JPH09293213A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH09293213A JPH09293213A JP10787796A JP10787796A JPH09293213A JP H09293213 A JPH09293213 A JP H09293213A JP 10787796 A JP10787796 A JP 10787796A JP 10787796 A JP10787796 A JP 10787796A JP H09293213 A JPH09293213 A JP H09293213A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果素子部と記録用磁極の位置合わ
せ精度を向上し, ヘッドの微細化と高精度化を図る。 【解決手段】 １）磁気読み取り用として，下部磁気シ
ールドと上部磁気シールドで挟まれた磁気抵抗効果素子
を有し，磁気記録用として，下部磁極となる該上部磁気
シールドに磁極コアコンタクト部で接続された上部磁極
と，該磁極コアコンタクト部の回りに巻かれたライトコ
イルとを有し，該上部磁気シールドと該磁気抵抗効果素
子との間に絶縁膜で挟さまれた第３の磁気シールドが設
けられている磁気ヘッド， ２）前記１の磁気ヘッドにおいて，前記磁極コアコンタ
クト部に磁極コアコンタクト用盛り上げパターンを介し
て前記上部磁気シールドが形成され，前記上部磁極が平
坦化されている磁気ヘッド。
せ精度を向上し, ヘッドの微細化と高精度化を図る。 【解決手段】 １）磁気読み取り用として，下部磁気シ
ールドと上部磁気シールドで挟まれた磁気抵抗効果素子
を有し，磁気記録用として，下部磁極となる該上部磁気
シールドに磁極コアコンタクト部で接続された上部磁極
と，該磁極コアコンタクト部の回りに巻かれたライトコ
イルとを有し，該上部磁気シールドと該磁気抵抗効果素
子との間に絶縁膜で挟さまれた第３の磁気シールドが設
けられている磁気ヘッド， ２）前記１の磁気ヘッドにおいて，前記磁極コアコンタ
クト部に磁極コアコンタクト用盛り上げパターンを介し
て前記上部磁気シールドが形成され，前記上部磁極が平
坦化されている磁気ヘッド。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハードディスクドラ
イブ(HDD) 装置に用いられる磁気ヘッド及びその製造方
法に関する。
イブ(HDD) 装置に用いられる磁気ヘッド及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は磁気ヘッドの従来例の斜視図, 図
８は磁気ヘッドの従来例の一部断面を示す斜視図であ
る。
８は磁気ヘッドの従来例の一部断面を示す斜視図であ
る。
【０００３】図において， 1は磁気抵抗効果(MR)素子,
2は下部磁気シールド, 3は上部磁気シールド (下部磁
極を兼ねる), 4 は書き込み用のライトポール (上部磁
極),5 はライトコイル, 6はライト電極, 7はMRリード
電極, 8はライトギャップ, 9はライトギャップスロー
プ, 10は磁極コアコンタクト部である。
2は下部磁気シールド, 3は上部磁気シールド (下部磁
極を兼ねる), 4 は書き込み用のライトポール (上部磁
極),5 はライトコイル, 6はライト電極, 7はMRリード
電極, 8はライトギャップ, 9はライトギャップスロー
プ, 10は磁極コアコンタクト部である。
【０００４】次に, その構造を説明する。下部磁気シー
ルド 2と上部磁気シールド 3の間に磁気抵抗効果素子 1
がある。上部磁気シールド 3と接続された書き込み用の
上部磁極 4があり，磁極コアコンタクト部10にはライト
コイル 5が巻かれている。磁気抵抗効果素子 1にはMRリ
ード電極 7が接続されている。ハードデイスクドライブ
(HDD) 装置内では, このような磁気ヘッドにより記録媒
体である磁気ディスクに記録及び読み取りを行う。
ルド 2と上部磁気シールド 3の間に磁気抵抗効果素子 1
がある。上部磁気シールド 3と接続された書き込み用の
