JPH09306037A - マスタリング原盤の製造方法及びマスタリング原盤の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラス原盤１上にフォトレジスト層２を形成
し、このフォトレジスト層２に対する露光及び現像工程
によって、このフォトレジスト層２にグルーブ領域３を
形成するマスタリング原盤の製造において、現像時間の
制御により、グルーブの幅及び深さを正確に制御する。 【解決手段】 複数の線状パターンがグルーブの目標幅
の２倍のピッチで配列された現像モニタ領域をフォトレ
ジスト層２に形成しておき、この現像モニタ領域を透過
したレーザ光の線状パターンによる回折２次光Ｄ₂をフ
ォトダイオードＰＤ２により検出する。線状パターンに
沿って現像の進行に伴って形成される溝の幅がピッチの
１／２となったときに回折２次光の光量が０になるの
で、このときに現像を停止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、射出成型手段の如
き転写手段により形成される光ディスクや光磁気ディス
クのディスク基板の原型となるマスタリング原盤を製造
するためのマスタリング原盤の製造方法及びマスタリン
グ原盤の製造装置に関する技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、いわゆる光ディスク、光磁気ディ
スクや相変化型ディスクの如く、図２０に示すように、
射出成型手段の如き転写手段により形成されたディスク
基板２８の主面部上に磁性膜や相変化膜等の信号記録層
が成膜されて構成された情報記録媒体が提案されてい
る。このような情報記録媒体におけるディスク基板２８
の主面部には、信号記録部３ｃ内において、図２１に示
すように、略々同心円状をなして螺旋（スパイラル）状
に形成されたグルーブ（連続溝）１８ａが形成されてい
る。このグルーブ１８ａ同士の間の部分は、これらグル
ーブ１８ａの部分よりも突出したランド部１７ａとなさ
れている。上記信号記録層は、上記ディスク基板２８上
の少なくとも上記信号記録部３ｃにおいて、上記ランド
部１７ａ上及び上記グルーブ１８ａ内に成膜される。上
記情報記録媒体において、上記ランド部１７ａ及び上記
グルーブ１８ａは、一方が信号記録エリアとして使用さ
れ、他方がトラッキングサーボのための位置基準として
使用される。

【０００３】上記ディスク基板２８を形成するには、ま
ず、このディスク基板２８の原型となるマスタリング原
盤を作製する。このマスタリング原盤を作製するには、
まず、図１２に示すように、主面部の表面を充分に平坦
に研磨した透明基板であるガラス原盤１の該主面部上
に、ノズル２１を介して、フォトレジストを塗布する。
このフォトレジストは、露光されることによりアルカリ
可溶性となる感光材料である。上記ガラス原盤１は、こ
のガラス原盤１をこのガラス原盤１の中心回りに回転操
作するスピンナー２０上に載置されている。

【０００４】上記ガラス原盤１を、図１３において矢印
Ｒで示すように、上記スピンナー２０によって回転操作
することによって、該ガラス原盤１上に塗布されたフォ
トレジストは、遠心力によって該ガラス原盤１の主面部
上に行き渡り、図１４に示すように、このガラス原盤１
の主面部の全面を覆うフォトレジスト層２を形成する。

【０００５】次に、図１５に示すように、上記フォトレ
ジスト層２に対して露光を行う。この露光は、上記フォ
トレジスト層２が感度を有する波長（例えば、４００ｎ
ｍ近辺）の光束を発するレーザ光源２２を用い、このレ
ーザ光源２２より発せられたレーザ光束（記録光）の光
強度を変調器２３により変調しつつ行う。この変調器２
３により変調されたレーザ光束は、ミラー２４及び対物
レンズ２５を介して、上記フォトレジスト層２上に集光
して照射される。この露光においては、上記ガラス原盤
１を、図１５中矢印Ｒで示すように、このガラス原盤１
の中心回りに回転操作しつつ、上記対物レンズ２５を、
図１５中矢印Ｔで示すように、該ガラス原盤１の径方向
に送り操作することにより、略々同心円状の螺旋（スパ
イラル）状の潜像を上記フォトレジスト層２に形成する
ことができる。上記対物レンズ２５の送り操作は、上記
ガラス原盤１の１回転について一定の距離だけ送るよう
にして、隣接する潜像同士の間隔（ピッチ）が一定にな
るようにする。

【０００６】上記露光によって潜像が形成されたフォト
レジスト層２をアルカリ性現像液で現像することによ
り、図１６に示すように、潜像が形成された部分のフォ
トレジストが除去され、この潜像に沿ったグルーブ
（溝）が形成されたグルーブ領域３が形成される。すな
わち、このグルーブ領域３においては、図１７に示すよ
うに、上記潜像に沿ったグルーブ１８が形成され、該潜
像が形成されておらず現像工程によって除去されなかっ
た部分がランド部１７となって、マスタリング原盤が完
成される。

【０００７】そして、図１７に示すように、上記マスタ
リング原盤上にニッケルメッキを施し、このメッキ層を
該マスタリング原盤から剥離させることにより、このメ
ッキ層は、スタンパ２７となる。このスタンパ２７を射
出成型用の金型内に設置し、ポリカーボネイトの如き透
明合成樹脂を用いた射出成型を行うことにより、図１８
に示すように、ディスク基板（プラスチック基板）２８
が形成される。

【０００８】上記ディスク基板２８は、図１９に示すよ
うに、上記スタンパ２７より剥離される。このディスク
基板２８には、上記マスタリング原盤におけるグルーブ
１８及びランド部１７に対応したグルーブ１８ａ及びラ
ンド部１７ａが形成されている。このディスク基板２８
上に上記信号記録層を成膜することにより、上記情報記
録媒体が構成される。

【０００９】ところで、上記マスタリング原盤の製造工
程においては、上記ディスク基板２８におけるグルーブ
１８ａの幅及び深さが適切なトラッキングエラー信号が
得られる状態となるように、このマスタリング原盤にお
けるグルーブ１８の幅及び深さを、所望の目標値となる
ように、制御する必要がある。

【００１０】上記マスタリング原盤におけるグルーブ１
８の深さは、上記ガラス原盤１に対する上記フォトレジ
ストの塗布厚、すなわち、上記フォトレジスト層２の厚
さによって規定される。すなわち、上記フォトレジスト
層２は、上記現像工程において、上記潜像が形成されて
いる部分については、上記ガラス基板１の表面部が露出
するまで除去されるからである。したがって、グルーブ
１８の深さは、上記ガラス原盤１に対する上記フォトレ
ジストの塗布厚を制御することによって制御する。この
フォトレジストの塗布厚は、目標値の±５％程度以内に
収まるように制御することが可能である。

【００１１】そして、上記マスタリング原盤におけるグ
ルーブ１８の幅は、上記露光及び上記現像の状態によっ
て制御される。露光については、上記フォトレジスト層
２上に照射されるレーザ光束が集光されて形成するビー
ムスポットの径と、露光強度及び記録光波長（該レーザ
光束の波長）に対するフォトレジストの特性の相関と
が、上記グルーブ１８の幅に影響する。上記ビームスポ
ットの径φは、上記記録光波長（上記レーザ光束の波
長）をλとし、このレーザ光束を集光させる上記対物レ
ンズ２５の開口数をＮＡとしたとき、φ＝１．２２λ／
ＮＡにより決定される。上述のような露光装置上におい
ては、記録光波長λ及び対物レンズ２５の開口数ＮＡは
固定されている。上記対物レンズ２５の開口数ＮＡは、
この対物レンズ２５に入射させる前の光束を絞る等の手
段により、若干の調整が可能であるが、充分な調整範囲
を確保できない。また、上記対物レンズ２５に互いに平
行ではない２本のレーザ光束を入射させ、これらレーザ
光束によって上記フォトレジスト層２上において互いに
ずれた位置に２つのビームスポットが形成されるように
して、潜像の幅を広げる手段もある。しかしながら、こ
のような露光の条件の制御のみによっては、上記マスタ
リング原盤におけるグルーブ１８の幅を充分な精度で制
御することはできない。

