JPH09293742A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子の気密封止が破れたり、半導体素子
の発生する熱を外部に良好に伝導放散されず半導体素子
に熱破壊や特性の熱変化が招来する。 【解決手段】上面中央部に半導体素子３が搭載される半
導体素子搭載部１ａを有する金属基体１と、前記金属基
体１の半導体素子搭載部１ａに搭載された半導体素子３
と、前記金属基体１の上面外周部に前記半導体素子搭載
部１ａを囲繞するようにして、且つその下面外周部が前
記金属基体１からはみ出すようにして接合された絶縁枠
体２と、前記絶縁枠体２の下面外周部に取着され、前記
半導体素子３の電極に電気的に接続された外部リード端
子４と、前記金属基体１、半導体素子３、絶縁枠体２及
び外部リード端子４の一部を被覆するモールド樹脂６と
から成る半導体装置であって、前記絶縁枠体２で金属基
体１からはみ出した下面外周部が金属基体１と実質的に
同一の厚みのポッティング樹脂５で被覆されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューター等
の情報処理装置に使用される半導体装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンピューター等の情報処理装置
に使用される半導体装置は、半導体素子と、半導体素子
を搭載するダイパッドと、ダイパッドの周辺から所定間
隔で延出する多数の外部リード端子と、前記半導体素
子、ダイパッド及び外部リード端子の一部を被覆するモ
ールド樹脂とから構成されており、ダイパッドと多数の
外部リード端子とが枠状の連結帯を介して一体的に連結
形成されたリードフレームを準備するとともに該リード
フレームのダイパッド上面に半導体素子を搭載固定し、
次に前記半導体素子の各電極と外部リード端子とをボン
ディングワイヤーを介して電気的に接続するとともに前
記半導体素子、ダイパッド及び外部リード端子の一部を
モールド樹脂により被覆することによって製作されてい
る。

【０００３】尚、前記リードフレームは、銅や鉄を主成
分とする金属から成り、該銅や鉄を主成分とする金属の
薄板に従来周知の打ち抜き加工やエッチング加工等の金
属加工を施すことによって製作される。

【０００４】また、かかる従来の半導体装置は、半導体
素子、ダイパッド及び外部リード端子の一部をモールド
樹脂で被覆した後、外部リード端子を枠状の連結帯より
切断分離させ、各々の外部リード端子を電気的に独立さ
せるとともに各外部リード端子の一端を外部電気回路基
板の配線導体に間に半田材を挟んで載置し、これを半田
リフローすることによって外部リード端子が外部電気回
路基板に接続され、これにより内部に収容する半導体素
子の各電極が外部リード端子を介して外部電気回路に接
続されることとなる。

【０００５】しかしながら、近時、半導体素子は高密度
化、高集積化が急激に進み、その電極数が大幅に増大し
てきており、これに伴って半導体素子の各電極を外部電
気回路に接続する外部リード端子もその線幅が０．３ｍ
ｍ以下と細く、且つ隣接する外部リード端子の間隔も
０．３ｍｍ以下と極めて狭いものとなってきた。そのた
めこの従来の半導体装置は、外部リード端子に例えば、
外部リード端子を外部電気回路に接続する際等において
外力が印加されると該外力によって外部リード端子が容
易に変形し、隣接する外部リード端子が接触して短絡を
発生させたり、外部リード端子を所定の外部電気回路に
正確、且つ強固に電気的接続することができないという
欠点を有していた。

【０００６】そこで、上記欠点を解消するために、図４
に示すように銅や銅−タングステン合金等の金属から成
り、その上面中央部に半導体素子が搭載される半導体素
子搭載部１１ａを有する金属基体１１と、酸化アルミニ
ウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、前記金属基体
１１の上面外周部に半導体素子搭載部１１ａを囲繞する
ように、またその下面外周部が金属基体１１からはみ出
すようにして接合され、且つその上面内周部から上面外
周部にかけて扇状に広がるように延出するとともにその
下面外周部に導出する複数個のメタライズ配線層１３を
有する絶縁枠体１２と、前記金属基体１１の半導体素子
搭載部１１ａに取着固定され、その電極が前記絶縁枠体
１２のメタライズ配線層１３にボンディングワイヤー１
４を介して電気的に接続された半導体素子１５と、前記
メタライズ配線層１３で絶縁枠体１２の下面外周部に導
出した部位に接合され、半導体素子１５を外部電気回路
に接続するための外部リード端子１６と、前記金属基体
１１、絶縁枠体１２、半導体素子１５及び外部リード端
子１６の一部を被覆するモールド樹脂１７と、から成る
半導体装置が提案されている。

