JPH09304776A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH09304776A JPH09304776A JP3660197A JP3660197A JPH09304776A JP H09304776 A JPH09304776 A JP H09304776A JP 3660197 A JP3660197 A JP 3660197A JP 3660197 A JP3660197 A JP 3660197A JP H09304776 A JPH09304776 A JP H09304776A
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- display device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低電圧駆動が可能で、１秒当たりの極性反転回
数が２００以下の低周波駆動条件下に５０℃程度の高温
で通電したときに、長時間良好な表示品位が保たれる低
消費電力性に優れた液晶表示素子を提供する。 【解決手段】素子の実効電圧が１．５Ｖ以下になるよう
に液晶組成物を選定するとともに、配向膜材料として、
含フッ素ポリイミドのようなフッ素を含有する高分子物
質を使用する。
数が２００以下の低周波駆動条件下に５０℃程度の高温
で通電したときに、長時間良好な表示品位が保たれる低
消費電力性に優れた液晶表示素子を提供する。 【解決手段】素子の実効電圧が１．５Ｖ以下になるよう
に液晶組成物を選定するとともに、配向膜材料として、
含フッ素ポリイミドのようなフッ素を含有する高分子物
質を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低電圧駆動が可能な
液晶表示素子に関する。
液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯情報端末や携帯電話等の用途では、
軽量化および電池寿命の延長の観点から消費電力が小さ
い液晶表示素子が求められている。消費電力は加わる電
場の周波数および駆動電圧の二乗にほぼ比例するので、
低電圧駆動が可能で、低周波で駆動した場合にも良好な
表示が確保される素子に対する期待が高い。
軽量化および電池寿命の延長の観点から消費電力が小さ
い液晶表示素子が求められている。消費電力は加わる電
場の周波数および駆動電圧の二乗にほぼ比例するので、
低電圧駆動が可能で、低周波で駆動した場合にも良好な
表示が確保される素子に対する期待が高い。
【０００３】液晶表示素子の駆動電圧を低下するために
は、液晶層を構成する材料としてしきい値電圧の低い液
晶組成物を採用することが効果的である。そして、一般
に液晶組成物の誘電率異方性が大きいほどしきい値電圧
が低下することが知られている。
は、液晶層を構成する材料としてしきい値電圧の低い液
晶組成物を採用することが効果的である。そして、一般
に液晶組成物の誘電率異方性が大きいほどしきい値電圧
が低下することが知られている。
【０００４】しかしながら、従来の素子仕様に駆動電圧
を下げる目的で単にしきい値電圧の低下に効果的な誘電
率異方性の大きい液晶組成物を適用し、１秒当たりの極
性反転回数が２００以下の低周波駆動を行った場合に
は、５０℃程度の高温で通電したときに、数時間〜数十
時間で表示ムラが発生し、実用に耐えなくなるという問
題があった。
を下げる目的で単にしきい値電圧の低下に効果的な誘電
率異方性の大きい液晶組成物を適用し、１秒当たりの極
性反転回数が２００以下の低周波駆動を行った場合に
は、５０℃程度の高温で通電したときに、数時間〜数十
時間で表示ムラが発生し、実用に耐えなくなるという問
題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決し、低電圧駆動が可能で、低周波駆動条件下に高
温で長時間通電しても表示ムラを発生しない液晶表示素
子を提供することを目的とする。
を解決し、低電圧駆動が可能で、低周波駆動条件下に高
温で長時間通電しても表示ムラを発生しない液晶表示素
子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、高温で通
電したときに発生する前記の表示ムラの原因が、誘電率
