JPH09304801A - 光波長変換装置 - Google Patents
光波長変換装置Info
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- JPH09304801A JPH09304801A JP12156996A JP12156996A JPH09304801A JP H09304801 A JPH09304801 A JP H09304801A JP 12156996 A JP12156996 A JP 12156996A JP 12156996 A JP12156996 A JP 12156996A JP H09304801 A JPH09304801 A JP H09304801A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 注入同期型波長変換の利点を活かしつつ、波
長依存性のない波長変換を実現する。 【解決手段】 強度変調された波長λS の信号光が入力
され、その入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波
長λi の制御光を出力する制御回路と、波長λiの制御
光により注入同期し、制御光のオン・オフに応じて発振
波長が波長λi または波長λC に変化する第１の半導体
レーザ発振器と、第１の半導体レーザ発振器の波長λC
の出力光を波長λS の信号光に対する波長変換光として
取り出す波長選択手段とを備える。
長依存性のない波長変換を実現する。 【解決手段】 強度変調された波長λS の信号光が入力
され、その入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波
長λi の制御光を出力する制御回路と、波長λiの制御
光により注入同期し、制御光のオン・オフに応じて発振
波長が波長λi または波長λC に変化する第１の半導体
レーザ発振器と、第１の半導体レーザ発振器の波長λC
の出力光を波長λS の信号光に対する波長変換光として
取り出す波長選択手段とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強度変調信号光の
光波長を変換して出力する光波長変換装置に関する。
光波長を変換して出力する光波長変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の波長変換方法には、残留サイドモ
ードを有する半導体レーザ発振器に対する注入同期を用
いて波長変換する方法がある（ " Bistability and Wav
eformReshaping in a DFB-LD with Side-Mode Light In
jection ", IEEE PHOTONICSTECHNOLOGY LETTERS, vol.
7, no.2, pp.164-166) 。
ードを有する半導体レーザ発振器に対する注入同期を用
いて波長変換する方法がある（ " Bistability and Wav
eformReshaping in a DFB-LD with Side-Mode Light In
jection ", IEEE PHOTONICSTECHNOLOGY LETTERS, vol.
7, no.2, pp.164-166) 。
【０００３】この半導体レーザ発振器は、発振スペクト
ルに残留サイドモードを有し、波長λC で発振状態にあ
るものとする。その残留サイドモードのうちの１つの近
傍の波長λS の信号光を外部から注入同期光として入力
すると、注入同期現象により波長λC の発振が停止し、
波長λS に引き込まれたサイドモードで発振する。すな
わち、半導体レーザ発振器は入力信号光のオン・オフに
応じて波長λS または波長λC で発振する。このうち波
長λC の発振光のみを取り出すことにより、実効的に波
長λS から波長λC への波長変換が実現する。ただし、
波長λC の発振光は、入力信号光と相補的な関係（オン
・オフ反転）にある。
ルに残留サイドモードを有し、波長λC で発振状態にあ
るものとする。その残留サイドモードのうちの１つの近
傍の波長λS の信号光を外部から注入同期光として入力
すると、注入同期現象により波長λC の発振が停止し、
波長λS に引き込まれたサイドモードで発振する。すな
わち、半導体レーザ発振器は入力信号光のオン・オフに
応じて波長λS または波長λC で発振する。このうち波
長λC の発振光のみを取り出すことにより、実効的に波
長λS から波長λC への波長変換が実現する。ただし、
波長λC の発振光は、入力信号光と相補的な関係（オン
・オフ反転）にある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、注入同期を
用いた波長変換方法には、入出力関係に顕著な閾値効果