【０００７】かかる半導体装置は、図５、図６に示すよ
うに、金属基体１１の上面外周部に絶縁枠体１２を接合
させるとともに該絶縁枠体１２の下面外周部に導出した
メタライズ配線層１３に外部リード端子１６を接合さ
せ、更に前記金属基体１１の半導体素子搭載部１１ａに
半導体素子１５を搭載固定するとともに該半導体素子１
５の各電極と絶縁枠体１２のメタライズ配線層１３とを
ボンディングワイヤー１４を介して電気的に接続させて
形成した組立体を、下面にモールド樹脂１７の上半分の
表面形状に対応した形状の凹部３１ａを有する上金型３
１と、上面にモールド樹脂１７の下半分の表面形状に対
応した形状の凹部３２ａを有する下金型３２との一対の
上下金型から成るモールド金型３０内にセットし、次に
前記モールド金型３０の凹部３１ａ、３２ａ内に液状樹
脂１７’を注入するとともに該注入した液状樹脂１７’
を熱硬化させることによって金属基体１１、絶縁枠体１
２、半導体素子１５及び外部リード端子１６の一部がモ
ールド樹脂１７により被覆される。

【０００８】尚、前記モールド金型３０の凹部３１ａ、
３２ａ内に液状樹脂１７’を注入するには、前記モール
ド金型３０の上金型３１と下金型３２との間に外部から
凹部内の一角に導出する樹脂注入路３３を設けるととも
に上金型３１と下金型３２との間に前記樹脂注入路３３
が導出する凹部３１ａ、３２ａ内の一角と対向する一角
から外部に導出する空気排出路３４を設けておき、前記
樹脂注入路３３を介してモールド金型３０の凹部３１
ａ、３２ａ内に液状樹脂１７’を注入すると同時に注入
された液状樹脂１７’により凹部３１ａ、３２ａ内の空
気を押し出し、該空気を空気排出路３４を介して外部に
排出する方法が採用される。

【０００９】かかる半導体装置によれば、外部リード端
子１６が扇状に広がったメタライズ配線層１３の絶縁枠
体１１下面外周部に導出した部位に接合されていること
から、外部リード端子１６の線幅及び隣接間隔を広いも
のとして外部リード端子１６の変形を有効に防止しつつ
隣接する外部リード端子１６間の電気的絶縁を維持する
ことが可能となる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体装置においては、前記金属基体１１の上面外周部に
絶縁枠体１２を接合させるとともに該絶縁枠体１２の下
面外周部に導出したメタライズ配線層１３に外部リード
端子１６を接合させ、更に前記金属基体１１の半導体素
子搭載部１１ａに半導体素子１５を搭載固定するととも
に該半導体素子１５の各電極と絶縁枠体１２のメタライ
ズ配線層１３とをボンディングワイヤー１４を介して電
気的に接続させて形成した組立体は、絶縁枠体１２の下
面中央部から金属基体１１が下方に突出した形状となっ
ており、このため該組立体をモールド金型３０内にセッ
トした場合、金属基体１１下面と下金型３２の凹部３２
ａ底面との間隔が絶縁枠体１２の下面と下金型３２の凹
部３２ａ底面との間隔よりも金属基体１１の厚みだけ狭
いものとなることから、モールド金型３０内に液状樹脂
１７’を注入すると、金属基体１１の下面と下金型３２
の凹部３２ａ底面との間における液状樹脂１７’の流れ
の抵抗が絶縁枠体１２の下面と下金型３２の凹部３２ａ
底面との間における液状樹脂１７’の流れの抵抗より大
きいものとなり、その結果、モールド金型内３０に注入
された液状樹脂が金属基体１１をまわり込んで流れ、金
属基体１１下面と下金型３２の凹部３２ａ底面との間に
あった空気の一部を液状樹脂１７’内に抱き込こんでし
まい、モールド樹脂１７内にボイドが形成され、これに
より半導体素子１５の気密封止が破れて、半導体素子１
５を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが
できなくなったり、モールド樹脂１７内のボイドによっ
て熱の外部への伝導放散が阻害され、半導体素子１５が
該半導体素子１５自身の発生する熱で高温となり、半導
体素子１５に熱破壊や特性に熱変化を招来させるという
欠点が誘発されてしまう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
上面中央部に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部
を有する金属基体と、前記金属基体の半導体素子搭載部
に搭載された半導体素子と、前記金属基体の上面外周部
に前記半導体素子搭載部を囲繞するようにして、且つそ
の下面外周部が前記金属基体からはみ出すようにして接
合された絶縁枠体と、前記絶縁枠体の下面外周部に取着
され、前記半導体素子の電極に電気的に接続された外部
リード端子と、前記金属基体、半導体素子、絶縁枠体及
び外部リード端子の一部を被覆するモールド樹脂とから
成る半導体装置であって、前記絶縁枠体で金属基体から
はみ出した下面外周部が金属基体と実質的に同一の厚み
のポッティング樹脂で被覆されていることを特徴とする
ものであって、前記絶縁枠体で金属基体からはみ出した
下面外周部が金属基体と実質的に同一の厚みのポッティ
ング樹脂で被覆されていることから、金属基体、半導体
素子、絶縁枠体及び外部リード端子の一部をモールド金
型内にセットしてこれらをモールド樹脂で被覆する際に
液状樹脂が金属基体を回りこんでモールド樹脂内にボイ
ドが形成されることがない。

