JPH09300210A - ウェハ研磨装置およびウェハ研磨方法 - Google Patents
ウェハ研磨装置およびウェハ研磨方法Info
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- JPH09300210A JPH09300210A JP12034596A JP12034596A JPH09300210A JP H09300210 A JPH09300210 A JP H09300210A JP 12034596 A JP12034596 A JP 12034596A JP 12034596 A JP12034596 A JP 12034596A JP H09300210 A JPH09300210 A JP H09300210A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハを高精度な平坦度に研磨するウェハ研
磨装置およびウェハ研磨方法の提供。 【解決手段】 研磨定盤２に貼着された研磨パッド３
と、ウェハ１を囲って保持するリテーナリング６を固着
する圧接ヘッド４とを有し、ウェハ１を研磨パッド３に
圧接させるとともに相対移動させてウェハ１の研磨を行
うウェハ研磨装置において、リテーナリング６の内側面
６ａとウェハ１外周縁との隙間を均一とする。ウェハ１
の切り欠き部１ａを揃える工程、ウェハ１外周縁との隙
間が均一な収納ケース１３の開口凹部１３ａにウェハ１
を収納する工程、開口凹部１３ａに収納されたウェハ１
を、ウェハ１外周縁との隙間が均一なリテーナリング６
内に挿着する工程とを有する。 【効果】 ウェハの研磨全面を高精度な平坦度に研磨で
きる。
磨装置およびウェハ研磨方法の提供。 【解決手段】 研磨定盤２に貼着された研磨パッド３
と、ウェハ１を囲って保持するリテーナリング６を固着
する圧接ヘッド４とを有し、ウェハ１を研磨パッド３に
圧接させるとともに相対移動させてウェハ１の研磨を行
うウェハ研磨装置において、リテーナリング６の内側面
６ａとウェハ１外周縁との隙間を均一とする。ウェハ１
の切り欠き部１ａを揃える工程、ウェハ１外周縁との隙
間が均一な収納ケース１３の開口凹部１３ａにウェハ１
を収納する工程、開口凹部１３ａに収納されたウェハ１
を、ウェハ１外周縁との隙間が均一なリテーナリング６
内に挿着する工程とを有する。 【効果】 ウェハの研磨全面を高精度な平坦度に研磨で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ研磨装置お
よびウェハ研磨方法に関し、さらに詳しくは、ウェハを
高精度な平坦度に研磨するウェハ研磨装置およびウェハ
研磨方法に関する。
よびウェハ研磨方法に関し、さらに詳しくは、ウェハを
高精度な平坦度に研磨するウェハ研磨装置およびウェハ
研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハには結晶方位の判別および位置合
わせを容易とする為、図５（ａ）〜（ｂ）に示したよう
に、外周にオリエンテーションフラットやノッチ等の切
り欠き部１ａが設けられている。ところで、半導体装置
の製造工程ではウェハ１の回路パターンが形成される主
面を機械的化学研磨して高精度な平坦度に仕上げる研磨
が行われている。以下、切り欠き部１ａを有するウェハ
１を研磨するウェハ研磨装置について図６〜図７を参照
して説明する。
わせを容易とする為、図５（ａ）〜（ｂ）に示したよう
に、外周にオリエンテーションフラットやノッチ等の切
り欠き部１ａが設けられている。ところで、半導体装置
の製造工程ではウェハ１の回路パターンが形成される主
面を機械的化学研磨して高精度な平坦度に仕上げる研磨
が行われている。以下、切り欠き部１ａを有するウェハ
１を研磨するウェハ研磨装置について図６〜図７を参照
して説明する。
【０００３】図６はウェハ研磨装置の概略側面断面図で
あり、図７（ａ）は図６におけるＡ部の概略拡大図であ
り、図７（ｂ）は研磨後のウェハ１の状態を示す概略平
面図である。研磨定盤２上面に貼着された研磨パッド３
には、圧接ヘッド４に固着され円形リングであるリテー
ナリング６内に囲われバッキングパッド５に吸着保持さ
れたウェハ１が圧接されている。このリテーナリング６
はウェハ１の飛び出しや位置ずれ等を防止する為に設け
られているものであり、その内径は加工公差を有するウ