があり、波形整形作用があることが大きな利点の１つに
なっている。しかし、その一方で注入同期現象に波長依
存性があり、入力信号光の波長がサブナノメートル変化
しただけで変換動作および変換効率が変化する。したが
って、このような光波長変換装置を実用に供するには、
入力信号光の波長に左右されずに一定動作する波長無依
存化が要求される。
用いた波長変換方法には、入出力関係に顕著な閾値効果
があり、波形整形作用があることが大きな利点の１つに
なっている。しかし、その一方で注入同期現象に波長依
存性があり、入力信号光の波長がサブナノメートル変化
しただけで変換動作および変換効率が変化する。したが
って、このような光波長変換装置を実用に供するには、
入力信号光の波長に左右されずに一定動作する波長無依
存化が要求される。
【０００５】本発明は、注入同期型波長変換の利点を活
かしつつ、波長依存性のない波長変換を実現する光波長
変換装置を提供することを目的とする。
かしつつ、波長依存性のない波長変換を実現する光波長
変換装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光波長変換装置
は、強度変調された波長λS の信号光が入力され、その
入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波長λi の制
御光を出力する制御回路と、波長λi の制御光により注
入同期し、制御光のオン・オフに応じて発振波長が波長
λi または波長λC に変化する第１の半導体レーザ発振
器と、第１の半導体レーザ発振器の波長λC の出力光を
波長λS の信号光に対する波長変換光として取り出す波
長選択手段とを備える。
は、強度変調された波長λS の信号光が入力され、その
入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波長λi の制
御光を出力する制御回路と、波長λi の制御光により注
入同期し、制御光のオン・オフに応じて発振波長が波長
λi または波長λC に変化する第１の半導体レーザ発振
器と、第１の半導体レーザ発振器の波長λC の出力光を
波長λS の信号光に対する波長変換光として取り出す波
長選択手段とを備える。
【０００７】
（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態を
示す。図において、制御回路１０は、半導体レーザ発振
器１１、光サーキュレータ１２、偏波保持光ファイバ１
３により構成される。波長λS の信号光は、光サーキュ
レータ１２を介して半導体レーザ発振器１１に入力され
る。半導体レーザ発振器１１から出力される波長λi の
制御光は、光サーキュレータ１２から偏波保持光ファイ
バ１３を介して出力される。半導体レーザ発振器１は、
波長λi の制御光を注入同期光として入力し、波長λi
または波長λC の発振光を出力する。光フィルタ２は波
長λi の発振光を阻止し、波長λC の発振光を波長変換
光（信号光）として出力する。
示す。図において、制御回路１０は、半導体レーザ発振
器１１、光サーキュレータ１２、偏波保持光ファイバ１
３により構成される。波長λS の信号光は、光サーキュ
レータ１２を介して半導体レーザ発振器１１に入力され
る。半導体レーザ発振器１１から出力される波長λi の
制御光は、光サーキュレータ１２から偏波保持光ファイ
バ１３を介して出力される。半導体レーザ発振器１は、
波長λi の制御光を注入同期光として入力し、波長λi
または波長λC の発振光を出力する。光フィルタ２は波
長λi の発振光を阻止し、波長λC の発振光を波長変換
光（信号光）として出力する。
【０００８】ここで、本発明の特徴は、制御回路１０の
半導体レーザ発振器１１が、入力信号光の波長に依存せ
ずそのオン・オフに応じた波長λi の制御光を出力し、
半導体レーザ発振器１がその制御光に注入同期し、その
オン・オフに応じて波長λiまたは波長λC の発振光を
出力するところにある。波長依存性のない半導体レーザ
発振器１１としては、例えば端面残留反射を十分に低減
し、反射に起因するサイドモードが無視できるようにし
たものを用いればよい。半導体レーザ発振器１１は、入
力信号光がオフのときに半導体レーザ発振器１が注入同
期を起こす波長λi の制御光を出力する。一方、入力信
号光がオンのときには発振が抑圧される。すなわち、半
導体レーザ発振器１１で波長λiの発振に使われていた
キャリアの一部が入力信号光の誘導放出により消費さ
れ、またそれに付随したレーザ内屈折率が変化する。こ
れにより、出力される制御光のパワーが半導体レーザ発
振器１で注入同期がはずれる程度に減少するか、または
制御光の波長が注入同期を起こす波長λi からシフトす
る。
半導体レーザ発振器１１が、入力信号光の波長に依存せ
ずそのオン・オフに応じた波長λi の制御光を出力し、
