JPH09304919A - 荷電ビーム転写用マスク - Google Patents
荷電ビーム転写用マスクInfo
- Publication number
- JPH09304919A JPH09304919A JP12024596A JP12024596A JPH09304919A JP H09304919 A JPH09304919 A JP H09304919A JP 12024596 A JP12024596 A JP 12024596A JP 12024596 A JP12024596 A JP 12024596A JP H09304919 A JPH09304919 A JP H09304919A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- walls
- honeycomb structure
- pattern
- surrounding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクの機械的強度の向上。
【解決手段】 マスク基板１４上に設けられた支柱１３
で小領域２０のそれぞれを６角形状に囲む壁を形成し、
その壁がハニカム構造を形成するようにした。その結
果、マスク１１の機械的強度を向上させることができ、
パターン歪の発生を低減することができる。
で小領域２０のそれぞれを６角形状に囲む壁を形成し、
その壁がハニカム構造を形成するようにした。その結
果、マスク１１の機械的強度を向上させることができ、
パターン歪の発生を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、機械的強度の高い
荷電ビーム転写用マスクに関する。
荷電ビーム転写用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路のリソグラフィにおい
て、光学フィールドを複数の小さな領域に分割して転写
露光する分割転写方式が提案されている。図２はこのよ
うな分割転写方式におけるマスクを示す図であり、
（ａ）はマスクをストラット方向から見た図、（ｂ）は
マスクの一部を示す断面図、（ｃ）は斜視図である。２
はマスク１に形成されたマスクパターン領域であり、領
域２は複数の矩形状小領域２０に分割されている。３は
各小領域２０の間を格子状に区切るストラットであり、
例えば高さ１ｍｍ，厚さ０．１ｍｍ程度の寸法を有し、
厚さ１００ｎｍ以下のＳｉ等の薄膜から成るマスク基板
４を支持している。５はビーム遮断部材から成るスカー
トであり、各小領域２０はスカート５によって分離され
ている。小領域２０のマスク基板４上にはパターン６が
形成されている。
て、光学フィールドを複数の小さな領域に分割して転写
露光する分割転写方式が提案されている。図２はこのよ
うな分割転写方式におけるマスクを示す図であり、
（ａ）はマスクをストラット方向から見た図、（ｂ）は
マスクの一部を示す断面図、（ｃ）は斜視図である。２
はマスク１に形成されたマスクパターン領域であり、領
域２は複数の矩形状小領域２０に分割されている。３は
各小領域２０の間を格子状に区切るストラットであり、
例えば高さ１ｍｍ，厚さ０．１ｍｍ程度の寸法を有し、
厚さ１００ｎｍ以下のＳｉ等の薄膜から成るマスク基板
４を支持している。５はビーム遮断部材から成るスカー
トであり、各小領域２０はスカート５によって分離され
ている。小領域２０のマスク基板４上にはパターン６が
形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにパター
ン６が形成されるマスク基板４は薄膜であるため、スト
ラット３でマスク基板４全体を支持するように構成され
ており、マスク１の機械的強度はストラット３の機械的
強度に大きく依存している。しかしながら、図２（ｃ）
に示すように、ストラット３は小領域２０を矩形状に囲
む４つの壁を形成しており、各壁の方向が図２（ａ）に
おいて図示上下方向および左右方向であるため、上下方
向および左右方向の強度に比べて斜方向の強度が劣り、
マスク１が変形してパターンに歪が生じやすいという欠
点を有する。特に、マスクが大きくなると、マスクの自
重によって生ずる歪がより顕著になる。
ン６が形成されるマスク基板４は薄膜であるため、スト
ラット３でマスク基板４全体を支持するように構成され
ており、マスク１の機械的強度はストラット３の機械的
強度に大きく依存している。しかしながら、図２（ｃ）
に示すように、ストラット３は小領域２０を矩形状に囲
む４つの壁を形成しており、各壁の方向が図２（ａ）に
おいて図示上下方向および左右方向であるため、上下方
向および左右方向の強度に比べて斜方向の強度が劣り、
マスク１が変形してパターンに歪が生じやすいという欠
点を有する。特に、マスクが大きくなると、マスクの自
重によって生ずる歪がより顕著になる。
【０００４】本発明の目的は、機械的強度の高く、パタ
ーンの歪が生じにくい荷電ビーム転写用マスクを提供す
ることにある。
ーンの歪が生じにくい荷電ビーム転写用マスクを提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１に対応付けて説明すると、本発明は、パターンが形
成された複数の小領域２０と、その各小領域２０の周囲
を囲む支柱１３とを薄膜４上に設けて成る荷電ビーム転
写用マスク１１に適用され、支柱１３で小領域２０のそ
れぞれを６角形状に囲む壁を形成し、その壁がハニカム
構造を形成するようにしたことによって上述の目的を達
成する。
図１に対応付けて説明すると、本発明は、パターンが形
成された複数の小領域２０と、その各小領域２０の周囲
を囲む支柱１３とを薄膜４上に設けて成る荷電ビーム転
写用マスク１１に適用され、支柱１３で小領域２０のそ
れぞれを６角形状に囲む壁を形成し、その壁がハニカム
構造を形成するようにしたことによって上述の目的を達
成する。
【０００６】本発明のマスクでは、薄膜４はハニカム構
造を有するように設けられた支柱１３によって支持され
る。
造を有するように設けられた支柱１３によって支持され
る。
【０００７】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明による荷電ビーム転
写用マスクを説明するための図であり、（ａ）はマスク
の一部を拡大して示した図であり、（ｂ）はその斜視図
である。なお、図１において図２と同様の部分には同一
符号を付した。１３はマスク１１に形成されたストラッ
トであり、ストラット１３は各小領域２０の周囲をそれ