上部磁極 4があり，磁極コアコンタクト部10にはライト
コイル 5が巻かれている。磁気抵抗効果素子 1にはMRリ
ード電極 7が接続されている。ハードデイスクドライブ
(HDD) 装置内では, このような磁気ヘッドにより記録媒
体である磁気ディスクに記録及び読み取りを行う。
【０００５】読み取りは磁気抵抗効果素子 1の抵抗変化
をリード電極 7によりセンス電流を流しながら検出す
る。しかし，これからの磁気ヘッドではHDD 装置の高密
度記録が要求されており, 磁気抵抗効果素子 1や書き込
み用の上部磁極 4の微細化や相互の位置合わせ精度が要
求され，特に, 磁気抵抗効果素子 1, ライトギャップ 8
部の上部磁極 4の位置合わせ精度，及びライトギャップ
スロープ 9の形状が重要である。
をリード電極 7によりセンス電流を流しながら検出す
る。しかし，これからの磁気ヘッドではHDD 装置の高密
度記録が要求されており, 磁気抵抗効果素子 1や書き込
み用の上部磁極 4の微細化や相互の位置合わせ精度が要
求され，特に, 磁気抵抗効果素子 1, ライトギャップ 8
部の上部磁極 4の位置合わせ精度，及びライトギャップ
スロープ 9の形状が重要である。
【０００６】従来の磁気抵抗効果素子を読み取りに用い
た磁気ヘッドでは，磁気抵抗効果素子部とその上にある
記録用磁極とを凹凸の大きい基板面で位置合わせしなが
ら製造していた。
た磁気ヘッドでは，磁気抵抗効果素子部とその上にある
記録用磁極とを凹凸の大きい基板面で位置合わせしなが
ら製造していた。
【０００７】図９〜図１２は従来例の製造工程の説明図
である。図９(A) において，めっきまたはスパッタによ
り，アルミナ基板上に下部シールド層 2を成膜する。
である。図９(A) において，めっきまたはスパッタによ
り，アルミナ基板上に下部シールド層 2を成膜する。
【０００８】次いで，スパッタにより，MR下部絶縁膜13
を成膜する。次いで, スパッタにより，MR膜101 を成膜
する。図９(B) において，MRリード電極 7形成のための
リフトオフ用のレジストパターンを形成し, イオンミリ
ングを用いてMR膜101 をエッチングする。
を成膜する。次いで, スパッタにより，MR膜101 を成膜
する。図９(B) において，MRリード電極 7形成のための
リフトオフ用のレジストパターンを形成し, イオンミリ
ングを用いてMR膜101 をエッチングする。
【０００９】次いで，スパッタまたは蒸着により，MRリ
ード電極 7用の被膜を成膜する。次いで, リフトオフに
より, MRリード電極 7を形成する。図１０(C) におい
て，MR素子形成用のレジストパターンを形成する。
ード電極 7用の被膜を成膜する。次いで, リフトオフに
より, MRリード電極 7を形成する。図１０(C) におい
て，MR素子形成用のレジストパターンを形成する。
【００１０】次いで, イオンミリングにより, MR膜101
をエッチングして, MR素子を形成する。図１０(D) にお
いて，スパッタまたは気相成長(CVD) により, MR素子上
部絶縁膜14を成膜する。
をエッチングして, MR素子を形成する。図１０(D) にお
いて，スパッタまたは気相成長(CVD) により, MR素子上
部絶縁膜14を成膜する。
【００１１】次いで, めっきまたはスパッタにより，上
部シールド 3を形成する。図１１(E) において，スパッ
タまたはCVD により, ライトギャップ絶縁膜81を成膜す
る。
部シールド 3を形成する。図１１(E) において，スパッ
タまたはCVD により, ライトギャップ絶縁膜81を成膜す
る。
【００１２】次いで, スロープ用レジストパターン91を
形成して, ライトギャップスロープ9を形成する。図１
１(F) において，めっき等により, ライトコイル 5を形
成する。
形成して, ライトギャップスロープ9を形成する。図１
１(F) において，めっき等により, ライトコイル 5を形
成する。
【００１３】図１２(G) において，第２のスロープ用レ
ジストパターン92を形成して, ライトギャップスロープ
9を形成する。図１２(H) において，めっきまたはスパ
ッタにより，上部磁極 4を形成する。
