JPH09293760A - レベリング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
レベリング装置および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH09293760A JPH09293760A JP8106728A JP10672896A JPH09293760A JP H09293760 A JPH09293760 A JP H09293760A JP 8106728 A JP8106728 A JP 8106728A JP 10672896 A JP10672896 A JP 10672896A JP H09293760 A JPH09293760 A JP H09293760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bump electrodes
- leveling device
- bump electrode
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒゲを有するバンプ電極に対してレベリング
装置を用いると、それぞれのバンプ電極が頭頂が複数に
なるため、接着面積が広がるため導電性接着剤がはみ出
すこととなり、隣あったバンプ電極同士が導電性接着剤
によってショートしてしまうことを防止することを目的
とするものである。 【解決手段】 レベリング装置１１の平坦部１１ａによ
り、バンプ電極１４の頭頂部１４ａを潰してバンプ電極
１４の高さを統一する。また、傾斜部１１ｂがヒゲ１４
ｂを内側に押し込みバンプ電極１４の頭頂を一つにす
る。これにより、バンプ電極１４の頭頂を一つにするこ
とができ、バンプ電極１４同士が導電性接着剤によって
ショートすることを防止することができる。
装置を用いると、それぞれのバンプ電極が頭頂が複数に
なるため、接着面積が広がるため導電性接着剤がはみ出
すこととなり、隣あったバンプ電極同士が導電性接着剤
によってショートしてしまうことを防止することを目的
とするものである。 【解決手段】 レベリング装置１１の平坦部１１ａによ
り、バンプ電極１４の頭頂部１４ａを潰してバンプ電極
１４の高さを統一する。また、傾斜部１１ｂがヒゲ１４
ｂを内側に押し込みバンプ電極１４の頭頂を一つにす
る。これにより、バンプ電極１４の頭頂を一つにするこ
とができ、バンプ電極１４同士が導電性接着剤によって
ショートすることを防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子と半導
体キャリヤとを接続するバンプ電極の高さを１つにする
半導体装置の製造方法およびレベリング装置に関するも
のである。
体キャリヤとを接続するバンプ電極の高さを１つにする
半導体装置の製造方法およびレベリング装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体パッケージは多ピン化、狭
ピッチ化の傾向にある。
ピッチ化の傾向にある。
【０００３】このような半導体パッケージを実現する技
術として、特公平６−２２４２５９号公報に記載された
製造方法がある。
術として、特公平６−２２４２５９号公報に記載された
製造方法がある。
【０００４】この製造方法は、半導体素子と電極の集合
体である半導体キャリアとをバンプ電極によって接続す
ることにより、従来のワイヤーによる接続と比べて半導
体パッケージの小型化を図るものである。
体である半導体キャリアとをバンプ電極によって接続す
ることにより、従来のワイヤーによる接続と比べて半導
体パッケージの小型化を図るものである。
【０００５】以下、従来の半導体装置の製造方法につい
て説明する。まず、図４に示すように、半導体素子１の
パッド電極２上に、バンプ電極を形成する。形成方法と
しては、例えば特開平７−１８３３０３号公報に記載さ
れているように、ワイヤー先端のボール３をパッド電極
２に圧着（図４（ｂ）参照）したのち、キャピラリ４を
半導体素子１の端へループ状に移動（同図（ｃ）参照）
させることによってワイヤーを折り返し、そのテールを
圧着しバンプを形成する（同図（ｄ）参照）。
て説明する。まず、図４に示すように、半導体素子１の
パッド電極２上に、バンプ電極を形成する。形成方法と
しては、例えば特開平７−１８３３０３号公報に記載さ
れているように、ワイヤー先端のボール３をパッド電極
２に圧着（図４（ｂ）参照）したのち、キャピラリ４を
半導体素子１の端へループ状に移動（同図（ｃ）参照）