半導体レーザ発振器１がその制御光に注入同期し、その
オン・オフに応じて波長λiまたは波長λC の発振光を
出力するところにある。波長依存性のない半導体レーザ
発振器１１としては、例えば端面残留反射を十分に低減
し、反射に起因するサイドモードが無視できるようにし
たものを用いればよい。半導体レーザ発振器１１は、入
力信号光がオフのときに半導体レーザ発振器１が注入同
期を起こす波長λi の制御光を出力する。一方、入力信
号光がオンのときには発振が抑圧される。すなわち、半
導体レーザ発振器１１で波長λiの発振に使われていた
キャリアの一部が入力信号光の誘導放出により消費さ
れ、またそれに付随したレーザ内屈折率が変化する。こ
れにより、出力される制御光のパワーが半導体レーザ発
振器１で注入同期がはずれる程度に減少するか、または
制御光の波長が注入同期を起こす波長λi からシフトす
る。
【０００９】図２は、半導体レーザ発振器１の発振スペ
クトルと制御光の波長λi の関係を示す。半導体レーザ
発振器１は、注入同期のための残留サイドモードを有す
る単一モードレーザとする。例えば、分布ブラッグ反射
型（ＤＢＲ）半導体レーザまたは分布帰還型（ＤＦＢ）
半導体レーザを用いることができる。半導体レーザ発振
器１１の発振波長は、半導体レーザ発振器１の残留サイ
ドモードの１つの近傍の波長λi とする。半導体レーザ
発振器１では、半導体レーザ発振器１１から出力される
波長λi の制御光が入力されると、自由発振波長λC で
の発振が停止し、注入同期により波長λi に引き込まれ
たサイドモードで発振する。すなわち、半導体レーザ発
振器１は、波長λi の制御光のオン・オフに応じて波長
λi または波長λC の発振光を出力する。
クトルと制御光の波長λi の関係を示す。半導体レーザ
発振器１は、注入同期のための残留サイドモードを有す
る単一モードレーザとする。例えば、分布ブラッグ反射
型（ＤＢＲ）半導体レーザまたは分布帰還型（ＤＦＢ）
半導体レーザを用いることができる。半導体レーザ発振
器１１の発振波長は、半導体レーザ発振器１の残留サイ
ドモードの１つの近傍の波長λi とする。半導体レーザ
発振器１では、半導体レーザ発振器１１から出力される
波長λi の制御光が入力されると、自由発振波長λC で
の発振が停止し、注入同期により波長λi に引き込まれ
たサイドモードで発振する。すなわち、半導体レーザ発
振器１は、波長λi の制御光のオン・オフに応じて波長
λi または波長λC の発振光を出力する。
【００１０】以上の構成に基づき、本実施形態における
波長変換動作について説明する。制御回路１０の半導体
レーザ発振器１１は、半導体レーザ発振器１の残留サイ
ドモードの１つの近傍の波長λi で発振している。この
半導体レーザ発振器１１に光サーキュレータ１２を介し
てオン・オフ変調された波長λS の信号光が入力され
る。信号光がオフのときには、半導体レーザ発振器１１
は半導体レーザ発振器１に注入同期をかけるのに十分な
波長とパワーを有する制御光を出力する。一方、信号光
がオンのときには、半導体レーザ発振器１１の発振光パ
ワーが減少、または発振波長λi が変化し、半導体レー
ザ発振器１に対する注入同期条件を満足しなくなる。こ
こで、半導体レーザ発振器１１から出力される制御光
が、半導体レーザ発振器１に対して注入同期条件を満足
するときをオンとし、満足しないときをオフとすると、
信号光のオン・オフと相補的（オン・オフ反転）に制御
光は変調される。なお、この変調動作は信号光の波長に
依存しない。
波長変換動作について説明する。制御回路１０の半導体
レーザ発振器１１は、半導体レーザ発振器１の残留サイ
ドモードの１つの近傍の波長λi で発振している。この
半導体レーザ発振器１１に光サーキュレータ１２を介し
てオン・オフ変調された波長λS の信号光が入力され
る。信号光がオフのときには、半導体レーザ発振器１１
は半導体レーザ発振器１に注入同期をかけるのに十分な
波長とパワーを有する制御光を出力する。一方、信号光
がオンのときには、半導体レーザ発振器１１の発振光パ
ワーが減少、または発振波長λi が変化し、半導体レー
ザ発振器１に対する注入同期条件を満足しなくなる。こ
こで、半導体レーザ発振器１１から出力される制御光
が、半導体レーザ発振器１に対して注入同期条件を満足
するときをオンとし、満足しないときをオフとすると、
信号光のオン・オフと相補的（オン・オフ反転）に制御
光は変調される。なお、この変調動作は信号光の波長に
依存しない。
【００１１】半導体レーザ発振器１１から出力された波
長λi の制御光は、光サーキュレータ１２および偏波保
持光ファイバ１３を介して半導体レーザ発振器１に入力
される。半導体レーザ発振器１は、制御光のオン・オフ
に応じて注入同期がオン・オフし、波長λi または波長
λC の発振光を出力する。この発振光のうち制御光のオ
フに対応する波長λC の発振光のみを光フィルタ２で抜
