からなる混合物を得る。ここで必要
に応じてこの操作を繰り返すことにより容易に一般式
（Ｘ）
おけると同じ意味を表わし、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ独立的
に水素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わす。）に
おいてＸ1〜Ｘ4が水素原子（Ｈ）あるいは重水素原子
（Ｄ）である化合物からなる混合物を得る。ここで必要
に応じてこの操作を繰り返すことにより容易に一般式
（Ｘ）
【００３９】
【化１４】
【００４０】（式中、Ｒ、環Ａ及びＺは一般式（Ｉ）に
おけると同じ意味を表わす。）の重水素置換されたシク
ロヘキサノン誘導体を得ることができる。この一般式
（Ｘ）に、一般式（ＸＩ）
おけると同じ意味を表わす。）の重水素置換されたシク
ロヘキサノン誘導体を得ることができる。この一般式
（Ｘ）に、一般式（ＸＩ）
【００４１】
【化１５】ＣＨ3ＯＣＨ＝ＰＰｈ3 （ＸＩ） のウィッティヒ反応剤を反応させ、酸で加水分解する工
程を（ｎ＋１）回繰り返すことにより、一般式（ＶＩ
Ｉ）の化合物を得ることができる。ここで最初の加水分
解工程の際には次いで塩基によりシクロヘキサン環をト
ランス配置に異性化させておくことが好ましい。
程を（ｎ＋１）回繰り返すことにより、一般式（ＶＩ
Ｉ）の化合物を得ることができる。ここで最初の加水分
解工程の際には次いで塩基によりシクロヘキサン環をト
ランス配置に異性化させておくことが好ましい。
【００４２】一般式（ＩＩ）においてＸ1〜Ｘ4が水素原
子（Ｈ）あるいは重水素原子（Ｄ）である化合物からな
る混合物の場合には、一般式（Ｘ）に換えて、一般式
（ＩＸ）の化合物からなる混合物を用い、同様にして製
造することができる。
子（Ｈ）あるいは重水素原子（Ｄ）である化合物からな
る混合物の場合には、一般式（Ｘ）に換えて、一般式
（ＩＸ）の化合物からなる混合物を用い、同様にして製
造することができる。
【００４３】斯くして製造された本発明の化合物を液晶
組成物中に添加することにより得られる効果は以下の通
りである。一般式（Ｉ）で表わされる化合物の中で代表
的な化合物の一つである式（Ｉａａ−１）（ただし、ト
ランス／シス＝１４／８６の混合物である。）の化合物
及び式（Ｉｂａ−１）の化合物
組成物中に添加することにより得られる効果は以下の通
りである。一般式（Ｉ）で表わされる化合物の中で代表
的な化合物の一つである式（Ｉａａ−１）（ただし、ト
ランス／シス＝１４／８６の混合物である。）の化合物
及び式（Ｉｂａ−１）の化合物
【００４４】
【化１６】
【００４５】及び汎用のホスト液晶組成物（Ｍ）
【００４６】
【化１７】
【００４７】（式中、「％」は「重量％」を表わす。）
を用いて液晶組成物を調整する。ホスト液晶（Ｍ）のネ
マチック相上限温度（ＴN-I）とその粘度及び屈折率異
方性（Δｎ）は以下の通りである。
を用いて液晶組成物を調整する。ホスト液晶（Ｍ）のネ
マチック相上限温度（ＴN-I）とその粘度及び屈折率異
方性（Δｎ）は以下の通りである。
【００４８】ホスト液晶（Ｍ） ＴN-I： ５４．５℃ 粘度： ２１．０ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０９２ ここで粘度及び屈折率異方性は２０℃における測定値で
ある。
ある。
【００４９】このホスト液晶（Ｍ）８０重量％及び上記
式（Ｉａａ−１）の化合物２０重量％からなる液晶組成
物（Ｍ−ａ）、ホスト液晶（Ｍ）８０重量％及び上記式
（Ｉｂａ−１）の化合物２０重量％からなる液晶組成物
（Ｍ−ｂ）を調整した。
式（Ｉａａ−１）の化合物２０重量％からなる液晶組成
物（Ｍ−ａ）、ホスト液晶（Ｍ）８０重量％及び上記式
（Ｉｂａ−１）の化合物２０重量％からなる液晶組成物
（Ｍ−ｂ）を調整した。
【００５０】（Ｍ−ａ）及び（Ｍ−ｂ）の測定値は以下
の通りであった。 （Ｍ−ａ） ＴN-I： ４９．７℃ 粘度（２０℃）： １４．７ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８３ （Ｍ−ｂ） ＴN-I： ５７．３℃ 粘度（２０℃）： １２．０ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ 従って、式（Ｉａａ−１）の化合物の添加により、その
ＴN-Iは若干低下しているけれどもその粘度を効果的に
低減し、Δｎもかなり小さくできていることがわかる。
また、式（Ｉｂａ−１）の化合物の添加では、Δｎの減
少度合いはそれほどでもないが、ＴN-Iはむしろ上昇し
ており、粘度も更に低減されていることがわかる。
の通りであった。 （Ｍ−ａ） ＴN-I： ４９．７℃ 粘度（２０℃）： １４．７ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８３ （Ｍ−ｂ） ＴN-I： ５７．３℃ 粘度（２０℃）： １２．０ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ 従って、式（Ｉａａ−１）の化合物の添加により、その
ＴN-Iは若干低下しているけれどもその粘度を効果的に
低減し、Δｎもかなり小さくできていることがわかる。
また、式（Ｉｂａ−１）の化合物の添加では、Δｎの減
少度合いはそれほどでもないが、ＴN-Iはむしろ上昇し
ており、粘度も更に低減されていることがわかる。
【００５１】次にアクティブマトリックス駆動用として
好適なホスト液晶（Ｈ）
好適なホスト液晶（Ｈ）
【００５２】
【化１８】
【００５３】（式中、「％」は「重量％」を表わす。）
７０重量％及び式（Ｉｂａ−１）の化合物を３０重量％
からなる液晶組成物（Ｈ−ｂ）を調製した。ホスト液晶
（Ｈ）及び（Ｈ−ｂ）の測定値は以下の通りであった。
７０重量％及び式（Ｉｂａ−１）の化合物を３０重量％
からなる液晶組成物（Ｈ−ｂ）を調製した。ホスト液晶
（Ｈ）及び（Ｈ−ｂ）の測定値は以下の通りであった。
【００５４】ホスト液晶（Ｈ） ＴN-I： １１６．７℃ 粘度： １９．８ｃｐ （Ｈ−ｂ） ＴN-I： ９６．０℃ 粘度： １３．０ｃｐ 従って、やはり大幅な粘度の低減効果が得られることが
わかる。
わかる。
【００５５】また、この（Ｈ−ｂ）を０℃及び−３０℃
で保存したところ、０℃では１週間放置しても結晶の析
出や相分離は観察できなかったが、−３０℃では結晶が
析出し、１週間以内に完全に結晶化した。この融点を測
定すると約３℃であった。
で保存したところ、０℃では１週間放置しても結晶の析
出や相分離は観察できなかったが、−３０℃では結晶が
析出し、１週間以内に完全に結晶化した。この融点を測
定すると約３℃であった。
【００５６】次に、式（ＩＩｂａ−１）
【００５７】
【化１９】
【００５８】で表わされる化合物のＸ1〜Ｘ4が水素ある
いは重水素である化合物からなる混合物（平均重水素化
率８２％）３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％
からなる組成物（Ｈ−ｂ’）を調製した。この（Ｈ−
ｂ’）のＴN-I及び粘度は（Ｈ−ｂ）と大きな変化はな
かったが、同様に低温で放置して結晶化させその融点を
測定したところ、約０℃であった。従って、一般式
（Ｉ）の化合物に換えて、一般式（ＩＩ）の化合物から
なる混合物を用いることにより、融点を低下させ低温保
存性を更に改善できることがわかる。
いは重水素である化合物からなる混合物（平均重水素化
率８２％）３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％
からなる組成物（Ｈ−ｂ’）を調製した。この（Ｈ−
ｂ’）のＴN-I及び粘度は（Ｈ−ｂ）と大きな変化はな
かったが、同様に低温で放置して結晶化させその融点を
測定したところ、約０℃であった。従って、一般式
（Ｉ）の化合物に換えて、一般式（ＩＩ）の化合物から
なる混合物を用いることにより、融点を低下させ低温保
存性を更に改善できることがわかる。
【００５９】これに対して、式（Ｉｂａ−１）の化合物
に対応するが、重水素置換されていない化合物である式
（ＶＩｂ−１）
に対応するが、重水素置換されていない化合物である式
（ＶＩｂ−１）
【００６０】
【化２０】
【００６１】の化合物３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）
７０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−Ｒ）を調製した。
この（Ｈ−Ｒ）のＴN-I及び粘度はやはり（Ｈ−ｂ）と
大きな変化はなかったが、同様に低温で放置したとこ
ろ、０℃でも１週間以内に結晶の析出が観察された。更
に完全に結晶化させその融点を測定したところ、約７℃
であった。
７０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−Ｒ）を調製した。
この（Ｈ−Ｒ）のＴN-I及び粘度はやはり（Ｈ−ｂ）と
