JPH09300366A - モールド金型および樹脂モールド装置 - Google Patents
モールド金型および樹脂モールド装置Info
- Publication number
- JPH09300366A JPH09300366A JP11983596A JP11983596A JPH09300366A JP H09300366 A JPH09300366 A JP H09300366A JP 11983596 A JP11983596 A JP 11983596A JP 11983596 A JP11983596 A JP 11983596A JP H09300366 A JPH09300366 A JP H09300366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- film
- cavity
- gold
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 離型性を永続的に改善したモールド金型の提
供が望まれている。 【解決手段】 下型２０ａと上型２０ｂとからなり、こ
れら下型２０ａと上型２０ｂとの間にキャビティー２１
を有したモールド金型２０である。キャビティー２１を
形成する下型、上型の各キャビティー形成面２１ａ、２
１ｂの最表層部に、それぞれ金からなる離型膜２４が設
けられている。各キャビティー形成面２１ａ、２１ｂと
離型膜２４との間に、金の下地への拡散を防止するため
の金拡散防止膜２３を設けてもよく、さらに、各キャビ
ティー形成面２１ａ、２１ｂと金拡散防止膜２３との間
に、防錆膜２２を設けてもよい。
供が望まれている。 【解決手段】 下型２０ａと上型２０ｂとからなり、こ
れら下型２０ａと上型２０ｂとの間にキャビティー２１
を有したモールド金型２０である。キャビティー２１を
形成する下型、上型の各キャビティー形成面２１ａ、２
１ｂの最表層部に、それぞれ金からなる離型膜２４が設
けられている。各キャビティー形成面２１ａ、２１ｂと
離型膜２４との間に、金の下地への拡散を防止するため
の金拡散防止膜２３を設けてもよく、さらに、各キャビ
ティー形成面２１ａ、２１ｂと金拡散防止膜２３との間
に、防錆膜２２を設けてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のパッ
ケージングに用いられるモールド金型と、このモールド
金型を備えた樹脂モールド装置に関する。
ケージングに用いられるモールド金型と、このモールド
金型を備えた樹脂モールド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップのパッケージングに用いら
れるパッケージとしては、経済性、量産性等に優れてい
ることから、プラスチックパッケージが多く用いられて
いる。プラスチックパッケージを用いた半導体装置とし
ては、例えば図２に示すものがある。図２に示す半導体
装置１は、リードフレームのダイパッド２に半導体チッ
プ３を接着し、ワイヤー４によって半導体チップ３とリ
ード５とを接続し、これらを一体のものとして熱硬化性
樹脂６で封止したものである。
れるパッケージとしては、経済性、量産性等に優れてい
ることから、プラスチックパッケージが多く用いられて
いる。プラスチックパッケージを用いた半導体装置とし
ては、例えば図２に示すものがある。図２に示す半導体
装置１は、リードフレームのダイパッド２に半導体チッ
プ３を接着し、ワイヤー４によって半導体チップ３とリ
ード５とを接続し、これらを一体のものとして熱硬化性
樹脂６で封止したものである。
【０００３】プラスチックパッケージとなる熱硬化性樹
脂６による封止は、トランスファ・モールドによってな
されるのが一般的である。このトランスファ・モールド
は、例えば図３に示すような樹脂モールド装置１０によ
って行われる。ここで、樹脂モールド装置１０は、基台
１１上にガイド１２…を立て、該ガイド１２…に昇降可
能な可動盤１３と固定された固定盤１４とを取り付け、
さらに固定盤１４に油圧プランジャ１５を設けたもの
で、基台１１上にモールド金型１６を備えるものであ
る。
脂６による封止は、トランスファ・モールドによってな
されるのが一般的である。このトランスファ・モールド
は、例えば図３に示すような樹脂モールド装置１０によ
って行われる。ここで、樹脂モールド装置１０は、基台
１１上にガイド１２…を立て、該ガイド１２…に昇降可
能な可動盤１３と固定された固定盤１４とを取り付け、
さらに固定盤１４に油圧プランジャ１５を設けたもの
で、基台１１上にモールド金型１６を備えるものであ
る。
【０００４】モールド金型１６は、図４に示すように下