【００１２】また本発明の半導体装置の製造方法は、上
面中央部に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部を
有する金属基体と、前記金属基体の半導体素子搭載部に
搭載された半導体素子と、前記金属基体の上面外周部に
前記半導体素子搭載部を囲繞するようにして、且つその
下面外周部が前記金属基体からはみ出すようにして接合
された絶縁枠体と、前記絶縁枠体の下面外周部に接合さ
れ、前記半導体素子の電極に電気的に接続された外部リ
ード端子と、から成る組立体を準備する工程と、前記組
立体の絶縁枠体であって金属基体からはみ出した下面外
周部を金属基体と実質的に同じ厚みのポッティング樹脂
層で被覆する工程と、前記絶縁枠体の下面外周部がポッ
ティング樹脂で被覆された組立体をモールド金型内にセ
ットするとともに該モールド金型内に液状樹脂を注入
し、前記注入された液状樹脂を硬化させることによって
前記金属基体、絶縁枠体、半導体素子及び外部リード端
子の一部をモールド樹脂により被覆する工程と、から成
ることを特徴とするものであって、前記モールド金型に
セットされる組立体は、絶縁枠体で金属基体からはみ出
した下面外周部が金属基体と実質的に同じ厚みのポッテ
ィング樹脂層で予め被覆されていることから、モールド
金型内に前記組立体をセットした場合、金属基体下面と
下金型の凹部底面との間隔と絶縁枠体下面に被覆された
ポッティング脂下面と下金型の凹部底面との間隔とが実
質的に同一となるため、モールド金型内に液状樹脂を注
入すると該液状樹脂の流れが金属基体下面部位と絶縁枠
体下面部位とで実質的に同一となり、その結果、モール
ド金型内に注入された液状樹脂が金属基体をまわり込ん
で流れることはなく、従ってモールド樹脂内に空気の巻
き込みによるボイドが形成されることはない。

【００１３】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図１は、本発明の半導体装置の一実施
形態を示し、１は金属基体、２は絶縁枠体、３は半導体
素子、４は外部リード端子、５はポッティング樹脂、６
はモールド樹脂である。

【００１４】前記金属基体１は、銅や銅−タングステン
合金等の良熱伝導性の金属から成る四角形状の平板であ
り、半導体素子３を支持するための支持基板として作用
するとともに半導体素子３が作動時に発生する熱を吸収
伝導するための熱伝導板として作用し、その上面中央部
に半導体素子３が搭載される半導体素子搭載部１ａを有
しており、該半導体素子搭載部１ａには半導体素子３
が、ガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定
される。

【００１５】また、前記金属基体１の上面外周部には酸
化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミッ
クス焼結体等のセラミックスやガラス−エポキシ樹脂等
の電気絶縁材料から成る四角枠状の絶縁枠体２が銀ロウ
等のロウ材や樹脂等の接着剤を介して接合されている。

【００１６】前記絶縁枠体２は、前記金属基体１の半導
体素子搭載部１ａを囲繞するようにして、またその下面
外周部が金属基体１からはみ出すようにして金属基体１
の上面外周部に接合されており、その上面内周部から上
面外周部にかけて扇状に広がるようにして延出するとと
もにその側面を介して下面外周部に導出する複数のメタ
ライズ配線層７が被着形成されており、該メタライズ配
線層７の内端部には半導体素子３の各電極がボンディン
グワイヤー８を介して電気的に接続され、またメタライ
ズ配線層７で絶縁枠体２下面外周部に導出した外端部に
は外部電気回路と電気的に接続される外部リード端子４
が取着されている。