させることによってワイヤーを折り返し、そのテールを
圧着しバンプを形成する（同図（ｄ）参照）。
【０００６】次に、半導体素子１上に形成されたバンプ
電極と半導体キャリアとを接着するため、レベリングに
よってバンプ電極の高さを統一する。
電極と半導体キャリアとを接着するため、レベリングに
よってバンプ電極の高さを統一する。
【０００７】図５は、従来のレベリングの工程図であ
り、５はレベリング装置、６は電極パッドに形成された
バンプ電極である。また、図６は半導体素子１を図５に
示す矢印の方向からみた外観図であり、バンプ電極６は
半導体素子１の外側に複数個並んでいる。
り、５はレベリング装置、６は電極パッドに形成された
バンプ電極である。また、図６は半導体素子１を図５に
示す矢印の方向からみた外観図であり、バンプ電極６は
半導体素子１の外側に複数個並んでいる。
【０００８】まず、図５のバンプ電極６を図７に示すよ
うにレベリング装置５に押し付けることにより全てのバ
ンプ電極６の高さｈを統一する。なお、レベリング装置
５はレベリング専用のものである必要はなく、一般には
半導体キャリヤを用いる。
うにレベリング装置５に押し付けることにより全てのバ
ンプ電極６の高さｈを統一する。なお、レベリング装置
５はレベリング専用のものである必要はなく、一般には
半導体キャリヤを用いる。
【０００９】次に、バンプ電極６に導電性接着剤を転写
したのち、半導体キャリヤと接着する（図示せず）。
したのち、半導体キャリヤと接着する（図示せず）。
【００１０】これにより、バンプ電極６の高さは統一さ
れ、全てのバンプ電極６と半導体キャリヤとが導電性接
着剤により接続される。
れ、全てのバンプ電極６と半導体キャリヤとが導電性接
着剤により接続される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示すようなヒゲ６ａを有するバンプ電極６が形成される
ことがある。このようなバンプ電極６に対して図５のレ
ベリング装置５を用いると、図９に示すようにそれぞれ
のバンプ電極６が頭頂６ｂとヒゲ６ａのように複数にな
るため、導電性接着剤を転写するとバンプ電極６の頭頂
６ｂのみならずヒゲ６ａの間にも導電性接着剤が付着す
る。
示すようなヒゲ６ａを有するバンプ電極６が形成される
ことがある。このようなバンプ電極６に対して図５のレ
ベリング装置５を用いると、図９に示すようにそれぞれ
のバンプ電極６が頭頂６ｂとヒゲ６ａのように複数にな
るため、導電性接着剤を転写するとバンプ電極６の頭頂
６ｂのみならずヒゲ６ａの間にも導電性接着剤が付着す
る。
【００１２】このため、バンプ電極６と半導体キャリヤ
（レベリング装置５）とを接着すると、接着面積が広が
るため導電性接着剤がはみ出すこととなり、隣あったバ
ンプ電極６同士が導電性接着剤によってショートしてし
まうという問題があった。
（レベリング装置５）とを接着すると、接着面積が広が
るため導電性接着剤がはみ出すこととなり、隣あったバ
ンプ電極６同士が導電性接着剤によってショートしてし
まうという問題があった。
【００１３】本発明は上記従来の問題点を解決するため
のもので、バンプ電極の頭頂を１つにすることができる
レベリング装置を提供することを目的とする。
のもので、バンプ電極の頭頂を１つにすることができる
レベリング装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のレベリング装置は、バンプ電極に発生したヒ
ゲ不良をバンプ側に押し込むことによりバンプ電極の頭
頂を１つにすることを特徴とするものである。
に本発明のレベリング装置は、バンプ電極に発生したヒ
ゲ不良をバンプ側に押し込むことによりバンプ電極の頭
頂を１つにすることを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、バンプ電極に発生した
ヒゲ不良をバンプ電極側に押し込むことによりバンプ電
極の頭頂を１つにすることを特徴とするものであり、バ
ンプ電極の頭頂を１つにすることができるという作用を
有する。
ヒゲ不良をバンプ電極側に押し込むことによりバンプ電
極の頭頂を１つにすることを特徴とするものであり、バ
ンプ電極の頭頂を１つにすることができるという作用を
有する。
【００１６】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。まず、従来の半導体装置の製造方法と同様に、図４
の工程を経て、図１に示すように半導体素子１２のパッ
ド電極１３上にバンプ電極１４を形成する。