【００１２】そのため、上記マスタリング原盤における
グルーブ１８の幅は、主に上記現像の状態によって制御
することとなる。すなわち、上述の現像工程を続行させ
る時間を制御することにより、上記グルーブ１８の幅を
制御することができる。現像時間が短ければ上記グルー
ブ１８の幅は狭く、該現像時間を長くすればするほど、
該グルーブ１８の幅は広くなる。

【００１３】上記現像工程の持続時間の経過に伴う上記
グルーブ１８の幅の変化を検出することにより、この現
像工程の停止のタイミングを定めるため、従来より、図
２２に示すように、上記フォトレジスト層２のグルーブ
領域３に入射させたレーザ光の上記グルーブ１８による
回折光を検出するようにしたマスタリング原盤の製造装
置が用いられている。

【００１４】上記フォトレジスト層２上において一定間
隔（ピッチ）Ｐで複数のグルーブ１８が平行に形成され
ているとき、ここに波長λのレーザ光が垂直に入射され
ると、ブラッグの回折条件より、 Ｐsinθ＝ｎλ（ｎ＝０，±１，±２・・・） を満たすような入射角に対する角度θの方向に、回折ｎ
次光が生ずる。

【００１５】この回折ｎ次光の光量Ｉｎは、上記グルー
ブ１８の深さをｄ、幅をＷとすると、 Ｉｎ＝２Ｉｉ（Ｗ／Ｐ）²・sinc²（ｎＷ／Ｐ）・〔１−cos（（２π／λ）・ （Ｎ１−Ｎ０）・ｄ）〕 ・・・・・・・・・・・・（第１式） と表される。ここで、Ｉｉは、入射光の光量であり、Ｐ
は、上記グルーブ１８のピッチであり、Ｎ０は、媒質
（空気など）の屈折率であり、Ｎ１は、フォトレジスト
層２の屈折率である。上記（第１式）は、上記フォトレ
ジスト層２及び上記ガラス原盤１を透過する回折光に関
するものである。この（第１式）は、反射における回折
光に関する下記（第２式）（１９８４年の「ディスク・
メモリ・プリグルーブ・インスペクション」:"Disc-mem
ory pregroove inspection",HidekazuSekizawa,Kiyoshi
Yamada and Akito Iwamoto,APPLIED OPTICS/vol 23,No
16/15August,1984,p2831）より求めたものである。

【００１６】 Ｉｎ＝２（Ｗ／Ｐ）²・sinc²（ｎＷ／Ｐ）・〔１−cos（４ｄπ／λ）〕 ・・・・・・・・・・・・（第２式） なお、この（第２式）は、入射光量Ｉｉを１とした場合
の回折ｎ次光の光量Ｉｎを示している。

【００１７】そして、従来のマスタリング原盤の製造装
置において、現像時間の制御のために用いているのは、
回折１次光である。上記（第１式）を回折１次光のため
の式に改めると、下記（第３式）が得られる。

【００１８】 Ｉ₁＝２Ｉｉ（Ｗ／Ｐ）²・sinc²（Ｗ／Ｐ）・〔１−cos（（２π／λ）・（Ｎ １−Ｎ０）・ｄ）〕 ・・・・・・・・・・・・（第３式） ここで、グルーブの深さｄ及びグルーブの幅Ｗは、現像
工程の進行に伴って変化する値である。したがって、回
折１次光の光量Ｉ₁も現像時間ｔに伴って変化する。こ
れら深さｄ及び幅Ｗは、現像開始当初は、現像時間ｔに
対する増加関数である。その後、上記グルーブの深さｄ
は、上記フォトレジスト層２の厚さに相当する深さに達
して一定値となり、一方、該グルーブの幅Ｗは、現像時
間ｔの経過に応じて増加してゆく。

【００１９】従来のマスタリング原盤の製造装置におい
ては、図２２に示すように、上記ガラス原盤１及び露光
がなされたフォトレジスト層２からなるマスタリング原
盤素材は、図示しないターンテーブル上に支持されて、
図２２中矢印Ｒで示すように、例えば１００ｒｐｍ程度
の回転速度で回転操作される。このマスタリング原盤素
材のフォトレジスト層２には、上記露光工程により、信
号記録部形成領域及び現像進行モニタ領域を含むグルー
ブ領域３が形成されている。上記信号記録部形成領域に
は、上記ディスク基板２８におけるグルーブ１８ａに対
応した第１の潜像パターンが形成されている。そして、
上記現像進行モニタ領域には、上記グルーブ１８の幅Ｗ
の目標値の２倍であるピッチＰを有して複数の線状パタ
ーンが平行に配列された第２の潜像パターンが形成され
ている。この第２の潜像パターンは、半径が上記ピッチ
Ｐずつ異なる複数の同心円状、または、このような同心
円状をなす螺旋状（スパイラル状）に形成することがで
きる。

【００２０】上記マスタリング原盤素材のフォトレジス
ト層２上には、現像工程の開始とともに、ノズル１５を
介して、現像液１６が滴下される。この現像液１６の滴
下は、上記ノズル１５の途中に設けられた電磁弁１４が
作動することにより停止されるまで続行される。そし
て、上記現像進行モニタ領域には、光源４よりのレーザ
光が、上記ガラス原盤１の主面部に対して略々垂直に入
射される。この光源４よりのレーザ光は、上記フォトレ
ジストが感度を有しない波長の光となっている。例え
ば、上記フォトレジストが青色領域に感度を有するもの
である場合には、上記光源４としては、赤色光を発する
Ｈｅ−Ｎｅレーザ等を用いる。

【００２１】現像が進行して上記フォトレジスト層２上
にグルーブが形成され始めると、このグルーブにより回
折されない０次光Ｄ₀の他に、回折光が発生する。この
マスタリング原盤の製造装置においては、これら回折光
のうちの回折１次光Ｄ₁の光量をモニタする。すなわ
ち、上記０次光Ｄ₀は、第１のフォトディテクタＰＤ０
により受光される。また、上記回折１次光Ｄ₁は、第２
のフォトディテクタＰＤ１により受光される。上記第１
のフォトディテクタＰＤ０の出力電圧Ｖ０は、割り算回
路１０１に送られる。また、上記第２のフォトディテク
タＰＤ１の出力電圧Ｖ１も、上記割り算回路１０１に送
られる。この割り算回路１０１は、上記出力電圧Ｖ１を
上記出力電圧Ｖ０で除して、出力電圧Ｖ１′（＝Ｖ１／
Ｖ０）を求める。このように、上記出力電圧Ｖ１を上記
出力電圧Ｖ０で除するのは、入射光量の変動によって生
ずる回折１次光の光量の変動の影響を回避するためであ
る。この割り算回路１０１よりの出力電圧Ｖ１′は、図
２３に示すように、現像時間ｔの経過に伴って、上記回
折１次光Ｄ₁の光量の変動に応じて変動し、（Ｗ／Ｐ）
＝０．５となったときに極大となる。しかし、この割り
算回路１０１よりの出力電圧Ｖ１′は、高域ノイズを含
んでいるため、誤動作の防止のため、ローパスフィルタ
１０２に通されることにより、高域ノイズを除かれる。
このローパスフィルタ１０２を通過した出力電圧Ｖ
１′′は、図２４に示すように、高域ノイズが除かれた
信号となっている。

