JPH09293676A - 投影光学系及び投影露光装置 - Google Patents
投影光学系及び投影露光装置Info
- Publication number
- JPH09293676A JPH09293676A JP8129153A JP12915396A JPH09293676A JP H09293676 A JPH09293676 A JP H09293676A JP 8129153 A JP8129153 A JP 8129153A JP 12915396 A JP12915396 A JP 12915396A JP H09293676 A JPH09293676 A JP H09293676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- exposed
- illumination light
- substrate
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/002—Arrays of reflective systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/008—Systems specially adapted to form image relays or chained systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】解像度の高い露光を行い得る簡易な構成の投影
光学系及び投影露光装置を実現し難かつた。 【解決手段】マスクから出射した照明光束を反射する第
１の反射面と、その出射光束を集光する集光光学系と、
その出射光束を被露光基板上に垂直に入射するように反
射する第２の反射面と、第１及び／又は第２の反射面を
照明光束の光路長を変化させる方向に移動させる移動手
段とを設けるようにしたことにより、解像度の高い露光
を行い得る簡易な構成の投影光学系を実現できる。また
投影露光装置を、この投影光学系と、被露光基板の感光
面と垂直な方向における被露光基板の感光面の高さを検
出する高さ検出手段で構成するようにしたことにより、
解像度の高い露光を行い得る簡易な構成の投影露光装置
を実現できる。
光学系及び投影露光装置を実現し難かつた。 【解決手段】マスクから出射した照明光束を反射する第
１の反射面と、その出射光束を集光する集光光学系と、
その出射光束を被露光基板上に垂直に入射するように反
射する第２の反射面と、第１及び／又は第２の反射面を
照明光束の光路長を変化させる方向に移動させる移動手
段とを設けるようにしたことにより、解像度の高い露光
を行い得る簡易な構成の投影光学系を実現できる。また
投影露光装置を、この投影光学系と、被露光基板の感光
面と垂直な方向における被露光基板の感光面の高さを検
出する高さ検出手段で構成するようにしたことにより、
解像度の高い露光を行い得る簡易な構成の投影露光装置
を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は投影光学系及び投影
露光装置に関し、半導体素子や液晶パネルの製造時に用
いる投影光学系及び投影露光装置に適用して好適なもの
である。
露光装置に関し、半導体素子や液晶パネルの製造時に用
いる投影光学系及び投影露光装置に適用して好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の投影露光装置として図９
のように構成されたものがある。この投影露光装置１に
おいては、光源２から発射された照明光束Ｌ１を集光レ
ンズ等からなる照明光学系３を介してマスク４に照射す
ると共に、当該マスク４を透過した照明光束Ｌ１を投影
光学系５を介してマスク４と対向するようにＺステージ
６上に載置された被露光基板７の感光面７Ａ上に集光す
るようになされている。
のように構成されたものがある。この投影露光装置１に
おいては、光源２から発射された照明光束Ｌ１を集光レ
ンズ等からなる照明光学系３を介してマスク４に照射す
ると共に、当該マスク４を透過した照明光束Ｌ１を投影
光学系５を介してマスク４と対向するようにＺステージ
６上に載置された被露光基板７の感光面７Ａ上に集光す
るようになされている。
【０００３】この場合マスク４及びＺステージ６は、走
査ステージ８により一体にかつ定盤９上をＸ方向（矢印
ｘ1 ）及びＹ方向（矢印ｙ1 ）に移動自在に保持される
と共に、光源２、照明光学系３及び投影光学系５はそれ
ぞれ図示しない保持部により定盤９に対して固定位置に
保持されている。またＺステージ６の近傍には発光素子
１０及び受光素子１１を有するフオーカスセンサ１２が
配置されており、当該フオーカスセンサ１２から出力さ
れるフオーカス信号に基づいてＺステージ６を駆動し、
被露光基板７を昇降させることにより、当該被露光基板
７の感光面７Ａを常に照明光束Ｌ１の焦点位置に位置さ
せ得るようになされている。
査ステージ８により一体にかつ定盤９上をＸ方向（矢印
ｘ1 ）及びＹ方向（矢印ｙ1 ）に移動自在に保持される
と共に、光源２、照明光学系３及び投影光学系５はそれ
ぞれ図示しない保持部により定盤９に対して固定位置に
保持されている。またＺステージ６の近傍には発光素子
１０及び受光素子１１を有するフオーカスセンサ１２が
配置されており、当該フオーカスセンサ１２から出力さ
れるフオーカス信号に基づいてＺステージ６を駆動し、
被露光基板７を昇降させることにより、当該被露光基板
７の感光面７Ａを常に照明光束Ｌ１の焦点位置に位置さ
せ得るようになされている。
【０００４】かくしてこの投影露光装置１では、動作
時、フオーカスセンサ１２の出力に基づいてＺステージ
６により被露光基板７の感光面７Ａを照明光束Ｌ１の焦
点位置に位置させながら、走査ステージ８を所定のタイ
ミングでＸ方向及びＹ方向に移動させるようにして、マ
スク４から出射した照明光束Ｌ１によつて被露光基板７
の感光面７Ａを全面に亘つて光走査するようになされ、
かくして当該照明光束Ｌ１によつて被露光基板７の感光
面７Ａを全面に亘つてマスク４のパターン像に応じて露
光し得るようになされている。
時、フオーカスセンサ１２の出力に基づいてＺステージ
６により被露光基板７の感光面７Ａを照明光束Ｌ１の焦
点位置に位置させながら、走査ステージ８を所定のタイ
ミングでＸ方向及びＹ方向に移動させるようにして、マ
スク４から出射した照明光束Ｌ１によつて被露光基板７
の感光面７Ａを全面に亘つて光走査するようになされ、
かくして当該照明光束Ｌ１によつて被露光基板７の感光
面７Ａを全面に亘つてマスク４のパターン像に応じて露
光し得るようになされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのように構
成された従来の投影露光装置１では、上述のように被露
光基板７の感光面７Ａにおける照明光束Ｌ１の焦点合わ
せをＺステージ６を用いて行つているために小型化し難
く、またＺステージ６を用いる分全体の構成が煩雑とな
る問題があつた。
成された従来の投影露光装置１では、上述のように被露
光基板７の感光面７Ａにおける照明光束Ｌ１の焦点合わ
せをＺステージ６を用いて行つているために小型化し難
く、またＺステージ６を用いる分全体の構成が煩雑とな
る問題があつた。
【０００６】一方、近年、ワープロ、パソコン及びテレ
ビ等の表示素子として、液晶パネルが多用されるように
なり、これに伴い大型の液晶パネルに対するニーズも増
えてきている。この場合液晶パネルは、ガラス基板上に
透明薄膜電極をフオトリソグラフイにより所望形状に形
成するようにして製造される。従つて例えば露光範囲の
広い大型のガラス基板を複数の投影光学系を用いて少な
い回数で走査露光することができれば、同一時間に複数
の領域を露光することができる分、スループツト（単位
時間当たりの露光基板量）を向上させ得、大型の液晶パ
ネルの生産効率を向上させ得るものと考えられる。
ビ等の表示素子として、液晶パネルが多用されるように
なり、これに伴い大型の液晶パネルに対するニーズも増
えてきている。この場合液晶パネルは、ガラス基板上に
透明薄膜電極をフオトリソグラフイにより所望形状に形
成するようにして製造される。従つて例えば露光範囲の
広い大型のガラス基板を複数の投影光学系を用いて少な
い回数で走査露光することができれば、同一時間に複数
の領域を露光することができる分、スループツト（単位
時間当たりの露光基板量）を向上させ得、大型の液晶パ
ネルの生産効率を向上させ得るものと考えられる。
【０００７】実際上このような方法は、図１０に示すよ
うに、マスク１３及び被露光基板１４の移動方向（紙面
の表から裏に向かう方向及びこの逆方向）に対して垂直
な方向に複数の投影光学系１５Ａ〜１５Ｃを配列するこ
とにより実現することができる。この場合各投影光学系
１５Ａ〜１５Ｃの焦点位置はそれぞれ固定であるため、
被露光基板１４の感光面１４Ａ上におけるマスク１３の
パターン像の焦点合わせは、被露光基板１４又はマスク
１３を上下動させ及び又は傾けるなどして被露光基板１
４の感光面１４Ａを各投影光学系１５Ａ〜１５Ｃの平均
像面Ｐ１上に位置させるようにすれば良い。
うに、マスク１３及び被露光基板１４の移動方向（紙面
の表から裏に向かう方向及びこの逆方向）に対して垂直
な方向に複数の投影光学系１５Ａ〜１５Ｃを配列するこ
とにより実現することができる。この場合各投影光学系
１５Ａ〜１５Ｃの焦点位置はそれぞれ固定であるため、
被露光基板１４の感光面１４Ａ上におけるマスク１３の
パターン像の焦点合わせは、被露光基板１４又はマスク
１３を上下動させ及び又は傾けるなどして被露光基板１
４の感光面１４Ａを各投影光学系１５Ａ〜１５Ｃの平均
像面Ｐ１上に位置させるようにすれば良い。
【０００８】ところがこのような方法によると、被露光
基板１４の感光面１４Ａの平面度が良い場合には特に問
題が生じないが、当該平面度が悪い場合にはいずれかの
照明光束Ｌ２Ａ〜Ｌ２Ｃに焦点ずれが発生するおそれが
ある。このような場合、被露光基板１４の感光面１４Ａ
における照明光束Ｌ２Ａ〜Ｌ２Ｃが焦点ずれをおこした
ところでは、解像度が劣化したり、パターン転写を行え
なくなつたりする問題がある。
基板１４の感光面１４Ａの平面度が良い場合には特に問
題が生じないが、当該平面度が悪い場合にはいずれかの
照明光束Ｌ２Ａ〜Ｌ２Ｃに焦点ずれが発生するおそれが
ある。このような場合、被露光基板１４の感光面１４Ａ
における照明光束Ｌ２Ａ〜Ｌ２Ｃが焦点ずれをおこした
ところでは、解像度が劣化したり、パターン転写を行え
なくなつたりする問題がある。
【０００９】特に大型の被露光基板１４を一括して露光
しようとする場合、広い領域で感光面１４Ａの平面度を
保証することは難しく、合焦エラーが深刻な問題となる
おそれがあつた。つまり焦点合わせをＺステージを用い
て行うとすると照明光束Ｌ２Ａには合わせることができ
ても、照明光束Ｌ２Ｂ、Ｌ２Ｃには焦点合わせを行うこ
とができないおそれがあつた。
しようとする場合、広い領域で感光面１４Ａの平面度を
保証することは難しく、合焦エラーが深刻な問題となる
おそれがあつた。つまり焦点合わせをＺステージを用い
て行うとすると照明光束Ｌ２Ａには合わせることができ
ても、照明光束Ｌ２Ｂ、Ｌ２Ｃには焦点合わせを行うこ
とができないおそれがあつた。
【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、１つの照明光束の場合でもＺステージ機構を用いる
ことなく、また、複数の照明光束がある場合には、その
全ての露光領域で解像度の高い露光を行い得る簡易な構
成の投影光学系及び投影露光装置を提案しようとするも
のである。
で、１つの照明光束の場合でもＺステージ機構を用いる
ことなく、また、複数の照明光束がある場合には、その
全ての露光領域で解像度の高い露光を行い得る簡易な構
成の投影光学系及び投影露光装置を提案しようとするも
のである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第１の発明においては、マスク（２１）、（５２）及
び被露光基板（２３）、（５６）間に配置され、照明光
学系（５１）からマスク（２１）、（５２）に照射され
る照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を被露
光基板（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、（５６
Ａ）上に集光する投影光学系において、マスク（２
１）、（５２）から出射した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ
１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を反射する第１の反射面（４２