ジストパターン92を形成して, ライトギャップスロープ
9を形成する。図１２(H) において，めっきまたはスパ
ッタにより，上部磁極 4を形成する。
【００１４】ここで， 8はライトギャップである。以上
で，従来の製造工程を終了する。
で，従来の製造工程を終了する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】今後更に微細化，高精
度化が要求される磁気ヘッドでは，磁気抵抗効果素子や
記録用の磁極の寸法精度とそれらの位置合わせ精度，ま
たは微妙な記録用磁極のギャップ近傍のスロープの形成
が困難になってくる。
度化が要求される磁気ヘッドでは，磁気抵抗効果素子や
記録用の磁極の寸法精度とそれらの位置合わせ精度，ま
たは微妙な記録用磁極のギャップ近傍のスロープの形成
が困難になってくる。
【００１６】本発明は，磁気抵抗効果素子を用いた磁気
ヘッドにおいて，磁気抵抗効果素子部と記録用磁極の位
置合わせ精度を向上し, ヘッドの微細化と高精度化を目
的とする。
ヘッドにおいて，磁気抵抗効果素子部と記録用磁極の位
置合わせ精度を向上し, ヘッドの微細化と高精度化を目
的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）磁気読み取り用として，下部磁気シールドと上部磁
気シールドで挟まれた磁気抵抗効果素子を有し，磁気記
録用として，下部磁極となる該上部磁気シールドに磁極
コアコンタクト部で接続された上部磁極と，該磁極コア
コンタクト部の回りに巻かれたライトコイルとを有し，
該上部磁気シールドと該磁気抵抗効果素子との間に絶縁
膜で挟さまれた第３の磁気シールドが設けられている磁
気ヘッド，あるいは ２）前記１の磁気ヘッドにおいて，前記磁極コアコンタ
クト部に磁極コアコンタクト用盛り上げパターンを介し
て前記上部磁気シールドが形成され，前記上部磁極が平
坦化されている磁気ヘッド，あるいは ３）基板上に下部磁気シールドと第１の絶縁膜と磁気抵
抗効果素子と第２の絶縁膜をこの順に形成し，該磁気抵
抗効果素子を覆って局部的に第３の磁気シールドを形成
し，該第３の磁気シールドをマスクにして該第１，第２
の絶縁膜と該磁気抵抗効果素子を加工する工程と，該第
３の磁気シールドの上に第３の絶縁膜と上部磁気シール
ドをこの順に形成し，その上に絶縁膜を介してライトコ
イル及びこれを囲む第４の絶縁膜を形成してその表面を
平坦化し，該第４の絶縁膜の上に上部磁極を形成し，該
上部磁極を該上部磁気シールドに接続する工程とを含む
磁気ヘッドの製造方法，あるいは ４）基板上に下部磁気シールドと第１の絶縁膜と磁気抵
抗効果素子と第２の絶縁膜をこの順に形成し，該磁気抵
抗効果素子を覆って局部的に第３の磁気シールド及び磁
極コアコンタクト部の盛り上げパターンを形成し，該第
３の磁気シールドをマスクにして，該第１，第２の絶縁
膜と該磁気抵抗効果素子を加工する工程と，該第３の磁
気シールド及び磁極コアコンタクト部の盛り上げパター
ンの上に第３の絶縁膜と上部磁気シールドをこの順に形
成し，その上に絶縁膜を介してライトコイル及びこれを
囲む第４の絶縁膜を形成してその表面を平坦化し，該第
４の絶縁膜の上に上部磁極を形成し，該上部磁極を該上
部磁気シールドに接続する工程とを含む磁気ヘッドの製
造方法により達成される。
気シールドで挟まれた磁気抵抗効果素子を有し，磁気記
録用として，下部磁極となる該上部磁気シールドに磁極
コアコンタクト部で接続された上部磁極と，該磁極コア
コンタクト部の回りに巻かれたライトコイルとを有し，
該上部磁気シールドと該磁気抵抗効果素子との間に絶縁
膜で挟さまれた第３の磁気シールドが設けられている磁
気ヘッド，あるいは ２）前記１の磁気ヘッドにおいて，前記磁極コアコンタ
クト部に磁極コアコンタクト用盛り上げパターンを介し
て前記上部磁気シールドが形成され，前記上部磁極が平
坦化されている磁気ヘッド，あるいは ３）基板上に下部磁気シールドと第１の絶縁膜と磁気抵
抗効果素子と第２の絶縁膜をこの順に形成し，該磁気抵
抗効果素子を覆って局部的に第３の磁気シールドを形成
し，該第３の磁気シールドをマスクにして該第１，第２