大きな変化はなかったが、同様に低温で放置したとこ
ろ、０℃でも１週間以内に結晶の析出が観察された。更
に完全に結晶化させその融点を測定したところ、約７℃
であった。
【００６２】以上のように本発明の一般式（Ｉ）の化合
物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物が、
粘度の低減や屈折率異方性の低下に優れた効果を示し、
かつ対応する重水素置換されていない化合物と比較して
優れた低温安定性を示すことが明らかである。
物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物が、
粘度の低減や屈折率異方性の低下に優れた効果を示し、
かつ対応する重水素置換されていない化合物と比較して
優れた低温安定性を示すことが明らかである。
【００６３】従って、一般式（Ｉ）の化合物あるいは一
般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物は、他のネマチッ
ク液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴ
Ｎ型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速
応答性の材料として好適に使用することができる。また
一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物
からなる混合物は分子内に強い極性基を持たないので、
大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であ
り、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分
として使用することも可能である。本発明はこのように
一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物
からなる混合物の少なくとも１種類をその構成成分とし
て含有する液晶組成物をも提供するものである。
般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物は、他のネマチッ
ク液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴ
Ｎ型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速
応答性の材料として好適に使用することができる。また
一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物
からなる混合物は分子内に強い極性基を持たないので、
大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であ
り、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分
として使用することも可能である。本発明はこのように
一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物
からなる混合物の少なくとも１種類をその構成成分とし
て含有する液晶組成物をも提供するものである。
【００６４】この組成物中において、一般式（Ｉ）の化
合物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物と
混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の
好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４
−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４
−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸
４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサ
ンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−
（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニ
ル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換
シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４
−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’
−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロ
ヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置
換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）
エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換
シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−
（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフ
ェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシク
ロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エ
チル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換
ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−
４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニル
エチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニ
ルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼ
ン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、
２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン
及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有
する化合物等を挙げることができる。
合物あるいは一般式（ＩＩ）の化合物からなる混合物と
混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の
好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４
−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４
−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸
４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサ
ンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−
（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニ
ル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換
シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４
−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’
−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロ
ヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置
換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）
エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換
シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−
（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフ
ェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシク
ロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エ
チル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換
ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−
４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニル
エチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニ
ルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼ
ン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、
２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン
及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有
する化合物等を挙げることができる。
【００６５】このうちアクティブマトリックス駆動用と
しては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シク
ロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシ
クロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）
エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘ
キシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、
４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘ
キシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置
換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、
４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサ
ン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−
４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘ
キシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼ
ン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−
置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニ
ル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチ
ニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び
上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物
が適している。
しては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シク
ロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシ
クロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）
エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘ
キシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、
４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘ
キシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置
換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、
４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサ
ン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−
４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘ
キシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼ
ン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−
置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニ
ル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチ
ニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び
上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物
が適している。
【００６６】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００６７】化合物の構造は、重水素化されていない既
知の化合物と、キャピラリーガスクロマトグラフ及び薄
層クロマトグラフを比較しほぼ同一の保持時間（あるい
はＲｆ値）を示すこと、及び核磁気共鳴スペクトル（Ｎ
ＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）、赤外吸収スペクトル
（ＩＲ）等により確認した。また重水素化率（Ｄ化率）
は日本電子（株）製ＮＭＲ（ＪＮＭ−ＧＳＸ４００（４
００ＭＨｚ1Ｈ））により測定したが、その測定は一般
式（ＩＸ）の化合物あるいは一般式（Ｘ）の混合物につ
いて行い、一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式（Ｉ
Ｉ）の化合物からなる混合物のＤ化率は中間体として用
いた一般式（ＩＸ）の化合物あるいは一般式（Ｘ）の混
合物のＤ化率と等しいとみなした。また、組成物の
「％」は「重量％」を表わす。 （参考例１） トランス−４’−プロピルビシクロヘ
キサン−４−オンの重水素化 ナトリウムメトキシド６．０ｇを重水（Ｄ化率：９９．
８％）５０ｍｌに溶解した。これにジクロロメタン５０
ｍｌに溶解したトランス−４−プロピルビシクロヘキサ
ン−４−オン５０ｇを加え、更に臭化テトラブチルアン
モニウム０．２５ｇを加えて１時間溶媒の還流温度で加
熱攪拌した。放冷静置後、有機層を分離し、重水層はジ
クロロメタンで抽出した後回収した。有機層を併せ、水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。
知の化合物と、キャピラリーガスクロマトグラフ及び薄
層クロマトグラフを比較しほぼ同一の保持時間（あるい
はＲｆ値）を示すこと、及び核磁気共鳴スペクトル（Ｎ
ＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）、赤外吸収スペクトル
（ＩＲ）等により確認した。また重水素化率（Ｄ化率）
は日本電子（株）製ＮＭＲ（ＪＮＭ−ＧＳＸ４００（４
００ＭＨｚ1Ｈ））により測定したが、その測定は一般
式（ＩＸ）の化合物あるいは一般式（Ｘ）の混合物につ
いて行い、一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式（Ｉ
Ｉ）の化合物からなる混合物のＤ化率は中間体として用
いた一般式（ＩＸ）の化合物あるいは一般式（Ｘ）の混
合物のＤ化率と等しいとみなした。また、組成物の
「％」は「重量％」を表わす。 （参考例１） トランス−４’−プロピルビシクロヘ
キサン−４−オンの重水素化 ナトリウムメトキシド６．０ｇを重水（Ｄ化率：９９．
８％）５０ｍｌに溶解した。これにジクロロメタン５０
ｍｌに溶解したトランス−４−プロピルビシクロヘキサ
ン−４−オン５０ｇを加え、更に臭化テトラブチルアン
モニウム０．２５ｇを加えて１時間溶媒の還流温度で加
熱攪拌した。放冷静置後、有機層を分離し、重水層はジ
クロロメタンで抽出した後回収した。有機層を併せ、水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。
