JPS5880117A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5880117A JPS5880117A JP17564781A JP17564781A JPS5880117A JP S5880117 A JPS5880117 A JP S5880117A JP 17564781 A JP17564781 A JP 17564781A JP 17564781 A JP17564781 A JP 17564781A JP S5880117 A JPS5880117 A JP S5880117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- magnetic pole
- thin film
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ディスク、テープレコーダなどの磁気記録
再生装置における磁気ヘッドの製造方法に関するもので
ある。
再生装置における磁気ヘッドの製造方法に関するもので
ある。
現在主流となっている磁気記録は第１図に示すよ６に、
リング状のコア１に設けたギャップ近傍での磁束の広が
りによプ記録媒体２を磁化する一式であ−る。記録およ
び再生はギャップ幅ｄによって規制されるので、ギャッ
プ幅を精密Ｋ ｆｉＪ御する必要がある。しかし記録密
度を高めようとするとｄが小さくなるため従来の方法で
は精密なギャップ形成が困難になる。
リング状のコア１に設けたギャップ近傍での磁束の広が
りによプ記録媒体２を磁化する一式であ−る。記録およ
び再生はギャップ幅ｄによって規制されるので、ギャッ
プ幅を精密Ｋ ｆｉＪ御する必要がある。しかし記録密
度を高めようとするとｄが小さくなるため従来の方法で
は精密なギャップ形成が困難になる。
そこで、よシ高密度の磁気記録を目指し薄膜磁気ヘッド
の研究、開発が盛んに行なわれている。
の研究、開発が盛んに行なわれている。
薄膜磁気ヘッドは記録密度が高くなるばかりでなく小型
化、集積化、周波数帯域が広くなる等の特・黴がある。
化、集積化、周波数帯域が広くなる等の特・黴がある。
第２図に薄膜磁気ヘッドの断面構造の１例を示す、薄膜
磁気ヘッドは第１磁極３、第２磁極４、該第１磁極と該
第２磁極を磁気的に絶縁するギャップ層５、および信号
入出力用のコイル６よりなる。薄膜磁気ヘッドは最終工
程の切断、研磨以外は全て半導体製造技術で作製される
。すなわち、第３図に示すように、７エ２イトあるいは
ホトセラム（コーニング社製）等の高硬度の基板７上に
ｓｉｏ、、Ａｚ、ｏｌ等の電気的絶縁層８を形成し、パ
ーマロイ膜等で第２の磁極４を作製す仝。
磁気ヘッドは第１磁極３、第２磁極４、該第１磁極と該
第２磁極を磁気的に絶縁するギャップ層５、および信号
入出力用のコイル６よりなる。薄膜磁気ヘッドは最終工
程の切断、研磨以外は全て半導体製造技術で作製される
。すなわち、第３図に示すように、７エ２イトあるいは
ホトセラム（コーニング社製）等の高硬度の基板７上に
ｓｉｏ、、Ａｚ、ｏｌ等の電気的絶縁層８を形成し、パ
ーマロイ膜等で第２の磁極４を作製す仝。
Ｍｌ−Ｚｎフェライトなどの磁性基板を用いこれを第２
の磁極とすればこれらの工程を省略することもできる。
の磁極とすればこれらの工程を省略することもできる。
次にヘッド先端やギャップ層５となる８ｉ０．あ小いは
Ａｔ、へ層などの非磁性層をスノくツタリング法で形成
する（第３図（ａ））。次に、コイル６となるｈｔなど
の層を蒸着し、ホ上エツチングによりコイル６を形成す
る（第３図中））。さらに該コイル６上にヘッドの先端
部以外の磁気的絶縁層９となる５ｉｆｔ層あるいはＡｌ
１０１層を数μｍ以上堆積する（第３−（Ｃ））。その
後、・（−マ京イ等で第１磁極３を作製し、薄膜磁気ヘ
ッドが出来上がる（第３図（ｄ））。これらの工程にお
いて、絶縁層９は蒸着あるいはスノくツタリング法等で
形成するが、コイル６の形状を反映して絶縁層９の表面
は著しい凹凸が生ずる。このため、該絶縁層９上に形成
される第１磁極３となるノく−マＰイ膜の磁気特性の劣
イし、膜の段切れの原因となっている。すなわち、絶縁