の絶縁膜と該磁気抵抗効果素子を加工する工程と，該第
３の磁気シールドの上に第３の絶縁膜と上部磁気シール
ドをこの順に形成し，その上に絶縁膜を介してライトコ
イル及びこれを囲む第４の絶縁膜を形成してその表面を
平坦化し，該第４の絶縁膜の上に上部磁極を形成し，該
上部磁極を該上部磁気シールドに接続する工程とを含む
磁気ヘッドの製造方法，あるいは ４）基板上に下部磁気シールドと第１の絶縁膜と磁気抵
抗効果素子と第２の絶縁膜をこの順に形成し，該磁気抵
抗効果素子を覆って局部的に第３の磁気シールド及び磁
極コアコンタクト部の盛り上げパターンを形成し，該第
３の磁気シールドをマスクにして，該第１，第２の絶縁
膜と該磁気抵抗効果素子を加工する工程と，該第３の磁
気シールド及び磁極コアコンタクト部の盛り上げパター
ンの上に第３の絶縁膜と上部磁気シールドをこの順に形
成し，その上に絶縁膜を介してライトコイル及びこれを
囲む第４の絶縁膜を形成してその表面を平坦化し，該第
４の絶縁膜の上に上部磁極を形成し，該上部磁極を該上
部磁気シールドに接続する工程とを含む磁気ヘッドの製
造方法により達成される。
【００１８】本発明は，磁気抵抗効果素子を作製する際
に，MR上部磁気シールド（第３の磁気シールドで磁気抵
抗効果素子と磁極のセルフアライメントパターン）11を
マスクにしてイオンミリング等で加工すると，MR上部磁
気シールド11と磁気抵抗効果素子 1の端部は重なる。更
に，その上に気相成長(CVD) 成長による絶縁膜15を成長
し，その上に上部磁気シールド（下部磁極） 3をめっき
等により形成すると，必然的に磁気抵抗効果素子の上部
磁気シールドの端部に緩やかなライトギャップスロープ
9が形成される。この後，ライトコイル 5を形成し絶縁
膜16, 17で凹凸を埋め，研磨等により表面を平坦化して
その上に上部磁極 4を形成することで，磁気抵抗効果素
子 1とライトギャップスロープ 9を自動的に位置合わせ
することができる。このようにして, 磁気ヘッドの読み
取り部と記録部の位置合わせをセルフアライメントで加
工できる。
に，MR上部磁気シールド（第３の磁気シールドで磁気抵
抗効果素子と磁極のセルフアライメントパターン）11を
マスクにしてイオンミリング等で加工すると，MR上部磁
気シールド11と磁気抵抗効果素子 1の端部は重なる。更
に，その上に気相成長(CVD) 成長による絶縁膜15を成長
し，その上に上部磁気シールド（下部磁極） 3をめっき
等により形成すると，必然的に磁気抵抗効果素子の上部
磁気シールドの端部に緩やかなライトギャップスロープ
9が形成される。この後，ライトコイル 5を形成し絶縁
膜16, 17で凹凸を埋め，研磨等により表面を平坦化して
その上に上部磁極 4を形成することで，磁気抵抗効果素
子 1とライトギャップスロープ 9を自動的に位置合わせ
することができる。このようにして, 磁気ヘッドの読み
取り部と記録部の位置合わせをセルフアライメントで加
工できる。
【００１９】また，本発明では上部磁極が平坦化された
面に形成されるので, 磁極の微細加工に対して有利であ
る。上記の説明より, 本発明の構造の特徴は次のとおり
となる。
面に形成されるので, 磁極の微細加工に対して有利であ
る。上記の説明より, 本発明の構造の特徴は次のとおり
となる。
【００２０】従来例 (図８参照）では平坦な上部磁気シ
ールド (下部磁極) 3 上に, 上部磁極 4をスロープをつ
けて形成することにより上部磁気シールド (下部磁極)
3 と上部磁極 4間の間隙を狭めてライトギャップ 8を形
成していたが，本発明はこれとは逆にスロープをつけて
形成した上部磁気シールド (下部磁極) 3 に, 平坦な上
部電極 4を形成してライトギャップ 8を構成した点にあ
る。
ールド (下部磁極) 3 上に, 上部磁極 4をスロープをつ
けて形成することにより上部磁気シールド (下部磁極)
3 と上部磁極 4間の間隙を狭めてライトギャップ 8を形
成していたが，本発明はこれとは逆にスロープをつけて
形成した上部磁気シールド (下部磁極) 3 に, 平坦な上