異方性の大きい液晶組成物に共通するイオン性不純物に
起因する低比抵抗性にあるものと考え、その高比抵抗化
を種々検討したが、目的を達成するには到らなかった。
電したときに発生する前記の表示ムラの原因が、誘電率
異方性の大きい液晶組成物に共通するイオン性不純物に
起因する低比抵抗性にあるものと考え、その高比抵抗化
を種々検討したが、目的を達成するには到らなかった。
【０００７】そこで観点を変えて、配向膜層の特性との
関係に着目して検討を進めた結果、意外なことに、従来
高プレティルト性を利用して高コントラスト化を図った
大型フルドット表示素子等の分野で、１秒当たりの極性
反転回数が例えば５００以上の高周波駆動に限って適用
されていた、フッ素を含有する高分子物質からなる配向
膜を用いれば、誘電異方性の大きい液晶組成物と組み合
わせた場合にも、表示ムラの問題が解決できることを見
いだし本発明をなすに到った。
関係に着目して検討を進めた結果、意外なことに、従来
高プレティルト性を利用して高コントラスト化を図った
大型フルドット表示素子等の分野で、１秒当たりの極性
反転回数が例えば５００以上の高周波駆動に限って適用
されていた、フッ素を含有する高分子物質からなる配向
膜を用いれば、誘電異方性の大きい液晶組成物と組み合
わせた場合にも、表示ムラの問題が解決できることを見
いだし本発明をなすに到った。
【０００８】すなわち、本発明は下記の発明である。 ［１］透明電極上に配向膜層を形成せしめた二つの基板
の配向膜層をそれらの配向方向の交叉角が８０°〜３０
０°となるように対向させ、それらの間に誘電率異方性
が正のネマチック液晶組成物を封入し、少なくとも一方
の基板の外側に偏光板を配置してなり、１秒当たりの極
性反転回数が２００以下の低周波で駆動される液晶表示
素子において、その５０％しきい値電圧の値が１．５Ｖ
以下であり、かつ前記配向膜層がフッ素を含有する高分
子物質からなることを特徴とする液晶表示素子。
の配向膜層をそれらの配向方向の交叉角が８０°〜３０
０°となるように対向させ、それらの間に誘電率異方性
が正のネマチック液晶組成物を封入し、少なくとも一方
の基板の外側に偏光板を配置してなり、１秒当たりの極
性反転回数が２００以下の低周波で駆動される液晶表示
素子において、その５０％しきい値電圧の値が１．５Ｖ
以下であり、かつ前記配向膜層がフッ素を含有する高分
子物質からなることを特徴とする液晶表示素子。
【０００９】［２］偏光板が両方の基板の外側に配置さ
れている［１］記載の液晶表示素子。 ［３］高分子物質中のフッ素の含有形態が、ビストリフ
ルオルメチルメチレンの形態、および芳香環の結合部位
以外の水素をすべてフッ素で置き換えた形態から選ばれ
る少なくとも１種である［１］または［２］記載の液晶
表示素子。 ［４］高分子物質中のフッ素の含有割合が、炭素原子１
００個当たりフッ素原子５個〜７０個である［１］、
［２］または［３］記載の液晶表示素子。 ［５］液晶組成物の誘電率異方性が＋１９以上である
［１］、［２］、［３］または［４］記載の液晶表示素
子。 ［６］両側に配置された偏光板と基板の間の少なくとも
一方に光学補償機能を有する位相差フィルムまたは干渉
用液晶層が設けられている［２］記載の液晶表示素子。 ［７］配向方向の交叉角が１６０°〜２７０°であり、
液晶組成物が旋光性物質を含有する［１］記載の液晶表
示素子。
れている［１］記載の液晶表示素子。 ［３］高分子物質中のフッ素の含有形態が、ビストリフ
ルオルメチルメチレンの形態、および芳香環の結合部位
以外の水素をすべてフッ素で置き換えた形態から選ばれ
る少なくとも１種である［１］または［２］記載の液晶
表示素子。 ［４］高分子物質中のフッ素の含有割合が、炭素原子１
００個当たりフッ素原子５個〜７０個である［１］、
［２］または［３］記載の液晶表示素子。 ［５］液晶組成物の誘電率異方性が＋１９以上である
［１］、［２］、［３］または［４］記載の液晶表示素
子。 ［６］両側に配置された偏光板と基板の間の少なくとも
一方に光学補償機能を有する位相差フィルムまたは干渉
用液晶層が設けられている［２］記載の液晶表示素子。 ［７］配向方向の交叉角が１６０°〜２７０°であり、
液晶組成物が旋光性物質を含有する［１］記載の液晶表