層９は平坦であることが望ましい。
Ａｔ、へ層などの非磁性層をスノくツタリング法で形成
する（第３図（ａ））。次に、コイル６となるｈｔなど
の層を蒸着し、ホ上エツチングによりコイル６を形成す
る（第３図中））。さらに該コイル６上にヘッドの先端
部以外の磁気的絶縁層９となる５ｉｆｔ層あるいはＡｌ
１０１層を数μｍ以上堆積する（第３−（Ｃ））。その
後、・（−マ京イ等で第１磁極３を作製し、薄膜磁気ヘ
ッドが出来上がる（第３図（ｄ））。これらの工程にお
いて、絶縁層９は蒸着あるいはスノくツタリング法等で
形成するが、コイル６の形状を反映して絶縁層９の表面
は著しい凹凸が生ずる。このため、該絶縁層９上に形成
される第１磁極３となるノく−マＰイ膜の磁気特性の劣
イし、膜の段切れの原因となっている。すなわち、絶縁
層９は平坦であることが望ましい。
従来、絶縁層９を平坦化するには次のような方法が行な
われていた。第４図にその１例を示す。
われていた。第４図にその１例を示す。
著しく凹凸している絶縁層９（第４図（ａ））上に、コ
イル６を形成したマスクを用い、かつホトレジストのネ
ガ、ポジをコイル６の形成時と逆にする等の方法により
、絶縁層９の凹部をレジスト１０で覆る（′第４図（ロ
））。そめ後、絶縁層９の露出部（凸部）よりエツチン
グすることにより平坦化を行なう（第４図（Ｃ）、 （
ｄ） ）。この方法では、ホトレジストが絶縁層９の凹
部を完全に覆うように、絶縁層９の凸部とマスクの合わ
せ厳密に行なう必要がある。マスクの合わせがずれると
本来エツチングされるべきでない凹部の絶縁層９がエツ
チングされてしまう。本発明はこの欠点をなくし確実な
絶縁層９の平坦化の方法を提供するものである。
イル６を形成したマスクを用い、かつホトレジストのネ
ガ、ポジをコイル６の形成時と逆にする等の方法により
、絶縁層９の凹部をレジスト１０で覆る（′第４図（ロ
））。そめ後、絶縁層９の露出部（凸部）よりエツチン
グすることにより平坦化を行なう（第４図（Ｃ）、 （
ｄ） ）。この方法では、ホトレジストが絶縁層９の凹
部を完全に覆うように、絶縁層９の凸部とマスクの合わ
せ厳密に行なう必要がある。マスクの合わせがずれると
本来エツチングされるべきでない凹部の絶縁層９がエツ
チングされてしまう。本発明はこの欠点をなくし確実な
絶縁層９の平坦化の方法を提供するものである。
以下、実施例によシ詳細に説明する。
実施例
第５図を用いて説明する。基板７としてはホトセラム（
コーニング社製）を用いた。先ず、基板７上に８１０．
層８をスパッタリング法によシ１μｍ堆積し、該Ｓｉｎ
、上にノ（−マロイにより第２磁極番を作製する。次に
ギャップ層５となるＳｉＯ□を１μｍスパッタリング法
により形成した（第５図（ａ） ）。該ＳｔＯ，上にコ
イル６となるＡｔを２μｍ蒸着し、央トエッチングによ
りコイルを形成する（第５図（ｂ））。コイルの線幅は
１０μｍで、線間隔は８μｍである。次に、絶縁層９と
なるＳｉｎ。
コーニング社製）を用いた。先ず、基板７上に８１０．
層８をスパッタリング法によシ１μｍ堆積し、該Ｓｉｎ
、上にノ（−マロイにより第２磁極番を作製する。次に
ギャップ層５となるＳｉＯ□を１μｍスパッタリング法
により形成した（第５図（ａ） ）。該ＳｔＯ，上にコ
イル６となるＡｔを２μｍ蒸着し、央トエッチングによ
りコイルを形成する（第５図（ｂ））。コイルの線幅は
１０μｍで、線間隔は８μｍである。次に、絶縁層９と
なるＳｉｎ。
をＡ２層よシ厚く５μｍ堆積した（第５図（Ｃ））。
８１０ｍは必ずＡ４層より厚く形成しなければならない
。したがって、コイル上部のＢ＋０．面は周囲よｆｉＡ
ｔの厚さ分（２μｍ）だけ高くなる。その後、流動性が
あシ、かつ熱硬化性の高分子樹脂１０をスピン塗布した
（第５図（ｄ））。高分子樹月旨１０としては、耐熱性
に優れているＰＩＱ（日立化成工業（株）商標）などの
ポリイミド系樹脂力覧望ましい、ｔた、ＰＩＱは流動性
があるため絶縁層９の凹部に流れ易＜、ＰＩＱの膜厚を
増すにつれ、ＰＩＱ表面の段差は絶縁層９の段差に比べ
減少していく、第６図にＰＩＱ膜厚と段差の関係を示す
、この結果より、ＰＩＱ層を１０μｍ厚さに形成すれば