【００２２】そして、上記回折１次光の光量（Ｉ
（ｔ））は、図２５に示すように、上記グルーブ１８の
深さｄ（すなわち、上記フォトレジスト層２の厚さ）に
依らず、（Ｗ／Ｐ）＝０．５において極大値をとる。そ
こで、上記ローパスフィルタ１０２の出力電圧Ｖ１′′
を、微分回路１０３により微分する。この微分回路１０
３の出力電圧Ｖ１ｄは、図２６に示すように、回折１次
光の微分波形Ｉ′（ｔ）に比例したものとなっており、
上記回折１次光の光量（Ｉ（ｔ））が極大値をとったと
きに０となる。この微分回路１０３の出力電圧Ｖ１ｄ
は、第１のコンパレータ１０５の反転入力端子に送ら
れ、この第１のコンパレータ１０５の非反転入力端子に
供給される０電位源１０７の０電位と比較される。すな
わち、この第１のコンパレータ１０５の出力電圧Ｖ１ｃ
は、上記微分回路１０３の出力電圧Ｖ１ｄが０電位であ
る（Ｖ１ｄ＝０）ときに、“Ｈ”（Ｈｉｇｈ）レベルと
なる。

【００２３】一方、上記ローパスフィルタ１０２の出力
電圧Ｖ１′′は、第２のコンパレータ１０４の非反転入
力端子に送られ、この第２のコンパレータ１０４の反転
入力端子に供給される参照電圧源１０６よりの参照電圧
Ｖrefと比較される。すなわち、この第２のコンパレー
タ１０４の出力電圧Ｖ１ｚは、上記ローパスフィルタ１
０２の出力電圧Ｖ１′′が上記参照電圧Ｖref以上であ
る（Ｖ１′′≧Ｖref）ときに、“Ｈ”レベルとなる。
このように、上記ローパスフィルタ１０２の出力電圧Ｖ
１′′を上記参照電圧Ｖrefと比較するのは、現像開始
当初に、該ローパスフィルタ１０２の出力電圧Ｖ１′′
及び上記微分回路１０３の出力電圧Ｖ１ｄがともに０で
あるときに、現像を停止させてしまうという誤動作を防
止するためである。

【００２４】上記第１及び第２のコンパレータ１０５，
１０４の出力電圧Ｖ１ｄ，Ｖ１ｚは、アンド回路１０８
に送られる。このアンド回路１０８の出力電圧は、上記
各コンパレータ１０５，１０４の出力電圧Ｖ１ｄ，Ｖ１
ｚがともに“Ｈ”レベルであるときに、“Ｈ”レベルと
なる。すなわち、このアンド回路１０８の出力電圧は、
上記回折１次光の光量Ｉ（ｔ）が上記参照電圧Ｖrefに
相当する所定の閾値を越えており、かつ、この回折１次
光の光量Ｉ（ｔ）が極大値に達したときに、“Ｈ”レベ
ルとなる。このアンド回路１０８の出力電圧は、上記電
磁弁１４に送られる。この電磁弁１４は、上記アンド回
路１０８の出力電圧が“Ｈ”レベルとなることにより閉
じて、上記現像液１６の上記マスタリング原盤素材への
供給を停止させる。現像液１６の供給を停止されたマス
タリング原盤素材は、直ちに水洗され、現像終了（定
着）をなされる。このマスタリング原盤素材は、さらに
充分な水洗をなされ、Ｎ₂ガスブローなどの処理により
表面部の水分を除去されて、マスタリング原盤となる。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来より光
ディスクとして広く用いられているものとして、発光波
長が７８０ｎｍの半導体レーザを再生光源に用いるもの
がある。この光ディスクにおいては、隣接する記録トラ
ック同士の間隔（トラックピッチ）は、１．６μｍ程度
となっている。そして、近年、光ディスクにおける情報
記録の高密度化の要請に応えるため、再生光源の発光波
長を６３５ｎｍとし、ディスク基板を薄型化するととも
に、再生のための光束を光ディスク上に集光させる対物
レンズの開口数（ＮＡ）を大きくした規格の光ディス
ク、例えば、いわゆる「デジタル・ビデオ・ディスク
（ＤＶＤ）」が提案されている。このような光ディスク
においては、トラックピッチは、０．８μｍ以下（例え
ば、０．７４μｍ）となっている。また、グルーブ
（溝）構造を採り、情報信号の記録が可能な光ディスク
においては、グルーブ間のトラックピッチが同一であっ
ても、グルーブの幅とランド部（グルーブとグルーブと
の間の突条部分）の幅との比率によって、ディスクノイ
ズ等の信号特性が変化することが知られている。

【００２６】このような状況においては、マスタリング
原盤の製造工程における上記グルーブ１８の幅を従来よ
りも精密に制御することが要請されている。

【００２７】上述したような従来のマスタリング原盤の
製造装置においては、上記０次光Ｄ₀や上記回折１次光
Ｄ₁の光量の検出に伴う高域ノイズの影響により、該回
折１次光の光量が極大値となったときを正確に検出する
ことが困難となる虞れがあり、上記グルーブ１８の幅を
充分に精密に制御することができなくなる虞れがある。
また、このマスタリング原盤の製造装置においては、上
記フォトレジスト層２の厚みが誤差によって薄くなる
と、上記回折１次光Ｄ₁の光量が低下し、この回折１次
光の光量が極大値となったときを検出する感度が下が
り、上記グルーブ１８の幅を充分に精密に制御すること
ができなくなる。

【００２８】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提
案されるものであって、光ディスク用のマスタリング原
盤の製造工程においてこのマスタリング原盤上に形成さ
れるグルーブの幅を充分に精密に制御することが可能な
マスタリング原盤の製造方法及びマスタリング原盤の製
造装置の提供という課題を解決しようとするものであ
る。

【００２９】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明に係るマスタリング原盤の製造方法は、転写
手段により形成される光ディスク基板の原型となるマス
タリング原盤の製造方法であって、透明基板の主面部に
対して感光材料を塗布して該主面部上に感光材料層を形
成し、該感光材料層に対してこの感光材料が感度を有す
る波長の光によって露光し、該感光材料層の信号記録部
形成領域には該光ディスク基板の信号記録部に形成され
るべきグルーブのパターンに対応した第１の潜像パター
ンを形成するとともに、該感光材料層の現像進行モニタ
領域には該信号記録部形成領域において該第１の潜像パ
ターンが現像されることにより形成されるグルーブの目
標幅の２倍のピッチで複数の線状パターンが配列された
第２の潜像パターンを形成し、現像液を該感光材料層上
に供給することにより該各潜像パターンを現像しつつ該
現像進行モニタ領域に該感光材料が感度を有しない波長
の光束を照射し、該現像進行モニタ領域において該第２
の潜像パターンの現像の進行に伴って形成される複数の
溝による該光束の回折２次光の光量を検出し、この回折
２次光の光量が該各潜像パターンの現像開始後に一旦上
昇した後再び略々０になったときに、該現像の進行を停
止させることとしたものである。

