JPH09304801A - Optical wavelength converter - Google Patents
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- JPH09304801A JPH09304801A JP12156996A JP12156996A JPH09304801A JP H09304801 A JPH09304801 A JP H09304801A JP 12156996 A JP12156996 A JP 12156996A JP 12156996 A JP12156996 A JP 12156996A JP H09304801 A JPH09304801 A JP H09304801A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 注入同期型波長変換の利点を活かしつつ、波
長依存性のない波長変換を実現する。
【解決手段】 強度変調された波長λS の信号光が入力
され、その入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波
長λi の制御光を出力する制御回路と、波長λiの制御
光により注入同期し、制御光のオン・オフに応じて発振
波長が波長λi または波長λC に変化する第1の半導体
レーザ発振器と、第1の半導体レーザ発振器の波長λC
の出力光を波長λS の信号光に対する波長変換光として
取り出す波長選択手段とを備える。
(57) [Summary] [Object] To realize wavelength conversion without wavelength dependence while taking advantage of the injection-locked wavelength conversion. A control circuit for inputting intensity-modulated signal light of wavelength λ S and outputting control light of wavelength λ i according to ON / OFF without depending on the input wavelength, and control of wavelength λ i synchronized injection by light same, the first semiconductor laser oscillator oscillating wavelength changes the wavelength lambda i or wavelength lambda C according to the on-off of the control light, the wavelength of the first semiconductor laser oscillator lambda C
And a wavelength selection means for extracting the output light as the wavelength-converted light for the signal light having the wavelength λ S.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、強度変調信号光の
光波長を変換して出力する光波長変換装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical wavelength conversion device that converts and outputs the optical wavelength of intensity-modulated signal light.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の波長変換方法には、残留サイドモ
ードを有する半導体レーザ発振器に対する注入同期を用
いて波長変換する方法がある( " Bistability and Wav
eformReshaping in a DFB-LD with Side-Mode Light In
jection ", IEEE PHOTONICSTECHNOLOGY LETTERS, vol.
7, no.2, pp.164-166) 。2. Description of the Related Art As a conventional wavelength conversion method, there is a method of wavelength conversion using injection locking for a semiconductor laser oscillator having a residual side mode ("Bistability and Wav").
eformReshaping in a DFB-LD with Side-Mode Light In
jection ", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol.
7, no.2, pp.164-166).
【0003】この半導体レーザ発振器は、発振スペクト
ルに残留サイドモードを有し、波長λC で発振状態にあ
るものとする。その残留サイドモードのうちの1つの近
傍の波長λS の信号光を外部から注入同期光として入力
すると、注入同期現象により波長λC の発振が停止し、
波長λS に引き込まれたサイドモードで発振する。すな
わち、半導体レーザ発振器は入力信号光のオン・オフに
応じて波長λS または波長λC で発振する。このうち波
長λC の発振光のみを取り出すことにより、実効的に波
長λS から波長λC への波長変換が実現する。ただし、
波長λC の発振光は、入力信号光と相補的な関係(オン
・オフ反転)にある。It is assumed that this semiconductor laser oscillator has a residual side mode in its oscillation spectrum and is in an oscillation state at a wavelength λ C. When the signal light of wavelength λ S in the vicinity of one of the residual side modes is input as injection-locked light from the outside, the oscillation of wavelength λ C stops due to the injection-locking phenomenon,
It oscillates in the side mode that is drawn to the wavelength λ S. That is, the semiconductor laser oscillator oscillates at the wavelength λ S or the wavelength λ C depending on whether the input signal light is on or off. By extracting only the oscillation light of the wavelength λ C among them, the wavelength conversion from the wavelength λ S to the wavelength λ C is effectively realized. However,
The oscillation light of wavelength λ C has a complementary relationship (on / off inversion) with the input signal light.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、注入同期を
用いた波長変換方法には、入出力関係に顕著な閾値効果
があり、波形整形作用があることが大きな利点の1つに
なっている。しかし、その一方で注入同期現象に波長依
存性があり、入力信号光の波長がサブナノメートル変化
しただけで変換動作および変換効率が変化する。したが
って、このような光波長変換装置を実用に供するには、
入力信号光の波長に左右されずに一定動作する波長無依
存化が要求される。By the way, the wavelength conversion method using injection locking has a significant threshold effect in the input / output relationship, and one of the major advantages is that it has a waveform shaping action. On the other hand, however, the injection locking phenomenon has wavelength dependency, and the conversion operation and conversion efficiency change only when the wavelength of the input signal light changes by sub-nanometers. Therefore, in order to put such an optical wavelength conversion device into practical use,
There is a demand for wavelength independence that allows constant operation regardless of the wavelength of the input signal light.