、段差は当初の１／１０〜１／２Ｇに減少することがわ
かった。本実施例においては１０μｍ厚のＰ−ＩＱ層１
０を形成した。次に、平坦化したＰＩＱ層ｌＯをエツチ
ングし、絶縁層９の凸部を露出させる（第５図（ｅ））
。ここで、ＰＩＱ面は凸部上面と一致させることが望ま
しい。絶縁層９の凸部上面がＰＩＱ層１層表０表面著し
く高いと、該凸部が山として残シ、平坦化はできない。
。したがって、コイル上部のＢ＋０．面は周囲よｆｉＡ
ｔの厚さ分（２μｍ）だけ高くなる。その後、流動性が
あシ、かつ熱硬化性の高分子樹脂１０をスピン塗布した
（第５図（ｄ））。高分子樹月旨１０としては、耐熱性
に優れているＰＩＱ（日立化成工業（株）商標）などの
ポリイミド系樹脂力覧望ましい、ｔた、ＰＩＱは流動性
があるため絶縁層９の凹部に流れ易＜、ＰＩＱの膜厚を
増すにつれ、ＰＩＱ表面の段差は絶縁層９の段差に比べ
減少していく、第６図にＰＩＱ膜厚と段差の関係を示す
、この結果より、ＰＩＱ層を１０μｍ厚さに形成すれば
、段差は当初の１／１０〜１／２Ｇに減少することがわ
かった。本実施例においては１０μｍ厚のＰ−ＩＱ層１
０を形成した。次に、平坦化したＰＩＱ層ｌＯをエツチ
ングし、絶縁層９の凸部を露出させる（第５図（ｅ））
。ここで、ＰＩＱ面は凸部上面と一致させることが望ま
しい。絶縁層９の凸部上面がＰＩＱ層１層表０表面著し
く高いと、該凸部が山として残シ、平坦化はできない。
その値は凸部の高さによ）変わるが、ここでは高低差を
０．２μｍ以下に平坦化するためには、０．５μｍ以下
とする必要がある。本実施例では凸部上面よｆｉｏ、２
ｉ１ｍ以内に制御した。その後、ＰＩＱ層をマスクとし
て絶縁層９を凹部と同じ高さになるまでエツチングしマ
スクを除去して平坦化を行なう（第５図（ｆ））。Ａｒ
によるスパッタリングエッチ法を用いれば、ｓｉｏ、と
ＰＩＱのエツチング速度がｔ１埋等しいため第５図−（
ｅ）（ｆ）を省略できる。この方式では、ＰＩＱ層は確
実に凹部の全てを覆うため、従来法のホトエツチング工
程におけるマスク合わせが−しいというような欠点がな
い。また、ホトレジスト工程も不用であシ、容易に平坦
化が行なえる。・以上によシ、絶縁層９の平坦化は終了
する。その後、パーマロイを１．５μｍ蒸着して第１磁
極３を形成し薄膜磁気ヘッドを作製した（第５図（幼）
。最終的に第１磁極３を形成するパーマロイ膜の段差は
０．１５μｍ以下で！ｂシ、磁気特性上はぼ影−のない
程度にすることができる。コイル６を多層化したとき４
同様の方法により平坦化が可能であった。
０．２μｍ以下に平坦化するためには、０．５μｍ以下
とする必要がある。本実施例では凸部上面よｆｉｏ、２
ｉ１ｍ以内に制御した。その後、ＰＩＱ層をマスクとし
て絶縁層９を凹部と同じ高さになるまでエツチングしマ
スクを除去して平坦化を行なう（第５図（ｆ））。Ａｒ
によるスパッタリングエッチ法を用いれば、ｓｉｏ、と
ＰＩＱのエツチング速度がｔ１埋等しいため第５図−（
ｅ）（ｆ）を省略できる。この方式では、ＰＩＱ層は確
実に凹部の全てを覆うため、従来法のホトエツチング工
程におけるマスク合わせが−しいというような欠点がな
い。また、ホトレジスト工程も不用であシ、容易に平坦
化が行なえる。・以上によシ、絶縁層９の平坦化は終了
する。その後、パーマロイを１．５μｍ蒸着して第１磁
極３を形成し薄膜磁気ヘッドを作製した（第５図（幼）
。最終的に第１磁極３を形成するパーマロイ膜の段差は
０．１５μｍ以下で！ｂシ、磁気特性上はぼ影−のない
程度にすることができる。コイル６を多層化したとき４
同様の方法により平坦化が可能であった。
第一１図は従来法の磁気記録再生方式を示す説明図、第
２図は薄膜磁気ヘッドの構造を示す説明図、第３図（畠
）〜（ｄ）は薄膜磁気ヘッドの製作工程を示す断面図、
第４図（１）〜（ｄ）は従来の平坦化法を示す断面図、
第５図（ａ）〜（２）は本発明による平坦化法を用いた
薄膜磁気ヘッドの製作工程を示す断面図、第６図はＰ
Ｉ ＱＪ−の膜厚と平坦化の関係を示すグラフである。 ′！５１図 算 ２ 邑 冨 ５ 図 ５ 遭 ５ 図 ！ｆＪ ６ 図 ？’ｌＱ膜４０ｂｍ）