【００３０】そして、本発明に係るマスタリング原盤の
製造装置は、転写手段により形成される光ディスク基板
の原型となるマスタリング原盤を製造する装置であっ
て、透明基板とこの透明基板の主面部に塗布されて該主
面部上に感光材料層を形成している感光材料とを有し該
感光材料層に対して該感光材料が感度を有する波長の光
による露光がなされて該感光材料層の信号記録部形成領
域に上記光ディスク基板の信号記録部に形成されるべき
グルーブのパターンに対応した第１の潜像パターンが形
成されるとともに該感光材料層の現像進行モニタ領域に
該信号記録部形成領域において該第１の潜像パターンが
現像されることにより形成されるグルーブの目標幅の２
倍のピッチで複数の線状パターンが配列された第２の潜
像パターンが形成されたマスタリング原盤素材の該感光
材料層に現像液を供給して該各潜像パターンを現像する
現像手段と、該現像進行モニタ領域に該感光材料が感度
を有しない波長の光束を照射する光源と、該現像進行モ
ニタ領域において上記第２の潜像パターンの現像の進行
に伴って形成される複数の溝による上記光束の回折２次
光の光量を検出する回折２次光検出手段と、この回折２
次光検出手段による検出結果に基づき該回折２次光の光
量が略々０であるときに該現像の進行を停止させる制御
手段とを備えたものである。

【００３１】また、本発明は、上記マスタリング原盤の
製造装置において、上記現像進行モニタ領域において上
記第２の潜像パターンの現像の進行に伴って形成される
複数の溝による上記光源から発せられた光束の回折１次
光を検出する回折１次光検出手段を設け、上記制御手段
は、上記回折１次光検出手段及び回折２次光検出手段に
よる検出結果に基づき、上記回折２次光の光量が略々０
であって、かつ、上記回折１次光の光量が０ではないと
きに、現像の進行を停止させることとしたものである。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。

【００３３】本発明に係るマスタリング原盤の製造方法
は、いわゆる光ディスク、光磁気ディスクや相変化型デ
ィスクの如き情報記録媒体のディスク基板を射出成型手
段の如き転写手段により形成するにあたってのこのディ
スク基板の原型となるマスタリング原盤を製造するため
の方法である。これら情報記録媒体は、前述したよう
に、図２０に示すように、射出成型手段の如き転写手段
により形成されたディスク基板２８の主面部上に磁性膜
や相変化膜等の信号記録層が成膜されて構成されてい
る。このような情報記録媒体におけるディスク基板２８
の主面部には、信号記録部３ｃ内において、図２１に示
すように、略々同心円状をなして螺旋（スパイラル）状
に形成されたグルーブ（連続溝）１８ａが形成されてい
る。このグルーブ１８ａ同士の間の部分は、これらグル
ーブ１８ａの部分よりも突出したランド部１７ａとなさ
れている。上記信号記録層は、上記ディスク基板２８上
の少なくとも上記信号記録部３ｃにおいて、上記ランド
部１７ａ上及び上記グルーブ１８ａ内に成膜される。上
記情報記録媒体において、上記ランド部１７ａ及び上記
グルーブ１８ａは、一方が信号記録エリアとして使用さ
れ、他方がトラッキングサーボのための位置基準として
使用される。

【００３４】上記ディスク基板２８を形成するには、前
述したように、このディスク基板２８の原型となるマス
タリング原盤を作製する。このマスタリング原盤を作製
するには、まず、図１２に示すように、主面部の表面を
充分に平坦に研磨した透明基板であるガラス原盤１の該
主面部上に、ノズル２１を介して、フォトレジストを塗
布する。このフォトレジストは、露光されることにより
アルカリ可溶性となる感光材料である。上記ガラス原盤
１は、このガラス原盤１をこのガラス原盤１の中心回り
に回転操作するスピンナー２０上に載置されている。

【００３５】上記ガラス原盤１を、図１３において矢印
Ｒで示すように、上記スピンナー２０によって回転操作
することによって、該ガラス原盤１上に塗布されたフォ
トレジストは、遠心力によって該ガラス原盤１の主面部
上に行き渡り、図１４に示すように、このガラス原盤１
の主面部の全面を覆うフォトレジスト層２を形成する。

【００３６】次に、図１５に示すように、上記フォトレ
ジスト層２に対して露光を行う。この露光は、上記フォ
トレジスト層２が感度を有する波長（例えば、４００ｎ
ｍ近辺）の光束を発するレーザ光源２２を用い、このレ
ーザ光源２２より発せられたレーザ光束（記録光）の光
強度を変調器２３により変調しつつ行う。この変調器２
３により変調されたレーザ光束は、ミラー２４及び対物
レンズ２５を介して、上記フォトレジスト層２上に集光
して照射される。この露光においては、上記ガラス原盤
１を、図１５中矢印Ｒで示すように、このガラス原盤１
の中心回りに回転操作しつつ、上記対物レンズ２５を、
図１５中矢印Ｔで示すように、該ガラス原盤１の径方向
に送り操作することにより、略々同心円状の螺旋（スパ
イラル）状の潜像を上記フォトレジスト層２に形成する
ことができる。上記対物レンズ２５の送り操作は、上記
ガラス原盤１の１回転について一定の距離だけ送るよう
にして、隣接する潜像同士の間隔（ピッチ）が一定にな
るようにする。

【００３７】上記露光によって潜像が形成されたフォト
レジスト層２をアルカリ性現像液で現像することによ
り、図１６に示すように、潜像が形成された部分のフォ
トレジストが除去され、この潜像に沿ったグルーブ
（溝）が形成されたグルーブ領域３が形成される。すな
わち、このグルーブ領域３においては、図１７に示すよ
うに、上記潜像に沿ったグルーブ１８が形成され、該潜
像が形成されておらず現像工程によって除去されなかっ
た部分がランド部１７となって、マスタリング原盤が完
成される。

【００３８】そして、図１７に示すように、上記マスタ
リング原盤上にニッケルメッキを施し、このメッキ層を
該マスタリング原盤から剥離させることにより、このメ
ッキ層は、スタンパ２７となる。このスタンパ２７を射
出成型用の金型内に設置し、ポリカーボネイトの如き透
明合成樹脂を用いた射出成型を行うことにより、図１８
に示すように、ディスク基板（プラスチック基板）２８
が形成される。

【００３９】上記ディスク基板２８は、図１９に示すよ
うに、上記スタンパ２７より剥離される。このディスク
基板２８には、上記マスタリング原盤におけるグルーブ
１８及びランド部１７に対応したグルーブ１８ａ及びラ
ンド部１７ａが形成されている。このディスク基板２８
上に上記信号記録層を成膜することにより、上記情報記
録媒体が構成される。

【００４０】そして、上述のようなマスタリング原盤の
製造工程においては、上記ディスク基板２８におけるグ
ルーブ１８ａの幅及び深さが適切なトラッキングエラー
信号が得られる状態となるように、このマスタリング原
盤におけるグルーブ１８の幅及び深さが、所望の目標値
となるように、制御される。