ェハ１を収納可能とする為にウェハ１の外径よりも１〜
２ｍｍ程度大となっている。そして、研磨定盤２の回転
による研磨パッド３の回転と圧接ヘッド４の回転による
ウェハ１の回転と、回転中心付近の研磨パッド３上にノ
ズル８から滴下され、研磨パッド３上に拡散する研磨ス
ラリ９の介在とによりウェハ１の研磨が行われる。
あり、図７（ａ）は図６におけるＡ部の概略拡大図であ
り、図７（ｂ）は研磨後のウェハ１の状態を示す概略平
面図である。研磨定盤２上面に貼着された研磨パッド３
には、圧接ヘッド４に固着され円形リングであるリテー
ナリング６内に囲われバッキングパッド５に吸着保持さ
れたウェハ１が圧接されている。このリテーナリング６
はウェハ１の飛び出しや位置ずれ等を防止する為に設け
られているものであり、その内径は加工公差を有するウ
ェハ１を収納可能とする為にウェハ１の外径よりも１〜
２ｍｍ程度大となっている。そして、研磨定盤２の回転
による研磨パッド３の回転と圧接ヘッド４の回転による
ウェハ１の回転と、回転中心付近の研磨パッド３上にノ
ズル８から滴下され、研磨パッド３上に拡散する研磨ス
ラリ９の介在とによりウェハ１の研磨が行われる。
【０００４】ところで、ウェハ１を研磨パッド３に圧接
すると研磨パッド３のウェハ１の外周縁近傍が盛り上が
り、この盛り上がりによりウェハ１の外周縁部における
圧接応力がウェハ１の中心部よりも大となり、研磨レー
トが大となる傾向にある。特に、図７（ａ）に示したよ
うに、リテーナリング６の内側面６ａとの隙間が大とな
る切り欠き部１ａでは研磨パッド３の盛り上がり量が大
となり、圧接応力がより大となる。従って、同図（ｂ）
に示したように、研磨後のウェハ１の切り欠き部１ａで
は研磨レートが大となった研磨レート大部１ｂが大きく
形成される虞があった。
すると研磨パッド３のウェハ１の外周縁近傍が盛り上が
り、この盛り上がりによりウェハ１の外周縁部における
圧接応力がウェハ１の中心部よりも大となり、研磨レー
トが大となる傾向にある。特に、図７（ａ）に示したよ
うに、リテーナリング６の内側面６ａとの隙間が大とな
る切り欠き部１ａでは研磨パッド３の盛り上がり量が大
となり、圧接応力がより大となる。従って、同図（ｂ）
に示したように、研磨後のウェハ１の切り欠き部１ａで
は研磨レートが大となった研磨レート大部１ｂが大きく
形成される虞があった。
【０００５】具体的な一例として、リテーナリング６に
切り欠き部１ａを有する８インチのウェハ１を収納し、
以下の条件で機械的化学研磨をした場合の研磨量を示
す。 研磨パッド材質 硬質ポリウレタン 研磨スラリ シリカ粒子＋ＫＯＨ溶液 研磨定盤回転数 ２０ｒｐｍ ウェハホルダ回転数 ２０ｒｐｍ 研磨パッドにウェハを圧接する圧接力 ４．９×１０4 Ｐａ ウェハの研磨面 ＳｉＯ2 膜
切り欠き部１ａを有する８インチのウェハ１を収納し、
以下の条件で機械的化学研磨をした場合の研磨量を示
す。 研磨パッド材質 硬質ポリウレタン 研磨スラリ シリカ粒子＋ＫＯＨ溶液 研磨定盤回転数 ２０ｒｐｍ ウェハホルダ回転数 ２０ｒｐｍ 研磨パッドにウェハを圧接する圧接力 ４．９×１０4 Ｐａ ウェハの研磨面 ＳｉＯ2 膜
【０００６】結果は、ウェハ１の中央部の平均が６６０
ｎｍの研磨量であったのに対して、切り欠き部１ａを除
くウェハ１外周部（外縁から５ｍｍの所）の平均が６９
０ｎｍの研磨量であり、切り欠き部１ａにおいては７３
０ｎｍの研磨量となる範囲が外縁から１０〜１５ｍｍに
も及び、外縁から３ｍｍのところでは７５７ｎｍの研磨
量であった。従って、ウェハ１の切り欠き部１ａでは特
に平坦度の悪い部分が形成され、ウェハ１一枚当たりか
ら製造される半導体装置の数を大とすることができない
一つの大きな要因となっていた。
ｎｍの研磨量であったのに対して、切り欠き部１ａを除
くウェハ１外周部（外縁から５ｍｍの所）の平均が６９
０ｎｍの研磨量であり、切り欠き部１ａにおいては７３
０ｎｍの研磨量となる範囲が外縁から１０〜１５ｍｍに
も及び、外縁から３ｍｍのところでは７５７ｎｍの研磨
量であった。従って、ウェハ１の切り欠き部１ａでは特
に平坦度の悪い部分が形成され、ウェハ１一枚当たりか
ら製造される半導体装置の数を大とすることができない
一つの大きな要因となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ウェ