部電極 4を形成してライトギャップ 8を構成した点にあ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に, 図を用いて本発明の磁気ヘ
ッドを説明する。図１は実施の形態の説明図である。
ッドを説明する。図１は実施の形態の説明図である。
【００２２】図において， 1は磁気抵抗効果(MR)素子,
2は下部磁気シールド, 3は上部磁気シールド (下部磁
極), 4 は書き込み用のライトポール (上部磁極), 5
はライトコイル, 6はライト電極, 7はMRリード電極,
8はライトギャップ, 9はライトギャップスロープ, 10
は磁極コアコンタクト部, 11はMR上部磁気シールド（第
３の磁気シールドで磁気抵抗効果素子と磁極のセルフア
ライメントパターン）, 12は磁極コアコンタクト部盛り
上げ用パターン, 13は第１の絶縁膜, 14は第２の絶縁
膜, 15は第３の絶縁膜, 16は上部シールド (下部磁極)
3 とライトコイル5間を絶縁すま絶縁膜, 17は第４の絶
縁膜で平坦化用絶縁膜である。
2は下部磁気シールド, 3は上部磁気シールド (下部磁
極), 4 は書き込み用のライトポール (上部磁極), 5
はライトコイル, 6はライト電極, 7はMRリード電極,
8はライトギャップ, 9はライトギャップスロープ, 10
は磁極コアコンタクト部, 11はMR上部磁気シールド（第
３の磁気シールドで磁気抵抗効果素子と磁極のセルフア
ライメントパターン）, 12は磁極コアコンタクト部盛り
上げ用パターン, 13は第１の絶縁膜, 14は第２の絶縁
膜, 15は第３の絶縁膜, 16は上部シールド (下部磁極)
3 とライトコイル5間を絶縁すま絶縁膜, 17は第４の絶
縁膜で平坦化用絶縁膜である。
【００２３】本発明の構造が一般の磁気ヘッドと異なる
点は, 磁気抵抗効果素子 1及びMRリードの上部に絶縁膜
14, 15で挟まれたMR磁気シールド（第３の磁気シールド
で磁気抵抗効果素子と磁極のセルフアライメントパター
ン）11の存在である。更に,その上に上部磁気シールド
(下部磁極) 3 が配置され，ライトギャップスロープ9が
その端部に形成されている。
点は, 磁気抵抗効果素子 1及びMRリードの上部に絶縁膜
14, 15で挟まれたMR磁気シールド（第３の磁気シールド
で磁気抵抗効果素子と磁極のセルフアライメントパター
ン）11の存在である。更に,その上に上部磁気シールド
(下部磁極) 3 が配置され，ライトギャップスロープ9が
その端部に形成されている。
【００２４】磁極コアコンタクト部10には, MR上部磁気
シールド11と同様の構造の磁極コアコンタクト部用盛り
上げパターン12があり，平坦化用絶縁膜16により表面が
平坦化され，その上に上部磁極 4が形成されている。
シールド11と同様の構造の磁極コアコンタクト部用盛り
上げパターン12があり，平坦化用絶縁膜16により表面が
平坦化され，その上に上部磁極 4が形成されている。
【００２５】図２〜図６は本発明の製造工程の実施の形
態の説明図である。図２(A) において，めっきまたはス
パッタにより，アルミナ基板上に下部シールド層 2を成
膜する。
態の説明図である。図２(A) において，めっきまたはス
パッタにより，アルミナ基板上に下部シールド層 2を成
膜する。
【００２６】次いで，スパッタにより，MR下部絶縁膜13
を成膜する。次いで, スパッタにより，MR膜101 を成膜
する。図２(B) において，MRリード電極 7形成のための
リフトオフ用のレジストパターンを形成し, イオンミリ
ングを用いてMR膜101 をエッチングする。
を成膜する。次いで, スパッタにより，MR膜101 を成膜
する。図２(B) において，MRリード電極 7形成のための
リフトオフ用のレジストパターンを形成し, イオンミリ
ングを用いてMR膜101 をエッチングする。
【００２７】次いで，スパッタまたは蒸着により，MRリ
ード電極 7形成のための被膜を成膜する。次いで, リフ
トオフにより,MR リード電極 7を形成する。
ード電極 7形成のための被膜を成膜する。次いで, リフ
トオフにより,MR リード電極 7を形成する。
【００２８】図３(C) において，スパッタにより，MR上