示素子。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明においては、フッ素を含有
する高分子物質からなる配向膜を用いることが重要であ
る。フッ素を含有する高分子物質の構造等は特に限定さ
れないが、配向膜の比抵抗の観点から、炭素原子１００
個当たり５個〜７０個、特に１０個〜３０個程度のフッ
素を含有するもの、また、膜の耐熱性、耐液晶性、成膜
性等の観点からポリイミド構造のものが好ましく採用可
能である。
する高分子物質からなる配向膜を用いることが重要であ
る。フッ素を含有する高分子物質の構造等は特に限定さ
れないが、配向膜の比抵抗の観点から、炭素原子１００
個当たり５個〜７０個、特に１０個〜３０個程度のフッ
素を含有するもの、また、膜の耐熱性、耐液晶性、成膜
性等の観点からポリイミド構造のものが好ましく採用可
能である。
【００１１】高分子物質中のフッ素の含有形態として
は、ペルフルオルアルキレン基、オキシペルフルオルア
ルキレン基、ペルフルオルアリーレン基、オキシペルフ
ルオルアリーレン基のごとき結合基の形態、あるいはフ
ッ素原子、ペルフルオルアルキル基、ペルフルオルアル
コキシ基、ペルフルオルアリール基、オキシペルフルオ
ルアリール基のごとき置換基の形態が例示されるが、入
手の容易性、膜の安定性等の面から、ビストリフルオル
メチルメチレンの形あるいは芳香環の結合部位以外の水
素をすべてフッ素で置き換えた形が好ましく採用可能で
ある。
は、ペルフルオルアルキレン基、オキシペルフルオルア
ルキレン基、ペルフルオルアリーレン基、オキシペルフ
ルオルアリーレン基のごとき結合基の形態、あるいはフ
ッ素原子、ペルフルオルアルキル基、ペルフルオルアル
コキシ基、ペルフルオルアリール基、オキシペルフルオ
ルアリール基のごとき置換基の形態が例示されるが、入
手の容易性、膜の安定性等の面から、ビストリフルオル
メチルメチレンの形あるいは芳香環の結合部位以外の水
素をすべてフッ素で置き換えた形が好ましく採用可能で
ある。
【００１２】上記のごときフッ素を含有する高分子物質
からなる配向膜の比抵抗（２５℃）は通常１×１０12Ω
ｃｍ以下である。配向膜層の厚みは特に限定されない
が、薄過ぎると配向不良、また厚過ぎるとコントラスト
低下の惧れが生じるので、２０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲か
ら選定することが好ましい。
からなる配向膜の比抵抗（２５℃）は通常１×１０12Ω
ｃｍ以下である。配向膜層の厚みは特に限定されない
が、薄過ぎると配向不良、また厚過ぎるとコントラスト
低下の惧れが生じるので、２０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲か
ら選定することが好ましい。
【００１３】本発明において５０％しきい値電圧とは、
対象となる液晶表示素子をスタティック駆動したとき
に、透過率の値が最大値と最小値の平均値になる電圧を
意味している。そして、この値が１．５Ｖ以下であるこ
とが重要である。
対象となる液晶表示素子をスタティック駆動したとき
に、透過率の値が最大値と最小値の平均値になる電圧を
意味している。そして、この値が１．５Ｖ以下であるこ
とが重要である。
【００１４】しきい値電圧を低下させるには、一般には
誘電率異方性が大きい液晶組成物の採用が効果的であ
り、例えばこの値が＋１９以上である液晶組成物が好ま
しく採用される。典型的な例としてはフルオルシアノフ
ェニルエステル系の液晶物質を含有する組成物が挙げら
れる。このような液晶組成物の封入後の比抵抗（２５
℃）は通常７×１０10Ωｃｍ以下である。
誘電率異方性が大きい液晶組成物の採用が効果的であ
り、例えばこの値が＋１９以上である液晶組成物が好ま
しく採用される。典型的な例としてはフルオルシアノフ
ェニルエステル系の液晶物質を含有する組成物が挙げら
れる。このような液晶組成物の封入後の比抵抗（２５
℃）は通常７×１０10Ωｃｍ以下である。
【００１５】本発明において両電極間での液晶分子のツ
イスト角は８０°〜３００°、好ましくは１６０°〜２
７０°とされる。ツイスト角が小さ過ぎる場合には時分
割駆動をした際の液晶の状態変化が少なく、また大き過
ぎる場合にはヒステリシスや光を散乱するドメインを生
じやすいためである。