Ａ）、（７５Ａ）と、第１の反射面（４２Ａ）、（７５
Ａ）から出射した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ
１１Ｇ）を集光する集光光学系（４５）、（８０）と、
集光光学系（４５）、（８０）から出射した照明光束
（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を、被露光基板
（２３）、（５６）上に垂直に入射するように反射する
第２の反射面（４２Ｂ）、（７５Ｂ）と、第１の反射面
（４２Ａ）、（７５Ａ）及び／又は第２の反射面（４２
Ｂ）、（７５Ｂ）を照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜
Ｌ１１Ｇ）の光路長を変化させる方向に移動させる移動
手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、（７６Ａ〜７６Ｃ）とを設け
るようにした。
め第１の発明においては、マスク（２１）、（５２）及
び被露光基板（２３）、（５６）間に配置され、照明光
学系（５１）からマスク（２１）、（５２）に照射され
る照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を被露
光基板（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、（５６
Ａ）上に集光する投影光学系において、マスク（２
１）、（５２）から出射した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ
１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を反射する第１の反射面（４２
Ａ）、（７５Ａ）と、第１の反射面（４２Ａ）、（７５
Ａ）から出射した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ
１１Ｇ）を集光する集光光学系（４５）、（８０）と、
集光光学系（４５）、（８０）から出射した照明光束
（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を、被露光基板
（２３）、（５６）上に垂直に入射するように反射する
第２の反射面（４２Ｂ）、（７５Ｂ）と、第１の反射面
（４２Ａ）、（７５Ａ）及び／又は第２の反射面（４２
Ｂ）、（７５Ｂ）を照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜
Ｌ１１Ｇ）の光路長を変化させる方向に移動させる移動
手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、（７６Ａ〜７６Ｃ）とを設け
るようにした。
【００１２】また第２の発明においては、照明光学系
（５１）から発射された照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１
Ａ〜Ｌ１１Ｇ）をマスク（２１）、（５２）に描かれた
パターンに照射し、被露光基板（２３）、（５６）に露
光する投影露光装置において、マスク（２１）、（５
２）から出射した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ
１１Ｇ）を反射する第１の反射面（４２Ａ）、（７５
Ａ）と、第１の反射面（４２Ａ）、（７５Ａ）から出射
した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を集
光する集光光学系（４５）、（８０）と、集光光学系
（４５）、（８０）から出射した照明光束（Ｌ１０）、
（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を、被露光基板（２３）、（５
６）上に垂直に入射するように反射する第２の反射面
（４２Ｂ）、（７５Ｂ）とを有する投影光学系（２
２）、（５３）と、被露光基板（２３）、（５６）の感
光面（２３Ａ）、（５６Ａ）と垂直な方向における被露
光基板（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、（５６
Ａ）の高さを検出する高さ検出手段（４６）、（８１）
と、高さ検出手段（４６）、（８１）の検出結果に基づ
いて、第１の反射面（４２Ａ）、（７５Ａ）及び／又は
第２の反射面（４２Ｂ）、（７５Ｂ）を照明光束（Ｌ１
０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）の光路長を変化させる方
向に移動させる移動手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、（７６Ａ
〜７６Ｃ）とを設けるようにした。
（５１）から発射された照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１
Ａ〜Ｌ１１Ｇ）をマスク（２１）、（５２）に描かれた
パターンに照射し、被露光基板（２３）、（５６）に露
光する投影露光装置において、マスク（２１）、（５
２）から出射した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ
１１Ｇ）を反射する第１の反射面（４２Ａ）、（７５
Ａ）と、第１の反射面（４２Ａ）、（７５Ａ）から出射
した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を集
光する集光光学系（４５）、（８０）と、集光光学系
（４５）、（８０）から出射した照明光束（Ｌ１０）、
（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を、被露光基板（２３）、（５
６）上に垂直に入射するように反射する第２の反射面
（４２Ｂ）、（７５Ｂ）とを有する投影光学系（２
２）、（５３）と、被露光基板（２３）、（５６）の感
光面（２３Ａ）、（５６Ａ）と垂直な方向における被露
光基板（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、（５６
Ａ）の高さを検出する高さ検出手段（４６）、（８１）
と、高さ検出手段（４６）、（８１）の検出結果に基づ
いて、第１の反射面（４２Ａ）、（７５Ａ）及び／又は
第２の反射面（４２Ｂ）、（７５Ｂ）を照明光束（Ｌ１
０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）の光路長を変化させる方
向に移動させる移動手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、（７６Ａ
〜７６Ｃ）とを設けるようにした。
【００１３】この場合第１の発明においては、第１の反
射面（４２Ａ）、（７５Ａ）及び／又は第２の反射面
（４２Ｂ）、（７５Ｂ）を照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１
１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）の光路長を変化させる方向に移動させ
る移動手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、（７６Ａ〜７６Ｃ）設
けるようにしたことにより、第１の反射面（４２Ａ）、
（７５Ａ）及び／又は第２の反射面（４２Ｂ）、（７５
Ｂ）の位置を調整することでマスク（２１）、（５２）
を透過した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１
Ｇ）を常に被露光基板（２３）、（５６）の感光面（２
３Ａ）、（５６Ａ）上に集光させることができる。
射面（４２Ａ）、（７５Ａ）及び／又は第２の反射面
（４２Ｂ）、（７５Ｂ）を照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１
１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）の光路長を変化させる方向に移動させ
る移動手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、（７６Ａ〜７６Ｃ）設
けるようにしたことにより、第１の反射面（４２Ａ）、
（７５Ａ）及び／又は第２の反射面（４２Ｂ）、（７５
Ｂ）の位置を調整することでマスク（２１）、（５２）
を透過した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１
Ｇ）を常に被露光基板（２３）、（５６）の感光面（２
３Ａ）、（５６Ａ）上に集光させることができる。
【００１４】また第２の発明においては、第１の発明に
かかる投影光学系（２２）、（５３）と、被露光基板
（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、（５６Ａ）と
垂直な方向における被露光基板（２３）、（５６）の感
光面（２３Ａ）、（５６Ａ）の高さを検出する高さ検出
手段（４６）、（８１）と、高さ検出手段（４６）、
（８１）の検出結果に基づいて、第１の反射面（４２
Ａ）、（７５Ａ）及び／又は第２の反射面（４２Ｂ）、
（７５Ｂ）を移動させる移動手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、
（７６Ａ〜７６Ｃ）とを設けるようにしたことにより、
第１の発明と同様に、マスク（２１）、（５２）を透過
した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を常
に被露光基板（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、
（５６Ａ）上に集光させることができる。
かかる投影光学系（２２）、（５３）と、被露光基板
（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、（５６Ａ）と
垂直な方向における被露光基板（２３）、（５６）の感
光面（２３Ａ）、（５６Ａ）の高さを検出する高さ検出
手段（４６）、（８１）と、高さ検出手段（４６）、
（８１）の検出結果に基づいて、第１の反射面（４２
Ａ）、（７５Ａ）及び／又は第２の反射面（４２Ｂ）、
（７５Ｂ）を移動させる移動手段（４１Ａ〜４１Ｃ）、
（７６Ａ〜７６Ｃ）とを設けるようにしたことにより、
第１の発明と同様に、マスク（２１）、（５２）を透過
した照明光束（Ｌ１０）、（Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ）を常
に被露光基板（２３）、（５６）の感光面（２３Ａ）、
（５６Ａ）上に集光させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１６】（１）第１実施例 図１において、２０は全体として第１実施例による投影
露光装置を示し、図示しない照明光学系から発射された
照明光束Ｌ１０をマスク２１上に集光すると共に、当該
照明光束Ｌ１０がマスク２１を透過することにより得ら
れる当該マスク２１のパターン像を投影光学系２２を介
して被露光基板２３の感光面２３Ａ上に結像するように
なされている。
露光装置を示し、図示しない照明光学系から発射された
照明光束Ｌ１０をマスク２１上に集光すると共に、当該
照明光束Ｌ１０がマスク２１を透過することにより得ら
れる当該マスク２１のパターン像を投影光学系２２を介
して被露光基板２３の感光面２３Ａ上に結像するように
なされている。
【００１７】この場合照明光学系及び投影光学系２２
は、いずれも装置２０内部の所定位置に固定配置されて
いる。一方マスク２１及び被露光基板２３は、図示しな
い保持機構により平行かつ対向するように保持されてお
り、被露光基板２３の感光面２３Ａと平行なＸ方向（矢
印ｘ2 ）及びＹ方向（矢印ｙ2 ）に一体に移動し得るよ
うになされている。
は、いずれも装置２０内部の所定位置に固定配置されて
いる。一方マスク２１及び被露光基板２３は、図示しな
い保持機構により平行かつ対向するように保持されてお
り、被露光基板２３の感光面２３Ａと平行なＸ方向（矢
印ｘ2 ）及びＹ方向（矢印ｙ2 ）に一体に移動し得るよ
うになされている。
【００１８】これによりこの投影露光装置２０では、マ
スク２１及び被露光基板２３を所定のタイミングでＸ方
向及びＹ方向に移動させることによつて、当該被露光基
板２３の感光面２３Ａを全面に亘つて照明光束Ｌ１０に
よつて光走査し得、かくして当該感光面２３Ａをマスク
２１のパターン像に応じて露光し得るようになされてい