き出す。これにより、制御光のオン・オフに対して相補
的（オン・オフ反転）に変調された信号光が得られる。
ここで、制御光は波長λS の信号光に対して相補的に変
調されているので、波長λC の信号光は波長λS の信号
光と同じ論理波形の波長変換光となる。
長λi の制御光は、光サーキュレータ１２および偏波保
持光ファイバ１３を介して半導体レーザ発振器１に入力
される。半導体レーザ発振器１は、制御光のオン・オフ
に応じて注入同期がオン・オフし、波長λi または波長
λC の発振光を出力する。この発振光のうち制御光のオ
フに対応する波長λC の発振光のみを光フィルタ２で抜
き出す。これにより、制御光のオン・オフに対して相補
的（オン・オフ反転）に変調された信号光が得られる。
ここで、制御光は波長λS の信号光に対して相補的に変
調されているので、波長λC の信号光は波長λS の信号
光と同じ論理波形の波長変換光となる。
【００１２】ところで、半導体レーザ発振器１の注入同
期を用いた波長変換動作（λi→λC）は、入力される制
御光の波長λi に依存する。しかし、制御光は装置内に
備えられている半導体レーザ発振器１１から発生してい
るので、安定した波長λi で半導体レーザ発振器１に入
力させることが可能である。したがって、半導体レーザ
発振器１では所定の注入同期特性で安定した波長変換動
作を行うことができる。一方、半導体レーザ発振器１の
波長変換動作は波長依存性がないので、全体では信号光
の入力波長λS に変動があっても、安定的に波長λC へ
の波長変換が行われる。すなわち、入力信号光の波長λ
S に無依存で波長λS から波長λC への波長変換が実現
する。しかも、半導体レーザ発振器１の注入同期による
波長変換の利点をそのまま活かすことができる。
期を用いた波長変換動作（λi→λC）は、入力される制
御光の波長λi に依存する。しかし、制御光は装置内に
備えられている半導体レーザ発振器１１から発生してい
るので、安定した波長λi で半導体レーザ発振器１に入
力させることが可能である。したがって、半導体レーザ
発振器１では所定の注入同期特性で安定した波長変換動
作を行うことができる。一方、半導体レーザ発振器１の
波長変換動作は波長依存性がないので、全体では信号光
の入力波長λS に変動があっても、安定的に波長λC へ
の波長変換が行われる。すなわち、入力信号光の波長λ
S に無依存で波長λS から波長λC への波長変換が実現
する。しかも、半導体レーザ発振器１の注入同期による
波長変換の利点をそのまま活かすことができる。
【００１３】なお、半導体レーザ発振器１１と半導体レ
ーザ発振器１とを結ぶ偏波保持光ファイバ１３は、偏波
変動による注入同期状態の変化を防ぐ目的で配置された
ものである。また、光サーキュレータ１２は光カプラに
置き換えてもよい。また、本実施形態では、半導体レー
ザ発振器１１として端面反射がないものを想定してい
る。しかし、残留反射が存在し、半導体レーザ発振器１
１に入力された波長λS の信号光の一部が光サーキュレ
ータ１２に戻ってくる場合には、必要に応じて光サーキ
ュレータ１２と半導体レーザ発振器１との間に、波長λ
S の信号光を阻止する光フィルタを挿入すればよい。
ーザ発振器１とを結ぶ偏波保持光ファイバ１３は、偏波
変動による注入同期状態の変化を防ぐ目的で配置された
ものである。また、光サーキュレータ１２は光カプラに
置き換えてもよい。また、本実施形態では、半導体レー
ザ発振器１１として端面反射がないものを想定してい
る。しかし、残留反射が存在し、半導体レーザ発振器１
１に入力された波長λS の信号光の一部が光サーキュレ
ータ１２に戻ってくる場合には、必要に応じて光サーキ
ュレータ１２と半導体レーザ発振器１との間に、波長λ
S の信号光を阻止する光フィルタを挿入すればよい。
【００１４】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第１の実施形
態の制御回路１０において、光サーキュレータ１２を用
いず、半導体レーザ発振器１１の一方の端面に信号光を
入力し、他方の端面から制御光を出力させるところにあ
る。このとき、波長無依存のために端面反射がない半導
体レーザ発振器１１は、入力された波長λS の信号光を
そのまま透過する。したがって、光サーキュレータ１２
を用いない構成では、透過した波長λS の信号光を阻止
し波長λi の制御光のみを透過する光フィルタ１４を挿
入する。その他の構成は第１の実施形態と同様である。
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第１の実施形
態の制御回路１０において、光サーキュレータ１２を用
いず、半導体レーザ発振器１１の一方の端面に信号光を
入力し、他方の端面から制御光を出力させるところにあ
る。このとき、波長無依存のために端面反射がない半導