イスト角は８０°〜３００°、好ましくは１６０°〜２
７０°とされる。ツイスト角が小さ過ぎる場合には時分
割駆動をした際の液晶の状態変化が少なく、また大き過
ぎる場合にはヒステリシスや光を散乱するドメインを生
じやすいためである。
【００１６】つぎに本発明の液晶表示素子の全体構成に
ついて説明する。所望のパターンにパターニングをした
ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）、ＳｎＯ2 等の透明電
極を設けたプラスチック、ガラス等の基板の表面に前記
したフッ素を含有する高分子物質の膜を設け、この表面
をラビング等の方法で配向処理し、配向膜層を形成した
透明電極付きの基板の間に、前記した誘電率異方性が正
のネマチック液晶による８０°〜３００°ツイストの液
晶層を挟持するようにされる。
ついて説明する。所望のパターンにパターニングをした
ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）、ＳｎＯ2 等の透明電
極を設けたプラスチック、ガラス等の基板の表面に前記
したフッ素を含有する高分子物質の膜を設け、この表面
をラビング等の方法で配向処理し、配向膜層を形成した
透明電極付きの基板の間に、前記した誘電率異方性が正
のネマチック液晶による８０°〜３００°ツイストの液
晶層を挟持するようにされる。
【００１７】この素子は、バックライトを用いる透過型
として、反射板を用いる反射型として、また、半透過反
射板を用いる半透過型として使用することができ、さら
に、一方の基板上にカラーフィルタ層を設け、カラー表
示素子として用いることもできる。
として、反射板を用いる反射型として、また、半透過反
射板を用いる半透過型として使用することができ、さら
に、一方の基板上にカラーフィルタ層を設け、カラー表
示素子として用いることもできる。
【００１８】両側に配置された偏光板と基板の間の少な
くとも一方に光学補償機能を有する位相差フィルムまた
は干渉用液晶層が設けられている液晶表示素子の場合に
は、これらが設けられていない素子に比べて、コントラ
ストが大きくなるために、表示ムラが目立ちやすくなる
ので、このような素子に適用した場合に、本発明の効果
がより顕著になる。
くとも一方に光学補償機能を有する位相差フィルムまた
は干渉用液晶層が設けられている液晶表示素子の場合に
は、これらが設けられていない素子に比べて、コントラ
ストが大きくなるために、表示ムラが目立ちやすくなる
ので、このような素子に適用した場合に、本発明の効果
がより顕著になる。
【００１９】本発明を透過型液晶表示素子に適用した場
合の一実施例を図１に示す。図１において、下側の基板
の下方に位置するバックライト・導光板等は省略してあ
る。本例においては、位相差フィルムがを１枚使用され
ているが、これを干渉用液晶層に変えたり、省略した
り、上下２枚にしてもよい。また、図２は本発明を反射
型液晶表示素子に適用した場合の一実施例を示すもので
ある。この場合も種々の変形が可能である。
合の一実施例を図１に示す。図１において、下側の基板
の下方に位置するバックライト・導光板等は省略してあ
る。本例においては、位相差フィルムがを１枚使用され
ているが、これを干渉用液晶層に変えたり、省略した
り、上下２枚にしてもよい。また、図２は本発明を反射
型液晶表示素子に適用した場合の一実施例を示すもので
ある。この場合も種々の変形が可能である。
【００２０】本発明の液晶表示素子は１秒当たりの極性
反転回数が２００以下の低周波で駆動され、消費電力低
減の観点からこの数値が５０〜１００程度になる１フレ
ームごとに極性を反転させる駆動方法が好ましく採用さ
れる。この数値が例えば５００以上の高周波駆動を行う
素子においては、たとえ前記５０％しきい値電圧１．５
Ｖ以下で通電ムラの問題が生じない場合であっても、消
費電力低減の目的は達成されない。
反転回数が２００以下の低周波で駆動され、消費電力低
減の観点からこの数値が５０〜１００程度になる１フレ
ームごとに極性を反転させる駆動方法が好ましく採用さ
れる。この数値が例えば５００以上の高周波駆動を行う
素子においては、たとえ前記５０％しきい値電圧１．５
Ｖ以下で通電ムラの問題が生じない場合であっても、消
費電力低減の目的は達成されない。