ハを高精度な平坦度に研磨するウェハ研磨装置およびウ
ェハ研磨方法を提供することである。
ハを高精度な平坦度に研磨するウェハ研磨装置およびウ
ェハ研磨方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明のウェハ研磨装置では、研磨定盤に
貼着された研磨パッドと、ウェハを囲って保持するリテ
ーナリングと、リテーナリングを固着する圧接ヘッドと
を有し、ウェハを研磨パッドに圧接させるとともに相対
移動させてウェハの研磨を行うウェハ研磨装置におい
て、リテーナリング内側面とウェハ外周縁との隙間を均
一のものとすることを特徴とする。
に、請求項１の発明のウェハ研磨装置では、研磨定盤に
貼着された研磨パッドと、ウェハを囲って保持するリテ
ーナリングと、リテーナリングを固着する圧接ヘッドと
を有し、ウェハを研磨パッドに圧接させるとともに相対
移動させてウェハの研磨を行うウェハ研磨装置におい
て、リテーナリング内側面とウェハ外周縁との隙間を均
一のものとすることを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明のウェハ研磨方法では、圧
接ヘッドに固着されたリテーナリング内へのウェハ挿着
工程を有するウェハ研磨方法において、前記ウェハ挿着
工程が、ウェハの切り欠き部を揃える工程と、ウェハ外
周縁との隙間が均一な収納ケースの開口凹部にウェハを
収納する工程と、開口凹部に収納されたウェハを、ウェ
ハ外周縁との隙間が均一なリテーナリング内に挿着する
工程とを有することを特徴とする。
接ヘッドに固着されたリテーナリング内へのウェハ挿着
工程を有するウェハ研磨方法において、前記ウェハ挿着
工程が、ウェハの切り欠き部を揃える工程と、ウェハ外
周縁との隙間が均一な収納ケースの開口凹部にウェハを
収納する工程と、開口凹部に収納されたウェハを、ウェ
ハ外周縁との隙間が均一なリテーナリング内に挿着する
工程とを有することを特徴とする。
【００１０】上述した手段によれば、切り欠き部を含む
ウェハの外周縁とリテーナリング内側面との隙間が均一
となり、ウェハの切り欠き部において研磨パッドの盛り
上がりを小とすることができる。従って、ウェハの研磨
面全面での圧接応力の均一化が図られるとともに研磨レ
ートを均一にする作用がある。また、ウェハ外周縁との
隙間が均一な開口凹部を有する収納ケースを用いれば、
リテーナリング内にウェハを容易に挿着できる。
ウェハの外周縁とリテーナリング内側面との隙間が均一
となり、ウェハの切り欠き部において研磨パッドの盛り
上がりを小とすることができる。従って、ウェハの研磨
面全面での圧接応力の均一化が図られるとともに研磨レ
ートを均一にする作用がある。また、ウェハ外周縁との
隙間が均一な開口凹部を有する収納ケースを用いれば、
リテーナリング内にウェハを容易に挿着できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例につ
いて図１ないし図４を参照して説明する。なお、図中の
構成要素で従来の技術と同様の構造を成しているものに
ついては、同一の参照符号を付すものとする。また、ウ
ェハ研磨装置の概略構成については、従来の技術の図６
を参照して説明した事例と同様であるので省略する。
いて図１ないし図４を参照して説明する。なお、図中の
構成要素で従来の技術と同様の構造を成しているものに
ついては、同一の参照符号を付すものとする。また、ウ
ェハ研磨装置の概略構成については、従来の技術の図６
を参照して説明した事例と同様であるので省略する。
【００１２】本発明のウェハ研磨装置は、リテーナリン
グ６の内側面６ａと切り欠き部１ａを含めるウェハ１の
外周縁との隙間を均一とするものである。これを図１な
いし図２を参照して説明する。
グ６の内側面６ａと切り欠き部１ａを含めるウェハ１の
外周縁との隙間を均一とするものである。これを図１な
いし図２を参照して説明する。
【００１３】図１（ａ）は、従来の技術で参照した図７
（ａ）と同様、図６におけるＡ部の概略拡大図であり、
リテーナリング６の内側面６ａと切り欠き部１ａとの隙
間にダミー７を挿着したものである。また、図１（ｂ）
はダミー７を挿着したリテーナリング６内にウェハ１を
保持した状態を示す概略平面図である。図１（ａ）およ
び同図（ｂ）に示したように、リテーナリング６の内側
面６ａとウェハ１の切り欠き部１ａとの隙間に形成され