る。
スク２１及び被露光基板２３を所定のタイミングでＸ方
向及びＹ方向に移動させることによつて、当該被露光基
板２３の感光面２３Ａを全面に亘つて照明光束Ｌ１０に
よつて光走査し得、かくして当該感光面２３Ａをマスク
２１のパターン像に応じて露光し得るようになされてい
る。
【００１９】ここでこの投影露光装置２０の場合、図１
からも明らかなように、投影光学系２２はそれぞれ両側
テレセントリツクなインミラータイプの第１及び第２の
部分光学ユニツト２４、２５から構成されている。この
場合第１の部分光学ユニツト２４は、ベース３０に固定
されたプリズム３１と、照明光束Ｌ１０の収差を補正す
るレンズ３２及び照明光束Ｌ１０を集光する凹面鏡３３
からなる両側テレセントリツク光学系３４とから形成さ
れている。
からも明らかなように、投影光学系２２はそれぞれ両側
テレセントリツクなインミラータイプの第１及び第２の
部分光学ユニツト２４、２５から構成されている。この
場合第１の部分光学ユニツト２４は、ベース３０に固定
されたプリズム３１と、照明光束Ｌ１０の収差を補正す
るレンズ３２及び照明光束Ｌ１０を集光する凹面鏡３３
からなる両側テレセントリツク光学系３４とから形成さ
れている。
【００２０】かくして第１の部分光学ユニツト２４にお
いては、マスク２１を垂直に透過した照明光束Ｌ１０を
プリズム３１の第１の反射面３１Ａにおいて＋Ｘ方向に
反射すると共に、これを両側テレセントリツク光学系３
４のレンズ３２を介して凹面鏡３４において−Ｘ方向に
反射し、この後レンズ３２を介してプリズム３１の第２
の反射面３１Ｂにおいて−Ｚ方向に反射することによ
り、この照明光束Ｌ１０を第２の部分光学ユニツト２５
に向けて出射させると共に、この照明光束Ｌ１０を第１
及び第２の部分光学ユニツト２４、２５間において集光
させ得るようになされている。
いては、マスク２１を垂直に透過した照明光束Ｌ１０を
プリズム３１の第１の反射面３１Ａにおいて＋Ｘ方向に
反射すると共に、これを両側テレセントリツク光学系３
４のレンズ３２を介して凹面鏡３４において−Ｘ方向に
反射し、この後レンズ３２を介してプリズム３１の第２
の反射面３１Ｂにおいて−Ｚ方向に反射することによ
り、この照明光束Ｌ１０を第２の部分光学ユニツト２５
に向けて出射させると共に、この照明光束Ｌ１０を第１
及び第２の部分光学ユニツト２４、２５間において集光
させ得るようになされている。
【００２１】一方第２の部分光学ユニツト２５において
は、ベース４０に複数の圧電素子（例えばピエゾ素子）
４１Ａ〜４１Ｃを介してプリズム４２が取り付けられて
いる点を除いて第１の部分光学ユニツト２４と同様に構
成されており、第１の部分光学ユニツト２４から出射し
た照明光束Ｌ１０をプリズム４２の第１の反射面４２Ａ
において＋Ｘ方向に反射すると共に、これを両側テレセ
ントリツク光学系４３のレンズ４４を介して凹面鏡４５
において−Ｘ方向に反射し、この後レンズ４４を介して
プリズム４２の第２の反射面４２Ｂにおいて−Ｚ方向に
反射することにより、この照明光束Ｌ１０を被露光基板
２３の感光面２３Ａ上に垂直に入射させ、集光させ得る
ようになされている。
は、ベース４０に複数の圧電素子（例えばピエゾ素子）
４１Ａ〜４１Ｃを介してプリズム４２が取り付けられて
いる点を除いて第１の部分光学ユニツト２４と同様に構
成されており、第１の部分光学ユニツト２４から出射し
た照明光束Ｌ１０をプリズム４２の第１の反射面４２Ａ
において＋Ｘ方向に反射すると共に、これを両側テレセ
ントリツク光学系４３のレンズ４４を介して凹面鏡４５
において−Ｘ方向に反射し、この後レンズ４４を介して
プリズム４２の第２の反射面４２Ｂにおいて−Ｚ方向に
反射することにより、この照明光束Ｌ１０を被露光基板
２３の感光面２３Ａ上に垂直に入射させ、集光させ得る
ようになされている。
【００２２】従つてこの投影光学系２２では、第２の部
分光学ユニツト２５の各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに同電
圧を印加し、これらを同量伸縮させることによつて、図
２のようにプリズム４２を両側テレセントリツク光学系
４３の光軸Ｋ１に沿つてＸ方向に平行移動させることが
でき、かくしてこのときのプリズム４２の移動量をδと
して、次式
分光学ユニツト２５の各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに同電
圧を印加し、これらを同量伸縮させることによつて、図
２のようにプリズム４２を両側テレセントリツク光学系
４３の光軸Ｋ１に沿つてＸ方向に平行移動させることが
でき、かくしてこのときのプリズム４２の移動量をδと
して、次式
【数１】 で与えられる距離Δｆだけ照明光束Ｌ１０の光路長を変
化させ得るようになされている。
化させ得るようになされている。
【００２３】従つてこの投影光学系２２では、プリズム
４２の移動量δに対して、第２の部分光学ユニツト２５
から出射する照明光束Ｌ１０の焦点位置をその光軸方向
（Ｚ方向）に（１）式で与えられる距離Δｆだけ移動さ
せることができるため、第２の部分光学ユニツト２５の
各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに印加する電圧を調整し、各
圧電素子４１Ａ〜４１Ｃの伸縮量を制御することによつ
て、第２の部分光学ユニツト２５から出射する照明光束
Ｌ１０を常に被露光基板２３の感光面２３Ａ上に合焦さ
せることができるようになされている。
４２の移動量δに対して、第２の部分光学ユニツト２５
から出射する照明光束Ｌ１０の焦点位置をその光軸方向
（Ｚ方向）に（１）式で与えられる距離Δｆだけ移動さ
せることができるため、第２の部分光学ユニツト２５の
各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに印加する電圧を調整し、各
圧電素子４１Ａ〜４１Ｃの伸縮量を制御することによつ
て、第２の部分光学ユニツト２５から出射する照明光束
Ｌ１０を常に被露光基板２３の感光面２３Ａ上に合焦さ
せることができるようになされている。
【００２４】このためこの投影露光装置２０において
は、図１に示すように、被露光基板２３の感光面２３Ａ
と垂直な方向に対する当該感光面２３Ａの高さ位置を検
出するフオーカスセンサ４６がマスク２１及び被露光基
板２３間に配設されると共に、図示しない制御部がこの
フオーカスセンサ４６から出力されるフオーカス信号に
基づく所定電圧レベルの制御信号を第２の部分光学ユニ
ツト２５の各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに送出するように
なされている。
は、図１に示すように、被露光基板２３の感光面２３Ａ
と垂直な方向に対する当該感光面２３Ａの高さ位置を検
出するフオーカスセンサ４６がマスク２１及び被露光基
板２３間に配設されると共に、図示しない制御部がこの
フオーカスセンサ４６から出力されるフオーカス信号に
基づく所定電圧レベルの制御信号を第２の部分光学ユニ
ツト２５の各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに送出するように
なされている。
【００２５】これにより制御部は、フオーカスセンサ４
６から出力されたフオーカス信号に基づく所定の伸縮量
だけ各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃを伸縮させて、当該伸縮
量と同じ距離だけ第２の部分光学ユニツト２５のプリズ
ム４２を＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移動させる（プリズム
４２の移動方向は、被露光基板２３の感光面２３Ａの高
さ位置による）ようになされ、かくして第２の部分光学
ユニツト２５から出射する照明光束Ｌ１０を被露光基板
２３の感光面２３Ａ上に合焦させるようになされてい
る。
６から出力されたフオーカス信号に基づく所定の伸縮量
だけ各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃを伸縮させて、当該伸縮
量と同じ距離だけ第２の部分光学ユニツト２５のプリズ
ム４２を＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移動させる（プリズム
４２の移動方向は、被露光基板２３の感光面２３Ａの高
さ位置による）ようになされ、かくして第２の部分光学
ユニツト２５から出射する照明光束Ｌ１０を被露光基板
２３の感光面２３Ａ上に合焦させるようになされてい
る。
【００２６】以上の構成において、この投影露光装置２
０では、動作時、照明光学系から発射された照明光束Ｌ
１０をマスク２１及び投影光学系２２を順次介して被露
光基板２３の感光面２３Ａ上にマスク２１のパターン像
を投影すると共に、マスク２１及び被露光基板２３が一
体に所定のタイミングでＸ方向及びＹ方向に移動するこ
とにより、マスク２１を透過した照明光束Ｌ１０によつ
て被露光基板２３の感光面２３Ａを全面に亘つて光走査
するようにして露光する。
０では、動作時、照明光学系から発射された照明光束Ｌ
１０をマスク２１及び投影光学系２２を順次介して被露
光基板２３の感光面２３Ａ上にマスク２１のパターン像
を投影すると共に、マスク２１及び被露光基板２３が一
体に所定のタイミングでＸ方向及びＹ方向に移動するこ
とにより、マスク２１を透過した照明光束Ｌ１０によつ
て被露光基板２３の感光面２３Ａを全面に亘つて光走査
するようにして露光する。
【００２７】このとき制御部は、フオーカスセンサ４６
から順次供給されるフオーカス信号に基づいて、当該フ
オーカス信号に応じた所定電圧の制御信号を投影光学系
２２の第２の部分光学ユニツト２５の各圧電素子４１Ａ
〜４１Ｃに送出し、これら各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃを
フオーカス信号に基づく所定量だけ伸縮させるようにし
て第２の部分光学ユニツト２５のプリズム４２を＋Ｘ方
向又は−Ｘ方向に移動させ、かくして被露光基板２３の
感光面２３Ａに入射する照明光束Ｌ１０を常に被露光基
板２３の感光面２３Ａ上に合焦させる。
から順次供給されるフオーカス信号に基づいて、当該フ
オーカス信号に応じた所定電圧の制御信号を投影光学系
２２の第２の部分光学ユニツト２５の各圧電素子４１Ａ
〜４１Ｃに送出し、これら各圧電素子４１Ａ〜４１Ｃを
フオーカス信号に基づく所定量だけ伸縮させるようにし
て第２の部分光学ユニツト２５のプリズム４２を＋Ｘ方
向又は−Ｘ方向に移動させ、かくして被露光基板２３の
感光面２３Ａに入射する照明光束Ｌ１０を常に被露光基
板２３の感光面２３Ａ上に合焦させる。
【００２８】従つてこの投影露光装置２０では、従来の
投影露光装置１（図９）のようにＺステージ６（図９）
を用いることなくマスク２１を透過した照明光束Ｌ１０
を被露光基板２３の感光面２３Ａ上に集光させることが
できるため、全体として小型に構築することができる。
投影露光装置１（図９）のようにＺステージ６（図９）
を用いることなくマスク２１を透過した照明光束Ｌ１０
を被露光基板２３の感光面２３Ａ上に集光させることが
できるため、全体として小型に構築することができる。
【００２９】またこの場合この投影露光装置２０では、
マスク２１を透過した照明光束Ｌ１０を被露光基板２３
の感光面２３Ａ上に集光させる手段として複数の圧電素
子４１Ａ〜４１Ｃを用いているため、Ｚステージ６（図
９）を用いる場合に比べて全体としての構成をより簡易
化することができる。
マスク２１を透過した照明光束Ｌ１０を被露光基板２３
の感光面２３Ａ上に集光させる手段として複数の圧電素
子４１Ａ〜４１Ｃを用いているため、Ｚステージ６（図
９）を用いる場合に比べて全体としての構成をより簡易
化することができる。
【００３０】以上の構成によれば、投影光学系２２をイ
ンミラータイプの第１及び第２の部分光学ユニツト２
４、２５から構成すると共に、第２の部分光学ユニツト
２５のプリズム４２を複数の圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに
より両側テレセントリツク光学系４３の光軸Ｋ１に沿つ
てＸ方向に移動自在にするようにしたことにより、投影
光学系２２から出射した照明光束Ｌ１０をＺステージ６
（図９）を用いることなく常に被露光基板２３の感光面
２３Ａ上に合焦させることができ、かくして解像度の高
い露光を行い得る簡易な構成の投影光学系及び投影露光
装置を実現できる。なお、第１実施例において第２の部
分光学ユニツト２５のみであつてもよい。この場合は、
像が倒立像になる。
ンミラータイプの第１及び第２の部分光学ユニツト２