体レーザ発振器１１は、入力された波長λS の信号光を
そのまま透過する。したがって、光サーキュレータ１２
を用いない構成では、透過した波長λS の信号光を阻止
し波長λi の制御光のみを透過する光フィルタ１４を挿
入する。その他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００１５】（第３の実施形態）図４は、本発明の第３
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第１の実施形
態の半導体レーザ発振器１の入出力端面を光サーキュレ
ータ３を用いて同一にするところにある。すなわち、制
御回路１０の偏波保持光ファイバ１３から出力される制
御光を光サーキュレータ３を介して半導体レーザ発振器
１に入力し、半導体レーザ発振器１の同一端面から出力
される波長λi またはλC の信号光を光サーキュレータ
３を介して光フィルタ２に入力する。その他の構成は第
１の実施形態と同様である。なお、光サーキュレータ３
は光カプラに置き換えてもよい。
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第１の実施形
態の半導体レーザ発振器１の入出力端面を光サーキュレ
ータ３を用いて同一にするところにある。すなわち、制
御回路１０の偏波保持光ファイバ１３から出力される制
御光を光サーキュレータ３を介して半導体レーザ発振器
１に入力し、半導体レーザ発振器１の同一端面から出力
される波長λi またはλC の信号光を光サーキュレータ
３を介して光フィルタ２に入力する。その他の構成は第
１の実施形態と同様である。なお、光サーキュレータ３
は光カプラに置き換えてもよい。
【００１６】（第４の実施形態）図５は、本発明の第４
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第２の実施形
態の半導体レーザ発振器１の入出力端面を光サーキュレ
ータ３を用いて同一にするところにある。すなわち、制
御回路１０の偏波保持光ファイバ１３から出力される制
御光を光サーキュレータ３を介して半導体レーザ発振器
１に入力し、半導体レーザ発振器１の同一端面から出力
される波長λi またはλC の信号光を光サーキュレータ
３を介して光フィルタ２に入力する。その他の構成は第
２の実施形態と同様である。なお、光サーキュレータ３
は光カプラに置き換えてもよい。
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第２の実施形
態の半導体レーザ発振器１の入出力端面を光サーキュレ
ータ３を用いて同一にするところにある。すなわち、制
御回路１０の偏波保持光ファイバ１３から出力される制
御光を光サーキュレータ３を介して半導体レーザ発振器
１に入力し、半導体レーザ発振器１の同一端面から出力
される波長λi またはλC の信号光を光サーキュレータ
３を介して光フィルタ２に入力する。その他の構成は第
２の実施形態と同様である。なお、光サーキュレータ３
は光カプラに置き換えてもよい。
【００１７】（第５の実施形態）図６は、本発明の第５
の実施形態を示す。第１の実施形態では半導体レーザ発
振器１として単一モードレーザを用いていたが、本実施
形態では多モードレーザを用いることを特徴とする。多
モードレーザは、そのモードの１つに外部光で注入同期
することにより、残留サイドモードを有する単一モード
発振することが知られている。そこで、半導体レーザ発
振器１に波長λC の外部光を入力することによりその発
振を単一モード化する。
の実施形態を示す。第１の実施形態では半導体レーザ発
振器１として単一モードレーザを用いていたが、本実施
形態では多モードレーザを用いることを特徴とする。多
モードレーザは、そのモードの１つに外部光で注入同期
することにより、残留サイドモードを有する単一モード
発振することが知られている。そこで、半導体レーザ発
振器１に波長λC の外部光を入力することによりその発
振を単一モード化する。
【００１８】本実施形態では、光サーキュレータ１２と
半導体レーザ発振器１との間に偏波保持型の光カプラ１
５を挿入し、波長λC の外部光を光カプラ１４を介して
半導体レーザ発振器１に入力する。その他の構成は第１
の実施形態と同様である。なお、光カプラ１５の位置
は、半導体レーザ発振器１と光フィルタ２との間または
光フィルタ２の出力側とし、半導体レーザ発振器１の出
力側から外部光を入力するようにしてもよい。
半導体レーザ発振器１との間に偏波保持型の光カプラ１
５を挿入し、波長λC の外部光を光カプラ１４を介して
半導体レーザ発振器１に入力する。その他の構成は第１
の実施形態と同様である。なお、光カプラ１５の位置
は、半導体レーザ発振器１と光フィルタ２との間または
光フィルタ２の出力側とし、半導体レーザ発振器１の出