る平面形状と略同形状であるとともに、リテーナリング
６の研磨パッド３との対向面と略同一平面となるような
厚さを有するダミー７が挿着されている。このダミー７
の材質はウェハ１と同等のＳｉかＳｉＯ2 あるいは難研
磨材であるポリテトラフルオロエチレン樹脂等で構成さ
れている。
（ａ）と同様、図６におけるＡ部の概略拡大図であり、
リテーナリング６の内側面６ａと切り欠き部１ａとの隙
間にダミー７を挿着したものである。また、図１（ｂ）
はダミー７を挿着したリテーナリング６内にウェハ１を
保持した状態を示す概略平面図である。図１（ａ）およ
び同図（ｂ）に示したように、リテーナリング６の内側
面６ａとウェハ１の切り欠き部１ａとの隙間に形成され
る平面形状と略同形状であるとともに、リテーナリング
６の研磨パッド３との対向面と略同一平面となるような
厚さを有するダミー７が挿着されている。このダミー７
の材質はウェハ１と同等のＳｉかＳｉＯ2 あるいは難研
磨材であるポリテトラフルオロエチレン樹脂等で構成さ
れている。
【００１４】このダミー７を内側面６ａとウェハ１の切
り欠き部１ａとの隙間に挿着することにより、切り欠き
部１ａにおいても内側面６ａとウェハ１外周縁との隙間
が均一になり、研磨パッド３のウェハ１の外周縁近傍に
おける盛り上がりを防止し、その盛り上がり量を小とす
ることができる。従って、切り欠き部１ａにおける研磨
レートも他の部分と略同等となり、高精度な平坦度にウ
ェハ１を研磨するウェハ研磨装置とすることができる。
り欠き部１ａとの隙間に挿着することにより、切り欠き
部１ａにおいても内側面６ａとウェハ１外周縁との隙間
が均一になり、研磨パッド３のウェハ１の外周縁近傍に
おける盛り上がりを防止し、その盛り上がり量を小とす
ることができる。従って、切り欠き部１ａにおける研磨
レートも他の部分と略同等となり、高精度な平坦度にウ
ェハ１を研磨するウェハ研磨装置とすることができる。
【００１５】具体的な一例として、上述した事例のダミ
ー７を挿着し、切り欠き部１ａを有する８インチのウェ
ハ１を以下の条件で機械的化学研磨をした場合の研磨量
を示す。 研磨パッド材質 硬質ポリウレタン 研磨スラリ シリカ粒子＋ＫＯＨ溶液 研磨定盤回転数 ２０ｒｐｍ ウェハホルダ回転数 ２０ｒｐｍ 研磨パッドにウェハを圧接する圧接力 ４．９×１０4 Ｐａ ウェハの研磨面 ＳｉＯ2 膜 ダミー材質 ポリテトラフルオロエチレン
ー７を挿着し、切り欠き部１ａを有する８インチのウェ
ハ１を以下の条件で機械的化学研磨をした場合の研磨量
を示す。 研磨パッド材質 硬質ポリウレタン 研磨スラリ シリカ粒子＋ＫＯＨ溶液 研磨定盤回転数 ２０ｒｐｍ ウェハホルダ回転数 ２０ｒｐｍ 研磨パッドにウェハを圧接する圧接力 ４．９×１０4 Ｐａ ウェハの研磨面 ＳｉＯ2 膜 ダミー材質 ポリテトラフルオロエチレン
【００１６】結果は、ウェハ１の中央部の平均が６００
ｎｍの研磨量であったのに対して、切り欠き部１ａを除
くウェハ１外周部（外縁から５ｍｍの所）の平均が５６
０ｎｍの研磨量、切り欠き部１ａにおいては外縁から５
ｍｍのところでは５５５ｎｍの研磨量であった。従っ
て、ダミー７を内側面６ａとウェハ１の切り欠き部１ａ
との隙間に挿着することにより、高精度な平坦度にウェ
ハ１を研磨することができた。
ｎｍの研磨量であったのに対して、切り欠き部１ａを除
くウェハ１外周部（外縁から５ｍｍの所）の平均が５６
０ｎｍの研磨量、切り欠き部１ａにおいては外縁から５
ｍｍのところでは５５５ｎｍの研磨量であった。従っ
て、ダミー７を内側面６ａとウェハ１の切り欠き部１ａ
との隙間に挿着することにより、高精度な平坦度にウェ
ハ１を研磨することができた。
【００１７】図２は、ダミー７をリテーナリング６と一
体成形したものである。図２（ａ）は図１（ａ）と同
様、従来に技術で参照した図６（ａ）におけるＡ部の概
略拡大図であり、同図（ｂ）はリテーナリング６内にウ
ェハ１を挿着した状態を示す概略平面図である。以下は
図１を参照して説明した事例と同様であるので省略す
る。
体成形したものである。図２（ａ）は図１（ａ）と同
様、従来に技術で参照した図６（ａ）におけるＡ部の概
略拡大図であり、同図（ｂ）はリテーナリング６内にウ
ェハ１を挿着した状態を示す概略平面図である。以下は
図１を参照して説明した事例と同様であるので省略す
る。
