JPH0351287B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0351287B2
JPH0351287B2 JP63024066A JP2406688A JPH0351287B2 JP H0351287 B2 JPH0351287 B2 JP H0351287B2 JP 63024066 A JP63024066 A JP 63024066A JP 2406688 A JP2406688 A JP 2406688A JP H0351287 B2 JPH0351287 B2 JP H0351287B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure mask
support layer
light
support frame
layer
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP63024066A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63202022A (ja
Inventor
Kurausu Haintsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dr Johannes Heidenhain GmbH
Original Assignee
Dr Johannes Heidenhain GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Dr Johannes Heidenhain GmbH filed Critical Dr Johannes Heidenhain GmbH
Publication of JPS63202022A publication Critical patent/JPS63202022A/ja
Publication of JPH0351287B2 publication Critical patent/JPH0351287B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はリゾグラフイによるパターンの形成の
ための露光マスクにして、１つの支持枠には形成
されるべきパターンに相応する構造部を備えた支
持体層が配設されている前記露光マスクに関する
ものである。
この種の露光マスクは特に半導体ウエハ及び半
導体成分並びに光学格子のＸ線リゾグラフイ又は
イオンビームリゾグラフイによる製造に役立つ。
（従来の技術） 西独国特許公開公報3232499及び西独国特許公
開公報3427499からリゾグラフイによるパターン
の製造のための同種の露光マスクが公知であり、
その際支持枠内に形成されるべきパターンに相応
した光吸収性の構造部を備えた光透過性の支持体
層が配設されている。
西独国特許公開公報3150056にはＸ線リゾグラ
フイ又はイオンビームリゾグラフイのための同種
の露光マスクが記載されている。光透過性の支持
体層のための支持枠は露光されるべき半導体基板
の光学的アラインメントのためのマークを有す
る。
しかし形成されるべきパターンの特にＸ線リゾ
グラフイによつて得られることができる高い分解
能は露光マスクの形成されるべきパターンに相応
する構造部の極端に高い寸法保持性の要請と結び
ついている。
製造及びそのような露光マスクの使用の際に
種々の理由、例えば露光の際の構造部における支
持体層の熱的負荷又は支持枠における固定の際の
その構造部を備えた支持体層の応力によつて可変
の応力成分が生じ、応力成分は支持体層の再生不
可能な最終的な傷に繋がり、その結果露光マスク
の構造部の寸法保持性は最早保証されない。
西独国特許公開公報3425065はこの種の最終的
な機械的な傷が応力の補償された支持体層によつ
て回避されるＸ線リゾグラフイのための露光マス
クが記載されている。この支持体層はこれらの応
力補償のための２つの相異なる材料によつて配量
された珪素層から成る。しかしこの応力補償は特
別の材料を必要とし、かつ製造技術的に比較的コ
スト高である。
（発明の課題） 本発明の課題は冒頭に記載された種類の露光マ
スクを応力成分の発生の際に構造部の寸法保持性
が確保されるように形成することである。
（課題の解決のための手段） 本発明の課題は支持体層が構造部と支持枠との
間の縁範囲において弾性的範囲を有することによ
つて解決される。
（発明の効果） 本発明により得られる利点は特に、構造部と支
持枠との間の支持体層の縁範囲に弾性的範囲が存
在することによつて簡単な方法で発生する応力成
分の補償が得られることにある。構造部を備えた
構造範囲を取り囲しでいる少なくとも２列の孔に
よるこの弾性的範囲の形成は簡単な方法で可能に
なり、その結果製造技術的なコストはかからず同
時に支持体層に好適な材料について制限はない。
有利な構成は他の請求項にも記載されている。
（実施例） 第１図には露光マスクが横断面でそして第２図
には露光マスクが平面図で示されている。この露
光マスクは高い分解能を有するパターン、特に光
学格子並びに半導体ウエハ及び半導体成分のＸ線
リゾグラフイ又はイオンビームリゾグラフイによ
る製造のために役立つ。
例えばインバーから成るリング状支持枠１内に
例えばニツケルから成る光吸収性の支持体層２が