力側から外部光を入力するようにしてもよい。
【００１９】（第６の実施形態）図７は、本発明の第６
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第２の実施形
態における半導体レーザ発振器１を多モードレーザと
し、第５の実施形態と同様に光カプラ１５を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第２の実施形態と同様である。
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第２の実施形
態における半導体レーザ発振器１を多モードレーザと
し、第５の実施形態と同様に光カプラ１５を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第２の実施形態と同様である。
【００２０】（第７の実施形態）図８は、本発明の第７
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第３の実施形
態における半導体レーザ発振器１を多モードレーザと
し、第５の実施形態と同様に光カプラ１５を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第３の実施形態と同様である。なお、外部光を結合す
るための光カプラ１５を用いず、半導体レーザ発振器１
に対して光サーキュレータ３側とは逆の端面から入力す
るようにしてもよい。
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第３の実施形
態における半導体レーザ発振器１を多モードレーザと
し、第５の実施形態と同様に光カプラ１５を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第３の実施形態と同様である。なお、外部光を結合す
るための光カプラ１５を用いず、半導体レーザ発振器１
に対して光サーキュレータ３側とは逆の端面から入力す
るようにしてもよい。
【００２１】（第８の実施形態）図９は、本発明の第８
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第４の実施形
態における半導体レーザ発振器１を多モードレーザと
し、第５の実施形態と同様に光カプラ１５を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第４の実施形態と同様である。なお、外部光を結合す
るための光カプラ１５を用いず、半導体レーザ発振器１
に対して光サーキュレータ３側とは逆の端面から入力す
るようにしてもよい。
の実施形態を示す。本実施形態の特徴は、第４の実施形
態における半導体レーザ発振器１を多モードレーザと
し、第５の実施形態と同様に光カプラ１５を用いて外部
光を入力するところにある。したがって、基本的な動作
は第４の実施形態と同様である。なお、外部光を結合す
るための光カプラ１５を用いず、半導体レーザ発振器１
に対して光サーキュレータ３側とは逆の端面から入力す
るようにしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光波長変
換装置は、入力される信号光の波長に依存せず、さらに
注入同期型波長変換の利点（例えば入出力間の閾値効
果）を活かしながら所定の波長に変換することができ
る。
換装置は、入力される信号光の波長に依存せず、さらに
注入同期型波長変換の利点（例えば入出力間の閾値効
果）を活かしながら所定の波長に変換することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態を示すブロック図。
【図２】半導体レーザ発振器１の発振スペクトルと制御
光の波長λi の関係を示す図。
光の波長λi の関係を示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態を示すブロック図。
【図４】本発明の第３の実施形態を示すブロック図。
【図５】本発明の第４の実施形態を示すブロック図。
【図６】本発明の第５の実施形態を示すブロック図。
【図７】本発明の第６の実施形態を示すブロック図。
【図８】本発明の第７の実施形態を示すブロック図。
【図９】本発明の第８の実施形態を示すブロック図。
１ 半導体レーザ発振器 ２ 光フィルタ ３ 光サーキュレータ １０ 制御回路 １１ 半導体レーザ発振器 １２ 光サーキュレータ １３ 偏波保持光ファイバ １４ 光フィルタ １５ 光カプラ
Claims (4)
- 【請求項１】 強度変調された波長λS の信号光が入力
され、その入力波長に依存せずにオン・オフに応じた波
長λi の制御光を出力する制御回路と、 前記波長λi の制御光により注入同期し、制御光のオン
・オフに応じて発振波長が波長λi または波長λC に変
