KR970077112A - 노광 방법, 노광 장치 및 디스크 - Google Patents

노광 방법, 노광 장치 및 디스크 Download PDF

Info

Publication number
KR970077112A
KR970077112A KR1019970015622A KR19970015622A KR970077112A KR 970077112 A KR970077112 A KR 970077112A KR 1019970015622 A KR1019970015622 A KR 1019970015622A KR 19970015622 A KR19970015622 A KR 19970015622A KR 970077112 A KR970077112 A KR 970077112A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
pattern
substrate
projection
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019970015622A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100468234B1 (ko
Inventor
마꼬또 쯔찌야
게이 나라
노부따까 후지모리
마나부 도꾸찌
마사미 세끼
Original Assignee
고노 시게오
니콘 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP13942996A external-priority patent/JPH09298155A/ja
Priority claimed from JP8213414A external-priority patent/JPH1062809A/ja
Application filed by 고노 시게오, 니콘 코포레이션 filed Critical 고노 시게오
Publication of KR970077112A publication Critical patent/KR970077112A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100468234B1 publication Critical patent/KR100468234B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 이음부에서 발생하는 부자연스러움을 콘트라스트차를 저감할 수 있는 노광 방법, 노광 장치 및 마스크를 제안하고 액정 표시 장치의 화질을 열화시키는 화면나뉨을 감소시킬 수 있는 투영 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 제1층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 단위 패턴의 이음부를 끼워 감광 기판상에 제1층 노광 패턴을 형성하는 스텝과, 제2층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크에 형성하고, 단위 패턴의 이음부를 끼워 제1층이 형성된 감광 기판에 제2층 노광 패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 노광 방법이고, 제2층의 노광 패턴을 형성할 시에 제1층의 이음부와 제2층의 이음부를 비껴 노광한다.

Description

노광 방법, 노광 장치 및 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 노광 장치를 나타낸 측면도이다.

Claims (12)

  1. 제1층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 상기 단위 패턴의 이음부를 끼워 감광 기판상에 상기 제1층 노광 패턴을 형성하는 단계와, 제2층에 노광하는 노광 패턴을 복수의 단위 패턴으로 해서 마스크로 형성하고, 상기 단위 패턴의 이음부를 끼워 상기 제1층이 형성된 상기 감광 기판에 상기 제2층 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 노광 방법에 있어서, 상기 제2층의 노광 패턴을 형성할 때, 상기 제1층의 이음부와 상기 제2층의 이음부를 빗겨 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노광 방법은, 상기 제1층의 단위 패턴의 이음부와 상기 제2층의 단위 패턴의 이음부를 적어도 1.5㎜이상 빗겨 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 노광 방법은, 상기 제1층에 의해 액정 판넬내의 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하고, 상기 제2층에 의해 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 노광 방법은, 상기 제1층용 마스크에 형성된 단위 패턴에 대해 상기 제2층용 마스크의 단위 패턴을 다른 크기로 형성하고, 상기 제1층의 단위 패턴의 이음부에 대해 상기 제2층의 단위 패턴의 이음부를 빗기는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  5. 이음부를 갖는 복수의 분할 패턴이 형성된 마스크에 광원으로부터의 빔을 조명하는 조명 광학계와, 상기 조명 광학계에 의한 상기 마스크의 조명 영역의 크기를 변경하는 변경 수단과, 상기 마스크를 투과한 빔을 감광 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖춘 노광 장치에 있어서, 제1층에 노광하는 상기 분할 패턴의 크기와, 제2층에 노광하는 상기 분할 패턴의 크기가 다를 때, 상기 변경 수단을 끼워 상기 조명 영역을 바꿈과 함께 상기 제1층의 이음부와 상기 제2층의 이음부가 비끼도록 제어하는 노광 장치.
  6. 소정 영역마다 분할되어 이루어지는 각 분할 영역을 이어서 감광 기판상에 제1층을 노광 형성한 후, 소정 영역마다 분할해서 이루어진 각 분할 영역을 이어 상기 제1층상에 제2층을 노광 형성하는 노광 장치의 상기 각 분할 영역에 대응한 각 단위 패턴이 형성된 마스크에 있어서, 상기 제1층의 상기 각 분할 영역에 대해 각각 다른 크기로 분할해서 이루어진 상기 제2층의 상기 각 분할 영역에 대응하는 단위 패턴을 상기 제2층용으로 해서 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  7. 기판면상에서 각 투영 영역이 분리되고 있고, 또 상기 각 투영 영역의 인접 부분끼리가 기판면내에서 기판의 주사 방향과 수직인 방향으로 소정의 중복 폭으로 중복하고 있는 제1복수 투영 영역에서 상기 제1패턴과 상기 기판을 동기시켜 상기 주사 방향에 주사시켜 상기 기판상에 상기 제1패턴을 전사하고, 사익 제1복수 투영 영역을 상기 기판면내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 폭 비낀 제2복수 투영영역에서 상기 기판상에 제2패턴의 일부를 투영하고, 상기 제2복수 투영 영역에 대해 상기 제2패턴과 상기 기판을 동기시켜 상기 주사 방향으로 주사시켜 상기 제2패턴을 상기 기판상에 전사하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1패턴이 묘화된 레티클 및 상기 기판의 배치에 대해 상기 제2패턴이 묘화된 레티클 및 상기 기판의 배치를 상기 기판면내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 상기 소정 폭 비끼게 해서, 상기 제1복수의 투영 영역에 대해 상기 제2복수의 투영 영역을 상대적으로 비끼게 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1패턴의 레티클상에서의 묘화 위치에 대해 상기 제2패턴의 레티클상에서의 묘화위치를 상기 기판면내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 폭 비끼게 하고, 상기 제1패턴에 대한 상기 기판의 위치에 대해 상기 제2패턴에 대한 상기 기판의 위치를 기판면내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 상기 소정 폭 비끼게 하고, 상기 제1복수의 투영 영역에 대해 상기 제2복수의 투영 영역을 상대적으로 비끼도록 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1복수의 투영 영역에 투영하는 제1복수의 투영 광학계에 대해, 상기 제2복수의 투영 영역에 투영하는 제2복수의 투영 광하계를 상기 기판면내에서 상기 주사 방향과 직각인 방향으로 상대적으로 소정 폭 비끼게 해서, 상기 제1복수의 투영 영역에 대한 상기 제2복수의 투영 영역을 상대적으로 비끼게 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 소정 폭은 상기 소정 중복 폭에 거의 같게 하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  12. 제7항에 잇어서, 상기 소정 폭은 상기 소정 중복 폭에서 상기 소정 중복 폭의 거의 2배의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970015622A 1996-05-08 1997-04-25 노광방법,노광장치및디스크 Expired - Fee Related KR100468234B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP139429/1996 1996-05-08
JP13942996A JPH09298155A (ja) 1996-05-08 1996-05-08 露光方法、露光装置及びマスク
JP213414/1996 1996-08-13
JP8213414A JPH1062809A (ja) 1996-08-13 1996-08-13 投影露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077112A true KR970077112A (ko) 1997-12-12
KR100468234B1 KR100468234B1 (ko) 2005-06-22