型１６ａと上型１６ｂとからなり、これらの間にキャビ
ティー１７を形成するものである。ところで、モールド
金型１６には、キャビティー１７を形成する各キャビテ
ィー形成面１７ａ、１７ｂに防錆を目的とし、かつ耐摩
耗性を向上して耐久性を高めるため、各キャビティー形
成面１７ａ、１７ｂにメッキ１８が形成されている。こ
のようなメッキ１８としては、硬質クロムメッキが一般
的である。
型１６ａと上型１６ｂとからなり、これらの間にキャビ
ティー１７を形成するものである。ところで、モールド
金型１６には、キャビティー１７を形成する各キャビテ
ィー形成面１７ａ、１７ｂに防錆を目的とし、かつ耐摩
耗性を向上して耐久性を高めるため、各キャビティー形
成面１７ａ、１７ｂにメッキ１８が形成されている。こ
のようなメッキ１８としては、硬質クロムメッキが一般
的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記硬
質クロムメッキを施したモールド金型１６では、キャビ
ティー形成面１７ａ、１７ｂの防錆、および耐摩耗性の
向上は達成されるものの、キャビティー１７からの樹脂
の離型性が悪く、したがってモールド成形に先立ってキ
ャビティー形成面１７ａ、１７ｂに離型剤を吹きつける
などの処理が必要となり、生産性に劣るといった不都合
がある。離型性を良くするメッキとしては、ニッケルメ
ッキ中にポリテトラフルオロエチレン（商品名；テフロ
ン）粒子を分散させてなるニムフロンメッキ（商品名）
が知られている。しかし、このニムフロンメッキにあっ
ても、分散されたポリテトラフルオロエチレンが離型性
に有効であるものの、ニッケルメッキの酸化によってニ
ッケル表面に形成される酸化膜と、キャッビティー１７
内にて成形硬化されるモールド樹脂（熱硬化性樹脂）と
の密着性がよいことから、離型性を永続的に改善するま
でには至っていない。
質クロムメッキを施したモールド金型１６では、キャビ
ティー形成面１７ａ、１７ｂの防錆、および耐摩耗性の
向上は達成されるものの、キャビティー１７からの樹脂
の離型性が悪く、したがってモールド成形に先立ってキ
ャビティー形成面１７ａ、１７ｂに離型剤を吹きつける
などの処理が必要となり、生産性に劣るといった不都合
がある。離型性を良くするメッキとしては、ニッケルメ
ッキ中にポリテトラフルオロエチレン（商品名；テフロ
ン）粒子を分散させてなるニムフロンメッキ（商品名）
が知られている。しかし、このニムフロンメッキにあっ
ても、分散されたポリテトラフルオロエチレンが離型性
に有効であるものの、ニッケルメッキの酸化によってニ
ッケル表面に形成される酸化膜と、キャッビティー１７
内にて成形硬化されるモールド樹脂（熱硬化性樹脂）と
の密着性がよいことから、離型性を永続的に改善するま
でには至っていない。
【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、離型性を永続的に改善し
たモールド金型と、このモールド金型を備えた樹脂モー
ルド装置とを提供することにある。
で、その目的とするところは、離型性を永続的に改善し
たモールド金型と、このモールド金型を備えた樹脂モー
ルド装置とを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のモールド金型で
は、キャビティーを形成する下型、上型の各キャビティ
ー形成面の最表層部に、それぞれ金（Ａｕ）からなる離
型膜を設けたことを前記課題の解決手段とした。ここ
で、前記離型膜については、キャビティー形成面に直接
設けてもよいが、離型膜を形成する金が下地に拡散する
のを防止するため、キャビティー形成面と前記離型膜と
の間に、パラジウム（Ｐｄ）等からなる金拡散防止膜を
設けるのが好ましい。さらに、キャビティー形成面が錆
びるのを防止して金型の耐久性を高めるため、キャビテ
ィー形成面と前記離型膜との間に、あるいはキャビティ
ー形成面と前記金拡散防止膜との間に、クロム（Ｃｒ）
やニッケル（Ｎｉ）からなる防錆膜を設けるのが好まし
い。
は、キャビティーを形成する下型、上型の各キャビティ
ー形成面の最表層部に、それぞれ金（Ａｕ）からなる離
型膜を設けたことを前記課題の解決手段とした。ここ
で、前記離型膜については、キャビティー形成面に直接
設けてもよいが、離型膜を形成する金が下地に拡散する
のを防止するため、キャビティー形成面と前記離型膜と
の間に、パラジウム（Ｐｄ）等からなる金拡散防止膜を
設けるのが好ましい。さらに、キャビティー形成面が錆
びるのを防止して金型の耐久性を高めるため、キャビテ
ィー形成面と前記離型膜との間に、あるいはキャビティ
ー形成面と前記金拡散防止膜との間に、クロム（Ｃｒ）