【００２１】また本発明の液晶表示素子は、デューティ
比が１／８〜１／６５程度で駆動される用途に好ましく
適用可能である。例えば、魚群探知機、車載用のインス
ツルメンツパネル、情報端末機、産業用の情報表示機器
（例えば、コピー機の操作パネルにおける動作状態表示
または動力機器の運転表示等）、各種の民生用のドット
マトリックス表示装置（オーディオ機器、時計、ゲーム
機器、アミューズメント、通信機器、カーナビゲーショ
ン、カメラ、ＴＶ電話、電卓の表示）等の表示機能を担
う機能要素として使用できる。
比が１／８〜１／６５程度で駆動される用途に好ましく
適用可能である。例えば、魚群探知機、車載用のインス
ツルメンツパネル、情報端末機、産業用の情報表示機器
（例えば、コピー機の操作パネルにおける動作状態表示
または動力機器の運転表示等）、各種の民生用のドット
マトリックス表示装置（オーディオ機器、時計、ゲーム
機器、アミューズメント、通信機器、カーナビゲーショ
ン、カメラ、ＴＶ電話、電卓の表示）等の表示機能を担
う機能要素として使用できる。
【００２２】特に、本発明の液晶表示素子は、低駆動電
圧、低消費電力で使用できることから、なかでも携帯用
の電子機器、例えば、携帯電話、電子手帳、電子ブッ
ク、電子辞書、ＰＤＡ（携帯情報端末）、ページャー
（ポケットベル）などに用いた場合に効果的である。さ
らに、本発明はその効果を損じない範囲で種々の応用が
できる。
圧、低消費電力で使用できることから、なかでも携帯用
の電子機器、例えば、携帯電話、電子手帳、電子ブッ
ク、電子辞書、ＰＤＡ（携帯情報端末）、ページャー
（ポケットベル）などに用いた場合に効果的である。さ
らに、本発明はその効果を損じない範囲で種々の応用が
できる。
【００２３】
【実施例】ガラス基板上に面抵抗が約１００Ω／□の透
明導電膜を設け、フォトリソグラフィー法でストライプ
状の電極パターンを形成した。その上にシリカとチタニ
アからなる絶縁膜を約５０ｎｍの厚さに製膜し、さらに
所定の配向膜材料を印刷法で塗布、焼成して、厚さ４０
ｎｍの配向膜層を形成させた。配向膜層の表面をラビン
グ法により配向処理した。配向方向はセルを組みあげた
ときにその交叉角が２４０°になるように設定した。
明導電膜を設け、フォトリソグラフィー法でストライプ
状の電極パターンを形成した。その上にシリカとチタニ
アからなる絶縁膜を約５０ｎｍの厚さに製膜し、さらに
所定の配向膜材料を印刷法で塗布、焼成して、厚さ４０
ｎｍの配向膜層を形成させた。配向膜層の表面をラビン
グ法により配向処理した。配向方向はセルを組みあげた
ときにその交叉角が２４０°になるように設定した。
【００２４】上下一組の基板の一方に熱硬化性のエポキ
シ樹脂からなるシール材を所定の形状にスクリーン印刷
し、他方に基板間の間隙を一定に保つためにスペーサと
してプラスチックビーズを散布した後、両者を所定の位
置で重ね合わせ、熱圧着して貼り合わせた。スペーサと
しては、セルを組みあげたときの基板間の間隙が６μｍ
になるように選定した。
シ樹脂からなるシール材を所定の形状にスクリーン印刷
し、他方に基板間の間隙を一定に保つためにスペーサと
してプラスチックビーズを散布した後、両者を所定の位
置で重ね合わせ、熱圧着して貼り合わせた。スペーサと
しては、セルを組みあげたときの基板間の間隙が６μｍ
になるように選定した。
【００２５】こうして作成した空セルに、真空注入法で
所定の液晶組成物を注入し、エポキシ樹脂で封止した。
上記のようにして作成した評価用の素子を用い、封入
液晶組成物と配向膜材料の組み合わせを変えて、１／３
２デューティ−１／７バイアス、１秒間の極性反転回数
７０（１フレームごとに極性反転）なる駆動条件下に、
５０℃での通電試験を行った。
所定の液晶組成物を注入し、エポキシ樹脂で封止した。
上記のようにして作成した評価用の素子を用い、封入
液晶組成物と配向膜材料の組み合わせを変えて、１／３
２デューティ−１／７バイアス、１秒間の極性反転回数
７０（１フレームごとに極性反転）なる駆動条件下に、
５０℃での通電試験を行った。
【００２６】［実施例１］誘電率異方性が＋２２、屈折
率異方性が０．１４７である液晶組成物と、ピロメリッ
ト酸二無水物と４''，４''' −（ヘキサフルオルイソプ
ロピリデン）ビス（４−フェノキシアニリン）との等モ