部絶縁膜14を成膜する。次いで, めっきにより, MR上部
シールド層111 を成膜する。図３(D) において，MR上部
シールド層形成用のレジストパターンを形成する。
部絶縁膜14を成膜する。次いで, めっきにより, MR上部
シールド層111 を成膜する。図３(D) において，MR上部
シールド層形成用のレジストパターンを形成する。
【００２９】次いで, イオンミリングによりパターニン
グして，MR上部シールド層11を形成する。次いで, MR膜
101 をエッチングして, MR素子 1を形成する。
グして，MR上部シールド層11を形成する。次いで, MR膜
101 をエッチングして, MR素子 1を形成する。
【００３０】図４(E) において，スパッタ等により，上
部シールド 3の下層の絶縁膜15を成膜する。次いで, め
っきまたはスパッタにより，上部シールド 3を成膜す
る。
部シールド 3の下層の絶縁膜15を成膜する。次いで, め
っきまたはスパッタにより，上部シールド 3を成膜す
る。
【００３１】図４(F) において，スパッタ等により，ラ
イトコイル 5の下層の絶縁膜16を成膜する。次いで, め
っき等により, ライトコイル 5を形成する。
イトコイル 5の下層の絶縁膜16を成膜する。次いで, め
っき等により, ライトコイル 5を形成する。
【００３２】図５(G) において，スパッタ, 気相成長(C
VD),スピンコート法等により，平坦化絶縁膜17を成膜す
る。図５(H) において，研磨により，平坦化絶縁膜17の
表面を平坦化する。
VD),スピンコート法等により，平坦化絶縁膜17を成膜す
る。図５(H) において，研磨により，平坦化絶縁膜17の
表面を平坦化する。
【００３３】図６(I) において，スパッタ等により，ラ
イトギャップ絶縁膜 8を成膜する。次いで, めっきまた
はスパッタにより，上部磁極 4を形成する。以上で，実
施の形態の製造プロセスを終わる。
イトギャップ絶縁膜 8を成膜する。次いで, めっきまた
はスパッタにより，上部磁極 4を形成する。以上で，実
施の形態の製造プロセスを終わる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば，磁気抵抗効果素子を用
いた磁気ヘッドにおいて，磁気抵抗効果素子部と記録用
磁極の位置合わせ精度を向上し, ヘッドの微細化と高精
度化に寄与できる。
いた磁気ヘッドにおいて，磁気抵抗効果素子部と記録用
磁極の位置合わせ精度を向上し, ヘッドの微細化と高精
度化に寄与できる。
【図１】 本発明の実施の形態の説明図
【図２】 本発明の製造工程の実施の形態の説明図(1)
【図３】 本発明の製造工程の実施の形態の説明図(2)
【図４】 本発明の製造工程の実施の形態の説明図(3）
【図５】 本発明の製造工程の実施の形態の説明図(4）
【図６】 本発明の製造工程の実施の形態の説明図(5)
【図７】 従来例の斜視図
【図８】 従来例の一部断面斜視図
【図９】 従来例の製造工程の説明図(1)
【図１０】 従来例の製造工程の説明図(2)
【図１１】 従来例の製造工程の説明図(3）
【図１２】 従来例の製造工程の説明図(4）
1 磁気抵抗効果(MR)素子 2 下部磁気シールド 3 上部磁気シールド (下部磁極) 4 書き込み用のライトポール (上部磁極) 5 ライトコイル 6 ライト電極 7 MRリード電極 8 ライトギャップ 9 ライトギャップスロープ 10 磁極コアコンタクト部 11 MR上部磁気シールド（第３の磁気シールドで MR素子と磁極のセルフアライメントパターン） 12 磁極コアコンタクト盛り上げパターン 13, 14, 15 それぞれ第１，第２，第３の絶縁膜 16 上部シールド (下部磁極) 3 とライトコイル 5間を
絶縁すま絶縁膜 17 第４の絶縁膜（平坦化用絶縁膜）
絶縁すま絶縁膜 17 第４の絶縁膜（平坦化用絶縁膜）
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気読み取り用として，下部磁気シール
ドと上部磁気シールドで挟まれた磁気抵抗効果素子を有
し，磁気記録用として，下部磁極となる該上部磁気シー