Family

ID=26472251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970015622A Expired - Fee Related KR100468234B1 (ko) 1996-05-08 1997-04-25 노광방법,노광장치및디스크

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6204912B1 (ko)
KR (1) KR100468234B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003752A (ko) * 1998-06-29 2000-01-25 김영환 패턴 투영 장치

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574208B1 (ko) * 1998-06-02 2006-04-27 가부시키가이샤 니콘 주사형 노광장치 및 그의 제조방법, 및 디바이스 제조방법
WO1999066370A1 (en) * 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000260695A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Nikon Corp パターン転写方法
JP2001154371A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Nikon Corp 回路デバイスや表示デバイスの製造方法、及び大型ディスプレー装置
US6699627B2 (en) 2000-12-08 2004-03-02 Adlai Smith Reference wafer and process for manufacturing same
US6734971B2 (en) * 2000-12-08 2004-05-11 Lael Instruments Method and apparatus for self-referenced wafer stage positional error mapping
US7871002B2 (en) * 2000-12-08 2011-01-18 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced wafer stage positional error mapping
US7261983B2 (en) * 2000-12-08 2007-08-28 Litel Instruments Reference wafer and process for manufacturing same
US20020127747A1 (en) * 2001-03-08 2002-09-12 Motorola, Inc. Lithography method and apparatus with simplified reticles
US7091136B2 (en) 2001-04-16 2006-08-15 Basol Bulent M Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same
US7136144B2 (en) * 2001-09-20 2006-11-14 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field lens distortion
US7268360B2 (en) * 2001-09-20 2007-09-11 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion
US7262398B2 (en) * 2001-09-20 2007-08-28 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion
US6906780B1 (en) 2001-09-20 2005-06-14 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field lens distortion
US6906303B1 (en) 2001-09-20 2005-06-14 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion
GB2382156A (en) * 2001-11-15 2003-05-21 Marconi Optical Components Ltd Manufacture of optical devices
KR100848087B1 (ko) * 2001-12-11 2008-07-24 삼성전자주식회사 기판 위에 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용한 액정표시 장치용 기판의 제조 방법
EP1353234A1 (en) * 2002-04-12 2003-10-15 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing method, device manufactured thereby and computer program
EP1353230A1 (en) * 2002-04-12 2003-10-15 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing method and computer programs
US7016041B2 (en) * 2002-09-06 2006-03-21 Lsi Logic Corporation Reticle overlay correction
JP2004111866A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Canon Inc 半導体装置の製造方法
JP4109944B2 (ja) * 2002-09-20 2008-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4294311B2 (ja) * 2002-12-27 2009-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法および表示装置の加工基板
KR100575230B1 (ko) * 2002-12-28 2006-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광 장치를 이용한 노광 방법
US7261982B2 (en) * 2003-08-07 2007-08-28 Jds Uniphase Corporation Planar circuit optimization
US7065737B2 (en) * 2004-03-01 2006-06-20 Advanced Micro Devices, Inc Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing
US7542034B2 (en) 2004-09-23 2009-06-02 Conversion Works, Inc. System and method for processing video images
US7924406B2 (en) * 2005-07-13 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method having switch device for two illumination channels
US7674574B2 (en) * 2005-12-01 2010-03-09 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Method of arranging mask patterns
CN1983033B (zh) * 2005-12-16 2010-08-25 中华映管股份有限公司 掩模图案布置方法