【００６８】溶媒を溜去してシクロヘキサノン環の３位
及び／又は５位が重水素置換されたトランス−４’−プ
ロピルビシクロヘキサン−４−オンの混合物５０．９ｇ
を得た。ＮＭＲによりそのＤ化率を測定したところ約８
２％であった。 （参考例２） トランス−４’−プロピルビシクロヘ
キサン−４−オンの完全重水素化 参考例１において、静置後、分離した重水層を除去し、
新たに重水（Ｄ化率：９９．８％）５０ｍｌ、ナトリウ
ムメトキシド４．０ｇ及び臭化テトラブチルアンモニウ
ム０．１５ｇを加えて１時間加熱還流させた。この操作
を更に２回繰り返した。参考例１と同様に後処理して、
３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’−プロピルビシ
クロヘキサン−４−オン４９．８ｇを得た。ＮＭＲによ
りそのＤ化率を測定したところ９９％以上であった。 （参考例３） ３，３，５，５−ｄ4−トランス−
４’−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カル
バルデヒドの合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム５２ｇを
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１６０ｍｌに懸濁させ
た。これを氷冷し、ｔ−ブトキシカリウム１７ｇをゆっ
くり添加し、０℃で１時間攪拌した。参考例１で得られ
た３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’−プロピルビ
シクロヘキサン−４−オン２４ｇをＴＨＦ１２０ｍｌに
溶解し、同温度で３０分間で滴下した。更に３０分間攪
拌した後、室温に戻し、水１００ｍｌを加えた。水層を
分液除去し、有機層を濃縮し、ヘキサン１００ｍｌを加
え、不溶物を濾別した。沈澱はヘキサンで洗滌し、濾液
を集め濃縮した。得られた油状の粗生成物をＴＨＦ１５
０ｍｌに溶解し、１０％塩酸１００ｍｌを加え、１時間
加熱攪拌した。放冷後、酢酸エチル１００ｍｌで２回抽
出し、水で洗滌した後、溶媒を溜去した。得られた油状
物をエタノール２００ｍｌに溶解し、２０％水酸化ナト
リウム水溶液２０ｍｌを加え、２時間攪拌した。水２０
０ｍｌを加え、析出した沈澱を濾過した。沈澱は水１０
０ｍｌ、次いでメタノール１００ｍｌで洗浄し、更に減
圧下に乾燥して３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’
−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カルバル
デヒドの白色結晶２３．１ｇを得た。
及び／又は５位が重水素置換されたトランス−４’−プ
ロピルビシクロヘキサン−４−オンの混合物５０．９ｇ
を得た。ＮＭＲによりそのＤ化率を測定したところ約８
２％であった。 （参考例２） トランス−４’−プロピルビシクロヘ
キサン−４−オンの完全重水素化 参考例１において、静置後、分離した重水層を除去し、
新たに重水（Ｄ化率：９９．８％）５０ｍｌ、ナトリウ
ムメトキシド４．０ｇ及び臭化テトラブチルアンモニウ
ム０．１５ｇを加えて１時間加熱還流させた。この操作
を更に２回繰り返した。参考例１と同様に後処理して、
３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’−プロピルビシ
クロヘキサン−４−オン４９．８ｇを得た。ＮＭＲによ
りそのＤ化率を測定したところ９９％以上であった。 （参考例３） ３，３，５，５−ｄ4−トランス−
４’−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カル
バルデヒドの合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム５２ｇを
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１６０ｍｌに懸濁させ
た。これを氷冷し、ｔ−ブトキシカリウム１７ｇをゆっ
くり添加し、０℃で１時間攪拌した。参考例１で得られ
た３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’−プロピルビ
シクロヘキサン−４−オン２４ｇをＴＨＦ１２０ｍｌに
溶解し、同温度で３０分間で滴下した。更に３０分間攪
拌した後、室温に戻し、水１００ｍｌを加えた。水層を
分液除去し、有機層を濃縮し、ヘキサン１００ｍｌを加
え、不溶物を濾別した。沈澱はヘキサンで洗滌し、濾液
を集め濃縮した。得られた油状の粗生成物をＴＨＦ１５
０ｍｌに溶解し、１０％塩酸１００ｍｌを加え、１時間
加熱攪拌した。放冷後、酢酸エチル１００ｍｌで２回抽
出し、水で洗滌した後、溶媒を溜去した。得られた油状
物をエタノール２００ｍｌに溶解し、２０％水酸化ナト
リウム水溶液２０ｍｌを加え、２時間攪拌した。水２０
０ｍｌを加え、析出した沈澱を濾過した。沈澱は水１０
０ｍｌ、次いでメタノール１００ｍｌで洗浄し、更に減
圧下に乾燥して３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’
−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カルバル
デヒドの白色結晶２３．１ｇを得た。
【００６９】同様にして、参考例１で得られた混合物か
らシクロヘキサン環の３位及び／又は５位が重水素置換
されたトランス−４’−プロピルビシクロヘキサン−ト
ランス−４−カルバルデヒドの混合物を得た。 （実施例１） ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４
−（２，２−ジフルオロ）エテニル−トランス−４’−
プロピルビシクロヘキサン（式（Ｉｂａ−１）の化合
物）の合成
らシクロヘキサン環の３位及び／又は５位が重水素置換
されたトランス−４’−プロピルビシクロヘキサン−ト
ランス−４−カルバルデヒドの混合物を得た。 （実施例１） ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４
−（２，２−ジフルオロ）エテニル−トランス−４’−
プロピルビシクロヘキサン（式（Ｉｂａ−１）の化合
物）の合成
【００７０】
【化２１】
【００７１】参考例３で得られた３，３，５，５−ｄ4
−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン−トラン
ス−４−カルバルデヒド３２ｇ及びトリフェニルホスフ
ィン３９ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
１２０ｍｌ中に加え、１００℃に加熱撹拌した。これに
ＤＭＦ２００ｍｌに懸濁させたクロロジフルオロ酢酸ナ
トリウム５０ｇを同温度で２時間かけて滴下した。放冷
後、トルエン２００ｍｌを加え、稀塩酸、水次いで飽和
食塩水で順次洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥
後、溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して３，３，
５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフルオロ）
エテニル−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
の精製物１２ｇを得た。これは室温でスメクチック液晶
相を示し、２３．５℃でネマチック相に転移し、３６．
５℃で等方性液体相となった。
−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン−トラン
ス−４−カルバルデヒド３２ｇ及びトリフェニルホスフ
ィン３９ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
１２０ｍｌ中に加え、１００℃に加熱撹拌した。これに
ＤＭＦ２００ｍｌに懸濁させたクロロジフルオロ酢酸ナ
トリウム５０ｇを同温度で２時間かけて滴下した。放冷
後、トルエン２００ｍｌを加え、稀塩酸、水次いで飽和
食塩水で順次洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥
後、溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して３，３，
５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフルオロ）
エテニル−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
の精製物１２ｇを得た。これは室温でスメクチック液晶
相を示し、２３．５℃でネマチック相に転移し、３６．