【００４１】上記マスタリング原盤におけるグルーブ１
８の深さは、上記ガラス原盤１に対する上記フォトレジ
ストの塗布厚、すなわち、上記フォトレジスト層２の厚
さによって規定する。すなわち、上記フォトレジスト層
２は、上記現像工程において、上記潜像が形成されてい
る部分については、上記ガラス基板１の表面部が露出す
るまで除去されるからである。したがって、グルーブ１
８の深さは、上記ガラス原盤１に対する上記フォトレジ
ストの塗布厚を制御することによって制御する。このフ
ォトレジストの塗布厚は、目標値の±５％程度以内に収
まるように制御することが可能である。

【００４２】そして、上記マスタリング原盤におけるグ
ルーブ１８の幅は、上記露光及び上記現像の状態によっ
て制御され、主に、該現像の状態によって制御される。
すなわち、上述の現像工程を続行させる時間を制御する
ことにより、上記グルーブ１８の幅を制御する。上記マ
スタリング原盤においては、図７に示すように、現像時
間が短ければ上記グルーブ１８の幅は狭く（図７におい
てＡで示す状態）、該現像時間を長くすればするほど、
該グルーブ１８の幅は広くなる（図７においてＢ、Ｃで
示す状態）。

【００４３】本発明に係るマスタリング原盤の製造方法
においては、上記現像工程の持続時間の経過に伴う上記
グルーブ１８の幅の変化を検出することにより、この現
像工程の停止のタイミングを定めるため、図１に示すよ
うに、上記フォトレジスト層２のグルーブ領域３に入射
させたレーザ光の上記グルーブ１８による回折光を検出
するようにした本発明に係るマスタリング原盤の製造装
置を用いる。

【００４４】上記フォトレジスト層２上において一定間
隔（ピッチ）Ｐで複数のグルーブ１８が平行に形成され
ているとき、ここに波長λのレーザ光が垂直に入射され
ると、図６に示すように、ブラッグの回折条件より、 Ｐsinθ＝ｎλ（ｎ＝０，±１，±２・・・） を満たすような入射角に対する角度θの方向に、回折ｎ
次光が生ずる。

【００４５】この回折ｎ次光の光量Ｉｎは、上記グルー
ブ１８の深さをｄ、幅をＷとすると、上記（第１式）に
よって示したように、 Ｉｎ＝２Ｉｉ（Ｗ／Ｐ）²・sinc²（ｎＷ／Ｐ）・〔１−
cos（（２π／λ）・（Ｎ１−Ｎ０）・ｄ）〕 である。ここで、Ｉｉは、入射光の光量であり、Ｐは、
上記グルーブ１８のピッチであり、Ｎ０は、媒質（空気
など）の屈折率であり、Ｎ１は、フォトレジスト層２の
屈折率である。上記グルーブ１８は、断面形状が矩形状
となされて形成されるのが理想であるが、実際には、図
１０に示すように、両側面部が傾斜して外方側が広がっ
た台形状の断面形状を有することとなる。そこで、上記
グルーブ１８の幅Ｗについては、図１０に示すように、
該グルーブの底面部の幅をＷ１とし、該グルーブ１８の
外方側への開放部の幅をＷ２としたとき、Ｗ＝（Ｗ１＋
Ｗ２）／２で定義する。

【００４６】そして、このマスタリング原盤の製造装置
において、現像時間の制御のために用いているのは、回
折２次光である。上述の回折ｎ次光の光量Ｉｎについて
の式を回折２次光のための式に改めると、下記（第４
式）が得られる。

【００４７】 Ｉ₂＝２Ｉｉ（Ｗ／Ｐ）²・sinc²（２Ｗ／Ｐ）・〔１−cos（（２π／λ）・（ Ｎ１−Ｎ０）・ｄ）〕 ・・・・・・・・・・・・（第４式） ここで、グルーブの深さｄ及びグルーブの幅Ｗは、現像
工程の進行に伴って変化する値である。したがって、回
折２次光の光量Ｉ₂も現像時間ｔに伴って変化する。こ
れら深さｄ及び幅Ｗは、現像開始当初は、現像時間ｔに
対する増加関数である。その後、上記グルーブの深さｄ
は、上記フォトレジスト層２の厚さに相当する深さ（例
えば、４０ｎｍ乃至１００ｎｍ程度）に達して一定値と
なり、一方、該グルーブの幅Ｗは、現像時間ｔの経過に
応じて増加してゆく。

【００４８】このマスタリング原盤の製造装置において
は、図１に示すように、上記ガラス原盤１及び露光がな
されたフォトレジスト層２からなるマスタリング原盤素
材は、図示しないターンテーブル上に支持されて、図１
中矢印Ｒで示すように、例えば１００ｒｐｍ程度の回転
速度で回転操作される。このマスタリング原盤素材のフ
ォトレジスト層２には、上記露光工程により、図３に示
すように、信号記録部形成領域３ａ及び現像進行モニタ
領域３ｂを含むグルーブ領域３が形成されている。上記
信号記録部形成領域３ａには、上記ディスク基板２８に
おけるグルーブ１８ａに対応した第１の潜像パターンが
形成されている。この第１の潜像パターンは、半径が上
記ディスク基板２８の信号記録部におけるトラックピッ
チ（Ｔ．Ｐ）ずつ異なる複数の同心円状をなす螺旋状
（スパイラル状）に形成される。そして、上記現像進行
モニタ領域３ｂには、上記グルーブ１８の目標幅（グル
ーブ１８の幅Ｗの目標値であり、例えば、３００ｎｍ程
度、または、３００ｎｍ程度以上の値）の２倍であるピ
ッチＰを有して複数の線状パターンが平行に配列された
第２の潜像パターンが形成されている。この第２の潜像
パターンは、半径が上記ピッチＰずつ異なる複数の同心
円状、または、このような同心円状をなす螺旋状（スパ
イラル状）に形成することができる。

【００４９】なお、上記現像進行モニタ領域３ｂは、上
記信号記録部形成領域３ａの外周側を囲むようにして、
円環状の領域として形成される。

【００５０】上記マスタリング原盤素材のフォトレジス
ト層２上には、現像工程の開始とともに、ノズル１５を
介して、現像液１６が滴下される。この現像液１６の滴
下は、上記ノズル１５の途中に設けられた電磁弁１４が
作動することにより停止されるまで続行される。そし
て、上記現像進行モニタ領域には、光源４よりのレーザ
光が、上記ガラス原盤１の主面部に対して略々垂直に入
射される。この光源４よりのレーザ光は、上記フォトレ
ジストが感度を有しない波長の光となっている。例え
ば、上記フォトレジストが青色領域に感度を有するもの
である場合には、上記光源４としては、赤色光を発する
Ｈｅ−Ｎｅレーザ等を用いる。

【００５１】現像が進行して上記フォトレジスト層２上
にグルーブが形成され始めると、図６に示すように、こ
のグルーブにより回折されない０次光Ｄ₀の他に、回折
光Ｄ₁，Ｄ₂・・・が発生する。このマスタリング原盤の
製造装置においては、これら回折光のうちの回折１次光
Ｄ₁及び回折２次光Ｄ₂の光量をモニタする。すなわち、
上記０次光Ｄ₀は、第１のフォトディテクタＰＤ０によ
り受光される。また、上記回折１次光Ｄ₁は、第２のフ
ォトディテクタＰＤ１により受光される。そして、上記
回折２次光Ｄ₂は、回折２次光検出手段となる第３のフ
ォトディテクタＰＤ２により受光される。