【0005】本発明は、注入同期型波長変換の利点を活
かしつつ、波長依存性のない波長変換を実現する光波長
変換装置を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide an optical wavelength conversion device which realizes wavelength conversion without wavelength dependency while taking advantage of the injection locking type wavelength conversion.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の光波長変換装置
は、強度変調された波長λS の信号光が入力され、その
入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波長λi の制
御光を出力する制御回路と、波長λi の制御光により注
入同期し、制御光のオン・オフに応じて発振波長が波長
λi または波長λC に変化する第1の半導体レーザ発振
器と、第1の半導体レーザ発振器の波長λC の出力光を
波長λS の信号光に対する波長変換光として取り出す波
長選択手段とを備える。The optical wavelength conversion device of the present invention receives an intensity-modulated signal light having a wavelength λ S , and has a wavelength λ i corresponding to ON / OFF without depending on the input wavelength. a control circuit for outputting a control light, and the first semiconductor laser oscillator synchronized injection same by the control light having a wavelength lambda i, the oscillation wavelength in response to turning on and off the control light varies with the wavelength lambda i or wavelength lambda C, And a wavelength selecting means for extracting the output light of the wavelength λ C of the first semiconductor laser oscillator as the wavelength-converted light for the signal light of the wavelength λ S.
【0007】[0007]
(第1の実施形態)図1は、本発明の第1の実施形態を
示す。図において、制御回路10は、半導体レーザ発振
器11、光サーキュレータ12、偏波保持光ファイバ1
3により構成される。波長λS の信号光は、光サーキュ
レータ12を介して半導体レーザ発振器11に入力され
る。半導体レーザ発振器11から出力される波長λi の
制御光は、光サーキュレータ12から偏波保持光ファイ
バ13を介して出力される。半導体レーザ発振器1は、
波長λi の制御光を注入同期光として入力し、波長λi
または波長λC の発振光を出力する。光フィルタ2は波
長λi の発振光を阻止し、波長λC の発振光を波長変換
光(信号光)として出力する。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. In the figure, a control circuit 10 includes a semiconductor laser oscillator 11, an optical circulator 12, and a polarization maintaining optical fiber 1.
3. The signal light of wavelength λ S is input to the semiconductor laser oscillator 11 via the optical circulator 12. The control light of the wavelength λ i output from the semiconductor laser oscillator 11 is output from the optical circulator 12 via the polarization maintaining optical fiber 13. The semiconductor laser oscillator 1 is
Enter the control light of wavelength lambda i as injection locking light, the wavelength lambda i
Alternatively, it outputs the oscillation light of wavelength λ C. The optical filter 2 blocks the oscillation light of wavelength λ i and outputs the oscillation light of wavelength λ C as wavelength conversion light (signal light).
【0008】ここで、本発明の特徴は、制御回路10の
半導体レーザ発振器11が、入力信号光の波長に依存せ
ずそのオン・オフに応じた波長λi の制御光を出力し、
半導体レーザ発振器1がその制御光に注入同期し、その
オン・オフに応じて波長λiまたは波長λC の発振光を
出力するところにある。波長依存性のない半導体レーザ
発振器11としては、例えば端面残留反射を十分に低減
し、反射に起因するサイドモードが無視できるようにし
たものを用いればよい。半導体レーザ発振器11は、入
力信号光がオフのときに半導体レーザ発振器1が注入同
期を起こす波長λi の制御光を出力する。一方、入力信
号光がオンのときには発振が抑圧される。すなわち、半
導体レーザ発振器11で波長λiの発振に使われていた
キャリアの一部が入力信号光の誘導放出により消費さ
れ、またそれに付随したレーザ内屈折率が変化する。こ
れにより、出力される制御光のパワーが半導体レーザ発
振器1で注入同期がはずれる程度に減少するか、または
制御光の波長が注入同期を起こす波長λi からシフトす
る。Here, the feature of the present invention is that the semiconductor laser oscillator 11 of the control circuit 10 outputs the control light of the wavelength λ i according to the ON / OFF of the input signal light without depending on the wavelength of the input signal light.