やニッケル（Ｎｉ）からなる防錆膜を設けるのが好まし
い。
【０００８】このモールド金型によれば、化学的に極め
て安定であり、したがって酸化が起こりにくい金（Ａ
ｕ）からなる離型膜を、キャビティー形成面の最表層部
に設けたことから、モールド樹脂の離型性が良好にな
る。また、キャビティー形成面と前記離型膜との間に、
パラジウム（Ｐｄ）等からなる金拡散防止膜を設けれ
ば、離型膜を形成する金が下地に拡散するのが防止され
るため、金拡散に起因する離型膜の膜減りが抑えられ
る。さらに、キャビティー形成面と前記離型膜との間
に、あるいはキャビティー形成面と前記金拡散防止膜と
の間に、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）からなる防
錆膜を設ければ、キャビティー形成面が錆びるのが防止
され、金型の耐久性が高まる。
て安定であり、したがって酸化が起こりにくい金（Ａ
ｕ）からなる離型膜を、キャビティー形成面の最表層部
に設けたことから、モールド樹脂の離型性が良好にな
る。また、キャビティー形成面と前記離型膜との間に、
パラジウム（Ｐｄ）等からなる金拡散防止膜を設けれ
ば、離型膜を形成する金が下地に拡散するのが防止され
るため、金拡散に起因する離型膜の膜減りが抑えられ
る。さらに、キャビティー形成面と前記離型膜との間
に、あるいはキャビティー形成面と前記金拡散防止膜と
の間に、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）からなる防
錆膜を設ければ、キャビティー形成面が錆びるのが防止
され、金型の耐久性が高まる。
【０００９】また、本発明の樹脂モールド装置では、前
記モールド金型を備えたことを前記課題の解決手段とし
た。
記モールド金型を備えたことを前記課題の解決手段とし
た。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施形態例によっ
て詳しく説明する。図１は本発明のモールド金型の一実
施形態例を示す図であり、図１において符号２０は、半
導体装置をトランスファ・モールドによってパッケージ
ングする際に用いられるモールド金型である。このモー
ルド金型２０は、図４に示したモールド金型１０と同様
に下型２０ａと上型２０ｂとからなり、これらの間に樹
脂封止を行うためのキャビティー２１を形成したもので
ある。下型２０ａのキャビティー形成面２１ａ、上型２
０ｂのキャビティー形成面２１ｂには、それぞれ、下地
側から順に防錆膜２２、金拡散防止膜２３、離型膜２４
が積層されて形成されている。
て詳しく説明する。図１は本発明のモールド金型の一実
施形態例を示す図であり、図１において符号２０は、半
導体装置をトランスファ・モールドによってパッケージ
ングする際に用いられるモールド金型である。このモー
ルド金型２０は、図４に示したモールド金型１０と同様
に下型２０ａと上型２０ｂとからなり、これらの間に樹
脂封止を行うためのキャビティー２１を形成したもので
ある。下型２０ａのキャビティー形成面２１ａ、上型２
０ｂのキャビティー形成面２１ｂには、それぞれ、下地
側から順に防錆膜２２、金拡散防止膜２３、離型膜２４
が積層されて形成されている。
【００１１】防錆膜２２は、ビッカース硬度（Ｈｖ）が
８００〜１２００程度の硬質Ｃｒ（クロム）メッキやＮ
ｉ−Ｐ合金メッキ（Ｈｖ；６００〜８００）、さらには
Ｎｉメッキ等からなるもので、公知のメッキ法によって
形成されたものである。なお、本実施形態例では、防錆
効果だけでなく、耐久性の向上を図るべく、硬質Ｃｒメ
ッキによって防錆膜２２を形成している。この防錆膜２
２の膜厚については、０．５〜２０μｍ程度とされる。
すなわち、０．５μｍ未満では防錆効果が十分に発揮さ
れず、また２０μｍを越えても前記効果がそれ以上には
期待できず、コスト的に不利になるからである。
８００〜１２００程度の硬質Ｃｒ（クロム）メッキやＮ
ｉ−Ｐ合金メッキ（Ｈｖ；６００〜８００）、さらには
Ｎｉメッキ等からなるもので、公知のメッキ法によって
形成されたものである。なお、本実施形態例では、防錆
効果だけでなく、耐久性の向上を図るべく、硬質Ｃｒメ
ッキによって防錆膜２２を形成している。この防錆膜２
２の膜厚については、０．５〜２０μｍ程度とされる。
すなわち、０．５μｍ未満では防錆効果が十分に発揮さ
れず、また２０μｍを越えても前記効果がそれ以上には
期待できず、コスト的に不利になるからである。
【００１２】なお、この防錆膜２２は、キャビティー形
成面２１ａ、２１ｂだけでなく、下型２０ａ、上型２０
ｂの各内面、すなわちキャビティー２１を形成した側の