５℃で等方性液体相となった。
【００７２】同様にして重水素置換されたトランス−
４’−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カル
バルデヒドの混合物から、シクロヘキサン環の３位及び
５位が重水素置換されたトランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−プロピルビシクロ
ヘキサン（ＩＩｂａ−１）の混合物を得た。
４’−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カル
バルデヒドの混合物から、シクロヘキサン環の３位及び
５位が重水素置換されたトランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−プロピルビシクロ
ヘキサン（ＩＩｂａ−１）の混合物を得た。
【００７３】同様に３，３，５，５−ｄ4−トランス−
４’−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カル
バルデヒドに換えて他の重水素置換されたシクロヘキサ
ン−４−カルバルデヒド誘導体を用いることにより以下
の化合物を得る。
４’−プロピルビシクロヘキサン−トランス−４−カル
バルデヒドに換えて他の重水素置換されたシクロヘキサ
ン−４−カルバルデヒド誘導体を用いることにより以下
の化合物を得る。
【００７４】３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−
（２，２−ジフルオロ）エテニル−トランス−４’−エ
チルビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−ブチルビシクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−ペンチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−ヘプチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−エチ
ルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−プロ
ピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ブチ
ルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ペン
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ヘプ
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−プロピルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−ブチルフェニル）シクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−ペンチルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−ヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン 同様に３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’−プロピ
ルビシクロヘキサン−トランス−４−カルバルデヒドに
換えて他の重水素置換されたシクロヘキサン−４−アル
カナール誘導体を用いることにより以下の化合物を得
る。
（２，２−ジフルオロ）エテニル−トランス−４’−エ
チルビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−ブチルビシクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−ペンチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−ヘプチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−エチ
ルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−プロ
ピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ブチ
ルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ペン
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ヘプ
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−プロピルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−ブチルフェニル）シクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−ペンチルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロ）エテニル−１−（４−ヘプチルフェニル）シク
ロヘキサン 同様に３，３，５，５−ｄ4−トランス−４’−プロピ
ルビシクロヘキサン−トランス−４−カルバルデヒドに
換えて他の重水素置換されたシクロヘキサン−４−アル
カナール誘導体を用いることにより以下の化合物を得
る。
【００７５】３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−
（３，３−ジフルオロ−２−プロぺニル）−トランス−
４’−エチルビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−プロピル
ビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−ブチルビ
シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−ペンチル
ビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−ヘプチル
ビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−エチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−ブチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−ヘプチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−プロピルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−ブチルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−ペンチルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−ヘプチルフェニ
ル）シクロヘキサン （実施例２） ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４
−（２−フルオロ）エテニル−トランス−４’−プロピ
ルビシクロヘキサン（式（Ｉａａ−１）の化合物）の合
成
（３，３−ジフルオロ−２−プロぺニル）−トランス−
４’−エチルビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−プロピル
ビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−ブチルビ
シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−ペンチル
ビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−ヘプチル
ビシクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−エチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−ブチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−
（４−ヘプチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−エチルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−プロピルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−ブチルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−ペンチルフェニ