The semiconductor laser oscillator 1 is injection-locked with the control light and outputs the oscillation light of the wavelength λ i or the wavelength λ C according to the on / off state. As the semiconductor laser oscillator 11 having no wavelength dependence, for example, a semiconductor laser oscillator 11 in which end face residual reflection is sufficiently reduced and side modes caused by reflection can be ignored may be used. The semiconductor laser oscillator 11 outputs control light having a wavelength λ i which causes injection locking of the semiconductor laser oscillator 1 when the input signal light is off. On the other hand, the oscillation is suppressed when the input signal light is on. That is, some of the carriers used for oscillation of the wavelength λ i in the semiconductor laser oscillator 11 are consumed by stimulated emission of the input signal light, and the refractive index in the laser associated therewith changes. As a result, the power of the output control light is reduced to the extent that injection locking is lost in the semiconductor laser oscillator 1, or the wavelength of the control light is shifted from the wavelength λ i at which injection locking occurs.
【0009】図2は、半導体レーザ発振器1の発振スペ
クトルと制御光の波長λi の関係を示す。半導体レーザ
発振器1は、注入同期のための残留サイドモードを有す
る単一モードレーザとする。例えば、分布ブラッグ反射
型(DBR)半導体レーザまたは分布帰還型(DFB)
半導体レーザを用いることができる。半導体レーザ発振
器11の発振波長は、半導体レーザ発振器1の残留サイ
ドモードの1つの近傍の波長λi とする。半導体レーザ
発振器1では、半導体レーザ発振器11から出力される
波長λi の制御光が入力されると、自由発振波長λC で
の発振が停止し、注入同期により波長λi に引き込まれ
たサイドモードで発振する。すなわち、半導体レーザ発
振器1は、波長λi の制御光のオン・オフに応じて波長
λi または波長λC の発振光を出力する。FIG. 2 shows the relationship between the oscillation spectrum of the semiconductor laser oscillator 1 and the wavelength λ i of the control light. The semiconductor laser oscillator 1 is a single mode laser having a residual side mode for injection locking. For example, distributed Bragg reflection (DBR) semiconductor laser or distributed feedback (DFB)
A semiconductor laser can be used. The oscillation wavelength of the semiconductor laser oscillator 11 is a wavelength λ i in the vicinity of one of the residual side modes of the semiconductor laser oscillator 1. In the semiconductor laser oscillator 1, when the control light of the wavelength λ i output from the semiconductor laser oscillator 11 is input, the oscillation at the free oscillation wavelength λ C is stopped and the side mode pulled to the wavelength λ i by the injection locking. Oscillates at. That is, the semiconductor laser oscillator 1 outputs an oscillation light having a wavelength lambda i or wavelength lambda C in accordance with the control light of the on-off wavelength lambda i.
【0010】以上の構成に基づき、本実施形態における
波長変換動作について説明する。制御回路10の半導体
レーザ発振器11は、半導体レーザ発振器1の残留サイ
ドモードの1つの近傍の波長λi で発振している。この
半導体レーザ発振器11に光サーキュレータ12を介し
てオン・オフ変調された波長λS の信号光が入力され
る。信号光がオフのときには、半導体レーザ発振器11
は半導体レーザ発振器1に注入同期をかけるのに十分な
波長とパワーを有する制御光を出力する。一方、信号光
がオンのときには、半導体レーザ発振器11の発振光パ
ワーが減少、または発振波長λi が変化し、半導体レー
ザ発振器1に対する注入同期条件を満足しなくなる。こ
こで、半導体レーザ発振器11から出力される制御光
が、半導体レーザ発振器1に対して注入同期条件を満足
するときをオンとし、満足しないときをオフとすると、
信号光のオン・オフと相補的(オン・オフ反転)に制御
光は変調される。なお、この変調動作は信号光の波長に
依存しない。The wavelength conversion operation in this embodiment will be described based on the above configuration. The semiconductor laser oscillator 11 of the control circuit 10 oscillates at a wavelength λ i near one of the residual side modes of the semiconductor laser oscillator 1. The signal light of the wavelength λ S that has been on / off modulated is input to the semiconductor laser oscillator 11 via the optical circulator 12. When the signal light is off, the semiconductor laser oscillator 11
Outputs control light having a wavelength and power sufficient for injection locking the semiconductor laser oscillator 1. On the other hand, when the signal light is on, the oscillation light power of the semiconductor laser oscillator 11 decreases or the oscillation wavelength λ i changes, and the injection locking condition for the semiconductor laser oscillator 1 is no longer satisfied. Here, when the control light output from the semiconductor laser oscillator 11 satisfies the injection locking condition for the semiconductor laser oscillator 1, it is turned on, and when it is not satisfied, it is turned off.