４、２５から構成すると共に、第２の部分光学ユニツト
２５のプリズム４２を複数の圧電素子４１Ａ〜４１Ｃに
より両側テレセントリツク光学系４３の光軸Ｋ１に沿つ
てＸ方向に移動自在にするようにしたことにより、投影
光学系２２から出射した照明光束Ｌ１０をＺステージ６
（図９）を用いることなく常に被露光基板２３の感光面
２３Ａ上に合焦させることができ、かくして解像度の高
い露光を行い得る簡易な構成の投影光学系及び投影露光
装置を実現できる。なお、第１実施例において第２の部
分光学ユニツト２５のみであつてもよい。この場合は、
像が倒立像になる。
【００３１】（２）第２実施例 図３は、第２実施例による投影露光装置５０を示し、照
明光学系５１から発射された複数の各照明光束Ｌ１１Ａ
〜Ｌ１１Ｇによつてマスク５２上の互いに異なる領域
（以下、これらを照明領域５２Ａ〜５２Ｇと呼ぶ）を照
明すると共に、これら各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇが
それぞれマスク５２を透過することにより得られた当該
マスク５２の各照明領域５２Ａ〜５２Ｇ内のパターン像
を、それぞれ投影光学系５３の対応する投影光学ユニツ
ト５４Ａ〜５４Ｇを介してマスク５２と平行かつ対向す
るようにステージ５５上に載置された被露光基板５６の
感光面５６Ａ上に結像させるようになされている。
明光学系５１から発射された複数の各照明光束Ｌ１１Ａ
〜Ｌ１１Ｇによつてマスク５２上の互いに異なる領域
（以下、これらを照明領域５２Ａ〜５２Ｇと呼ぶ）を照
明すると共に、これら各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇが
それぞれマスク５２を透過することにより得られた当該
マスク５２の各照明領域５２Ａ〜５２Ｇ内のパターン像
を、それぞれ投影光学系５３の対応する投影光学ユニツ
ト５４Ａ〜５４Ｇを介してマスク５２と平行かつ対向す
るようにステージ５５上に載置された被露光基板５６の
感光面５６Ａ上に結像させるようになされている。
【００３２】この場合照明光学系５１は、マスク５２に
形成する各照明領域５２Ａ〜５２ＧがＹ方向（矢印ｙ
３）に沿つて２段にかつ順次補完的に並ぶように各照明
光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇをマスク５２に向けて発射する
ようになされている。またマスク５２及びステージ５５
は、図示しない保持機構により一体に保持され、図示し
ない駆動機構から与えられる駆動力に基づいてＸ方向
（矢印ｘ3 ）に一体に移動し得るようになされている。
形成する各照明領域５２Ａ〜５２ＧがＹ方向（矢印ｙ
３）に沿つて２段にかつ順次補完的に並ぶように各照明
光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇをマスク５２に向けて発射する
ようになされている。またマスク５２及びステージ５５
は、図示しない保持機構により一体に保持され、図示し
ない駆動機構から与えられる駆動力に基づいてＸ方向
（矢印ｘ3 ）に一体に移動し得るようになされている。
【００３３】さらに各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇ
は、それぞれ両側テレセントリツクな正立正像等倍の光
学系として構成され、それぞれ被露光基板５６の感光面
５６Ａ上に、マスク５２の対応する照明領域５２Ａ〜５
２Ｇと対向するように当該照明領域５２Ａ〜５２Ｇ内の
パターン像が投影されてなる露光領域５６ＡＡ〜５６Ａ
Ｇを形成するようになされている。
は、それぞれ両側テレセントリツクな正立正像等倍の光
学系として構成され、それぞれ被露光基板５６の感光面
５６Ａ上に、マスク５２の対応する照明領域５２Ａ〜５
２Ｇと対向するように当該照明領域５２Ａ〜５２Ｇ内の
パターン像が投影されてなる露光領域５６ＡＡ〜５６Ａ
Ｇを形成するようになされている。
【００３４】これによりこの投影露光装置５０において
は、照明光学系５１から発射された各照明光束Ｌ１１Ａ
〜Ｌ１１Ｇに基づいて被露光基板５６上にマスク５２の
各照明領域５２Ａ〜５２Ｇと同じ位置関係で複数の露光
領域５６ＡＡ〜５６ＡＧを形成し得、かくしてこの状態
でマスク５２及びステージ５５をＸ方向に移動させるこ
とによつて被露光基板５６の感光面５６Ａを全面に亘つ
てマスク５２のパターン像に応じて露光し得るようにな
されている。
は、照明光学系５１から発射された各照明光束Ｌ１１Ａ
〜Ｌ１１Ｇに基づいて被露光基板５６上にマスク５２の
各照明領域５２Ａ〜５２Ｇと同じ位置関係で複数の露光
領域５６ＡＡ〜５６ＡＧを形成し得、かくしてこの状態
でマスク５２及びステージ５５をＸ方向に移動させるこ
とによつて被露光基板５６の感光面５６Ａを全面に亘つ
てマスク５２のパターン像に応じて露光し得るようにな
されている。
【００３５】ここでこの投影露光装置５０の場合、各投
影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇは、図４に示すように、
筐体６０に収容された第１及び第２の部分光学ユニツト
６１、６２から構成されている。この場合第１の部分光
学ユニツト６１は、平行平面ガラス板７０に固定された
プリズム７１と、照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１
１Ｇの収差を補正するレンズ７２及びこれを集光する凹
面鏡７３からなる両側テレセントリツク光学系７４とで
形成されている。
影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇは、図４に示すように、
筐体６０に収容された第１及び第２の部分光学ユニツト
６１、６２から構成されている。この場合第１の部分光
学ユニツト６１は、平行平面ガラス板７０に固定された
プリズム７１と、照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１
１Ｇの収差を補正するレンズ７２及びこれを集光する凹
面鏡７３からなる両側テレセントリツク光学系７４とで
形成されている。
【００３６】かくして第１の部分光学ユニツト６１は、
マスク５２を透過した対応する照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１
１Ｆ又はＬ１１Ｇをプリズム７１の第１の反射面７１Ａ
において＋Ｘ方向に反射すると共に、これを両側テレセ
ントリツク光学系７４のレンズ７２を介して凹面鏡７３
において−Ｘ方向に反射し、この後レンズ７２及び平行
平面ガラス板７０を介してプリズム７１の第２の反射面
７１Ｂにおいて−Ｚ方向に反射させることにより、この
照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１１Ｇを第２の部分
光学ユニツト６２に向けて出射させると共に、これを第
１及び第２の部分光学ユニツト６１、６２間において集
光させ得るようになされている。
マスク５２を透過した対応する照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１
１Ｆ又はＬ１１Ｇをプリズム７１の第１の反射面７１Ａ
において＋Ｘ方向に反射すると共に、これを両側テレセ
ントリツク光学系７４のレンズ７２を介して凹面鏡７３
において−Ｘ方向に反射し、この後レンズ７２及び平行
平面ガラス板７０を介してプリズム７１の第２の反射面
７１Ｂにおいて−Ｚ方向に反射させることにより、この
照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１１Ｇを第２の部分
光学ユニツト６２に向けて出射させると共に、これを第
１及び第２の部分光学ユニツト６１、６２間において集
光させ得るようになされている。
【００３７】一方第２の部分光学ユニツト６２において
は、プリズム７５が筐体６０に複数の圧電素子（例えば
ピエゾ素子）７６Ａ〜７６Ｃを介して取り付けられてい
る点を除いて第１の部分光学ユニツト６１と同様に構成
されており、第１の部分光学ユニツト６１から出射した
照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１１Ｇをプリズム７
５の第１の反射面７５Ａにおいて＋Ｘ方向に反射すると
共に、これを両側テレセントリツク光学系７８のレンズ
７９を介して凹面鏡８０において−Ｘ方向に反射し、こ
の後レンズ７９及び平行平面ガラス板７７を順次介して
プリズム７５の第２の反射面７５Ｂにおいて−Ｚ方向に
反射することにより、この照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ
又はＬ１１Ｇを被露光基板５６の感光面５６Ａ上の対応
する露光領域５６ＡＡ〜５６ＡＦ又は５６ＡＧ（図３）
に入射させ、集光させ得るようになされている。
は、プリズム７５が筐体６０に複数の圧電素子（例えば
ピエゾ素子）７６Ａ〜７６Ｃを介して取り付けられてい
る点を除いて第１の部分光学ユニツト６１と同様に構成
されており、第１の部分光学ユニツト６１から出射した
照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１１Ｇをプリズム７
５の第１の反射面７５Ａにおいて＋Ｘ方向に反射すると
共に、これを両側テレセントリツク光学系７８のレンズ
７９を介して凹面鏡８０において−Ｘ方向に反射し、こ
の後レンズ７９及び平行平面ガラス板７７を順次介して
プリズム７５の第２の反射面７５Ｂにおいて−Ｚ方向に
反射することにより、この照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ
又はＬ１１Ｇを被露光基板５６の感光面５６Ａ上の対応
する露光領域５６ＡＡ〜５６ＡＦ又は５６ＡＧ（図３）
に入射させ、集光させ得るようになされている。
【００３８】これにより各投影光学ユニツト５４Ａ〜５
４Ｇにおいては、第１実施例と同様に、第２の部分光学
ユニツト６２の各圧電素子７６Ａ〜７６Ｃに同じ電圧を
印加してこれらを同量伸縮させることによつて、プリズ
ム７５を両側テレセントリツク光学系７８の光軸Ｋ２に
沿つてＸ方向に移動させることができ、かくしてこれに
伴つて照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇの光路長を、プリズ
ム７５の移動量をδとして（１）式で与えられる距離Δ
ｆだけ変化させ得るようになされている。
４Ｇにおいては、第１実施例と同様に、第２の部分光学
ユニツト６２の各圧電素子７６Ａ〜７６Ｃに同じ電圧を
印加してこれらを同量伸縮させることによつて、プリズ
ム７５を両側テレセントリツク光学系７８の光軸Ｋ２に
沿つてＸ方向に移動させることができ、かくしてこれに
伴つて照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇの光路長を、プリズ
ム７５の移動量をδとして（１）式で与えられる距離Δ
ｆだけ変化させ得るようになされている。
【００３９】従つて各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇ
では、第１実施例の場合と同様に、プリズム７５の移動
に応じて照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇの焦点位置をＺ方
向に（１）式だけ移動させることができるため、各圧電
素子７６Ａ〜７６Ｃに印加する電圧を調整し、各圧電素
子７６Ａ〜７６Ｃの伸縮量を制御することによつて、出
射する照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１１Ｇを被露
光基板５６の感光面５６Ａ上に合焦させ得るようになさ
れている。
では、第１実施例の場合と同様に、プリズム７５の移動
に応じて照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇの焦点位置をＺ方
向に（１）式だけ移動させることができるため、各圧電
素子７６Ａ〜７６Ｃに印加する電圧を調整し、各圧電素
子７６Ａ〜７６Ｃの伸縮量を制御することによつて、出
射する照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｆ又はＬ１１Ｇを被露
光基板５６の感光面５６Ａ上に合焦させ得るようになさ
れている。
【００４０】このためこの投影露光装置５０において
は、各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇにそれぞれ対応
させて、被露光基板５６の感光面５６Ａと垂直な方向に
対する当該感光面５６Ａの高さ位置を検出するフオーカ