ル）シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロぺニル）−１−（４−ヘプチルフェニ
ル）シクロヘキサン （実施例２） ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４
−（２−フルオロ）エテニル−トランス−４’−プロピ
ルビシクロヘキサン（式（Ｉａａ−１）の化合物）の合
成
【００７６】
【化２２】
【００７７】実施例１で得られた３，３，５，５−ｄ4
−トランス−４−（２，２−ジフルオロ）エテニル−ト
ランス−４’−プロピルビシクロヘキサン８２ｇをトル
エン３０ｍｌに溶解し、５℃に冷却した。これに水素化
ジ（メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム２０％
トルエン溶液７０ｍｌに３０分間で滴下した。６０時間
加熱還流させた後、室温に戻し、稀塩酸を加えて過剰の
水素化物を分解し、トルエンで抽出した。有機層をあわ
せて水次いで飽和食塩水で洗滌し無水硫酸ナトリウムで
脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用い
て精製し更にエタノールから−３０℃以下の低温で再結
晶させて３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−
フルオロ）エテニル−トランス−４’−プロピルビシク
ロヘキサンの精製物５．３ｇを得た。これはトランス／
シス＝１４／８６の混合物であったが、室温でスメクチ
ック液晶相を示し、４０℃でネマチック相に転移し、７
０℃で等方性液体相となった。
−トランス−４−（２，２−ジフルオロ）エテニル−ト
ランス−４’−プロピルビシクロヘキサン８２ｇをトル
エン３０ｍｌに溶解し、５℃に冷却した。これに水素化
ジ（メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム２０％
トルエン溶液７０ｍｌに３０分間で滴下した。６０時間
加熱還流させた後、室温に戻し、稀塩酸を加えて過剰の
水素化物を分解し、トルエンで抽出した。有機層をあわ
せて水次いで飽和食塩水で洗滌し無水硫酸ナトリウムで
脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用い
て精製し更にエタノールから−３０℃以下の低温で再結
晶させて３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−
フルオロ）エテニル−トランス−４’−プロピルビシク
ロヘキサンの精製物５．３ｇを得た。これはトランス／
シス＝１４／８６の混合物であったが、室温でスメクチ
ック液晶相を示し、４０℃でネマチック相に転移し、７
０℃で等方性液体相となった。
【００７８】同様に実施例１で得られた各化合物から以
下の化合物を得る。 ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−エチルビシクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−プロピルビシクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−ブチルビシクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−ペンチルビシクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−ヘプチルビシクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−エチルシ
クロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−プロピル
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ブチルシ
クロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ヘプチル
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−エチルフェニル）シクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−プロピルフェニル）シクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−ブチルフェニル）シクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−ペンチルフェニル）シクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−ヘプチルフェニル）シクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−エチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−プロピルビシク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−ブチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−ペンチルビシク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−ヘプチルビシク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−エ
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−ブ
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−ヘ
プチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−エチルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−プロピルフェニル）シ
クロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−ブチルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−ペンチルフェニル）シ
クロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−ヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン （実施例３） 液晶組成物の調製 汎用のネマチックホスト液晶組成物（Ｍ）
下の化合物を得る。 ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−エチルビシクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−プロピルビシクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−ブチルビシクロヘキサ
ン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−ペンチルビシクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−ヘプチルビシクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−エチルシ
クロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−プロピル
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ブチルシ
クロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−トランス−４’−［２−（４−ヘプチル
シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−エチルフェニル）シクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−プロピルフェニル）シクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−ブチルフェニル）シクロヘキ
サン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−ペンチルフェニル）シクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（２−フルオ