The control light is modulated complementarily (on / off inversion) with the on / off of the signal light. The modulation operation does not depend on the wavelength of the signal light.
【0011】半導体レーザ発振器11から出力された波
長λi の制御光は、光サーキュレータ12および偏波保
持光ファイバ13を介して半導体レーザ発振器1に入力
される。半導体レーザ発振器1は、制御光のオン・オフ
に応じて注入同期がオン・オフし、波長λi または波長
λC の発振光を出力する。この発振光のうち制御光のオ
フに対応する波長λC の発振光のみを光フィルタ2で抜
き出す。これにより、制御光のオン・オフに対して相補
的(オン・オフ反転)に変調された信号光が得られる。
ここで、制御光は波長λS の信号光に対して相補的に変
調されているので、波長λC の信号光は波長λS の信号
光と同じ論理波形の波長変換光となる。The control light having the wavelength λ i output from the semiconductor laser oscillator 11 is input to the semiconductor laser oscillator 1 via the optical circulator 12 and the polarization maintaining optical fiber 13. In the semiconductor laser oscillator 1, injection locking is turned on / off according to on / off of the control light, and oscillated light of wavelength λ i or wavelength λ C is output. Of the oscillated light, only the oscillated light of the wavelength λ C corresponding to the turning off of the control light is extracted by the optical filter 2. As a result, signal light modulated in a complementary (on / off inversion) to the on / off of the control light is obtained.
Here, the control light so are complementarily modulated to the signal light of the wavelength lambda S, the signal light of the wavelength lambda C is the wavelength converted light having the same logic waveform of the signal light of the wavelength lambda S.
【0012】ところで、半導体レーザ発振器1の注入同
期を用いた波長変換動作(λi→λC)は、入力される制
御光の波長λi に依存する。しかし、制御光は装置内に
備えられている半導体レーザ発振器11から発生してい
るので、安定した波長λi で半導体レーザ発振器1に入
力させることが可能である。したがって、半導体レーザ
発振器1では所定の注入同期特性で安定した波長変換動
作を行うことができる。一方、半導体レーザ発振器1の
波長変換動作は波長依存性がないので、全体では信号光
の入力波長λS に変動があっても、安定的に波長λC へ
の波長変換が行われる。すなわち、入力信号光の波長λ
S に無依存で波長λS から波長λC への波長変換が実現
する。しかも、半導体レーザ発振器1の注入同期による
波長変換の利点をそのまま活かすことができる。The wavelength conversion operation (λ i → λ C ) using injection locking of the semiconductor laser oscillator 1 depends on the wavelength λ i of the input control light. However, since the control light is generated from the semiconductor laser oscillator 11 provided in the device, it is possible to input it to the semiconductor laser oscillator 1 with a stable wavelength λ i . Therefore, the semiconductor laser oscillator 1 can perform a stable wavelength conversion operation with a predetermined injection locking characteristic. On the other hand, since the wavelength conversion operation of the semiconductor laser oscillator 1 has no wavelength dependence, the wavelength conversion to the wavelength λ C is stably performed even if the input wavelength λ S of the signal light varies as a whole. That is, the wavelength λ of the input signal light
Wavelength conversion from wavelength lambda S not depend on S to the wavelength lambda C is realized. Moreover, the advantage of wavelength conversion by injection locking of the semiconductor laser oscillator 1 can be utilized as it is.