ぞれ六角形状に囲む壁を成し、その壁は全体としてハニ
カム構造を形成している。図では省略したが、各小領域
２０には転写パターンが形成されている。荷電ビームの
照射範囲は小領域２０より大きく、小領域２０部分を透
過したビームのみが不図示の試料上に照射され、小領域
２０より外側に照射されたビームはスカート５によって
遮断される。
施の形態を説明する。図１は本発明による荷電ビーム転
写用マスクを説明するための図であり、（ａ）はマスク
の一部を拡大して示した図であり、（ｂ）はその斜視図
である。なお、図１において図２と同様の部分には同一
符号を付した。１３はマスク１１に形成されたストラッ
トであり、ストラット１３は各小領域２０の周囲をそれ
ぞれ六角形状に囲む壁を成し、その壁は全体としてハニ
カム構造を形成している。図では省略したが、各小領域
２０には転写パターンが形成されている。荷電ビームの
照射範囲は小領域２０より大きく、小領域２０部分を透
過したビームのみが不図示の試料上に照射され、小領域
２０より外側に照射されたビームはスカート５によって
遮断される。
【０００９】ストラット１３の形成方法としては、例え
ば、Ｓｉ等から成る基板を異方性エッチングによって形
成する方法がある。すなわち、マスク１１の六角形領域
部分のＳｉ基板を所定の深さだけ除去することにより、
ストラット１３が形成される。このとき、基板の厚さｔ
に対してｔ１の深さだけエッチングすると、高さｔ１の
ストラット１３と厚さｔ２（＝ｔ−ｔ１）の薄膜部分が
形成される。この薄膜部分に小領域２０が形成される。
ば、Ｓｉ等から成る基板を異方性エッチングによって形
成する方法がある。すなわち、マスク１１の六角形領域
部分のＳｉ基板を所定の深さだけ除去することにより、
ストラット１３が形成される。このとき、基板の厚さｔ
に対してｔ１の深さだけエッチングすると、高さｔ１の
ストラット１３と厚さｔ２（＝ｔ−ｔ１）の薄膜部分が
形成される。この薄膜部分に小領域２０が形成される。
【００１０】図１に示すマスク１１では、ストラット１
３がハニカム構造になっているため、従来のマスクに比
べて図の矢印で示すＣ方向およびＤ方向に対する機械的
強度が向上する。その結果、マスク１１が変形しにくく
なり、パターン歪の発生を低減することができる。
３がハニカム構造になっているため、従来のマスクに比
べて図の矢印で示すＣ方向およびＤ方向に対する機械的
強度が向上する。その結果、マスク１１が変形しにくく
なり、パターン歪の発生を低減することができる。
【００１１】上述した実施の形態と特許請求の範囲の各
構成要素との対応において、マスク基板４は薄膜を、ス
トラット１３は支柱をそれぞれ構成する。
構成要素との対応において、マスク基板４は薄膜を、ス
トラット１３は支柱をそれぞれ構成する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜を支持する支柱が全体としてハニカム構造を有する
ように配置したため、従来のマスクに比べて機械的強度
が向上し、パターン歪の発生を低減することができる。
薄膜を支持する支柱が全体としてハニカム構造を有する
ように配置したため、従来のマスクに比べて機械的強度
が向上し、パターン歪の発生を低減することができる。
【図１】本発明による荷電ビーム転写用マスクの一実施
の形態を示す図であり、（ａ）はマスクの一部の拡大
図、（ｂ）は斜視図。
の形態を示す図であり、（ａ）はマスクの一部の拡大
図、（ｂ）は斜視図。
【図２】従来のマスクを示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）はマスクの一部を示す断面図、（ｃ）は斜視
図。
図、（ｂ）はマスクの一部を示す断面図、（ｃ）は斜視
図。
１，１１ マスク ３，１３ ストラット ４ マスク基板 ５ スカート ６ パターン ２０ 小領域
Claims (1)
- 【請求項１】 パターンが形成された複数の小領域と、
その各小領域の周囲を囲む支柱とを薄膜上に設けて成る
荷電ビーム転写用マスクにおいて、 前記支柱で前記小領域のそれぞれを６角形状に囲む壁を
形成し、その壁がハニカム構造を形成するようにしたこ
とを特徴とする荷電ビーム転写用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12024596A JPH09304919A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 荷電ビーム転写用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12024596A JPH09304919A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 荷電ビーム転写用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304919A true JPH09304919A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14781434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12024596A Pending JPH09304919A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 荷電ビーム転写用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011210820A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線一括露光用ステンシルマスク |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP12024596A patent/JPH09304919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011210820A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線一括露光用ステンシルマスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050621 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051213 |