【００５２】上記第１のフォトディテクタＰＤ０の出力
電圧Ｖ０は、図１及び図２に示すように、制御手段とな
る回路部を構成する第１及び第２の割り算回路５，６に
送られる。上記第２のフォトディテクタＰＤ１の出力電
圧Ｖ１は、上記第１の割り算回路５に送られる。また、
上記第３のフォトディテクタＰＤ２の出力電圧Ｖ２は、
上記第２の割り算回路６に送られる。

【００５３】上記第１の割り算回路５は、上記出力電圧
Ｖ１を上記出力電圧Ｖ０で除して、出力電圧Ｖ１′（＝
Ｖ１／Ｖ０）を求める。このように、上記出力電圧Ｖ１
を上記出力電圧Ｖ０で除するのは、入射光量の変動によ
って生ずる回折１次光の光量の変動の影響を回避するた
めである。この第１の割り算回路５よりの出力電圧Ｖ
１′は、図２３に示すように、現像時間ｔの経過に伴っ
て、上記回折１次光Ｄ₁の光量の変動に応じて変動し、
（Ｗ／Ｐ）＝０．５となったときに極大となる。しか
し、この第１の割り算回路５よりの出力電圧Ｖ１′は、
高域ノイズを含んでいるため、誤動作の防止のため、第
１のローパスフィルタ７に通されることにより、高域ノ
イズを除かれる。この第１のローパスフィルタ７を通過
した出力電圧Ｖ１′′は、図２４に示すように、高域ノ
イズが除かれ、上記回折１次光の光量（Ｉ（ｔ））に比
例した信号となっている。上記回折１次光の光量（Ｉ
（ｔ））は、図２５に示すように、上記グルーブ１８の
深さｄ（すなわち、上記フォトレジスト層２の厚さ）に
依らず、（Ｗ／Ｐ）＝０．５において極大値をとる。

【００５４】上記第１のローパスフィルタ７の出力電圧
Ｖ１′′は、第１のコンパレータ９の非反転入力端子に
送られ、この第１のコンパレータ９の反転入力端子に供
給される閾値電圧源（Ｖth）１１よりの閾値電圧Ｖthと
比較される。すなわち、この第１のコンパレータ９の出
力電圧Ｖ１ｚは、上記第１のローパスフィルタ７の出力
電圧Ｖ１′′が上記閾値電圧Ｖth以上である（Ｖ１′′
≧Ｖth）ときに、“Ｈ”（Ｈｉｇｈ）レベルとなる。

【００５５】そして、上記第２の割り算回路６は、上記
第３のフォトディテクタＰＤ２よりの出力電圧Ｖ２を上
記第１のフォトディテクタＰＤ０よりの出力電圧Ｖ０で
除して、出力電圧Ｖ２′（＝Ｖ２／Ｖ０）を求める。こ
のように、上記出力電圧Ｖ２を上記出力電圧Ｖ０で除す
るのは、入射光量の変動によって生ずる回折２次光の光
量の変動の影響を回避するためである。この第２の割り
算回路６よりの出力電圧Ｖ２′は、現像時間ｔの経過に
伴って、上記回折２次光Ｄ₂の光量の変動に応じて変動
し、図５に示すように、（Ｗ／Ｐ）＝０．５、すなわ
ち、Ｗ＝Ｐ／２となったときに０となる。しかし、この
第２の割り算回路６よりの出力電圧Ｖ２′は、高域ノイ
ズを含んでいるため、誤動作の防止のため、第２のロー
パスフィルタ８に通されることにより、高域ノイズを除
かれる。この第２のローパスフィルタ８を通過した出力
電圧Ｖ２′′は、高域ノイズが除かれ、図８に示すよう
に、上記回折２次光の光量に比例した信号となってい
る。上記回折２次光の光量（ａ．ｕ）は、図８において
Ｂで示すように、上記グルーブ１８の深さｄ（すなわ
ち、上記フォトレジスト層２の厚さ）に依らず、（Ｗ／
Ｐ）＝０．５において０となる。

【００５６】なお、（Ｗ／Ｐ）＝０．５であるときに上
記回折２次光の光量が正確に０となるのは、上記グルー
ブ１８の断面形状が矩形状である場合である。上記グル
ーブ１８の断面形状が台形状である場合には、このグル
ーブ１８の断面形状が矩形状に対してどの程度違うかに
応じた誤差が生ずる。このような上記グルーブ１８の断
面形状の差異による誤差を無視すれば、（Ｗ／Ｐ）＝
０．５であるとき、上記回折２次光の光量は、原理的
に、０となる。本発明においては、このようなグルーブ
１８の断面形状の差異によって生ずる誤差を見越して、
「略々０」と表現している。

【００５７】上記第２のローパスフィルタ８の出力電圧
Ｖ２′′は、第２のコンパレータ１０の反転入力端子に
送られ、この第２のコンパレータ１０の非反転入力端子
に接続された０電位源（Istop値）１２の０電位と比較
される。すなわち、この第２のコンパレータ１０の出力
電圧Ｖ２ｚは、上記第２のローパスフィルタ８の出力電
圧Ｖ２′′が０電位である（Ｖ２′′＝０）ときに、
“Ｈ”レベルとなる。

【００５８】上記第１及び第２のコンパレータ９，１０
の出力電圧Ｖ１ｚ，Ｖ２ｚは、アンド回路１３に送られ
る。このアンド回路１３の出力電圧は、上記各コンパレ
ータ９，１０の出力電圧Ｖ１ｚ，Ｖ２ｚがともに“Ｈ”
レベルであるときに、“Ｈ”レベルとなる。すなわち、
このアンド回路１３の出力電圧は、上記回折１次光の光
量が上記閾値電圧Ｖthに相当する所定の閾値を越えてお
り、かつ、上記回折２次光の光量が略々０であるとき
に、“Ｈ”レベルとなる。このアンド回路１３の出力電
圧は、上記電磁弁１４に送られる。この電磁弁１４は、
上記アンド回路１３の出力電圧が“Ｈ”レベルとなるこ
とにより閉じて、上記現像液１６の上記マスタリング原
盤素材への供給を停止させる。

【００５９】なお、上記第１のコンパレータ９により上
記第１のローパスフィルタ７の出力電圧Ｖ１′′を上記
閾値電圧Ｖthと比較するのは、現像開始当初に、該第１
のローパスフィルタ７の出力電圧Ｖ１′′及び上記第２
のローパスフィルタ８の出力電圧Ｖ２′′がともに０で
あるときに、現像を停止させてしまうという誤動作を防
止するためである。すあわち、このマスタリング原盤の
製造装置においては、上記回折２次光の光量が、図８に
おいてＡで示すように、上記各潜像パターンの現像開始
後に一旦上昇した後、図８においてＢで示すように、再
び略々０になったときに、該現像の進行を停止させるこ
ととなる。

【００６０】上記現像液１６の供給を停止されたマスタ
リング原盤素材は、直ちに水洗され、現像終了（定着）
をなされる。このマスタリング原盤素材は、さらに充分
な水洗をなされ、Ｎ₂ガスブローなどの処理により表面
部の水分を除去されて、マスタリング原盤となる。この
マスタリング原盤の信号記録部形成領域３ａにおいて
は、図４に示すように、所定の目標幅となされたグルー
ブ１８が、所定のトラックピッチＴ．Ｐをピッチとして
形成されている。