ル重縮合物を原料として製膜したフッ素含量（炭素原子
１００個当たりのフッ素原子数）が１６．２であり、フ
ッ素の含有形態がビストリフルオルメチルメチレンであ
る含フッ素ポリイミド系配向膜材料とを組み合わせた場
合には、２００時間の連続通電を行っても、表示ムラの
発生が認められず、均一な表示が維持された。また、こ
のときの５０％しきい値電圧は１．３９Ｖであった。
率異方性が０．１４７である液晶組成物と、ピロメリッ
ト酸二無水物と４''，４''' −（ヘキサフルオルイソプ
ロピリデン）ビス（４−フェノキシアニリン）との等モ
ル重縮合物を原料として製膜したフッ素含量（炭素原子
１００個当たりのフッ素原子数）が１６．２であり、フ
ッ素の含有形態がビストリフルオルメチルメチレンであ
る含フッ素ポリイミド系配向膜材料とを組み合わせた場
合には、２００時間の連続通電を行っても、表示ムラの
発生が認められず、均一な表示が維持された。また、こ
のときの５０％しきい値電圧は１．３９Ｖであった。
【００２７】［実施例２］実施例１と同様の液晶組成物
と、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオル
フェノキシ）−テトラフルオルベンゼン二無水物とビス
（２，３，５，６−テトラフルオル−４−アミノフェニ
ル）−エーテルとの等モル重縮合物を原料として製膜し
たフッ素含量（前記に同じ）が５３であり、フッ素の含
有形態がベンゼン環の結合部位以外の水素をすべてフッ
素で置き換えた形であるペルフルオルポリイミド系配向
膜材料とを組み合わせた場合にも、２００時間の連続通
電を行っても、表示ムラの発生が認められず、均一な表
示が維持された。また、このときの５０％しきい値電圧
も１．３７Ｖであった。
と、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオル
フェノキシ）−テトラフルオルベンゼン二無水物とビス
（２，３，５，６−テトラフルオル−４−アミノフェニ
ル）−エーテルとの等モル重縮合物を原料として製膜し
たフッ素含量（前記に同じ）が５３であり、フッ素の含
有形態がベンゼン環の結合部位以外の水素をすべてフッ
素で置き換えた形であるペルフルオルポリイミド系配向
膜材料とを組み合わせた場合にも、２００時間の連続通
電を行っても、表示ムラの発生が認められず、均一な表
示が維持された。また、このときの５０％しきい値電圧
も１．３７Ｖであった。
【００２８】［比較例１］実施例１と同様の液晶組成物
と、フッ素を含まない通常のポリイミド系配向膜材料と
を組み合わせた場合には、通電開始後４時間で表示ムラ
が発生した。５０％しきい値電圧は１．４５Ｖであっ
た。
と、フッ素を含まない通常のポリイミド系配向膜材料と
を組み合わせた場合には、通電開始後４時間で表示ムラ
が発生した。５０％しきい値電圧は１．４５Ｖであっ
た。
【００２９】［比較例２］誘電率異方性が＋１０、屈折
率異方性が０．１４６である液晶組成物と、実施例１と
同様の配向膜材料の組み合わせの場合には、通電開始後
４８時間で表示ムラが顕著になった。５０％しきい値電
圧は２．０６Ｖであった。
率異方性が０．１４６である液晶組成物と、実施例１と
同様の配向膜材料の組み合わせの場合には、通電開始後
４８時間で表示ムラが顕著になった。５０％しきい値電
圧は２．０６Ｖであった。
【００３０】［比較例３］比較例２と同様の液晶組成物
と、比較例１と同様の配向膜材料の組み合わせの場合に
は、２００時間の連続通電を行っても、表示ムラの発生
が認められず、均一な表示が維持された。なお、このと
きの５０％しきい値電圧は２．１４Ｖであった。
と、比較例１と同様の配向膜材料の組み合わせの場合に
は、２００時間の連続通電を行っても、表示ムラの発生
が認められず、均一な表示が維持された。なお、このと
きの５０％しきい値電圧は２．１４Ｖであった。
【００３１】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、低電圧駆動が
可能であるとともに、１秒当たりの極性反転回数が２０
０以下の低周波駆動条件下に、５０℃程度の高温で長時
間通電しても均一な表示が保たれ、低消費電力性に優れ
ており、特に、携帯用電子機器の表示素子として有用で
ある。
可能であるとともに、１秒当たりの極性反転回数が２０