【００１８】以下、図１および図２を参照して説明した
事例のウェハ研磨装置に、圧接ヘッド４に固着されてい
るリテーナリング６内にウェハ１を挿着する工程につい
て、図３ないし図４を参照して説明する。図３（ａ）な
いし同図（ｃ）は概略フロー図であり、図４（ａ）はウ
ェハ１を収納する収納ケース１３の概略斜視図であり、
図４（ｂ）は収納ケース１３にウェハ１を収納した状態
を示す概略側面断面図である。
事例のウェハ研磨装置に、圧接ヘッド４に固着されてい
るリテーナリング６内にウェハ１を挿着する工程につい
て、図３ないし図４を参照して説明する。図３（ａ）な
いし同図（ｃ）は概略フロー図であり、図４（ａ）はウ
ェハ１を収納する収納ケース１３の概略斜視図であり、
図４（ｂ）は収納ケース１３にウェハ１を収納した状態
を示す概略側面断面図である。
【００１９】図３（ａ）に示したように、モータ１２の
両端が突出している回転軸の一端にはウェハ１を吸着す
るテーブル１２ａ、他端には図示を省略するがウェハ１
を吸着する為のエアー排出口が設けられている。また、
ウェハ１の厚さ方向の、ウェハ１外縁部近傍の一方の側
にはレーザ等の光源１０が配置され、他方の側には受光
素子１１が配置されている。そして先ず、モータ１２を
回転させるとともにウェハ１を回転させて受光素子１１
によりウェハ１の切り欠き部１ａが検出されるまでフィ
ードバック制御が行われる。切り欠き部１ａが検出され
るとモータの回転がＯＦＦされ、ウェハ１の切り欠き部
１ａが所定の方向で位置決めされる。このようなフィー
ドバック制御において供されるモータ１２としては、特
別に回転軸の位置保持手段を必要としないステッピング
モータが望ましい。
両端が突出している回転軸の一端にはウェハ１を吸着す
るテーブル１２ａ、他端には図示を省略するがウェハ１
を吸着する為のエアー排出口が設けられている。また、
ウェハ１の厚さ方向の、ウェハ１外縁部近傍の一方の側
にはレーザ等の光源１０が配置され、他方の側には受光
素子１１が配置されている。そして先ず、モータ１２を
回転させるとともにウェハ１を回転させて受光素子１１
によりウェハ１の切り欠き部１ａが検出されるまでフィ
ードバック制御が行われる。切り欠き部１ａが検出され
るとモータの回転がＯＦＦされ、ウェハ１の切り欠き部
１ａが所定の方向で位置決めされる。このようなフィー
ドバック制御において供されるモータ１２としては、特
別に回転軸の位置保持手段を必要としないステッピング
モータが望ましい。
【００２０】次ぎに、ウェハ１の切り欠き部１ａを所定
の方向に位置決めしたモータ１２を収納器ケース１３の
設置されている所まで移動させ、エアーの吸引をＯＦＦ
してウェハ１を収納器ケース１３の開口凹部１３ａに収
納する。この開口凹部１３ａは、図４（ａ）に示したよ
うに、切り欠き部１ａを含めたウェハ１の外形寸法より
も僅かに大である平面形状を有しており、同図（ｂ）に
示したように、ウェハ１を開口凹部１３ａに収納した状
態ではウェハ１上面が略０．５ｍｍ程度突出するように
構成されている。そして、開口凹部１３ａ内に収納され
たウェハ１は回転することがないので、収納ケース１３
に対する切り欠き部１ａの位置は常に維持されている。
の方向に位置決めしたモータ１２を収納器ケース１３の
設置されている所まで移動させ、エアーの吸引をＯＦＦ
してウェハ１を収納器ケース１３の開口凹部１３ａに収
納する。この開口凹部１３ａは、図４（ａ）に示したよ
うに、切り欠き部１ａを含めたウェハ１の外形寸法より
も僅かに大である平面形状を有しており、同図（ｂ）に
示したように、ウェハ１を開口凹部１３ａに収納した状
態ではウェハ１上面が略０．５ｍｍ程度突出するように
構成されている。そして、開口凹部１３ａ内に収納され
たウェハ１は回転することがないので、収納ケース１３
に対する切り欠き部１ａの位置は常に維持されている。
【００２１】次ぎに、ウェハ１を収納した収納器ケース
１３をウェハ研磨装置の圧接ヘッド４の所へ移動させ、
圧接ヘッド４を下降させる。この時、圧接ヘッド４のリ
テーナリング６は図１または図２を参照して説明した事
例のもの（ここでは、図１を参照し説明した事例でダミ
ー７を用いたものを示した）であるが、開口凹部１３ａ
に収納されたウェハ１の切り欠き部１ａの位置とダミー
７との位置を一致させれば、図１または図２に示したよ
うに切り欠き部１ａを含むウェハ１の外周縁と内側面６
