JPH09298155A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH09298155A5
JPH09298155A5 JP1996139429A JP13942996A JPH09298155A5 JP H09298155 A5 JPH09298155 A5 JP H09298155A5 JP 1996139429 A JP1996139429 A JP 1996139429A JP 13942996 A JP13942996 A JP 13942996A JP H09298155 A5 JPH09298155 A5 JP H09298155A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
pattern
exposure
unit
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1996139429A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09298155A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP13942996A priority Critical patent/JPH09298155A/ja
Priority claimed from JP13942996A external-priority patent/JPH09298155A/ja
Priority to KR1019970015622A priority patent/KR100468234B1/ko
Priority to US08/848,394 priority patent/US6204912B1/en
Publication of JPH09298155A publication Critical patent/JPH09298155A/ja
Publication of JPH09298155A5 publication Critical patent/JPH09298155A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (7)

  1. 第1層に露光する露光パターンを複数の単位パターンとしてマスクに形成し、前記単位パターンの継ぎ部を介して、感光基板上に前記第1層の露光パターンを形成するステツプと、
    第2層に露光する露光パターンを複数の単位パターンとしてマスクに形成し、前記単位パターンの継ぎ部を介して、前記第1層が形成された前記感光基板に前記第2層の露光パターンを形成するステツプと、を含む露光方法において、
    前記第2層の露光パターンを形成するときに、前記第1層の継ぎ部と前記第2層の継ぎ部とをずらして露光することを特徴とする露光方法。
  2. 前記露光方法は、
    前記第1層の単位パターンの継ぎ部と前記第2層の単位パターンの継ぎ部とを少なくとも 1.5〔mm〕以上ずらして露光することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
  3. 前記露光方法は、
    前記第1層によつて液晶パネル内の薄膜トランジスタのゲート電極を形成し、
    前記第2層によつて前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
  4. 前記露光方法は、
    前記第1層用のマスクに形成された単位パターンに対して前記第2層用のマスクの単位パターンを異なる大きさで形成し、
    前記第1層の単位パターンの継ぎ部に対して前記第2層の単位パターンの継ぎ部をずらすことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
  5. 継ぎ部を有する複数の分割パターンが形成されたマスクに光源からの光束を照明する照明光学系と、
    前記照明光学系による前記マスクの照明領域の大きさを変更する変更手段と、
    前記マスクを透過した光束を感光基板に投影する投影光学系とを備えた露光装置において、
    第1層に露光する前記分割パターンの大きさと、第2層に露光する前記分割パターンの大きさとが異なるときに、前記変更手段を介して前記照明領域を変えるとともに、前記第1層の継ぎ部と前記第2層の継ぎ部とがずれるように制御する制御手段を設けたことを特徴とする露光装置。
  6. 所定領域ごとに分割してなる各分割領域を継いで感光基板上に第1層を露光形成した後、所定領域ごとに分割してなる各分割領域を継いで前記第1層上に第2層を露光形成する露光装置の前記各分割領域に対応した各単位パターンが形成されたマスクにおいて、
    前記第1層の前記各分割領域に対してそれぞれ異なる大きさで分割してなる前記第2層の前記各分割領域に対応した単位パターンを前記第2の層用として形成したことを特徴とするマスク。
  7. 第1層に露光する露光パターンを複数の単位パターンとしてマスクに形成し、前記単位パターンの継ぎ部を介して、感光基板上に前記第1層の露光パターンを形成するステツプと、
    第2層に露光する露光パターンを複数の単位パターンとしてマスクに形成し、前記単位パターンの継ぎ部を介して、前記第1層が形成された前記感光基板に前記第2層の露光パターンを形成するステツプと、を含む露光方法において、
    前記第2層の露光パターンを形成する際に、前記第 1 層で露光された単位パターンの大きさと異なる大きさの該第2層の単位パターンを露光すると共に、前記第1層の継ぎ部と前記第2層の継ぎ部との境界どうしをずらして露光することを特徴とする露光方法。
JP13942996A 1996-05-08 1996-05-08 露光方法、露光装置及びマスク Pending JPH09298155A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13942996A JPH09298155A (ja) 1996-05-08 1996-05-08 露光方法、露光装置及びマスク
KR1019970015622A KR100468234B1 (ko) 1996-05-08 1997-04-25 노광방법,노광장치및디스크
US08/848,394 US6204912B1 (en) 1996-05-08 1997-05-08 Exposure method, exposure apparatus, and mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13942996A JPH09298155A (ja) 1996-05-08 1996-05-08 露光方法、露光装置及びマスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09298155A JPH09298155A (ja) 1997-11-18
JPH09298155A5 true JPH09298155A5 (ja) 2004-10-21

Family

ID=15244999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13942996A Pending JPH09298155A (ja) 1996-05-08 1996-05-08 露光方法、露光装置及びマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09298155A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560978B1 (ko) * 1998-06-09 2006-06-20 삼성전자주식회사 노광 방법 및 이를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법
US6407786B1 (en) * 1999-06-09 2002-06-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US20020127747A1 (en) * 2001-03-08 2002-09-12 Motorola, Inc. Lithography method and apparatus with simplified reticles
JP4365594B2 (ja) 2003-01-27 2009-11-18 シャープ株式会社 パターン形成方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び露光マスク
JP5214904B2 (ja) 2007-04-12 2013-06-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子の製造方法
WO2017199728A1 (ja) * 2016-05-18 2017-11-23 パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970077112A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디스크
JP3339149B2 (ja) 走査型露光装置ならびに露光方法
JP3007163B2 (ja) フォトリソグラフィ法及びその装置
EP1043625A4 (en) METHOD AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF PHOTOMASKS AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE APPARATUS
KR950004373A (ko) 투영 노광장치 및 방법
TW201027268A (en) Exposure apparatus and photomask
KR960042227A (ko) 투영노광장치
KR950001856A (ko) 노광장치
KR960035165A (ko) 얼라인먼트 방법 및 장치
JPH03133119A (ja) 半導体ウェハー用写真製版装置および方法
JPWO2009150901A1 (ja) 露光装置および露光方法
JP3056206B1 (ja) ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法
DE69902428D1 (de) Verfahren und Gerät zum Darstellen eines digitalen Bildes oder Erfassung desselben
JPS6364037A (ja) 投影露光装置
JP2001022098A (ja) 露光装置におけるアライメント装置、被露光基板、及びアライメントマーク
KR100971958B1 (ko) 액정 패널 제작 시스템 및 제작 방법
JP2858543B2 (ja) 露光方法
JPH08138996A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US7518704B2 (en) Multiple exposure apparatus and multiple exposure method using the same
JP2001044111A (ja) 走査型露光装置とその制御方法
KR0146399B1 (ko) 반도체 패턴 형성 방법
KR960032583A (ko) 주사노광방법 및 장치
JPH05297471A (ja) 露光装置及びパターン形成方法
JPWO2022215690A5 (ja)
KR100564216B1 (ko) 액정표시장치용 노광장치 및 그것을 사용한 노광방법