０以下の低周波駆動条件下に、５０℃程度の高温で長時
間通電しても均一な表示が保たれ、低消費電力性に優れ
ており、特に、携帯用電子機器の表示素子として有用で
ある。
【図１】本発明を透過型液晶表示素子に適用した一実施
例の断面図。
例の断面図。
【図２】本発明を反射型液晶表示素子に適用した一実施
例の断面図。
例の断面図。
１：基板 ２：透明電極 ３：配向膜層 ４：液晶層 ５：偏光板 ６：シール材 ７：スペーサ ８：位相差フィルム ９：反射板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渭原 聡 兵庫県尼崎市上坂部１丁目２番１号 オプ トレックス株式会社尼崎工場内
Claims (7)
- 【請求項１】透明電極上に配向膜層を形成せしめた二つ
の基板の配向膜層をそれらの配向方向の交叉角が８０°
〜３００°となるように対向させ、それらの間に誘電率
異方性が正のネマチック液晶組成物を封入し、少なくと
も一方の基板の外側に偏光板を配置してなり、１秒当り
の極性反転回数が２００以下の低周波で駆動される液晶
表示素子において、その５０％しきい値電圧の値が１．
５Ｖ以下であり、かつ前記配向膜層がフッ素を含有する
高分子物質からなることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】偏光板が両方の基板の外側に配置されてい
る請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】高分子物質中のフッ素の含有形態が、ビス
トリフルオルメチルメチレンの形態、および芳香環の結
合部位以外の水素をすべてフッ素で置き換えた形態から
選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載の
液晶表示素子。 - 【請求項４】高分子物質中のフッ素の含有割合が、炭素
原子１００個当たりフッ素原子５個〜７０個である請求
項１、２または３記載の液晶表示素子。 - 【請求項５】液晶組成物の誘電率異方性が＋１９以上で
ある請求項１、２、３または４記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】両側に配置された偏光板と基板の間の少な
くとも一方に光学補償機能を有する位相差フィルムまた
は干渉用液晶層が設けられている請求項２記載の液晶表
示素子。 - 【請求項７】配向方向の交叉角が１６０°〜２７０°で
あり、液晶組成物が旋光性物質を含有する請求項１記載
の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3660197A JPH09304776A (ja) | 1996-03-14 | 1997-02-20 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5795496 | 1996-03-14 | ||
| JP8-57954 | 1996-03-14 | ||
| JP3660197A JPH09304776A (ja) | 1996-03-14 | 1997-02-20 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304776A true JPH09304776A (ja) | 1997-11-28 |
| JPH09304776A5 JPH09304776A5 (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=26375677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3660197A Pending JPH09304776A (ja) | 1996-03-14 | 1997-02-20 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304776A (ja) |
-
1997
- 1997-02-20 JP JP3660197A patent/JPH09304776A/ja active Pending
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