スセンサ８１がマスク５２及び被露光基板５６間に複数
設けられ、図示しない制御部がこれら各フオーカスセン
サ８１からそれぞれ出力されるフオーカス信号に基づく
所定電圧レベルの制御信号を対応する第２の部分光学ユ
ニツト６２の各圧電素子７６Ａ、７６Ｂにそれぞれ送出
するようになされている。
は、各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇにそれぞれ対応
させて、被露光基板５６の感光面５６Ａと垂直な方向に
対する当該感光面５６Ａの高さ位置を検出するフオーカ
スセンサ８１がマスク５２及び被露光基板５６間に複数
設けられ、図示しない制御部がこれら各フオーカスセン
サ８１からそれぞれ出力されるフオーカス信号に基づく
所定電圧レベルの制御信号を対応する第２の部分光学ユ
ニツト６２の各圧電素子７６Ａ、７６Ｂにそれぞれ送出
するようになされている。
【００４１】これによりこの制御部は、各投影光学ユニ
ツト５４Ａ〜５４Ｇの第２の部分光学ユニツト６２の各
圧電素子７６Ａ〜７６Ｃを対応するフオーカスセンサ８
１から出力されたフオーカス信号に基づく所定量だけ伸
縮させて、当該伸縮量と同じ距離だけ第２の部分光学ユ
ニツト６２のプリズム７５を＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移
動させる（プリズム７５の移動方向は、被露光基板５６
の感光面５６Ａの高さ位置による）ようになされ、かく
して各第２の部分光学ユニツト６２からそれぞれ出射す
る各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを被露光基板５６の感
光面５６Ａ上に合焦させるようになされている。
ツト５４Ａ〜５４Ｇの第２の部分光学ユニツト６２の各
圧電素子７６Ａ〜７６Ｃを対応するフオーカスセンサ８
１から出力されたフオーカス信号に基づく所定量だけ伸
縮させて、当該伸縮量と同じ距離だけ第２の部分光学ユ
ニツト６２のプリズム７５を＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移
動させる（プリズム７５の移動方向は、被露光基板５６
の感光面５６Ａの高さ位置による）ようになされ、かく
して各第２の部分光学ユニツト６２からそれぞれ出射す
る各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを被露光基板５６の感
光面５６Ａ上に合焦させるようになされている。
【００４２】以上の構成において、この投影露光装置５
０では、動作時、マスク５２及びステージ５５をＸ方向
に往復スキヤンさせるようにして当該ステージ５５上に
載置された被露光基板５６を露光する。この場合この投
影露光装置５０では、往スキヤン時、照明光学系５１か
ら各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇをマスク５２に入射さ
せない状態でマスク５２及びステージ５５を一体に＋Ｘ
方向に移動させると共に、この際各フオーカスセンサ８
１からそれぞれ出力されるフオーカス信号に基づいて制
御部が被露光基板５６の感光面５６Ａの高さ位置を順次
検出し、検出結果に基づいて当該被露光基板５６の感光
面５６Ａの平面度のマツプを形成する。
０では、動作時、マスク５２及びステージ５５をＸ方向
に往復スキヤンさせるようにして当該ステージ５５上に
載置された被露光基板５６を露光する。この場合この投
影露光装置５０では、往スキヤン時、照明光学系５１か
ら各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇをマスク５２に入射さ
せない状態でマスク５２及びステージ５５を一体に＋Ｘ
方向に移動させると共に、この際各フオーカスセンサ８
１からそれぞれ出力されるフオーカス信号に基づいて制
御部が被露光基板５６の感光面５６Ａの高さ位置を順次
検出し、検出結果に基づいて当該被露光基板５６の感光
面５６Ａの平面度のマツプを形成する。
【００４３】続く復スキヤン時、照明光学系５１を駆動
させて各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇをマスク５２に入
射させることにより被露光基板５６上にＹ方向に沿つて
２段にかつ補完的に複数の露光領域５６ＡＡ〜５６ＡＧ
を形成すると共に、この状態のままマスク５２及びステ
ージ５５を一体に−Ｘ方向に移動させながら、制御部が
往スキヤン時に形成したマツプに基づいて各投影光学ユ
ニツト５４Ａ〜５４Ｇから出射する各照明光束Ｌ１１Ａ
〜Ｌ１１Ｇがそれぞれ被露光基板５６の感光面５６Ａで
合焦するように各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇの第
２の部分光学ユニツト６２の各圧電素子７６Ａ〜７６Ｃ
を駆動制御するようにして被露光基板５６を露光する。
させて各照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇをマスク５２に入
射させることにより被露光基板５６上にＹ方向に沿つて
２段にかつ補完的に複数の露光領域５６ＡＡ〜５６ＡＧ
を形成すると共に、この状態のままマスク５２及びステ
ージ５５を一体に−Ｘ方向に移動させながら、制御部が
往スキヤン時に形成したマツプに基づいて各投影光学ユ
ニツト５４Ａ〜５４Ｇから出射する各照明光束Ｌ１１Ａ
〜Ｌ１１Ｇがそれぞれ被露光基板５６の感光面５６Ａで
合焦するように各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇの第
２の部分光学ユニツト６２の各圧電素子７６Ａ〜７６Ｃ
を駆動制御するようにして被露光基板５６を露光する。
【００４４】従つてこの投影露光装置５０においては、
制御部により各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇがそれ
ぞれ独立してフオーカス制御されるため、各投影光学ユ
ニツト５４Ａ〜５４Ｇからそれぞれ出射される各照明光
束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを被露光基板５６の感光面５６Ａ
の平面度によらず常に当該感光面５６Ａ上に合焦させる
ことができ、その分大型の被露光基板５６を解像度高く
露光することができる。
制御部により各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇがそれ
ぞれ独立してフオーカス制御されるため、各投影光学ユ
ニツト５４Ａ〜５４Ｇからそれぞれ出射される各照明光
束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを被露光基板５６の感光面５６Ａ
の平面度によらず常に当該感光面５６Ａ上に合焦させる
ことができ、その分大型の被露光基板５６を解像度高く
露光することができる。
【００４５】以上の構成によれば、各投影光学ユニツト
５４Ａ〜５４Ｇをそれぞれダイソン型の第１及び第２の
部分光学ユニツト６１、６２から構成すると共に、第２
の部分光学ユニツト６２のプリズム７５を複数の圧電素
子７６Ａ〜７６Ｃにより対応する両側テレセントリツク
光学系７８の光軸Ｋ２に沿つてＸ方向に移動自在にする
ようにしたことにより、各投影光学ユニツト５４Ａ〜５
４Ｇからそれぞれ出射した照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ
をそれぞれ確実に被露光基板５６の感光面５６Ａ上に合
焦させることができ、かくして解像度の高い露光を行い
得る簡易な構成の投影光学系及び投影露光装置を実現で
きる。なお、露光領域５６ＡＡ〜５６ＡＧのスキヤン方
向側にフオーカスセンサ８１を配置した場合には往スキ
ヤン時に高さ位置を検出し、その結果を素早く各圧電素
子７６Ａ〜７６Ｃに反映されるようにすれば往スキヤン
時のみで解像度高く、被露光基板５６を露光することが
できる。
５４Ａ〜５４Ｇをそれぞれダイソン型の第１及び第２の
部分光学ユニツト６１、６２から構成すると共に、第２
の部分光学ユニツト６２のプリズム７５を複数の圧電素
子７６Ａ〜７６Ｃにより対応する両側テレセントリツク
光学系７８の光軸Ｋ２に沿つてＸ方向に移動自在にする
ようにしたことにより、各投影光学ユニツト５４Ａ〜５
４Ｇからそれぞれ出射した照明光束Ｌ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇ
をそれぞれ確実に被露光基板５６の感光面５６Ａ上に合
焦させることができ、かくして解像度の高い露光を行い
得る簡易な構成の投影光学系及び投影露光装置を実現で
きる。なお、露光領域５６ＡＡ〜５６ＡＧのスキヤン方
向側にフオーカスセンサ８１を配置した場合には往スキ
ヤン時に高さ位置を検出し、その結果を素早く各圧電素
子７６Ａ〜７６Ｃに反映されるようにすれば往スキヤン
時のみで解像度高く、被露光基板５６を露光することが
できる。
【００４６】（３）他の実施例 なお上述の第１及び第２実施例においては、マスク２１
又は５２を透過した照明光束Ｌ１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１
１Ｇを＋Ｘ方向に反射させると共に、両側テレセントリ
ツク光学系４３又は７８から戻つてきた当該照明光束Ｌ
１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを−Ｚ方向に反射させる手
段としてプリズム４２又は７５を適用するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、マ
スク２１又は５２を透過した照明光束Ｌ１０又はＬ１１
Ａ〜Ｌ１１Ｇを＋Ｘ方向に反射させる第１の反射面と、
両側テレセントリツク光学系４３又は７８から戻つてき
た当該照明光束Ｌ１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを−Ｚ方
向に反射させる第２の反射面とを有するのであれば、こ
の他種々の部材を適用できる。
又は５２を透過した照明光束Ｌ１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１
１Ｇを＋Ｘ方向に反射させると共に、両側テレセントリ
ツク光学系４３又は７８から戻つてきた当該照明光束Ｌ
１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを−Ｚ方向に反射させる手
段としてプリズム４２又は７５を適用するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、マ
スク２１又は５２を透過した照明光束Ｌ１０又はＬ１１
Ａ〜Ｌ１１Ｇを＋Ｘ方向に反射させる第１の反射面と、
両側テレセントリツク光学系４３又は７８から戻つてき
た当該照明光束Ｌ１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを−Ｚ方
向に反射させる第２の反射面とを有するのであれば、こ
の他種々の部材を適用できる。
【００４７】この場合第１及び第２の反射面を別々の部
材により形成するようにしても良く、さらにはこれら第
１及び第２の反射面がそれぞれ独立して移動し得るよう
にし、又は第１及び第２の反射面のうちいずれか一方だ
けが当該第１又は第２の反射面を出射する照明光束の光
路長を変化させる方向に移動自在にするようにしても良
い。
材により形成するようにしても良く、さらにはこれら第
１及び第２の反射面がそれぞれ独立して移動し得るよう
にし、又は第１及び第２の反射面のうちいずれか一方だ
けが当該第１又は第２の反射面を出射する照明光束の光
路長を変化させる方向に移動自在にするようにしても良
い。
【００４８】また上述の第１及び第２実施例において
は、第２の部分光学ユニツト２５又は５４Ａ〜５４Ｇの
プリズム４２又は７５の第１の反射面４２Ａ又は７５Ａ
から出射する照明光束Ｌ１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを
集光する集光手段として凹面鏡４５、８０を適用するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、この他種々の集光手段を適用できる。
は、第２の部分光学ユニツト２５又は５４Ａ〜５４Ｇの
プリズム４２又は７５の第１の反射面４２Ａ又は７５Ａ
から出射する照明光束Ｌ１０又はＬ１１Ａ〜Ｌ１１Ｇを
集光する集光手段として凹面鏡４５、８０を適用するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、この他種々の集光手段を適用できる。