【0013】なお、半導体レーザ発振器11と半導体レ
ーザ発振器1とを結ぶ偏波保持光ファイバ13は、偏波
変動による注入同期状態の変化を防ぐ目的で配置された
ものである。また、光サーキュレータ12は光カプラに
置き換えてもよい。また、本実施形態では、半導体レー
ザ発振器11として端面反射がないものを想定してい
る。しかし、残留反射が存在し、半導体レーザ発振器1
1に入力された波長λS の信号光の一部が光サーキュレ
ータ12に戻ってくる場合には、必要に応じて光サーキ
ュレータ12と半導体レーザ発振器1との間に、波長λ
S の信号光を阻止する光フィルタを挿入すればよい。The polarization-maintaining optical fiber 13 connecting the semiconductor laser oscillator 11 and the semiconductor laser oscillator 1 is arranged for the purpose of preventing a change in the injection locking state due to polarization fluctuation. The optical circulator 12 may be replaced with an optical coupler. Further, in the present embodiment, it is assumed that the semiconductor laser oscillator 11 has no end face reflection. However, since there is residual reflection, the semiconductor laser oscillator 1
When a part of the signal light of wavelength λ S input to the optical circulator 12 returns to the optical circulator 12, a wavelength λ s may be provided between the optical circulator 12 and the semiconductor laser oscillator 1 as necessary.
An optical filter that blocks the S signal light may be inserted.
【0014】(第2の実施形態)図3は、本発明の第2
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第1の実施形
態の制御回路10において、光サーキュレータ12を用
いず、半導体レーザ発振器11の一方の端面に信号光を
入力し、他方の端面から制御光を出力させるところにあ
る。このとき、波長無依存のために端面反射がない半導
体レーザ発振器11は、入力された波長λS の信号光を
そのまま透過する。したがって、光サーキュレータ12
を用いない構成では、透過した波長λS の信号光を阻止
し波長λi の制御光のみを透過する光フィルタ14を挿
入する。その他の構成は第1の実施形態と同様である。(Second Embodiment) FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. The feature of this embodiment is that, in the control circuit 10 of the first embodiment, the signal light is input to one end face of the semiconductor laser oscillator 11 and the control light is output from the other end face without using the optical circulator 12. It is in. At this time, the semiconductor laser oscillator 11 having no end face reflection due to the wavelength independence transmits the input signal light of the wavelength λ S as it is. Therefore, the optical circulator 12
In the configuration not using, the optical filter 14 that blocks the transmitted signal light of the wavelength λ S and transmits only the control light of the wavelength λ i is inserted. Other configurations are the same as those of the first embodiment.
【0015】(第3の実施形態)図4は、本発明の第3
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第1の実施形
態の半導体レーザ発振器1の入出力端面を光サーキュレ
ータ3を用いて同一にするところにある。すなわち、制
御回路10の偏波保持光ファイバ13から出力される制
御光を光サーキュレータ3を介して半導体レーザ発振器
1に入力し、半導体レーザ発振器1の同一端面から出力
される波長λi またはλC の信号光を光サーキュレータ
3を介して光フィルタ2に入力する。その他の構成は第
1の実施形態と同様である。なお、光サーキュレータ3
は光カプラに置き換えてもよい。(Third Embodiment) FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. The feature of this embodiment lies in that the input / output end faces of the semiconductor laser oscillator 1 of the first embodiment are made the same by using the optical circulator 3. That is, the control light output from the polarization maintaining optical fiber 13 of the control circuit 10 is input to the semiconductor laser oscillator 1 via the optical circulator 3, and the wavelength λ i or λ C output from the same end face of the semiconductor laser oscillator 1. The signal light is input to the optical filter 2 via the optical circulator 3. Other configurations are the same as those of the first embodiment. The optical circulator 3
May be replaced with an optical coupler.
【0016】(第4の実施形態)図5は、本発明の第4
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第2の実施形
態の半導体レーザ発振器1の入出力端面を光サーキュレ
ータ3を用いて同一にするところにある。すなわち、制
御回路10の偏波保持光ファイバ13から出力される制
御光を光サーキュレータ3を介して半導体レーザ発振器
1に入力し、半導体レーザ発振器1の同一端面から出力
される波長λi またはλC の信号光を光サーキュレータ
3を介して光フィルタ2に入力する。その他の構成は第
2の実施形態と同様である。なお、光サーキュレータ3
は光カプラに置き換えてもよい。(Fourth Embodiment) FIG. 5 shows a fourth embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. The feature of this embodiment is that the input / output end faces of the semiconductor laser oscillator 1 of the second embodiment are made the same by using the optical circulator 3. That is, the control light output from the polarization maintaining optical fiber 13 of the control circuit 10 is input to the semiconductor laser oscillator 1 via the optical circulator 3, and the wavelength λ i or λ C output from the same end face of the semiconductor laser oscillator 1. The signal light is input to the optical filter 2 via the optical circulator 3. Other configurations are the same as those of the second embodiment. The optical circulator 3
May be replaced with an optical coupler.