ａとの隙間が均一となるように容易に挿着することがで
きる。
１３をウェハ研磨装置の圧接ヘッド４の所へ移動させ、
圧接ヘッド４を下降させる。この時、圧接ヘッド４のリ
テーナリング６は図１または図２を参照して説明した事
例のもの（ここでは、図１を参照し説明した事例でダミ
ー７を用いたものを示した）であるが、開口凹部１３ａ
に収納されたウェハ１の切り欠き部１ａの位置とダミー
７との位置を一致させれば、図１または図２に示したよ
うに切り欠き部１ａを含むウェハ１の外周縁と内側面６
ａとの隙間が均一となるように容易に挿着することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】本発明のウェハ研磨装置によれば、ウェ
ハ研磨面の全面にわたって高精度な平坦度に研磨するこ
とができるので、ウェハ１一枚当たりから製造される半
導体チップの数を大とすることができる。また、本発明
のウェハ研磨方法によれば、オリエンテーションフラッ
トやノッチ等の切り欠き部を有するウェハを、ウェハ形
状に対応したリテーナリングに容易に挿着することがで
きる。
ハ研磨面の全面にわたって高精度な平坦度に研磨するこ
とができるので、ウェハ１一枚当たりから製造される半
導体チップの数を大とすることができる。また、本発明
のウェハ研磨方法によれば、オリエンテーションフラッ
トやノッチ等の切り欠き部を有するウェハを、ウェハ形
状に対応したリテーナリングに容易に挿着することがで
きる。
【図１】 本発明においてダミーを用いた実施の形態例
を示し、（ａ）は図６におけるＡ部の概略拡大図であ
り、（ｂ）はリテーナリングの開口孔内にウェハを挿着
した状態の概略平面図である。
を示し、（ａ）は図６におけるＡ部の概略拡大図であ
り、（ｂ）はリテーナリングの開口孔内にウェハを挿着
した状態の概略平面図である。
【図２】 本発明においてリテーナリングを一体成形す
る実施の形態例を示し、（ａ）は図６におけるＡ部の概
略拡大図であり、（ｂ）はリテーナリングの開口孔内に
ウェハを挿着した状態の概略平面図である。
る実施の形態例を示し、（ａ）は図６におけるＡ部の概
略拡大図であり、（ｂ）はリテーナリングの開口孔内に
ウェハを挿着した状態の概略平面図である。
【図３】 本発明の工程を説明するものであり、（ａ）
〜（ｃ）は概略フロー図である。
〜（ｃ）は概略フロー図である。
【図４】 本発明の工程を説明するものであり、（ａ）
は収納ケースの概略斜視図であり、（ｂ）は収納ケース
の開口凹部にウェハを収納した状態の概略側面断面図で
ある。
は収納ケースの概略斜視図であり、（ｂ）は収納ケース
の開口凹部にウェハを収納した状態の概略側面断面図で
ある。
【図５】 （ａ）はオリエンテーションフラットを有す
るウェハの概略平面図であり、（ｂ）はノッチを有する
ウェハの概略平面図である。
るウェハの概略平面図であり、（ｂ）はノッチを有する
ウェハの概略平面図である。
【図６】 従来例を示し、ウェハ研磨装置の概略側面断
面図である。
面図である。
【図７】 従来例を示し、（ａ）は図６におけるＡ部の
概略拡大図であり、（ｂ）は研磨後のウェハの状態を示
す概略平面図である。
概略拡大図であり、（ｂ）は研磨後のウェハの状態を示
す概略平面図である。
１…ウェハ、１ａ…切り欠き部、１ｂ…研磨レート大
部、２…研磨定盤、３…研磨パッド、４…圧接ヘッド、
５…バッキングパッド、６…リテーナリング、６ａ…内
側面、７…ダミー、８…ノズル、９…研磨スラリ、１０
…光源、１１…受光素子、１２…モータ、１２ａ…テー
ブル、１３…収納ケース、１３ａ…開口凹部
部、２…研磨定盤、３…研磨パッド、４…圧接ヘッド、
５…バッキングパッド、６…リテーナリング、６ａ…内
側面、７…ダミー、８…ノズル、９…研磨スラリ、１０
…光源、１１…受光素子、１２…モータ、１２ａ…テー
ブル、１３…収納ケース、１３ａ…開口凹部
Claims (2)
- 【請求項１】 研磨定盤と、 前記研磨定盤に貼着された研磨パッドと、 前記研磨パッドに圧接されるウェハと、 前記ウェハを囲って保持するリテーナリングと、 前記リテーナリングを固着する圧接ヘッドとを有し、 前記ウェハを前記研磨パッドに圧接させるとともに相対
移動させ、 前記ウェハの研磨を行うウェハ研磨装置において、 前記リテーナリング内側面と前記ウェハ外周縁との隙間
を均一のものとすることを特徴とするウェハ研磨装置。 - 【請求項２】 圧接ヘッドに固着されたリテーナリング