ロ）エテニル−１−（４−ヘプチルフェニル）シクロヘ
キサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−エチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−プロピルビシク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−ブチルビシクロ
ヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−ペンチルビシク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−ヘプチルビシク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−エ
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−ブ
チルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−トランス−４’−［２−（４−ヘ
プチルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−エチルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−プロピルフェニル）シ
クロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−ブチルフェニル）シク
ロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−ペンチルフェニル）シ
クロヘキサン ３，３，５，５−ｄ4−トランス−４−（３−フルオロ
−２−プロぺニル）−１−（４−ヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン （実施例３） 液晶組成物の調製 汎用のネマチックホスト液晶組成物（Ｍ）
【００７９】
【化２３】
【００８０】を調製した。この組成物のネマチック相上
限温度（ＴN-I）とその粘度及び屈折率異方性（Δｎ）
は以下の通りである。 ホスト液晶（Ｍ） ＴN-I： ５４．５℃ 粘度： ２１．０ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０９２ ここで粘度及び屈折率異方性は２０℃における測定値で
ある。
限温度（ＴN-I）とその粘度及び屈折率異方性（Δｎ）
は以下の通りである。 ホスト液晶（Ｍ） ＴN-I： ５４．５℃ 粘度： ２１．０ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０９２ ここで粘度及び屈折率異方性は２０℃における測定値で
ある。
【００８１】このホスト液晶（Ｍ）８０重量％及び一般
式（Ｉ）で表わされる化合物の中で実施例２で得られた
式（Ｉａａ−１）（ただし、トランス／シス＝１４／８
６の混合物である。）、実施例１で得られた（Ｉｂａ−
１）
式（Ｉ）で表わされる化合物の中で実施例２で得られた
式（Ｉａａ−１）（ただし、トランス／シス＝１４／８
６の混合物である。）、実施例１で得られた（Ｉｂａ−
１）
【００８２】
【化２４】
【００８３】の化合物それぞれ２０重量％からなる液晶
組成物（Ｍ−ａ）及び（Ｍ−ｂ）を調製した。同様にし
て測定した（Ｍ−ａ）及び（Ｍ−ｂ）のネマチック相上
限温度（ＴN-I）とその粘度及び屈折率異方性（Δｎ）
は以下の通りであった。
組成物（Ｍ−ａ）及び（Ｍ−ｂ）を調製した。同様にし
て測定した（Ｍ−ａ）及び（Ｍ−ｂ）のネマチック相上
限温度（ＴN-I）とその粘度及び屈折率異方性（Δｎ）
は以下の通りであった。
【００８４】（Ｍ−ａ） ＴN-I： ４９．７℃ 粘度（２０℃）： １４．７ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８３ （Ｍ−ｂ） ＴN-I： ５７．３℃ 粘度（２０℃）： １２．０ｃｐ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ 従って、（Ｉａａ−１）の添加によりそのＴN-Iは若干
低下しているけれどもその粘度を効果的に低減し、Δｎ
もかなり小さくできていることがわかる。また、（Ｉｂ
ａ−１）の添加ではΔｎの減少度合いはそれほどでもな
いが、ＴN-Iはむしろ上昇しており、粘度も更に低減さ
れていることがわかる。
低下しているけれどもその粘度を効果的に低減し、Δｎ
もかなり小さくできていることがわかる。また、（Ｉｂ
ａ−１）の添加ではΔｎの減少度合いはそれほどでもな
いが、ＴN-Iはむしろ上昇しており、粘度も更に低減さ
れていることがわかる。
【００８５】次に、アクティブマトリックス駆動用とし
て好適なネマチックホスト液晶組成物（Ｈ）
て好適なネマチックホスト液晶組成物（Ｈ）
【００８６】
【化２５】
【００８７】を調製した。この組成物のネマチック相上
限温度（ＴN-I）及びその粘度は以下の通りである。 ホスト液晶（Ｈ） ＴN-I： １１６．７℃ 粘度： １９．８ｃｐ このホスト液晶（Ｈ）７０重量％及び式（Ｉｂａ−１）
の化合物３０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−ｂ）を調
製した。同様に測定した（Ｈ−ｂ）のネマチック相上限
温度（ＴN-I）及びその粘度は以下の通りであった。
限温度（ＴN-I）及びその粘度は以下の通りである。 ホスト液晶（Ｈ） ＴN-I： １１６．７℃ 粘度： １９．８ｃｐ このホスト液晶（Ｈ）７０重量％及び式（Ｉｂａ−１）
の化合物３０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−ｂ）を調
製した。同様に測定した（Ｈ−ｂ）のネマチック相上限
温度（ＴN-I）及びその粘度は以下の通りであった。
【００８８】（Ｈ−ｂ） ＴN-I： ９６．０℃ 粘度： １３．０ｃｐ 従って、やはり大幅な粘度の低減効果が得られることが
わかる。
わかる。
【００８９】次に実施例１で得られた式（ＩＩｂａ−
１）
１）
【００９０】
【化２６】
【００９１】で表わされる化合物のＸ1〜Ｘ4が水素ある
いは重水素である化合物からなる混合物（平均重水素化
率８２％）３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％
からなる組成物（Ｈ−ｂ’）を調製した。同様に測定し
た（Ｈ−ｂ）のＴN-I及びその粘度は以下の通りで（Ｈ
−ｂ）と比較して、ほとんど変化がなかった。。
いは重水素である化合物からなる混合物（平均重水素化
率８２％）３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量％
からなる組成物（Ｈ−ｂ’）を調製した。同様に測定し
た（Ｈ−ｂ）のＴN-I及びその粘度は以下の通りで（Ｈ
−ｂ）と比較して、ほとんど変化がなかった。。
【００９２】（Ｈ−ｂ’） ＴN-I： ９６．０℃ 粘度： １３．０ｃｐ （実施例４） 組成物の低温保存試験 実施例３で調製した組成物（Ｈ−ｂ）及び（Ｈ−ｂ’）
を０℃及び−３０℃で保存した。ともに０℃では１週間
放置しても結晶の析出や相分離は観察できなかったが、
−３０℃では結晶が析出し、１週間以内に完全に結晶化
した。この融点を測定したところ、（Ｈ−ｂ）では約３
℃、（Ｈ−ｂ’）では約０℃であった。
を０℃及び−３０℃で保存した。ともに０℃では１週間
放置しても結晶の析出や相分離は観察できなかったが、
−３０℃では結晶が析出し、１週間以内に完全に結晶化
した。この融点を測定したところ、（Ｈ−ｂ）では約３
℃、（Ｈ−ｂ’）では約０℃であった。
【００９３】従って、一般式（Ｉ）の化合物に換えて、
一般式（ＩＩ）からなる混合物を用いることにより、融
点を低下させ、低温保存性を更に改善できることがわか
る。 （比較例）式（Ｉｂａ−１）の化合物に対応するが、重
水素置換されていない化合物である式（ＶＩｂ−１）
一般式（ＩＩ）からなる混合物を用いることにより、融
点を低下させ、低温保存性を更に改善できることがわか
る。 （比較例）式（Ｉｂａ−１）の化合物に対応するが、重
水素置換されていない化合物である式（ＶＩｂ−１）
【００９４】
【化２７】
【００９５】３０重量％及びホスト液晶（Ｈ）７０重量
％からなる液晶組成物（Ｈ−Ｒ）を調製した。同様に測
定した（Ｈ−Ｒ）のＴN-I及びその粘度は以下の通り
で、（Ｈ−ｂ）と比べてほとんど変化がなかった。。
％からなる液晶組成物（Ｈ−Ｒ）を調製した。同様に測
定した（Ｈ−Ｒ）のＴN-I及びその粘度は以下の通り
で、（Ｈ−ｂ）と比べてほとんど変化がなかった。。
【００９６】 ＴN-I： ９６．２℃ 粘度： １３．０ｃｐ これを実施例４と同様に低温で放置したところ、０℃で
も１週間以内に結晶の析出が観察された。更に完全に結
晶化させその融点を測定したところ、約７℃であった。