面全体に形成されたものとなっており、これによって金
型２０は、キャビティー２１を形成した側の面全体に防
錆処理がなされたものとなっている。
成面２１ａ、２１ｂだけでなく、下型２０ａ、上型２０
ｂの各内面、すなわちキャビティー２１を形成した側の
面全体に形成されたものとなっており、これによって金
型２０は、キャビティー２１を形成した側の面全体に防
錆処理がなされたものとなっている。
【００１３】金拡散防止膜２３は、これの上に形成され
る離型膜２４の金が下地側（前記防錆膜２２側）に拡散
するのを防止するためのもので、金拡散防止効果の高い
Ｐｄ（パラジウム）やＣｒのメッキからなるものであ
る。なお、本実施形態例では、より金拡散防止効果が高
いものとして、公知のメッキ法で形成されるＰｄメッキ
によって金拡散防止膜２３を形成している。この金拡散
防止膜２３の膜厚については、０．０２μｍ〜２．０μ
ｍ程度とされる。すなわち、０．０２μｍ未満では金拡
散防止の効果が十分に発揮されず、また２．０μｍを越
えても前記効果がそれ以上には期待できず、コスト的に
不利になるからである。なお、Ｐｄメッキ等の金拡散防
止膜については、電解メッキ法に限らず、無電解メッキ
法、イオンスパッタリング等の表面処理法によって形成
しても同様の効果が得られる。
る離型膜２４の金が下地側（前記防錆膜２２側）に拡散
するのを防止するためのもので、金拡散防止効果の高い
Ｐｄ（パラジウム）やＣｒのメッキからなるものであ
る。なお、本実施形態例では、より金拡散防止効果が高
いものとして、公知のメッキ法で形成されるＰｄメッキ
によって金拡散防止膜２３を形成している。この金拡散
防止膜２３の膜厚については、０．０２μｍ〜２．０μ
ｍ程度とされる。すなわち、０．０２μｍ未満では金拡
散防止の効果が十分に発揮されず、また２．０μｍを越
えても前記効果がそれ以上には期待できず、コスト的に
不利になるからである。なお、Ｐｄメッキ等の金拡散防
止膜については、電解メッキ法に限らず、無電解メッキ
法、イオンスパッタリング等の表面処理法によって形成
しても同様の効果が得られる。
【００１４】離型膜２４は、電解メッキによって形成さ
れる金メッキ膜、あるいは無電解メッキ法、蒸着法、ス
パッタ法等によって形成される金の膜からなるものであ
る。なお、本実施形態例では、製造が容易であることか
ら、電解メッキによって離型膜２４を形成している。こ
の離型膜２４の膜厚については、０．００３μｍ〜２．
０μｍ程度とされる。０．００３μｍ未満では離型性向
上の効果が十分に発揮されず、また２．０μｍを越えて
も前記効果がそれ以上には期待できず、コスト的に不利
になるからである。
れる金メッキ膜、あるいは無電解メッキ法、蒸着法、ス
パッタ法等によって形成される金の膜からなるものであ
る。なお、本実施形態例では、製造が容易であることか
ら、電解メッキによって離型膜２４を形成している。こ
の離型膜２４の膜厚については、０．００３μｍ〜２．
０μｍ程度とされる。０．００３μｍ未満では離型性向
上の効果が十分に発揮されず、また２．０μｍを越えて
も前記効果がそれ以上には期待できず、コスト的に不利
になるからである。
【００１５】このような構成のモールド金型２０は、図
３に示した樹脂モールド装置１０のモールド金型１６に
代えて用いられる。すなわち、図１に示したモールド金
型２０を備えた樹脂モールド装置１０によってパッケー
ジングを行うには、まず、モールド金型２０を内蔵した
ヒータによって加熱し、続いて下型２０ａのキャビティ
ー形成面２１ａ上に半導体チップ３を搭載したリードフ
レームをセットする。次に、上型２０ａを下型２０ｂに
合わせて固定する。
３に示した樹脂モールド装置１０のモールド金型１６に
代えて用いられる。すなわち、図１に示したモールド金
型２０を備えた樹脂モールド装置１０によってパッケー
ジングを行うには、まず、モールド金型２０を内蔵した
ヒータによって加熱し、続いて下型２０ａのキャビティ
ー形成面２１ａ上に半導体チップ３を搭載したリードフ
レームをセットする。次に、上型２０ａを下型２０ｂに
合わせて固定する。
【００１６】次いで、予めプリヒーターで加熱した樹脂
タブレットをモールド金型２０内に投入し、さらに油圧
プランジャ１５を下げて樹脂をキャビティー２１内に注
入する。次いで、キャビティー２１内を所定圧力に上
げ、かつモールド金型２０を１００〜２００℃（通常は
１５０〜１７５℃程度）に加熱してこの状態を数分間保
持し、樹脂を硬化せしめる。その後、モールド金型２０
を開いてキャビティー２１内から樹脂封止された半導体
装置を取り出す。
タブレットをモールド金型２０内に投入し、さらに油圧
プランジャ１５を下げて樹脂をキャビティー２１内に注