る。まず、従来の半導体装置の製造方法と同様に、図４
の工程を経て、図１に示すように半導体素子１２のパッ
ド電極１３上にバンプ電極１４を形成する。
【００１７】次に、図１のレベリング装置１１の平坦部
１１ａが、バンプの頭頂部１４ａを潰してバンプ電極１
４の高さを統一する。これにより、バンプ電極１４の高
さが統一されるため、全てのバンプ電極１４が半導体キ
ャリアと接着することができる。すなわち、バンプ電極
１４の高さが不統一であると、高いバンプ電極１４のみ
が半導体キャリアと接着され、低いバンプ電極１４は半
導体キャリアと接着されないという問題が生じるが、こ
れを防止することができる。
１１ａが、バンプの頭頂部１４ａを潰してバンプ電極１
４の高さを統一する。これにより、バンプ電極１４の高
さが統一されるため、全てのバンプ電極１４が半導体キ
ャリアと接着することができる。すなわち、バンプ電極
１４の高さが不統一であると、高いバンプ電極１４のみ
が半導体キャリアと接着され、低いバンプ電極１４は半
導体キャリアと接着されないという問題が生じるが、こ
れを防止することができる。
【００１８】また、レベリング装置１１の傾斜部１１ｂ
が、ヒゲ１４ｂを内側に押し込みバンプ電極１４の頭頂
部を１点にする（図３参照）。ヒゲ１４ｂを内側に押し
込めるのは、図４の工程で隣り合うバンプ電極１４また
は半導体素子にキャピラリ４が接触しないようにするた
め、キャピラリ４は半導体素子１の端に向かって移動す
るからである。このため、半導体素子１２の端に向かっ
てのびているヒゲ１４ｂを押し込めるため、バンプ電極
１４に対する導電性ペーストの転写量が頭頂部１４ａの
面積に応じたものとなる。これにより、半導体キャリア
との接着のとき半導体接着剤がはみ出て隣のバンプ電極
１４と接触しショートとなることを防止することができ
る。
が、ヒゲ１４ｂを内側に押し込みバンプ電極１４の頭頂
部を１点にする（図３参照）。ヒゲ１４ｂを内側に押し
込めるのは、図４の工程で隣り合うバンプ電極１４また
は半導体素子にキャピラリ４が接触しないようにするた
め、キャピラリ４は半導体素子１の端に向かって移動す
るからである。このため、半導体素子１２の端に向かっ
てのびているヒゲ１４ｂを押し込めるため、バンプ電極
１４に対する導電性ペーストの転写量が頭頂部１４ａの
面積に応じたものとなる。これにより、半導体キャリア
との接着のとき半導体接着剤がはみ出て隣のバンプ電極
１４と接触しショートとなることを防止することができ
る。
【００１９】次に、レベリング装置１１の形状について
説明する。図２は、図１の矢印の方向からみたレベリン
グ装置１１の外観図であり、傾斜部１１ｂは平坦部１１
ａを囲うように設けられている。
説明する。図２は、図１の矢印の方向からみたレベリン
グ装置１１の外観図であり、傾斜部１１ｂは平坦部１１
ａを囲うように設けられている。
【００２０】なお、レベリング装置１１の平坦部１１ａ
の幅は、半導体素子１２の両端のバンプ電極１４間の距
離より大きくする必要がある。レベリング装置１１の平
坦部１１ａの幅が小さいとバンプ電極１４の高さを統一
することができないからである。但し、平坦部１１ａの
幅がバンプ電極１４間の距離より大き過ぎると、傾斜部
１１ｂによりヒゲ１４ｂをバンプ電極１４に押し付ける
ことができず頭頂が１つにできない。
の幅は、半導体素子１２の両端のバンプ電極１４間の距
離より大きくする必要がある。レベリング装置１１の平
坦部１１ａの幅が小さいとバンプ電極１４の高さを統一
することができないからである。但し、平坦部１１ａの
幅がバンプ電極１４間の距離より大き過ぎると、傾斜部
１１ｂによりヒゲ１４ｂをバンプ電極１４に押し付ける
ことができず頭頂が１つにできない。
【００２１】また、レベリング装置１１の傾斜部の角度
は、４５度ぐらいが好ましい。９０度に近づくと大きな
ヒゲに対して傾斜部が機能せず、０度に近づくとヒゲを
バンプ電極１４に押し付けることができないからであ
る。
は、４５度ぐらいが好ましい。９０度に近づくと大きな
ヒゲに対して傾斜部が機能せず、０度に近づくとヒゲを
バンプ電極１４に押し付けることができないからであ
る。
【００２２】また、レベリング装置１１の傾斜部１１ｂ
の高さｓ（図１参照）は、バンプ電極１４をレベリング
したとき、半導体素子１２およびこれの台に接触しない
ようにする必要がある。接触すると、レベリングができ
ないからである。
の高さｓ（図１参照）は、バンプ電極１４をレベリング
したとき、半導体素子１２およびこれの台に接触しない
ようにする必要がある。接触すると、レベリングができ