従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式
（ＩＩ）の化合物からなる混合物が、対応する重水素置
換されていない化合物と比較して優れた低温安定性を示
すことがわかる。
も１週間以内に結晶の析出が観察された。更に完全に結
晶化させその融点を測定したところ、約７℃であった。
従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物あるいは一般式
（ＩＩ）の化合物からなる混合物が、対応する重水素置
換されていない化合物と比較して優れた低温安定性を示
すことがわかる。
【００９７】
【発明の効果】本発明により提供される、シクロヘキサ
ン環が重水素原子（Ｄ）で置換された（フルオロアルケ
ニル）シクロヘキサン誘導体及びこれらの混合物は、実
施例にも示したように市販の入手容易な化合物から工業
的にも容易に製造することができる。得られた化合物あ
るいは混合物を含有する液晶組成物は、低粘性で液晶温
度範囲が広く、かつ対応する重水素置換されていない液
晶性化合物を用いた場合と比較して融点が低く低温での
保存安定性に優れるため、実用的液晶として極めて有用
である。
ン環が重水素原子（Ｄ）で置換された（フルオロアルケ
ニル）シクロヘキサン誘導体及びこれらの混合物は、実
施例にも示したように市販の入手容易な化合物から工業
的にも容易に製造することができる。得られた化合物あ
るいは混合物を含有する液晶組成物は、低粘性で液晶温
度範囲が広く、かつ対応する重水素置換されていない液
晶性化合物を用いた場合と比較して融点が低く低温での
保存安定性に優れるため、実用的液晶として極めて有用
である。
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原
子数１〜１２のアルコキシル基、炭素原子数２〜１２の
アルケニル基又は炭素原子数１〜７のアルコキシル基に
より置換された炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わ
し、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基ある
いは１個又は２個のフッ素原子により置換されていても
よい１，４−フェニレン基を表わし、Ｚは単結合又は−
ＣＨ2ＣＨ2−を表わし、ｎは０、１、２、３又は４の整
数を表わし、Ｙはフッ素又は水素原子を表わす。）で表
わされる重水素置換されたシクロヘキサン誘導体。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）において、環Ａがトランス
−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン
基を表わし、Ｒが炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基
を表わすことを特徴とする請求項１記載の重水素置換さ
れたシクロヘキサン誘導体。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）において、Ｚが単結合を表
わし、ｎが０を表わすことを特徴とする請求項２記載の
重水素置換されたシクロヘキサン誘導体。 - 【請求項４】 一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原
子数１〜１２のアルコキシル基、炭素原子数２〜１２の
アルケニル基又は炭素原子数１〜７のアルコキシル基に
より置換された炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わ
し、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基ある
いは１個又は２個のフッ素原子により置換されていても
よい１，４−フェニレン基を表わし、Ｚは単結合又は−
ＣＨ2ＣＨ2−を表わし、Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ独立的に水
素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わし、ｎは０、
１、２、３又は４の整数を表わし、Ｙはフッ素又は水素
原子を表わす。）で表わされるシクロヘキサン誘導体に
おいて、Ｘ1〜Ｘ4が水素原子（Ｈ）あるいは重水素原子
（Ｄ）である化合物からなる混合物。 - 【請求項５】 一般式（ＩＩ）において、環Ａがトラン
ス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレ
ン基を表わし、Ｒが炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル
基を表わすことを特徴とする請求項４記載の混合物。 - 【請求項６】 一般式（ＩＩ）において、Ｚが単結合を
表わし、ｎが０を表わすことを特徴とする請求項４記載
の混合物。 - 【請求項７】 請求項１、２又は３記載の重水素置換さ
れた化合物あるいは請求項４、５又は６記載の混合物を
含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8107297A JPH09291048A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | シクロヘキサン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8107297A JPH09291048A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | シクロヘキサン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09291048A true JPH09291048A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14455536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8107297A Pending JPH09291048A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | シクロヘキサン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09291048A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103194242A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-10 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 含有氘的液晶化合物及其制备方法与应用 |
| US8765011B2 (en) | 2011-05-10 | 2014-07-01 | Jnc Corporation | Fluorovinyl derivative, liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| CN115418233A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶组合物与显示面板 |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP8107297A patent/JPH09291048A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8765011B2 (en) | 2011-05-10 | 2014-07-01 | Jnc Corporation | Fluorovinyl derivative, liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| CN103194242A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-10 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 含有氘的液晶化合物及其制备方法与应用 |
| CN115418233A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶组合物与显示面板 |
| CN115418233B (zh) * | 2022-08-30 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶组合物与显示面板 |
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