【００４９】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、被露光基板２３又は５６の感光面２３Ａ又は５６Ａ
と垂直な方向に対する当該感光面２３Ａ又は５６Ａの高
さを検出する高さ検出手段として、被露光基板２３又は
５６の感光面２３Ａ又は５６Ａの基準位置からのずれ量
を検出するフオーカスセンサ４６又は８１を適用するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、被露光基板２３又は５６の感光面２３Ａ又は５６Ａ
と垂直な方向に対する当該感光面２３Ａ又は５６Ａの高
さを検出することができるのであれば、この他種々の構
成の高さ検出手段を適用できる。
は、被露光基板２３又は５６の感光面２３Ａ又は５６Ａ
と垂直な方向に対する当該感光面２３Ａ又は５６Ａの高
さを検出する高さ検出手段として、被露光基板２３又は
５６の感光面２３Ａ又は５６Ａの基準位置からのずれ量
を検出するフオーカスセンサ４６又は８１を適用するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、被露光基板２３又は５６の感光面２３Ａ又は５６Ａ
と垂直な方向に対する当該感光面２３Ａ又は５６Ａの高
さを検出することができるのであれば、この他種々の構
成の高さ検出手段を適用できる。
【００５０】さらに上述の第１及び第２においては、投
影光学系２２又は各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを
両側テレセントリツクに構成するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、投影光学系２２又
は各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを少なくとも像側
（被露光基板側）テレセントリツクに構成するようにし
ても良い。
影光学系２２又は各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを
両側テレセントリツクに構成するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、投影光学系２２又
は各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを少なくとも像側
（被露光基板側）テレセントリツクに構成するようにし
ても良い。
【００５１】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、フオーカスセンサ４６又は８１からのフオーカス信
号に基づいて第２の部分光学ユニツト２５又は５４Ａ〜
５４Ｇのプリズム４２又は７５を移動させる移動手段と
して複数の圧電素子４１Ａ〜４１Ｃ又は７６Ａ〜７６Ｃ
を適用するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、カムやボールねじ等この他種々の移動手
段を適用するようにしても良い。
は、フオーカスセンサ４６又は８１からのフオーカス信
号に基づいて第２の部分光学ユニツト２５又は５４Ａ〜
５４Ｇのプリズム４２又は７５を移動させる移動手段と
して複数の圧電素子４１Ａ〜４１Ｃ又は７６Ａ〜７６Ｃ
を適用するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、カムやボールねじ等この他種々の移動手
段を適用するようにしても良い。
【００５２】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、投影光学系２２又は投影光学系５３の各投影光学ユ
ニツト５４Ａ〜５４Ｇを図１又は図４のように構成する
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば図５〜図８のように構成するようにしても良
く、要は、マスクから出射した照明光束を反射し、かつ
照明光束の光路長を変化させる方向に移動自在の第１の
反射面と、第１の反射面から出射した照明光束を集光す
る集光光学系と、集光光学系から出射した照明光束を、
被露光基板上に垂直に入射するように反射する第２の反
射面とを有するように投影光学系２２又は投影光学系５
３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを構成するので
あれば、この他種々の構成を適用できる。
は、投影光学系２２又は投影光学系５３の各投影光学ユ
ニツト５４Ａ〜５４Ｇを図１又は図４のように構成する
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば図５〜図８のように構成するようにしても良
く、要は、マスクから出射した照明光束を反射し、かつ
照明光束の光路長を変化させる方向に移動自在の第１の
反射面と、第１の反射面から出射した照明光束を集光す
る集光光学系と、集光光学系から出射した照明光束を、
被露光基板上に垂直に入射するように反射する第２の反
射面とを有するように投影光学系２２又は投影光学系５
３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを構成するので
あれば、この他種々の構成を適用できる。
【００５３】実際上例えば図５の投影光学系９０は、第
１及び第２の部分光学ユニツト９１、９２から構成され
ている。この場合第１の部分光学ユニツト９１では、マ
スク９３上で集光し、当該マスク９３を透過した照明光
束Ｌ２０を第１の反射面９４で反射し、これを集光用の
レンズ９５を介して平行光に変換すると共に、この後こ
れを第２及び第３の反射面９６、９７を順次介してレン
ズ９５に入射させ、当該レンズ９５において収束光に変
換した後第４の反射面９８を介して第２の部分光学ユニ
ツト９２に向けて出射させるようになされている。
１及び第２の部分光学ユニツト９１、９２から構成され
ている。この場合第１の部分光学ユニツト９１では、マ
スク９３上で集光し、当該マスク９３を透過した照明光
束Ｌ２０を第１の反射面９４で反射し、これを集光用の
レンズ９５を介して平行光に変換すると共に、この後こ
れを第２及び第３の反射面９６、９７を順次介してレン
ズ９５に入射させ、当該レンズ９５において収束光に変
換した後第４の反射面９８を介して第２の部分光学ユニ
ツト９２に向けて出射させるようになされている。
【００５４】また第２の部分光学ユニツト９２は、第１
及び第４の反射面９９、１０３の少なくとも一方が照明
光束Ｌ２０の光路長を変化させる方向に移動自在である
ことを除いて第１の部分光学ユニツト９１と同様に構成
されており、第１の反射面９９に入射する照明光束Ｌ２
０を集光用のレンズ１００を介して平行光に変換すると
共に、この後これを第２及び第３の反射面１０１、１０
２を順次介してレンズ１００に入射させ、当該レンズ１
００において収束光に変換した後第４の反射面１０３を
介して被露光基板１０４の感光面に入射させ、集光させ
るようになされている。
及び第４の反射面９９、１０３の少なくとも一方が照明
光束Ｌ２０の光路長を変化させる方向に移動自在である
ことを除いて第１の部分光学ユニツト９１と同様に構成
されており、第１の反射面９９に入射する照明光束Ｌ２
０を集光用のレンズ１００を介して平行光に変換すると
共に、この後これを第２及び第３の反射面１０１、１０
２を順次介してレンズ１００に入射させ、当該レンズ１
００において収束光に変換した後第４の反射面１０３を
介して被露光基板１０４の感光面に入射させ、集光させ
るようになされている。
【００５５】従つて第１及び第２実施例の投影光学系２
２又は投影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５
４Ｇをこのように構成した場合においても第１及び第２
実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
２又は投影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５
４Ｇをこのように構成した場合においても第１及び第２
実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
【００５６】一方図６の投影光学系１１０においても、
第１及び第２の部分光学ユニツト１１１、１１２から構
成されており、第１の部分光学ユニツト１１１では、マ
スク１１３上に集光され、当該マスク１１３を透過した
照明光束Ｌ２１を第１の反射面１１４で反射し、これを
レンズ１１５を介して平行光に変換すると共に、この後
これを第２の反射面１１６を介してレンズ１１５に入射
させ、当該レンズ１１５において収束光に変換した後第
３の反射面１１７を介して第２の部分光学ユニツト１１
２に向けて出射させるようになされている。
第１及び第２の部分光学ユニツト１１１、１１２から構
成されており、第１の部分光学ユニツト１１１では、マ
スク１１３上に集光され、当該マスク１１３を透過した
照明光束Ｌ２１を第１の反射面１１４で反射し、これを
レンズ１１５を介して平行光に変換すると共に、この後
これを第２の反射面１１６を介してレンズ１１５に入射
させ、当該レンズ１１５において収束光に変換した後第
３の反射面１１７を介して第２の部分光学ユニツト１１
２に向けて出射させるようになされている。
【００５７】また第２の部分光学ユニツト１１２は、第
１及び第３の反射面１１８、１２１の少なくとも一方が
照明光束Ｌ２１の光路長を変化させる方向に移動自在で
あることを除いて第１の部分光学ユニツト１１１と同様
に構成されており、第１の反射面１１８に入射する照明
光束Ｌ２１を第１の反射面１１８で反射し、これをレン
ズ１１９を介して平行光に変換すると共に、この後これ
を第２の反射面１２０を介してレンズ１１９に入射さ
せ、当該レンズ１１９において収束光に変換した後第３
の反射面１２１を介して被露光基板１２２の感光面に入
射させ、集光させるようになされている。
１及び第３の反射面１１８、１２１の少なくとも一方が
照明光束Ｌ２１の光路長を変化させる方向に移動自在で
あることを除いて第１の部分光学ユニツト１１１と同様
に構成されており、第１の反射面１１８に入射する照明
光束Ｌ２１を第１の反射面１１８で反射し、これをレン
ズ１１９を介して平行光に変換すると共に、この後これ
を第２の反射面１２０を介してレンズ１１９に入射さ
せ、当該レンズ１１９において収束光に変換した後第３
の反射面１２１を介して被露光基板１２２の感光面に入
射させ、集光させるようになされている。
【００５８】従つて第１及び第２実施例の投影光学系２
２又は投影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５
４Ｇをこのように構成した場合においても第１及び第２
実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
２又は投影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５
４Ｇをこのように構成した場合においても第１及び第２
実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
【００５９】さらに図７の投影光学系１３０において
は、マスク１３１上に集光され、当該マスク１３１を透
過した照明光束Ｌ２２を、第１の反射面１３２で反射
し、これを集光用のレンズ１３３及び第２の反射面１３
４を順次介して一度集光させた後、第３の反射面１３
５、集光用のレンズ１３６及び第４の反射面１３７を順
次介して被露光基板１３８の感光面に入射させ、集光さ
せるようになされている。
は、マスク１３１上に集光され、当該マスク１３１を透
過した照明光束Ｌ２２を、第１の反射面１３２で反射
し、これを集光用のレンズ１３３及び第２の反射面１３
４を順次介して一度集光させた後、第３の反射面１３
５、集光用のレンズ１３６及び第４の反射面１３７を順
次介して被露光基板１３８の感光面に入射させ、集光さ
せるようになされている。
【００６０】この場合この投影光学系１３０では、第１
及び第４の反射面１３２、１３７の少なくとも一方が照
明光束Ｌ２２の光路長を変化させる方向に移動自在であ
り、従つて第１及び第２の実施例の投影光学系２２又は
投影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを
このように構成した場合においても第１及び第２実施例
の場合と同様の効果を得ることができる。
及び第４の反射面１３２、１３７の少なくとも一方が照
明光束Ｌ２２の光路長を変化させる方向に移動自在であ
り、従つて第１及び第２の実施例の投影光学系２２又は