化する第１の半導体レーザ発振器と、 前記第１の半導体レーザ発振器の波長λC の出力光を波
長λS の信号光に対する波長変換光として取り出す波長
選択手段とを備えたことを特徴とする光波長変換装置。 - 【請求項２】 制御回路は、波長λS の信号光がオフの
ときに波長λi の制御光を出力し、信号光がオンのとき
に第１の半導体レーザ発振器の注入同期条件を満足しな
い程度にパワーが減少した制御光または波長λi を変化
させた制御光を出力する波長無依存の半導体レーザ発振
器を含むことを特徴とする請求項１に記載の光波長変換
装置。 - 【請求項３】 第１の半導体レーザ発振器は、残留サイ
ドモードを有する単一モードレーザであることを特徴と
する請求項１に記載の光波長変換装置。 - 【請求項４】 制御回路は、波長λi の制御光の偏波を
保持して第１の半導体レーザ発振器に結合する手段を含
むことを特徴とする請求項１に記載の光波長変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12156996A JPH09304801A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 光波長変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12156996A JPH09304801A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 光波長変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304801A true JPH09304801A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14814486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12156996A Pending JPH09304801A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 光波長変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304801A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001050189A1 (en) * | 2000-01-07 | 2001-07-12 | Yoshiaki Nakano | Optical wavelength converter |
| WO2002061502A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Yoshinobu Maeda | Optical control method and device |
| WO2002086616A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Japan Science And Technology Corporation | Optical function element and optical function device |
| WO2006011262A1 (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Nihon Yamamura Glass Co., Ltd. | 光信号増幅３端子装置 |
| WO2009022623A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Optotriode Co., Ltd. | 光信号増幅装置 |
-
1996
- 1996-05-16 JP JP12156996A patent/JPH09304801A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPWO2006011262A1 (ja) * | 2004-07-30 | 2008-05-01 | 日本山村硝子株式会社 | 光信号増幅３端子装置 |
| US7688502B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-03-30 | Yoshinobu Maeda | Three-terminal optical signal amplifying device |
| WO2009022623A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Optotriode Co., Ltd. | 光信号増幅装置 |
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