【0017】(第5の実施形態)図6は、本発明の第5
の実施形態を示す。第1の実施形態では半導体レーザ発
振器1として単一モードレーザを用いていたが、本実施
形態では多モードレーザを用いることを特徴とする。多
モードレーザは、そのモードの1つに外部光で注入同期
することにより、残留サイドモードを有する単一モード
発振することが知られている。そこで、半導体レーザ発
振器1に波長λC の外部光を入力することによりその発
振を単一モード化する。(Fifth Embodiment) FIG. 6 shows a fifth embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. In the first embodiment, a single mode laser was used as the semiconductor laser oscillator 1, but in the present embodiment, a multimode laser is used. It is known that a multimode laser oscillates into one of its modes with external light to cause single mode oscillation with a residual side mode. Therefore, by inputting the external light having the wavelength λ C to the semiconductor laser oscillator 1, the oscillation is made into a single mode.
【0018】本実施形態では、光サーキュレータ12と
半導体レーザ発振器1との間に偏波保持型の光カプラ1
5を挿入し、波長λC の外部光を光カプラ14を介して
半導体レーザ発振器1に入力する。その他の構成は第1
の実施形態と同様である。なお、光カプラ15の位置
は、半導体レーザ発振器1と光フィルタ2との間または
光フィルタ2の出力側とし、半導体レーザ発振器1の出
力側から外部光を入力するようにしてもよい。In this embodiment, a polarization maintaining type optical coupler 1 is provided between the optical circulator 12 and the semiconductor laser oscillator 1.
5, and external light of wavelength λ C is input to the semiconductor laser oscillator 1 via the optical coupler 14. Other configurations are first
It is similar to the embodiment. The position of the optical coupler 15 may be between the semiconductor laser oscillator 1 and the optical filter 2 or on the output side of the optical filter 2, and external light may be input from the output side of the semiconductor laser oscillator 1.
【0019】(第6の実施形態)図7は、本発明の第6
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第2の実施形
態における半導体レーザ発振器1を多モードレーザと
し、第5の実施形態と同様に光カプラ15を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第2の実施形態と同様である。(Sixth Embodiment) FIG. 7 shows a sixth embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. A feature of this embodiment is that the semiconductor laser oscillator 1 in the second embodiment is a multimode laser, and external light is input using the optical coupler 15 as in the fifth embodiment. Therefore, the basic operation is similar to that of the second embodiment.
【0020】(第7の実施形態)図8は、本発明の第7
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第3の実施形
態における半導体レーザ発振器1を多モードレーザと
し、第5の実施形態と同様に光カプラ15を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第3の実施形態と同様である。なお、外部光を結合す
るための光カプラ15を用いず、半導体レーザ発振器1
に対して光サーキュレータ3側とは逆の端面から入力す
るようにしてもよい。(Seventh Embodiment) FIG. 8 shows a seventh embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. A feature of this embodiment is that the semiconductor laser oscillator 1 in the third embodiment is a multimode laser, and external light is input using the optical coupler 15 as in the fifth embodiment. Therefore, the basic operation is similar to that of the third embodiment. The semiconductor laser oscillator 1 does not use the optical coupler 15 for coupling external light.
On the other hand, the input may be performed from the end face opposite to the optical circulator 3 side.
【0021】(第8の実施形態)図9は、本発明の第8
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第4の実施形
態における半導体レーザ発振器1を多モードレーザと
し、第5の実施形態と同様に光カプラ15を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第4の実施形態と同様である。なお、外部光を結合す
るための光カプラ15を用いず、半導体レーザ発振器1
に対して光サーキュレータ3側とは逆の端面から入力す
るようにしてもよい。(Eighth Embodiment) FIG. 9 shows an eighth embodiment of the present invention.
An embodiment will be described. A feature of this embodiment is that the semiconductor laser oscillator 1 in the fourth embodiment is a multimode laser, and external light is input using the optical coupler 15 as in the fifth embodiment. Therefore, the basic operation is similar to that of the fourth embodiment. The semiconductor laser oscillator 1 does not use the optical coupler 15 for coupling external light.