入する。次いで、キャビティー２１内を所定圧力に上
げ、かつモールド金型２０を１００〜２００℃（通常は
１５０〜１７５℃程度）に加熱してこの状態を数分間保
持し、樹脂を硬化せしめる。その後、モールド金型２０
を開いてキャビティー２１内から樹脂封止された半導体
装置を取り出す。
【００１７】このとき、モールド金型２０にはそのキャ
ビティー形成面２１ａ、２１ｂの最表層に金からなる離
型膜２４が形成されていることから、樹脂封止後の半導
体装置の取り出しが容易になる。すなわち、金は化学的
に極めて安定であり、モールド成形温度（１００〜２０
０℃）でも酸化が起こらないことから、樹脂に対する良
好な離型性を永続的に確保することができるのである。
また、この離型膜２４の下にパラジウム（Ｐｄ）からな
る金拡散防止膜２３が形成されていることから、離型膜
２４を形成する金が下地側に拡散するのが防止され、こ
れにより金拡散に起因する離型膜２４の膜減りが抑えら
れる。さらに、キャビティー形成面２１ａ、２１ｂと金
拡散防止膜２３との間に、硬質クロムからなる防錆膜２
２が形成されていることから、キャビティー形成面２１
ａ、２１ｂが錆びるのが防止され、モールド金型２０の
耐久性が高まる。
ビティー形成面２１ａ、２１ｂの最表層に金からなる離
型膜２４が形成されていることから、樹脂封止後の半導
体装置の取り出しが容易になる。すなわち、金は化学的
に極めて安定であり、モールド成形温度（１００〜２０
０℃）でも酸化が起こらないことから、樹脂に対する良
好な離型性を永続的に確保することができるのである。
また、この離型膜２４の下にパラジウム（Ｐｄ）からな
る金拡散防止膜２３が形成されていることから、離型膜
２４を形成する金が下地側に拡散するのが防止され、こ
れにより金拡散に起因する離型膜２４の膜減りが抑えら
れる。さらに、キャビティー形成面２１ａ、２１ｂと金
拡散防止膜２３との間に、硬質クロムからなる防錆膜２
２が形成されていることから、キャビティー形成面２１
ａ、２１ｂが錆びるのが防止され、モールド金型２０の
耐久性が高まる。
【００１８】また、このモールド金型２０を備えた樹脂
モールド装置にあっては、モールド金型２０の離型性が
良好であることから、成形時キャビティー形成面２１
ａ、２１ｂに離型剤を吹きつけるといった処理を行う必
要がなくなり、生産性を高めることができる。
モールド装置にあっては、モールド金型２０の離型性が
良好であることから、成形時キャビティー形成面２１
ａ、２１ｂに離型剤を吹きつけるといった処理を行う必
要がなくなり、生産性を高めることができる。
【００１９】なお、前記例では、キャビティー形成面２
１ａ、２１ｂにそれぞれ、下地側から順に硬質クロムメ
ッキからなる防錆膜２２、パラジウムメッキからなる金
拡散防止膜２３、金メッキからなる離型膜２４を積層し
たが、離型膜２４のみを形成しても良好な離型性を永続
的に確保することができる。また、特に離型膜２４の膜
厚を十分厚くした場合などでは、金拡散防止膜２３を設
けることなく防錆膜２２の上に直接離型膜２４を設けて
もよい。さらに、モールド金型を鉄でなくステンレス等
で形成した場合などでは、防錆膜２２を設けることな
く、金拡散防止膜２３、離型膜２４の二層のみを設ける
ようにしてもよい。
１ａ、２１ｂにそれぞれ、下地側から順に硬質クロムメ
ッキからなる防錆膜２２、パラジウムメッキからなる金
拡散防止膜２３、金メッキからなる離型膜２４を積層し
たが、離型膜２４のみを形成しても良好な離型性を永続
的に確保することができる。また、特に離型膜２４の膜
厚を十分厚くした場合などでは、金拡散防止膜２３を設
けることなく防錆膜２２の上に直接離型膜２４を設けて
もよい。さらに、モールド金型を鉄でなくステンレス等
で形成した場合などでは、防錆膜２２を設けることな
く、金拡散防止膜２３、離型膜２４の二層のみを設ける
ようにしてもよい。
【００２０】また、前記例では、樹脂モールド装置とし
て上から樹脂を注入するタイプのものを示したが、下か
ら樹脂を注入するタイプのものにも本発明が適用される
のはもちろんであり、その場合には、モールド金型にも
その下型に注入孔（図示略）が設けられる。
て上から樹脂を注入するタイプのものを示したが、下か
ら樹脂を注入するタイプのものにも本発明が適用される
のはもちろんであり、その場合には、モールド金型にも
その下型に注入孔（図示略）が設けられる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のモールド金
型は、通常では酸化が起こらない金からなる離型膜を、
キャビティー形成面の最表層部に設けたものであるか
ら、モールド樹脂に対する良好な離型性を永続的に確保