投影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇを
このように構成した場合においても第１及び第２実施例
の場合と同様の効果を得ることができる。
【００６１】さらに図８の投影光学系１４０において
は、マスク１４１上に集光され、当該マスク１４１を透
過した照明光束Ｌ２３を第１の反射面１４２で反射し、
これをレンズ１４３を介して一度集光すると共に、この
後これをレンズ１４４を介して収束光に変換した後第２
の反射面１４５を介して被露光基板１４６の感光面に入
射させ、集光させるようになされている。
は、マスク１４１上に集光され、当該マスク１４１を透
過した照明光束Ｌ２３を第１の反射面１４２で反射し、
これをレンズ１４３を介して一度集光すると共に、この
後これをレンズ１４４を介して収束光に変換した後第２
の反射面１４５を介して被露光基板１４６の感光面に入
射させ、集光させるようになされている。
【００６２】この場合この投影光学系１４０では、第１
及び第２の反射面１４２、１４５の少なくとも一方が照
明光束Ｌ２３の光路長を変化させる方向に移動自在であ
り、従つて第１及び第２実施例の投影光学系２２又は投
影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇをこ
のように構成した場合においても第１及び第２実施例の
場合と同様の効果を得ることができる。
及び第２の反射面１４２、１４５の少なくとも一方が照
明光束Ｌ２３の光路長を変化させる方向に移動自在であ
り、従つて第１及び第２実施例の投影光学系２２又は投
影光学系５３の各投影光学ユニツト５４Ａ〜５４Ｇをこ
のように構成した場合においても第１及び第２実施例の
場合と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
【発明の効果】上述のように第１の発明によれば、照明
光学系からマスクに照射される照明光束を被露光基板の
感光面上に集光する投影光学系において、マスクから出
射した照明光束を反射する第１の反射面と、第１の反射
面から出射した照明光束を集光する集光光学系と、集光
光学系から出射した照明光束を、被露光基板上に垂直に
入射するように反射する第２の反射面と、第１の反射面
及び／又は第２の反射面を照明光束の光路長を変化させ
る方向に移動させる移動手段とを設けるようにしたこと
により、第１の反射面及び／又は第２の反射面の位置を
調整することによつて、マスクを透過した照明光束を常
に被露光基板の感光面上に集光することができ、かくて
解像度の高い露光を行い得る簡易な構成の投影光学系を
実現できる。
光学系からマスクに照射される照明光束を被露光基板の
感光面上に集光する投影光学系において、マスクから出
射した照明光束を反射する第１の反射面と、第１の反射
面から出射した照明光束を集光する集光光学系と、集光
光学系から出射した照明光束を、被露光基板上に垂直に
入射するように反射する第２の反射面と、第１の反射面
及び／又は第２の反射面を照明光束の光路長を変化させ
る方向に移動させる移動手段とを設けるようにしたこと
により、第１の反射面及び／又は第２の反射面の位置を
調整することによつて、マスクを透過した照明光束を常
に被露光基板の感光面上に集光することができ、かくて
解像度の高い露光を行い得る簡易な構成の投影光学系を
実現できる。
【００６４】また第２の発明においては、照明光学系か
ら発射された照明光束をマスクに描かれたパターンに照
射し、被露光基板に露光する投影露光装置において、マ
スクから出射した照明光束を反射する第１の反射面と、
第１の反射面から出射した照明光束を集光する集光光学
系と、集光光学系から出射した照明光束を、被露光基板
上に垂直に入射するように反射する第２の反射面とを有
する投影光学系と、被露光基板の感光面と垂直な方向に
おける被露光基板の感光面の高さを検出する高さ検出手
段と、高さ検出手段の検出結果に基づいて、第１の反射
面及び／又は第２の反射面を照射光束の光路長を変化さ
せる方向に移動させる移動手段とを設けるようにしたこ
とにより、第１の発明と同様に、マスクを透過した照明
光束を常に被露光基板の感光面上に集光することがで
き、かくて解像度の高い露光を行い得る簡易な構成の投
影露光装置を実現できる。
ら発射された照明光束をマスクに描かれたパターンに照
射し、被露光基板に露光する投影露光装置において、マ
スクから出射した照明光束を反射する第１の反射面と、
第１の反射面から出射した照明光束を集光する集光光学
系と、集光光学系から出射した照明光束を、被露光基板
上に垂直に入射するように反射する第２の反射面とを有
する投影光学系と、被露光基板の感光面と垂直な方向に
おける被露光基板の感光面の高さを検出する高さ検出手
段と、高さ検出手段の検出結果に基づいて、第１の反射
面及び／又は第２の反射面を照射光束の光路長を変化さ
せる方向に移動させる移動手段とを設けるようにしたこ
とにより、第１の発明と同様に、マスクを透過した照明
光束を常に被露光基板の感光面上に集光することがで
き、かくて解像度の高い露光を行い得る簡易な構成の投
影露光装置を実現できる。
【図１】第１実施例による投影露光装置の構成を示す略
線的な側面図である。
線的な側面図である。
【図２】第２の部分光学ユニツトの動作説明に供する側
面図である。
面図である。
【図３】第２実施例による投影露光装置の構成を示す略
線的な側面図である。
線的な側面図である。
【図４】投影光学ユニツトの構成を示す側面図である。
【図５】他の実施例による投影光学系の構成を示す略線
図である。
図である。
【図６】他の実施例による投影光学系の構成を示す略線
図である。
図である。
【図７】他の実施例による投影光学系の構成を示す略線
図である。
図である。
【図８】他の実施例による投影光学系の構成を示す略線
図である。
図である。
【図９】従来の投影露光装置の一構成例を示す略線的な
側面図である。
側面図である。
【図１０】複数の投影光学系を用いた投影露光装置の説
明に供する略線的な側面図である。
明に供する略線的な側面図である。
２０、５０……投影露光装置、２１、５２……マスク、
２２、５３……投影光学系、２３、５６……被露光基
板、２３Ａ、５６Ａ……感光面、２４、２５、６１、６
２……部分光学ユニツト、４１Ａ〜４１Ｃ、７６Ａ〜７
６Ｃ……圧電素子、４２、７５……プリズム、４２Ａ、
４２Ｂ、７５Ａ、７５Ｂ……反射面、４３、７８……両
側テレセントリツク光学系、４４、７９……レンズ、４
５、８０……凹面鏡、４６、８１……フオーカスセン
サ。
２２、５３……投影光学系、２３、５６……被露光基
板、２３Ａ、５６Ａ……感光面、２４、２５、６１、６
２……部分光学ユニツト、４１Ａ〜４１Ｃ、７６Ａ〜７
６Ｃ……圧電素子、４２、７５……プリズム、４２Ａ、
４２Ｂ、７５Ａ、７５Ｂ……反射面、４３、７８……両
側テレセントリツク光学系、４４、７９……レンズ、４
５、８０……凹面鏡、４６、８１……フオーカスセン
サ。
Claims (6)
- 【請求項１】マスク及び被露光基板間に配置され、照明
光学系から前記マスクに照射される照明光束を前記被露
光基板の感光面上に集光する投影光学系において、 前記マスクから出射した前記照明光束を反射する第１の
反射面と、 前記第１の反射面から出射した前記照明光束を集光する
集光光学系と、 前記集光光学系から出射した前記照明光束を、前記被露
光基板上に垂直に入射するように反射する第２の反射面
と、 前記第１の反射面及び／又は第２の反射面を前記照明光
束の光路長を変化させる方向に移動させる移動手段とを
具えることを特徴とする投影光学系。 - 【請求項２】前記集光光学系は、 前記第１の反射面と前記集光光学系との間に配置され
た、前記第１の反射面から出射した前記照明光束の収差
を補正する補正光学系を具えることを特徴とする請求項
１に記載の投影光学系。 - 【請求項３】照明光学系から発射された照明光束をマス
クに描かれたパターンに照射し、前記被露光基板に露光
する投影露光装置において、 前記マスクから出射した前記照明光束を反射する第１の
反射面と、前記第１の反射面から出射した前記照明光束
を集光する集光光学系と、前記集光光学系から出射した
前記照明光束を、前記被露光基板上に垂直に入射するよ
うに反射する第２の反射面とを有する投影光学系と、 前記被露光基板の前記感光面と垂直な方向における前記
被露光基板の前記感光面の高さを検出する高さ検出手段
と、 前記高さ検出手段の検出結果に基づいて、前記第１の反
射面及び／又は前記第２の反射面を前記照明光束の光路
長を変化させる方向に移動させる移動手段とを具えるこ
とを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項４】前記第１及び第２の反射面は一体に形成さ
れ、前記第１の反射面の移動に伴つて前記第２の反射面
が移動することを特徴とする請求項３に記載の投影露光
装置。 - 【請求項５】前記投影光学系に対して、前記マスク及び
前記被露光基板を相対的に走査させる走査手段を具え、 前記投影光学系は、前記マスクのパターンの一部を前記
被露光基板に投影し、かつ前記走査手段による走査方向
と直交方向に所定間隔で複数並んで配置されており、 前記高さ検出手段は、前記投影光学系の投影位置に応じ
て複数並んで配置されており、 前記移動手段は、対応する各前記高さ検出手段の検出結
果に応じて対応する前記第１の反射面及び／又は前記第
２の反射面を移動させることを特徴とする請求項３に記
載の投影露光装置。 - 【請求項６】前記集光光学系は、 前記第１の反射面と、前記投影光学系の前記集光光学系
との間に配置された、前記第１の反射面から出射した前
記照明光束の収差を補正する補正光学系を具えることを
特徴とする請求項３に記載の投影露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129153A JPH09293676A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 投影光学系及び投影露光装置 |
| US08/850,733 US5959784A (en) | 1996-04-24 | 1997-04-24 | Optical projection systems and projection-exposure apparatus comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129153A JPH09293676A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 投影光学系及び投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293676A true JPH09293676A (ja) | 1997-11-11 |
| JPH09293676A5 JPH09293676A5 (ja) | 2004-11-11 |
Family
ID=15002460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129153A Pending JPH09293676A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 投影光学系及び投影露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5959784A (ja) |
| JP (1) | JPH09293676A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047390A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-18 | Nikon Corp | 露光装置およびその製造方法 |
| WO2000038017A1 (en) * | 1998-12-21 | 2000-06-29 | The Regents Of The University Of California | Projection optics box or assembly |
| JP2005509893A (ja) * | 2001-05-25 | 2005-04-14 | コダック・ポリクローム・グラフィックス・エルエルシー | 小型結像ヘッド、高速マルチヘッドレーザ結像アセンブリ、および高速マルチヘッドレーザ結像方法 |
| JP2009217244A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-09-24 | Canon Inc | 露光装置 |