On the other hand, the input may be performed from the end face opposite to the optical circulator 3 side.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光波長変
換装置は、入力される信号光の波長に依存せず、さらに
注入同期型波長変換の利点(例えば入出力間の閾値効
果)を活かしながら所定の波長に変換することができ
る。As described above, the optical wavelength conversion device of the present invention does not depend on the wavelength of the input signal light, and has the advantage of the injection locking type wavelength conversion (for example, the threshold effect between input and output). It is possible to convert to a predetermined wavelength while making full use of it.
【図1】本発明の第1の実施形態を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】半導体レーザ発振器1の発振スペクトルと制御
光の波長λi の関係を示す図。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the oscillation spectrum of the semiconductor laser oscillator 1 and the wavelength λ i of control light.
【図3】本発明の第2の実施形態を示すブロック図。FIG. 3 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3の実施形態を示すブロック図。FIG. 4 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第4の実施形態を示すブロック図。FIG. 5 is a block diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第5の実施形態を示すブロック図。FIG. 6 is a block diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第6の実施形態を示すブロック図。FIG. 7 is a block diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第7の実施形態を示すブロック図。FIG. 8 is a block diagram showing a seventh embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第8の実施形態を示すブロック図。FIG. 9 is a block diagram showing an eighth embodiment of the present invention.
1 半導体レーザ発振器 2 光フィルタ 3 光サーキュレータ 10 制御回路 11 半導体レーザ発振器 12 光サーキュレータ 13 偏波保持光ファイバ 14 光フィルタ 15 光カプラ 1 Semiconductor Laser Oscillator 2 Optical Filter 3 Optical Circulator 10 Control Circuit 11 Semiconductor Laser Oscillator 12 Optical Circulator 13 Polarization-Maintaining Optical Fiber 14 Optical Filter 15 Optical Coupler
Claims (4)
され、その入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波
長λi の制御光を出力する制御回路と、 前記波長λi の制御光により注入同期し、制御光のオン
・オフに応じて発振波長が波長λi または波長λC に変
化する第1の半導体レーザ発振器と、 前記第1の半導体レーザ発振器の波長λC の出力光を波
長λS の信号光に対する波長変換光として取り出す波長
選択手段とを備えたことを特徴とする光波長変換装置。1. A control circuit for inputting intensity-modulated signal light of wavelength λ S and outputting control light of wavelength λ i according to ON / OFF without depending on the input wavelength, said wavelength λ i the synchronized injection same by the control light, and the first semiconductor laser oscillator oscillating wavelength changes the wavelength lambda i or wavelength lambda C according to the on-off of the control light, the wavelength lambda C of the first semiconductor laser oscillator An optical wavelength conversion device comprising: a wavelength selection unit that extracts output light as wavelength conversion light for signal light of wavelength λ S.
ときに波長λi の制御光を出力し、信号光がオンのとき
に第1の半導体レーザ発振器の注入同期条件を満足しな
い程度にパワーが減少した制御光または波長λi を変化
させた制御光を出力する波長無依存の半導体レーザ発振
器を含むことを特徴とする請求項1に記載の光波長変換
装置。2. The control circuit outputs the control light of wavelength λ i when the signal light of wavelength λ S is off, and does not satisfy the injection locking condition of the first semiconductor laser oscillator when the signal light is on. The optical wavelength conversion device according to claim 1, further comprising a wavelength-independent semiconductor laser oscillator that outputs control light whose power is reduced to a certain degree or control light whose wavelength λ i is changed.
ドモードを有する単一モードレーザであることを特徴と
する請求項1に記載の光波長変換装置。3. The optical wavelength conversion device according to claim 1, wherein the first semiconductor laser oscillator is a single mode laser having a residual side mode.
保持して第1の半導体レーザ発振器に結合する手段を含
むことを特徴とする請求項1に記載の光波長変換装置。4. The optical wavelength conversion device according to claim 1, wherein the control circuit includes means for holding the polarization of the control light having the wavelength λ i and coupling it to the first semiconductor laser oscillator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12156996A JPH09304801A (en) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | Optical wavelength converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12156996A JPH09304801A (en) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | Optical wavelength converter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304801A true JPH09304801A (en) | 1997-11-28 |
Family
ID=14814486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12156996A Pending JPH09304801A (en) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | Optical wavelength converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304801A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002086616A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Japan Science And Technology Corporation | Optical function element and optical function device |
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-
1996
- 1996-05-16 JP JP12156996A patent/JPH09304801A/en active Pending
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