することができる。したがって、特に離型性の悪いビフ
ェニール系エポキシ樹脂を混合したモールド樹脂や、離
型剤が添加されず、あるいは少量しか添加できないこと
からやはり離型性の悪い透明モールド樹脂に対し、その
効果がより一層高いものとなる。また、本発明の樹脂モ
ールド装置は、離型性の良好な前記モールド金型を備え
たものであるから、成形時キャビティー形成面に離型剤
を吹きつけるといった処理を行う必要がなくなり、これ
により生産性を格段に向上することができるものとな
る。
型は、通常では酸化が起こらない金からなる離型膜を、
キャビティー形成面の最表層部に設けたものであるか
ら、モールド樹脂に対する良好な離型性を永続的に確保
することができる。したがって、特に離型性の悪いビフ
ェニール系エポキシ樹脂を混合したモールド樹脂や、離
型剤が添加されず、あるいは少量しか添加できないこと
からやはり離型性の悪い透明モールド樹脂に対し、その
効果がより一層高いものとなる。また、本発明の樹脂モ
ールド装置は、離型性の良好な前記モールド金型を備え
たものであるから、成形時キャビティー形成面に離型剤
を吹きつけるといった処理を行う必要がなくなり、これ
により生産性を格段に向上することができるものとな
る。
【図１】本発明のモールド金型の要部側断面図である。
【図２】半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図３】樹脂モールド装置の一例を示す正面図である。
【図４】従来のモールド金型の要部側断面図である。
２０ モールド金型 ２０ａ 下型 ２０ｂ 上型 ２１ キャビティー ２１ａ、２１ｂ キャビティー
形成面 ２２ 防錆膜 ２３ 金拡散防止膜 ２４ 離型膜
形成面 ２２ 防錆膜 ２３ 金拡散防止膜 ２４ 離型膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｃ 45/26 Ｂ２９Ｃ 45/26 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (4)
- 【請求項１】 下型と上型とからなり、これら下型と上
型との間にキャビティを有したモールド金型において、 前記キャビティーを形成する下型、上型の各キャビティ
ー形成面の最表層部に、それぞれ金からなる離型膜が設
けられたことを特徴とするモールド金型。 - 【請求項２】 前記キャビティーを形成する下型、上型
の各キャビティー形成面と前記離型膜との間に、金の下
地への拡散を防止するための金拡散防止膜が設けられた
ことを特徴とする請求項１記載のモールド金型。 - 【請求項３】 前記キャビティーを形成する下型、上型
の各キャビティー形成面と前記金拡散防止膜との間に、
防錆膜が設けられたことを特徴とする請求項２記載のモ
ールド金型。 - 【請求項４】 下型と上型とからなり、これら下型と上
型との間にキャビティを有し、該キャビティーを形成す
る下型、上型の各キャビティー形成面の最表層部に、そ
れぞれ金からなる離型膜を設けたモールド金型を備えた
ことを特徴とする樹脂モールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11983596A JPH09300366A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | モールド金型および樹脂モールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11983596A JPH09300366A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | モールド金型および樹脂モールド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09300366A true JPH09300366A (ja) | 1997-11-25 |
Family
ID=14771442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11983596A Pending JPH09300366A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | モールド金型および樹脂モールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09300366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129343A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Spansion