US7790336B2 (en) * 2006-11-14 2010-09-07 Dalsa Corporation Method of joining a plurality of reticles for use in producing a semiconductor layout pattern, a computerized system for implementing such a method and a semiconductor mask arrangement produced by implementing such a method
US8655052B2 (en) * 2007-01-26 2014-02-18 Intellectual Discovery Co., Ltd. Methodology for 3D scene reconstruction from 2D image sequences
US8274530B2 (en) 2007-03-12 2012-09-25 Conversion Works, Inc. Systems and methods for filling occluded information for 2-D to 3-D conversion
US20080225059A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Conversion Works, Inc. System and method for using off-screen mask space to provide enhanced viewing
JP5214904B2 (ja) * 2007-04-12 2013-06-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2011175032A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US10311198B2 (en) * 2014-02-16 2019-06-04 Nova Measuring Instruments Ltd. Overlay design optimization
CN109074006B (zh) 2016-05-18 2021-03-23 高塔伙伴半导体有限公司 半导体装置及其制造方法
CN110515485B (zh) * 2019-07-31 2022-05-10 芜湖伦丰电子触摸屏产业技术研究院有限公司 一种采用小网版制备大尺寸触摸屏功能片的方法
WO2022023106A1 (en) * 2020-07-28 2022-02-03 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and methods for multi-exposure of a substrate
JP7694247B2 (ja) * 2021-08-17 2025-06-18 セイコーエプソン株式会社 表示方法、及び表示システム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4708466A (en) * 1986-02-07 1987-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPH02246314A (ja) * 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd パターン作成方法
JP3265512B2 (ja) 1992-06-09 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法
US5403754A (en) * 1992-09-30 1995-04-04 Texas Instruments Incorporated Lithography method for direct alignment of integrated circuits multiple layers
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3374467B2 (ja) * 1993-09-14 2003-02-04 株式会社ニコン 投影露光装置及び露光方法
EP0940710A3 (en) * 1993-12-07 1999-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and fabrication method thereof
JP3376690B2 (ja) * 1994-04-28 2003-02-10 株式会社ニコン 露光装置、及び該装置を用いた露光方法
JP4132095B2 (ja) * 1995-03-14 2008-08-13 株式会社ニコン 走査型露光装置
US5721606A (en) * 1995-09-07 1998-02-24 Jain; Kanti Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003752A (ko) * 1998-06-29 2000-01-25 김영환 패턴 투영 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100468234B1 (ko) 2005-06-22
US6204912B1 (en) 2001-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970077112A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디스크
JP3339149B2 (ja) 走査型露光装置ならびに露光方法
JP3711586B2 (ja) 走査露光装置
US5437946A (en) Multiple reticle stitching for scanning exposure system
JP3007163B2 (ja) フォトリソグラフィ法及びその装置
KR960001804A (ko) 주사형 노광 장치 및 그의 노광 방법
KR950004373A (ko) 투영 노광장치 및 방법
KR960042227A (ko) 투영노광장치
KR950001856A (ko) 노광장치
KR950027505A (ko) 노광장치와 노광방법
KR970060356A (ko) 패턴형성방법, 투영노출장치 및 반도체장치의 제조방법
KR950033695A (ko) 광학 인테그레이터 및 이를 사용한 투영 노광 장치
KR950033694A (ko) 노광 장치 및 노광 방법
KR950006541A (ko) 감소형 투영 프린팅 장치에 사용되는 공간 필터
KR970077116A (ko) 노광 방법 및 노광 장치
KR100849870B1 (ko) 주사노광방법 및 주사형 노광장치
KR970048753A (ko) 패턴형성방법 및 액정표시장치의 제조방법
KR20000076647A (ko) 주사 노광방법 및 주사형 노광장치
KR970016824A (ko) 투영노광장치 및 방법
JP2000331909A (ja) 走査型露光装置
DE69902428D1 (de) Verfahren und Gerät zum Darstellen eines digitalen Bildes oder Erfassung desselben
JPH09298155A5 (ko)
JP2019028084A (ja) 露光装置
KR950030215A (ko) 주사형 투영노광장치 및 이를 사용한 마이크로디바이스의 제조방법
JP3427132B2 (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

A201 Request for examination
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111216

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121227

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20140118

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20140118

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000