【００１７】前記メタライズ配線層７に取着される外部
リード端子４は、半導体素子３を外部電気回路に接続す
る作用を為し、外部リード端子４を外部電気回路基板の
配線導体に接続することによって半導体素子３がメタラ
イズ配線層７及び外部リード端子４を介して外部電気回
路に電気的に接続されることとなる。

【００１８】前記外部リード端子４は、該外部リード端
子４の取着されるメタライズ配線層７が絶縁枠体２で半
導体素子搭載部１ａ周辺の上面内周部から上面外周部に
かけて扇状に広がり、側面を介して下面外周部に導出し
ており、絶縁枠体２の外周部における線幅及び隣接する
メタライズ配線層７間の間隔が広いものとなっているこ
とから、その線幅及び隣接間隔を広いものとなすことが
でき、その結果、外部リード端子４に外力が印加された
としても該外部リード端子４に大きな変形を発生させる
ことはなく、隣接する外部リード端子４間の電気的絶縁
を維持しつつ外部リード端子４を所定の外部電気回路に
正確、且つ確実に電気的接続することがきる。

【００１９】また、前記絶縁枠体２で金属基体１からは
み出した下面外周部はエポキシ樹脂等の樹脂から成るポ
ッティング樹脂５で被覆されている。

【００２０】前記ポッティング樹脂５は、金属基体１と
実質的に同一の厚みであり、金属基体１、半導体素子
３、絶縁枠体２及び外部リード端子３の一部をモールド
金型内にセットしてこれらをモールド樹脂６により被覆
する際に金属基体１下面とモールド金型との隙間及び絶
縁枠体２で金属基体１からはみ出した下面外周部とモー
ルド金型との隙間を実質的に同一として、モールド金型
内に注入されたモールド樹脂６となる液状樹脂が金属基
体１を回り込んで流れるのを有効に防止する作用を為
し、本発明の半導体装置によれば該ポッティング樹脂５
により液状樹脂が金属基体１を回りこんで流れることが
有効に防止されることから、モールド樹脂６内部にボイ
ドが形成されることはなく、従って半導体素子３を長期
間にわたり正常、且つ安定に作動させることができると
ともに半導体素子３に熱破壊や特性の熱変化を招来させ
ることはない。

【００２１】更に、前記金属基体１、絶縁枠体２、半導
体素子３及び外部リード端子４の一部は、エポキシ樹脂
等のモールド樹脂６により被覆されており、これにより
半導体素子３が気密に封止され、外部環境から保護され
る。

【００２２】次に前記半導体装置の製造方法について説
明する。

【００２３】先ず、金属基体１と絶縁枠体２と半導体素
子３と外部リード端子４とを準備する。

【００２４】前記金属基体１は、銅や銅タングステン合
金等の熱伝導性に優れる金属から成り、該銅等の熱伝導
性に優れる金属から成るインゴットに従来周知の種々の
金属加工を施すことによって、所定の板状に形成され
る。

【００２５】また前記絶縁枠体２は、例えば酸化アルミ
ニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化
珪素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉末
に適当なバインダー、溶剤を添加混合して泥漿状のセラ
ミックスラリーとなすとともに該セラミックスラリーを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等
のシート成形技術を採用してシート状となすことによっ
てセラミックグリーンシートを得、しかる後、前記セラ
ミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により
枠状とするとともにこれにメタライズ配線層７となるタ
ングステンやモリブデン等の高融点金属ペーストを従来
周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して所定の
パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミックグリーン
シートを必要に応じて複数枚積層するとともに還元雰囲
気中、約１６００℃の温度で焼成することによって製作
される。

【００２６】前記メタライズ配線層７となる高融点金属
ペーストは、タングステン等の高融点金属粉末に適当な
バインダー、溶剤を添加混合することによって製作され
る。

【００２７】尚、前記メタライズ配線層７は、その露出
する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つワイヤ
ーボンディング性やロウ材との濡れ性に優れる金属をめ
っき法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに鍍着させ
ておくと、メタライズ配線層７が酸化腐食するのを有効
に防止することができるとともにメタライズ配線層７と
ボンディングワイヤー８との接続及びメタライズ配線層
７と外部リード端子４との取着が容易、且つ強固なもの
となる。従って、前記メタライズ配線層７は、その露出
する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つワイヤ
ーボンディング性やロウ材との濡れ性に優れる金属をめ
っき法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに鍍着させ
ておくことが好ましい。