２図は薄膜磁気ヘッドの構造を示す説明図、第３図（畠
）〜（ｄ）は薄膜磁気ヘッドの製作工程を示す断面図、
第４図（１）〜（ｄ）は従来の平坦化法を示す断面図、
第５図（ａ）〜（２）は本発明による平坦化法を用いた
薄膜磁気ヘッドの製作工程を示す断面図、第６図はＰ
Ｉ ＱＪ−の膜厚と平坦化の関係を示すグラフである。 ′！５１図 算 ２ 邑 冨 ５ 図 ５ 遭 ５ 図 ！ｆＪ ６ 図 ？’ｌＱ膜４０ｂｍ）
Claims (1)
- １、磁気の記録又は再生用の第１磁極、該第１磁極と磁
気的に導通がある第２磁極、該第１磁極と骸第２磁極を
磁気的に絶縁する絶縁層および鋏絶縁層内に形成された
信号の入出力用のコイルからなる薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、蚊コイル上に堆積し九該絶縁層の凹凸を
平坦化する場合、該絶縁層上に平坦化した高分子樹脂層
を形成した後、１高分半樹脂層を咳絶縁層の凸部上面が
露出するまでエツチングし、その後咳高分子樹脂層パタ
ーンをマスクとして該絶縁層をエツチングして平坦化す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17564781A JPS5880117A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17564781A JPS5880117A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880117A true JPS5880117A (ja) | 1983-05-14 |
Family
ID=15999745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17564781A Pending JPS5880117A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880117A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111312A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US4651248A (en) * | 1982-06-04 | 1987-03-17 | Hitachi, Ltd. | Thin-film magnetic head |
| US4952102A (en) * | 1982-09-27 | 1990-08-28 | Hougen Everett D | Annular hole cutter |
| US5145296A (en) * | 1982-09-27 | 1992-09-08 | Hougen Everett D | Apparatus and method for cutting holes |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP17564781A patent/JPS5880117A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4651248A (en) * | 1982-06-04 | 1987-03-17 | Hitachi, Ltd. | Thin-film magnetic head |
| US4952102A (en) * | 1982-09-27 | 1990-08-28 | Hougen Everett D | Annular hole cutter |
| US5145296A (en) * | 1982-09-27 | 1992-09-08 | Hougen Everett D | Apparatus and method for cutting holes |
| JPS60111312A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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