ないからである。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、傾斜部を設ける
ことによりバンプの頭頂を一つにすることができる優れ
たレベリング装置および半導体装置の製造方法を実現で
きるものである。
ことによりバンプの頭頂を一つにすることができる優れ
たレベリング装置および半導体装置の製造方法を実現で
きるものである。
【図１】本発明の一実施の形態におけるレベリング装置
と半導体素子の外観図
と半導体素子の外観図
【図２】レベリング装置１１の外観図
【図３】レベリングの概念図
【図４】バンプ電極の形成工程図
【図５】従来のレベリングの概念図
【図６】半導体素子の上面図
【図７】レベリングの概念図
【図８】レベリング装置と半導体素子の外観図
【図９】レベリングの概念図
１ 半導体素子 ２ パッド電極 ３ ワイヤー先端のボール ４ キャピラリ ５ レベリング装置 ６ バンプ電極 １１ レベリング装置 １１ａ 平坦部 １１ｂ 傾斜部 １２ 半導体素子 １３ パッド電極 １４ バンプ電極 １４ａ 頭頂部 １４ｂ ヒゲ
Claims (4)
- 【請求項１】 バンプ電極に発生したヒゲ不良をバンプ
電極側に押し込むことによりバンプ電極の頭頂を１つに
することを特徴とするレベリング装置。 - 【請求項２】 バンプ電極の頭頂を押え込むことにより
全てのバンプ電極の頭頂の高さを合わせるとともに、バ
ンプ電極に発生したヒゲ不良を内側に押し込むことによ
りバンプ電極の頭頂を１つにすることを特徴とするレベ
リング装置。 - 【請求項３】 バンプ電極の頭頂を押え込むことにより
全てのバンプ電極の頭頂の高さを合わせる平坦部と、バ
ンプ電極に発生したヒゲ不良を内側に押し込む傾斜部と
を有することを特徴とするレベリング装置。 - 【請求項４】 キャピラリ先端から導出された金属ワイ
ヤーの先端に膨頭部を形成する工程と、 前記頭頂部を前記キャピラリ先端部で半導体素子上のパ
ッド部に押し当てて、前記膨頭部を押しつぶし前記膨頭
部と前記パッド部とを圧着する工程と、 前記キャピラリを半導体素子の端に向けて移動すること
によりバンプ電極を形成する工程と、 前記バンプ電極に発生したヒゲをバンプ電極側に押し込
むことによりバンプ電極の頭頂を１つにすることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106728A JPH09293760A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | レベリング装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106728A JPH09293760A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | レベリング装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293760A true JPH09293760A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14441006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8106728A Pending JPH09293760A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | レベリング装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293760A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164630A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及び電子部品実装基板 |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP8106728A patent/JPH09293760A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164630A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及び電子部品実装基板 |
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