【００２８】また、外部リード端子４は、銅を主成分と
する銅系合金や鉄を主成分とする鉄系合金等の金属から
成り、例えば銅を主成分とする銅系合金の薄板に適当な
打ち抜き加工やエッチング加工を施すことにより所定の
形状となすことによって製作される。

【００２９】次に前記絶縁枠体２の下面外周部に導出し
たメタライズ配線層７に外部リード端子４を取着すると
ともに該絶縁枠体２を金属基体１の上面外周部に接合す
る。

【００３０】前記絶縁枠体２の下面外周部に導出したメ
タライズ配線層７に外部リード端子４を取着するには、
絶縁枠体２の下面外周部に導出したメタライズ配線層７
と外部リード端子４の一端部とを間に金−錫−鉛−銀合
金や金−錫−鉛−パラジウム合金等のロウ材を介して当
接させるとともにこれらを前記ロウ材が溶融する温度以
上の温度に加熱して前記ロウ材を熔融させるとともにこ
れらを前記溶融したロウ材が固化する温度以下の温度に
冷却する方法が採用される。

【００３１】また前記外部リード端子４が取着された絶
縁枠体２を金属基体１の上面外周部に接合するには、前
記金属基体１と絶縁枠体２とをエポキシ樹脂等の接着剤
を介して接着する方法が採用される。

【００３２】次に前記金属基体１の上面中央部にある半
導体素子搭載部１ａに半導体素子３をエポキシ樹脂等の
接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素子３の
各電極を絶縁枠体２のメタライズ配線層７の内端部にボ
ンディングワイヤー８を介して電気的に接続する。

【００３３】このようにして、前記金属基体１の半導体
素子搭載部１ａに半導体素子３が搭載されるとともに該
金属基体１の上面外周部に絶縁枠体２が接合され、且つ
前記絶縁基体２に被着させたメタライズ配線層７で絶縁
枠体２の内周部位に半導体素子３の電極がボンディング
ワイヤー８を介して電気的に接続されるとともに前記メ
タライズ配線層７で絶縁枠体２の下面外周部に導出した
部位に外部リード端子４が取着された組立体が得られ
る。

【００３４】次に前記組立体の絶縁枠体２で金属基体１
からはみ出した下面外周部をポッティング樹脂５で金属
基体１と実質的に同一の厚みに被覆する。

【００３５】尚、前記ポッティング樹脂５は、エポキシ
樹脂となる液状樹脂をディスペンサー等により絶縁枠体
２で金属基体１からはみ出した下面外周部に金属基体１
と実質的に同一の厚みとなるように塗布するとともに該
塗布された液状樹脂を約１５０℃の温度で熱硬化させる
ことによって形成される。

【００３６】そして最後に図２、図３に示すように、前
記絶縁枠体２の下面外周部がポッティング樹脂５で被覆
された組立体をモールド金型内２０にセットするととも
に該モールド金型内２０にエポキシ樹脂等の液状樹脂
６’を注入した後、該注入した液状樹脂６’を熱硬化さ
せることによって、金属基体１、絶縁枠体２、半導体素
子３及び外部リード端子４の一部がモールド樹脂６によ
って被覆され、これにより半導体装置が完成する。

【００３７】尚、この場合、前記モールド金型２０内に
セットされた組立体は、絶縁枠体２の下面外周部が前記
金属基体１と実質的に同一の厚みのポッティング樹脂５
により被覆されていることから、金属基体１の下面と下
金型との隙間と絶縁枠体２と下金型との隙間とが実質的
に同一となり、該モールド金型２０内にモールド樹脂６
となる液状樹脂６’を注入した際に下金型における液状
樹脂６’の流れは、実質的に均等となり、その結果、液
状樹脂６’が金属基体１を回り込んで流れてモールド樹
脂６にボイドを発生させることはなく気密性及び放熱性
に優れた半導体装置を提供することができる。

【００３８】尚、前記モールド金型２０は、下面にモー
ルド樹脂６の上半分の表面形状に対応した形状の凹部２
１ａを有する上金型２１と、上面にモールド樹脂６の下
半分の表面形状に対応した形状の凹部２２ａを有する下
金型２２とから成り、前記上金型２１と下金型２２との
間に前記組立体の外部リード端子４を挟持させることに
よって組立体がその内部にセットされ、上金型２１と下
金型２２との間で外部から該モールド金型２０の凹部２
１ａ、２２ａの一角に導出する樹脂注入路２３を介して
内部に液状樹脂６’が注入されるとともに該樹脂注入路
２３と対向する凹部２１ａ角部から外部に導出する空気
排出路２４から内部の空気を外部に排出することによっ
て内部に液状樹脂６’が注入充填され、これを加熱硬化
させることにより金属基体１、絶縁枠体２、半導体素子
３及び外部リード端子４の一部がモールド樹脂６により
被覆される。