ルドに磁極コアコンタクト部で接続された上部磁極と，
該磁極コアコンタクト部の回りに巻かれたライトコイル
とを有し，該上部磁気シールドと該磁気抵抗効果素子と
の間に絶縁膜で挟さまれた第３の磁気シールドが設けら
れていることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１の磁気ヘッドにおいて，前記磁
極コアコンタクト部に磁極コアコンタクト用盛り上げパ
ターンを介して前記上部磁気シールドが形成され，前記
上部磁極が平坦化されていることを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 基板上に下部磁気シールドと第１の絶縁
膜と磁気抵抗効果素子と第２の絶縁膜をこの順に形成
し，該磁気抵抗効果素子を覆って局部的に第３の磁気シ
ールドを形成し，該第３の磁気シールドをマスクにして
該第１，第２の絶縁膜と該磁気抵抗効果素子を加工する
工程と，該第３の磁気シールドの上に第３の絶縁膜と上
部磁気シールドをこの順に形成し，その上に絶縁膜を介
してライトコイル及びこれを囲む第４の絶縁膜を形成し
てその表面を平坦化し，該第４の絶縁膜の上に上部磁極
を形成し，該上部磁極を該上部磁気シールドに接続する
工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 基板上に下部磁気シールドと第１の絶縁
膜と磁気抵抗効果素子と第２の絶縁膜をこの順に形成
し，該磁気抵抗効果素子を覆って局部的に第３の磁気シ
ールド及び磁極コアコンタクト部の盛り上げパターンを
形成し，該第３の磁気シールドをマスクにして，該第
１，第２の絶縁膜と該磁気抵抗効果素子を加工する工程
と，該第３の磁気シールド及び磁極コアコンタクト部の
盛り上げパターンの上に第３の絶縁膜と上部磁気シール
ドをこの順に形成し，その上に絶縁膜を介してライトコ
イル及びこれを囲む第４の絶縁膜を形成してその表面を
平坦化し，該第４の絶縁膜の上に上部磁極を形成し，該
上部磁極を該上部磁気シールドに接続する工程とを含む
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10787796A JPH09293213A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10787796A JPH09293213A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293213A true JPH09293213A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14470361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10787796A Withdrawn JPH09293213A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387285B1 (en) * | 1998-11-18 | 2002-05-14 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin-film magnetic head |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10787796A patent/JPH09293213A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387285B1 (en) * | 1998-11-18 | 2002-05-14 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin-film magnetic head |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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