【００６１】ところで、本発明に係るマスタリング原盤
の製造方法においては、上記回折２次光Ｄ₂が発生する
のは、上述した（第１式）より、回折角θについて、si
nθ≦１が成立する範囲である。したがって、現像進行
のモニタ用に用いる上記光源４より発せられるレーザ光
（モニタ光）の波長をλとすると、上記現像進行モニタ
領域３ｂにおけるグルーブ１８のピッチＰについては、
Ｐ≧２λが成立している必要がある。上記フォトレジス
トとしては５００ｎｍ以下の波長の光に対して感度を有
するものが使用されるので、上記光源４よりのレーザ光
の波長λは、６００ｎｍ以上である必要がある。したが
って、上記現像進行モニタ領域３ｂにおけるグルーブ１
８のピッチＰは１．３μｍ以上となり、このグルーブ１
８の幅Ｗは、０．６μｍ以上となる。

【００６２】この程度のグルーブの幅（０．６μｍ以
上）は、再生光に赤色レーザ光を用いる光ディスク、ま
た、この光ディスクよりも信号記録密度を向上させた光
ディスクにおいて、例えば、トラックピッチ（Ｔ．Ｐ）
が０．８μｍ乃至１．０μｍのグルーブ記録フォーマッ
トにおいて、または、トラックピッチ（Ｔ．Ｐ）が１．
４μｍ乃至２．０μｍのランド／グルーブ記録フォーマ
ットにおいて採用されるグルーブ幅である。すなわち、
本発明は、これらのフォーマットの光ディスクを製造す
るためのマスタリング原盤を製造するために有用であ
る。

【００６３】さらに、これらのフォーマットよりもさら
に上記グルーブの幅を狭めたい場合には、上記フォトレ
ジストの感光波長帯域をより短波長側に変更すれば、現
像進行のモニタ用に用いる上記光源４より発せられるレ
ーザ光（モニタ光）をより短波長の光とすることがで
き、上記グルーブ１８の目標幅を０．６μｍよりも狭く
することができる。

【００６４】なお、本発明に係るマスタリング原盤の製
造方法において作製されるマスタリング原盤素材におい
ては、上記現像進行モニタ領域３ｂは、図１１に示すよ
うに、上記信号記録部形成領域３ａの内周側にこの信号
記録部形成領域３ａにより囲まれるようにして形成して
もよい。

【００６５】また、本発明に係るマスタリング原盤の製
造装置においては、図９に示すように、上記マスタリン
グ原盤素材と上記回折ｎ次光Ｄｎ（ｎ＝１，２，・・
・）を受光するフォトディテクタＰＤｎとの間に、集光
レンズ１９を配設することにより、上記グルーブ１８の
目標幅の変更に対応することができる。上記レンズ１９
は、このレンズ１９の焦点距離をｆとし、このレンズ１
９から上記フォトレジスト層２上の上記レーザ光の照射
位置（以下、「回折位置」という）までの距離をａと
し、このレンズ１９から上記フォトディテクタＰＤｎま
での距離をｂとしたとき、 （１／ｆ）＝（１／ａ）＋（１／ｂ）〔ただし、ａ，
ｂ，ｆ＞０〕 が成立するように配設する。すわなち、上記現像進行モ
ニタ領域３ｂにおいては、上記グルーブ１８の目標幅が
変更されれば、このグルーブ１８のピッチＰ（グルーブ
１８の目標幅の２倍）も変更され、上述の（第１式）よ
り、回折角θが変更される。このとき、上記回折位置か
ら発光した光は、上記回折角θが変化しても、上記レン
ズ１９を通ることにより、すべて、上記フォトディテク
タＰＤｎに受光される。

【００６６】例えば、上記光源４の発するレーザ光の波
長が６３３ｎｍであるとき、上記回折位置からの距離ａ
が４０ｍｍ（ａ＝４０ｍｍ）の位置に、外径φが２０ｍ
ｍ、焦点距離ｆが３０ｍｍのレンズを配設するととも
に、このレンズよりの距離ｂが１２０ｍｍ（ｂ＝１２０
ｍｍ）の位置にフォトディテクタＰＤｎを配設すると、
上記グルーブ１８のピッチとして、１．４μｍ乃至２．
０μｍまで対応することができる。

【００６７】また、このマスタリング原盤の製造装置に
おいては、上記各フォトディテクタＰＤｎを上記回折位
置回りを回動するように移動操作可能としたり、さら
に、該各フォトディテクタＰＤｎをなるべく上記マスタ
リング原盤素材に近接させて配設するとともにこれらフ
ォトディテクタＰＤｎの受光面の面積をなるべく大きい
ものとすることにより、上記グルーブ１８の目標幅の変
更に対応することができる。

【００６８】また、上述の実施の形態において、回折光
としては、上記フォトレジスト層２及び上記ガラス原盤
１を透過した回折光を用いているが、本発明に係るマス
タリング原盤の製造方法及びマスタリング原盤の製造装
置においては、該回折光として、該フォトレジスト層２
において反射された回折光を用いることとしてもよい。

【００６９】

【実施例】本発明に係るマスタリング原盤の製造方法に
より、実際にマスタリング原盤を作製した。この実施例
では、上記現像進行モニタ領域におけるグルーブ１８の
ピッチＰを１．６μｍとし、（グルーブ１８の幅Ｗ）：
（ランド部１７の幅）＝０．８μｍ：０．８μｍとする
ことを目標値とした。露光条件については、従来のマス
タリング原盤の製造装置において０．８μｍの幅のグル
ーブを作製する場合の条件に基づいて、適当と思われる
条件とした。

【００７０】本発明に係るマスタリング原盤の製造方法
により（すなわち、本発明に係るマスタリング原盤の製
造装置によって）作製したマスタリング原盤について、
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により撮影し、形成された
グルーブ１８の幅を測定した。

【００７１】その結果、グルーブ１８の幅Ｗ（＝（Ｗ１
＋Ｗ２）／２）の基準値０．８μｍに対して、フォトレ
ジスト層２の厚さが０．４４μｍである場合において、
Ｗ１が０．７５μｍであり、Ｗ２が０．８７μｍであっ
た。したがって、上記グルーブ１８の幅Ｗは、（０．７
５＋０．８７）÷２より、およそ０．８１μｍであっ
た。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による測長誤差は±
０．０１μｍ程度と見積もられるので、この誤差を加え
ても、本発明に係るマスタリング原盤の製造方法におけ
るグルーブの幅について誤差は、±０．０２μｍ程度以
内となる。

【００７２】

【発明の効果】上述のように、本発明に係るマスタリン
グ原盤の製造方法及びマスタリング原盤の製造装置にお
いては、透明基板上の感光材料層に、複数の線状パター
ンがグルーブの目標幅の２倍のピッチで配列された潜像
パターンが形成された現像進行モニタ領域を形成してお
き、この現像進行モニタ領域を透過した光の該潜像パタ
ーンによる回折２次光を回折２次光検出手段により検出
する。そして、上記潜像パターンに沿って現像の進行に
伴って形成されるグルーブの幅が線状パターンのピッチ
の１／２となったときに、感光材料層の厚さに関わりな
く、回折２次光の光量が０になるので、このときに現像
を停止する。