内にウェハを挿着する工程と、 研磨定盤に貼着された研磨パッドに、前記ウェハを圧接
させるとともに相対運動させて前記ウェハを研磨する工
程とを有するウェハ研磨方法において、 前記ウェハを挿着する工程が、 切り欠き部を有するウェハの前記切り欠き部を揃える工
程と、 前記ウェハを、前記ウェハ外周縁との隙間が均一となる
開口凹部を有する収納ケースの前記開口凹部に収納する
工程と、 前記開口凹部に収納された前記ウェハを、前記ウェハ外
周縁との隙間が均一となるリテーナリング内に挿着する
工程とを有することを特徴とするウェハ研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12034596A JPH09300210A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | ウェハ研磨装置およびウェハ研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12034596A JPH09300210A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | ウェハ研磨装置およびウェハ研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09300210A true JPH09300210A (ja) | 1997-11-25 |
Family
ID=14783944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12034596A Pending JPH09300210A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | ウェハ研磨装置およびウェハ研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09300210A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000317812A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-11-21 | Applied Materials Inc | ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド |
| KR100513419B1 (ko) * | 1998-11-07 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 폴리싱장치 |
| JP2007508664A (ja) * | 2003-10-10 | 2007-04-05 | アプレラ コーポレイション | 取り外し可能な磁性挿入物を備えるｍａｌｄｉプレート |
| JP2009105280A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP12034596A patent/JPH09300210A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100513419B1 (ko) * | 1998-11-07 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 폴리싱장치 |
| JP2000317812A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-11-21 | Applied Materials Inc | ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド |
| JP2007508664A (ja) * | 2003-10-10 | 2007-04-05 | アプレラ コーポレイション | 取り外し可能な磁性挿入物を備えるｍａｌｄｉプレート |
| JP2009105280A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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