ねじ４により締付リング３を介して固定されてい
る。この支持枠１内での支持体層２の固定は、支
持枠１の内方範囲５で支持体層２の平面度を保証
するために、支持体層の弛みにを防止するように
幾らかの予圧を以て行われる。
支持枠１の内方範囲５において支持体層２はリ
ゾグラフイによる方法で形成された光透過構造部
８を備えた構造部範囲７を有する。
しかし締め付けリング３による支持枠１におけ
る支持体層２の固定の際に支持体層２において応
力成分が生じ得、この応力成分は支持体層２にお
ける再生不可能な最終的な傷に繋がり得、その結
果露光マスクの支持体層２の構造部範囲７におけ
る構造部８の寸法保持性は最早保証されない。こ
のような可変の応力成分は露光マスクの使用の際
でも露光の際の支持体層２の熱的負荷によつて発
生し得る。
この種の応力成分の補償のために、本発明によ
れば、支持体層２は構造部８を備えた構造部範囲
７は支持枠１との間の縁範囲９に弾性的範囲１０
を有することが提案される。この弾性的範囲１０
は支持体層２における孔（パーフオレーシヨン）
１１によつて形成され、孔は構造部８を備えた構
造部範囲７を少なくとも２列に取り囲む。第１図
及び第２図において、好適な実施形において孔１
１は構造部８を備えた構造部範囲７を２列にかつ
この両列において隙間が相互にずらされている。
列方向に延在する孔１１はこの形態によつてばね
要素を形成し、ばね要素は構造部８を備えた構造
部範囲７を支持枠１及び締め付けリング３から生
ずる応力成分から遮断する。
図示の方法で露光マスクは光透過支持体層をも
有し、この支持体層の上に光吸収性の構造部が設
けられる。そのような露光マスクは例えば西独国
特許公開公報3427449に記載されている。
【図面の簡単な説明】
第１図は露光マスクの横断面図、そして第２図
は露光マスクの平面図である。 図中符号、１……支持枠、２……支持体層、８
……構造部、９……縁範囲、１０……弾性的範
囲。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ リゾグラフイによるパターンの形成のための
    露光マスクにして、１つの支持枠内には形成され
    るべきパターンに相応する構造部を備えた支持体
    層が配設されている露光マスクにおいて、 支持体層２は構造部８と支持枠１の間の縁範囲
    ９に弾性的範囲１０を有し、弾性的範囲１０は支
    持体層２における孔１１によつて形成されてお
    り、孔１１は構造部８を少なくとも２列に取り囲
    んでおり、少なくとも２つの隣接した列の孔１１
    は相互に位置をずらされていることを特徴とする
    前記露光マスク。 ２ 光吸収支持体層２内に光透過性の構造部８が
    配置されている、請求項１記載の露光マスク。 ３ 光透過性の支持体層２上に光吸収性の構造部
    が配設されている請求項１記載の露光マスク。
JP63024066A 1987-02-06 1988-02-05 リゾグラフイによるパターンの形成のための露光マスク Granted JPS63202022A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3703582A DE3703582C1 (de) 1987-02-06 1987-02-06 Bestrahlungsmaske zur lithographischen Erzeugung von Mustern
DE3703582.7 1987-02-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63202022A JPS63202022A (ja) 1988-08-22
JPH0351287B2 true JPH0351287B2 (ja) 1991-08-06

Family

ID=6320354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63024066A Granted JPS63202022A (ja) 1987-02-06 1988-02-05 リゾグラフイによるパターンの形成のための露光マスク

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4950568A (ja)
EP (1) EP0278076B1 (ja)
JP (1) JPS63202022A (ja)
DE (3) DE8717448U1 (ja)

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Also Published As

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DE3785331D1 (de) 1993-05-13
US4950568A (en) 1990-08-21
JPS63202022A (ja) 1988-08-22
DE3703582C1 (de) 1988-04-07
EP0278076B1 (de) 1993-04-07
EP0278076A2 (de) 1988-08-17
EP0278076A3 (en) 1990-04-25
DE8717448U1 (de) 1988-12-29

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