【００７３】すなわち、本発明は、光ディスク用のマス
タリング原盤の製造工程においてこのマスタリング原盤
上に形成されるグルーブの幅を充分に精密に制御するこ
とが可能なマスタリング原盤の製造方法及びマスタリン
グ原盤の製造装置を提供することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るマスタリング原盤の製造方法を実
行するための本発明に係るマスタリング原盤の製造装置
の構成を示すブロック図である。

【図２】上記マスタリング原盤の製造装置の要部の回路
構成を示すブロック図である。

【図３】上記マスタリング原盤の製造装置において製造
されるマスタリング原盤の構成を示す斜視図である。

【図４】上記マスタリング原盤の信号記録部形成領域の
構成を示す要部拡大縦断面図である。

【図５】上記マスタリング原盤の現像進行モニタ領域の
構成を示す要部拡大縦断面図である。

【図６】上記マスタリング原盤の現像進行モニタ領域に
おいて生ずる回折の状態を示す要部拡大縦断面図であ
る。

【図７】上記マスタリング原盤における現像の進行状態
を示す要部拡大縦断面図である。

【図８】上記マスタリング原盤の現像進行モニタ領域に
おいて生ずる回折２次光の光量の現像の進行に伴う変化
を示すグラフである。

【図９】上記マスタリング原盤の製造装置においてトラ
ックピッチの変更に対応するための構成を示す側面図で
ある。

【図１０】上記マスタリング原盤におけるグルーブ幅の
定義を説明するための要部拡大縦断面図である。

【図１１】上記マスタリング原盤の構成の他の例を示す
斜視図である。

【図１２】上記マスタリング原盤の製造工程のうち、フ
ォトレジストの塗布工程を示す斜視図である。

【図１３】上記マスタリング原盤の製造工程のうち、フ
ォトレジストのスピンコート工程を示す斜視図である。

【図１４】上記マスタリング原盤の製造工程において、
フォトレジスト層が形成された状態を示す斜視図であ
る。

【図１５】上記マスタリング原盤の製造工程のうち、露
光工程を示す斜視図である。

【図１６】上記マスタリング原盤の製造工程において、
上記露光工程において形成された潜像の現像がなされて
該マスタリング原盤が完成された状態を示す斜視図であ
る。

【図１７】上記マスタリング原盤に対してメッキ処理を
施すことによりスタンパを作製している状態を示す縦断
面図である。

【図１８】上記スタンパを用いてディスク基板を作製し
ている状態を示す縦断面図である。

【図１９】上記スタンパより上記ディスク基板を剥離さ
せた状態を示す縦断面図である。

【図２０】上記ディスク基板を有するディスク状の情報
記録媒体の構成を示す斜視図である。

【図２１】上記ディスク状の情報記録媒体の要部の構成
を示す要部拡大縦断面図である。

【図２２】従来のマスタリング原盤の製造装置の構成を
示すブロック図である。

【図２３】マスタリング原盤の製造装置において現像進
行モニタ領域における回折１次光を受光して得られる光
検出出力の現像の進行に伴う変化を示すグラフである。

【図２４】マスタリング原盤の製造装置において現像進
行モニタ領域における回折１次光を受光して得られる光
検出出力をローパスフィルタに通した後の出力電圧の現
像の進行に伴う変化を示すグラフである。

【図２５】マスタリング原盤の製造装置において現像進
行モニタ領域における回折１次光の光量の現像の進行に
伴う変化を示すグラフである。

【図２６】上記従来のマスタリング原盤の製造装置にお
いて現像進行モニタ領域における回折１次光の光量を微
分した量の現像の進行に伴う変化を示すグラフである。

【符号の説明】

１ ガラス原盤、２ フォトレジスト層、３ グルーブ
領域、３ａ 信号記録部形成領域、３ｂ 現像進行モニ
タ領域、３ｃ 信号記録部、４ 光源、５ 第１の割り
算回路、６ 第２の割り算回路、９ 第１のコンパレー
タ、１０ 第２のコンパレータ、１３ ＡＮＤ（アン
ド）回路、１７ ランド部、１８ グルーブ、Ｄ₀ ０
次光、Ｄ₁ 回折１次光、Ｄ₂ 回折２次光、ＰＤ０ 第
１のフォトダイオード、ＰＤ１ 第２のフォトダイオー
ド、ＰＤ２ 第３のフォトダイオード

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 転写手段により形成される光ディスク基
   板の原型となるマスタリング原盤の製造方法であって、 透明基板の主面部に対して感光材料を塗布して該主面部
   上に感光材料層を形成し、 上記感光材料層に対してこの感光材料が感度を有する波
   長の光によって露光し、該感光材料層の信号記録部形成
   領域には、上記光ディスク基板の信号記録部に形成され
   るべきグルーブのパターンに対応した第１の潜像パター
   ンを形成するとともに、該感光材料層の現像進行モニタ
   領域には、該信号記録部形成領域において該第１の潜像
   パターンが現像されることにより形成されるグルーブの
   目標幅の２倍のピッチで複数の線状パターンが配列され
   た第２の潜像パターンを形成し、 現像液を上記感光材料層上に供給することにより上記各
   潜像パターンを現像しつつ、上記現像進行モニタ領域
   に、該感光材料が感度を有しない波長の光束を照射し、 上記現像進行モニタ領域において上記第２の潜像パター
   ンの現像の進行に伴って形成される複数の溝による上記
   光束の回折２次光の光量を検出し、 上記回折２次光の光量が、上記各潜像パターンの現像開
   始後に一旦上昇した後、再び略々０になったときに、該
   現像の進行を停止させることとするマスタリング原盤の
   製造方法。
2. 【請求項２】 転写手段により形成される光ディスク基
   板の原型となるマスタリング原盤を製造する装置であっ
   て、 透明基板とこの透明基板の主面部に塗布されて該主面部
   上に感光材料層を形成している感光材料とを有し該感光
   材料層に対して該感光材料が感度を有する波長の光によ
   る露光がなされて該感光材料層の信号記録部形成領域に
   上記光ディスク基板の信号記録部に形成されるべきグル
   ーブのパターンに対応した第１の潜像パターンが形成さ
   れるとともに該感光材料層の現像進行モニタ領域に該信
   号記録部形成領域において該第１の潜像パターンが現像
   されることにより形成されるグルーブの目標幅の２倍の
   ピッチで複数の線状パターンが配列された第２の潜像パ
   ターンが形成されたマスタリング原盤素材の該感光材料
   層に現像液を供給して該各潜像パターンを現像する現像
   手段と、 上記現像進行モニタ領域に、上記感光材料が感度を有し
   ない波長の光束を照射する光源と、 上記現像進行モニタ領域において上記第２の潜像パター
   ンの現像の進行に伴って形成される複数の溝による上記
   光束の回折２次光の光量を検出する回折２次光検出手段
   と、 上記回折２次光検出手段による検出結果に基づき、上記
   回折２次光の光量が略々０であるときに該現像の進行を
   停止させる制御手段とを備えたマスタリング原盤の製造
   装置。
3. 【請求項３】 現像進行モニタ領域において第２の潜像
   パターンの現像の進行に伴って形成される複数の溝によ
   る、光源から発せられた光束の回折１次光を検出する回
   折１次光検出手段を備え、 制御手段は、上記回折１次光検出手段及び回折２次光検
   出手段による検出結果に基づき、回折２次光の光量が略
   々０であって、かつ、上記回折１次光の光量が０ではな
   いときに、現像の進行を停止させることとなされた請求
   項２記載のマスタリング原盤の製造装置。