【００３９】かくして、本発明の製造方法により製作さ
れた半導体装置によれば、外部リード端子４の一端を外
部電気回路基板の配線導体に間に半田材を挟んで載置す
るとともにこれを半田リフローすることによって外部リ
ード端子４が外部電気回路基板に接続され、これにより
内部に収容する半導体素子３の各電極が外部リード端子
４を介して外部電気回路に接続されることとなる。

【００４０】尚、本発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であことはいうまでもない。

【００４１】

【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、絶縁枠体
で金属基体からはみ出した下面外周部が金属基体と実質
的に同一の厚みのポッティング樹脂で被覆されているこ
とから、金属基体、半導体素子、絶縁枠体及び外部リー
ド端子の一部をモールド金型内にセットしてこれらをモ
ールド樹脂で被覆する際に液状樹脂が金属基体を回りこ
んでモールド樹脂内にボイドが形成されることがなく、
従って半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作
動させることができるとともに半導体素子に熱破壊や特
性の熱変化を招来させることはない。

【００４２】また本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、モールド金型にセットされる組立体は、絶縁枠体で
金属基体からはみ出した下面外周部が金属基体と実質的
に同じ厚みのポッテング樹脂で予め被覆されていること
から、モールド金型内に前記組立体をセットした場合、
金属基体下面と下金型の凹部底面との間隔と絶縁枠体下
面に被覆されたポッテング樹脂下面と下金型の凹部底面
との間隔とが実質的に同一となるため、モールド金型内
に液状樹脂を注入すると該液状樹脂の流れが金属基体下
面部位と絶縁枠体下面部位とで実質的に同一となり、そ
の結果、モールド金型内に注入された液状樹脂が金属基
体をまわり込んで流れてモールド樹脂内に空気の巻き込
みによるボイドが形成されることはなく、気密性及び放
熱性に優れた半導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す断面
図である。

【図２】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である。

【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図である。

【図４】従来の半導体装置を示す断面図である。

【図５】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。

【図６】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・金属基体 １ａ・・・・・半導体素子搭載部 ２・・・・・・絶縁枠体 ３・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・外部リード端子 ５・・・・・・ポッティング樹脂 ６・・・・・・モールド樹脂

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面中央部に半導体素子が搭載される半導
   体素子搭載部を有する金属基体と、前記金属基体の半導
   体素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記金属基体
   の上面外周部に前記半導体素子搭載部を囲繞するように
   して、且つその下面外周部が前記金属基体からはみ出す
   ようにして接合された絶縁枠体と、前記絶縁枠体の下面
   外周部に取着され、前記半導体素子の電極に電気的に接
   続された外部リード端子と、前記金属基体、半導体素
   子、絶縁枠体及び外部リード端子の一部を被覆するモー
   ルド樹脂とから成る半導体装置であって、前記絶縁枠体
   で金属基体からはみ出した下面外周部が金属基体と実質
   的に同一の厚みのポッティング樹脂で被覆されているこ
   とを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】上面中央部に半導体素子が搭載される半導
   体素子搭載部を有する金属基体と、前記金属基体の半導
   体素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記金属基体
   の上面外周部に前記半導体素子搭載部を囲繞するように
   して、且つその下面外周部が前記金属基体からはみ出す
   ようにして接合された絶縁枠体と、前記絶縁枠体の下面
   外周部に接合され、前記半導体素子の電極に電気的に接
   続された外部リード端子と、から成る組立体を準備する
   工程と、前記組立体の絶縁枠体であって金属基体からは
   み出した下面外周部を金属基体と実質的に同じ厚みのポ
   ッティング樹脂層で被覆する工程と、前記絶縁枠体の下
   面外周部がポッティング樹脂で被覆された組立体をモー
   ルド金型内にセットするとともに該モールド金型内に液
   状樹脂を注入し、前記注入された液状樹脂を硬化させる
   ことによって前記金属基体、絶縁枠体、半導体素子及び
   外部リード端子の一部をモールド樹脂により被覆する工
   程と、から成ることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。