Llc | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP11983596A patent/JPH09300366A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129343A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Spansion Llc | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2006129343A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2008-12-25 | スパンション エルエルシー | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US7622067B2 (en) | 2005-05-30 | 2009-11-24 | Spansion Llc | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP5166870B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2013-03-21 | スパンション エルエルシー | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI375998B (en) | Adhesive sheet for producing a semiconductor device | |
| US5424578A (en) | Lead frame for use in a semiconductor device and a semiconductor device using the same | |
| US5882692A (en) | Resin molding apparatus | |
| JPH09300366A (ja) | モールド金型および樹脂モールド装置 | |
| JP2000196006A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JPH07304044A (ja) | 金型のクリーニング材およびクリーニング方法 | |
| JPS622456B2 (ja) | ||
| JP2626971B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
| TWI482251B (zh) | Lead frame and method of manufacturing | |
| JPH08309803A (ja) | 樹脂成形用金型 | |
| CN110718471A (zh) | 树脂密封模具和半导体装置的制造方法 | |
| KR102074463B1 (ko) | 반도체 패키지 제조 장치용 클리닝 지그 | |
| JPS58217313A (ja) | 樹脂モ−ルド方法 | |
| JP3189927B2 (ja) | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH02265721A (ja) | 半導体装置用封入金型 | |
| JPH05121473A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3074340B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
| JP3112227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06326243A (ja) | 樹脂モールド型半導体装置用リードフレーム部材の製造方法 | |
| JPS5867053A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH10286845A (ja) | 樹脂封止用金型及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH1140722A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| KR100196896B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH0645382A (ja) | 樹脂成形金型 |