| US9229205B2 (en) | 2011-08-24 | 2016-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001215718A (ja) | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| US6569606B1 (en) | 2000-07-27 | 2003-05-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of reducing photoresist shadowing during angled implants |
| US6407872B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-06-18 | Carl Zeiss, Inc. | Optical path length scanner using moving prisms |
| DE10118047A1 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-17 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Objektiv |
| US20030095339A1 (en) * | 2001-11-20 | 2003-05-22 | Pentax Corporation | Projection aligner |
| TWI232347B (en) * | 2001-12-26 | 2005-05-11 | Pentax Corp | Projection aligner |
| TWI232348B (en) * | 2001-12-26 | 2005-05-11 | Pentax Corp | Projection aligner |
| TWI240850B (en) * | 2001-12-26 | 2005-10-01 | Pentax Corp | Projection aligner |
| US6731374B1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-05-04 | Asml Holding N.V. | Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system |
| JP4289918B2 (ja) * | 2003-05-01 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、及び該位置検出装置を有するアライメント装置 |
| US7618780B2 (en) * | 2004-05-20 | 2009-11-17 | Trillion Genomics Limited | Use of mass labelled probes to detect target nucleic acids using mass spectrometry |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06265824A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 位置合せ装置 |
| JPH0786139A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH07273000A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH088158A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Fujitsu Ltd | プロジェクションマスクアライナのフォーカス調整方法 |
| JPH0864501A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Nikon Corp | 投影光学系及びそれを備えた露光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3724517B2 (ja) * | 1995-01-18 | 2005-12-07 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| US5581075A (en) * | 1993-10-06 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Multi-beam scanning projection exposure apparatus and method with beam monitoring and control for uniform exposure of large area |
| US5585972A (en) * | 1995-02-15 | 1996-12-17 | Ultratech Stepper, Inc. | Arbitrarily wide lens array with an image field to span the width of a substrate |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP8129153A patent/JPH09293676A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-24 US US08/850,733 patent/US5959784A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06265824A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 位置合せ装置 |
| JPH0786139A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH07273000A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH088158A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Fujitsu Ltd | プロジェクションマスクアライナのフォーカス調整方法 |
| JPH0864501A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Nikon Corp | 投影光学系及びそれを備えた露光装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047390A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-18 | Nikon Corp | 露光装置およびその製造方法 |
| WO2000038017A1 (en) * | 1998-12-21 | 2000-06-29 | The Regents Of The University Of California | Projection optics box or assembly |
| JP2005509893A (ja) * | 2001-05-25 | 2005-04-14 | コダック・ポリクローム・グラフィックス・エルエルシー | 小型結像ヘッド、高速マルチヘッドレーザ結像アセンブリ、および高速マルチヘッドレーザ結像方法 |
| JP2011043831A (ja) * | 2001-05-25 | 2011-03-03 | Kodak Polychrome Graphics Gmbh | 小型結像ヘッド、高速マルチヘッドレーザ結像アセンブリ、および高速マルチヘッドレーザ結像方法 |
| JP4913320B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2012-04-11 | コダック・ポリクロウム・グラフィックス・ゲーエムベーハー | 結像アセンブリ、結像システム、印刷プレートを準備する方法、およびレーザ結像アセンブリ |
| JP2009217244A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-09-24 | Canon Inc | 露光装置 |
| TWI414898B (zh) * | 2008-02-15 | 2013-11-11 | 佳能股份有限公司 | 曝光設備 |
| US9229205B2 (en) | 2011-08-24 | 2016-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5959784A (en) | 1999-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3572430B2 (ja) | 露光方法及びその装置 | |
| US6277533B1 (en) | Scanning exposure method | |
| US5528027A (en) | Scanning exposure apparatus having a scanning device for scanning light beams along the movement direction of a moving mask stage | |
| CN105204303B (zh) | 曝光装置及曝光方法 | |
| JPH09293676A (ja) | 投影光学系及び投影露光装置 | |
| JPH0794388A (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| JPH08293461A (ja) | 照明装置および該装置を備えた投影露光装置 | |
| JP3880155B2 (ja) | 位置決め方法及び位置決め装置 | |
| CN101918897A (zh) | 曝光方法及装置、以及元件制造方法 | |
| WO1998057362A1 (en) | Sensor and method for sensing the position of the surface of object, aligner provided with the sensor and method of manufacturing the aligner, and method of manufacturing devices by using the aligner | |
| JP5245506B2 (ja) | ステージ装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JP3754743B2 (ja) | 表面位置設定方法、ウエハ高さ設定方法、面位置設定方法、ウエハ面位置検出方法および露光装置 | |
| JPH07326567A (ja) | 等倍投影型露光装置 | |
| JPH11186129A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| JP4324848B2 (ja) | 走査露光特性の評価方法及び露光装置 | |
| JP3460131B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH097915A (ja) | 面傾斜検出装置 | |
| JPH08181063A (ja) | 露光装置 | |
| JP3360401B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| US6839124B2 (en) | Projection aligner | |
| JPH09298155A (ja) | 露光方法、露光装置及びマスク | |
| JP3495868B2 (ja) | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2002334827A (ja) | 面位置検出装置、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JPS60168112A (ja) | 投影装置の焦点合せ装置 | |
| JPH10326732A (ja) | 焦点位置検出装置、露光装置及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050817 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060131 |