JPH09306834A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH09306834A5
JPH09306834A5 JP1997033869A JP3386997A JPH09306834A5 JP H09306834 A5 JPH09306834 A5 JP H09306834A5 JP 1997033869 A JP1997033869 A JP 1997033869A JP 3386997 A JP3386997 A JP 3386997A JP H09306834 A5 JPH09306834 A5 JP H09306834A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
exposure apparatus
projection exposure
ray projection
chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1997033869A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09306834A (ja
JP3814359B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP3386997A external-priority patent/JP3814359B2/ja
Priority to JP3386997A priority Critical patent/JP3814359B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to US08/813,349 priority patent/US6084938A/en
Publication of JPH09306834A publication Critical patent/JPH09306834A/ja
Priority to US09/342,897 priority patent/US6310934B1/en
Priority to US09/948,041 priority patent/US6668037B2/en
Priority to US10/092,280 priority patent/US6584168B2/en
Priority to US10/679,278 priority patent/US6836531B2/en
Publication of JPH09306834A5 publication Critical patent/JPH09306834A5/ja
Publication of JP3814359B2 publication Critical patent/JP3814359B2/ja
Application granted granted Critical
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明のX線投影露光装置の好ましい形態は、反射型マスクを保持するマスクチャックと、
前記反射型マスクのパターンが露光転写されるウエハを保持するウエハチャックと、
前記反射型マスクをX線で照明する照明系と、
前記反射型マスクパターン前記ウエハに所定の倍率で投影する投影光学系と、
を有し、
前記マスクチャックは、
前記反射型マスク静電気力で吸着保持するための静電気発生手段を有することを特徴とする。
ここで、前記マスクチャックの前記反射型マスクを保持する面には複数の突起部が形成され、該突起部によって前記反射型マスクが保持されてもよく、
前記突起部は、ピン状であってもよい。
さらに、前記突起部の先端が前記反射型マスクに接触する接触面積は、前記反射型マスクの面積の10パーセント以下であってもよく、
前記突起部によって前記反射型マスクが支持された際に、前記反射型マスクと前記マスクチャックの間に形成される空隙に、前記反射型マスクを冷却するための気体を供給する手段を有していてもよい。
また、前記マスクチャックの温度を調節する温度調節機構を有していてもよく、
前記温度調節機構は、
前記マスクチャック内に温度調節媒体を供給する手段と、
前記マスクチャックの温度を検出する温度センサと、
を有していてもよい。
そして、前記マスクチャックは、セラミックス材料又はガラス材料であってもよい。
また、前記照明系は、
X線を発生する放射源と、
X線を反射するミラーと、
を有していてもよい。
また、前記投影光学系は、
X線を反射する複数枚のミラーを有する縮小投影光学系であってもよい。
また、前記マスクチャックは、
真空雰囲気中又は減圧雰囲気中に配置されていてもよく、
前記反射型マスクはX線を反射する多層膜を有し、
前記マスクパターンは該多層膜上に形成されたX線を吸収する吸収体で形成されていてもよい。
さらに、前記マスクチャック及び前記ウエハチャックを同期して移動させて走査露光を行うための走査手段を有していてもよく、
前記マスクチャックは、
双極型の静電チャックであってもよい。
また、前記マスクチャックに前記反射型マスクを吸着保持した際の吸着力を検出する検出機構を有していてもよく、
前記マスクチャックは、
前記反射型マスクを重力方向と平行に保持してもよい。
また、前記マスクチャックの移動に応じて、前記静電気発生手段で発生する静電気力を可変とする静電気可変手段を有していてもよく、
前記静電気可変手段は、
{(前記反射型マスクの質量)×(重力加速度+前記マスクチャック移動時の最大加速度)/(前記反射型マスクと前記マスクチャックの間の最大静止摩擦係数)}×(安全率)<前記マスクチャックの吸着力
の関係を満たすように制御してもよい。
本発明のデバイスの製造方法の好ましい形態は、上記構成を有するX線投影露光装置を用いてウエハを露光し、該露光されたウエハを現像することを特徴とする。
上記のように構成されたX線投影露光装置は、マスクチャックに静電気力で反射型マスクを吸着保持するための静電気発生手段を有することで、X線の減衰が少ない真空雰囲気中あるいは減圧された軽元素気体の雰囲気中で反射型マスクを支持固定することができる。
また、マスクチャックに反射型マスクを吸着保持した際の吸着力を検出する検出機構を有し、マスクチャックの移動に応じて、静電気発生手段で発生する静電気力を可変する静電気可変手段を有することで、反射型マスクの吸着力を最適に制御することが可能になり、マスクチャック上から反射型マスクが落下する事故を防止することができる。
また、マスクチャックの反射型マスク保持する面に複数の突起部を形成し、突起部によって反射型マスクを保持することで、反射型マスクとマスクチャックの間に挟まったごみで発生する反射型マスクの変形が防止される。
また、突起部によって反射型マスクが支持された際に、反射型マスクとマスクチャックの間に形成される空隙に、反射型マスク冷却するための気体供給する手段を有することで、冷却が困難な真空雰囲気中に置かれた反射型マスクを裏面から効果的に冷却することが可能になる。
また、マスクチャックの温度を調節する温度調節機構を有することで、反射型マスクの熱変形が防止される。特に、マスクチャックに温度膨張係数が小さいセラミックス材料、もしくはガラス材料を用いることで、反射型マスクの熱歪みが極めて少ない量に抑制される。
マスクチャックに静電気力で反射型マスクを吸着保持するための静電気発生手段を有することで、X線の減衰が少ない真空雰囲気中あるいは減圧された軽元素気体の雰囲気中であっても反射型マスクを確実に支持固定することができる。
また、マスクチャックに反射型マスクを吸着保持した際の吸着力を検出する検出機構を有し、マスクチャックの移動に応じて、静電気発生手段で発生する静電気力を可変する静電気可変手段を有することで、マスクチャック上から反射型マスクが落下する事故を防止することができる。
また、マスクチャックの反射型マスク保持する面に複数の突起部を形成し、突起部によって反射型マスクを保持することで、反射型マスクとマスクチャックの間に挟まったごみで発生する反射型マスクの変形が防止され、転写パターンの重ね合せ精度、線幅精度が向上する。
また、突起部によって反射型マスクが支持された際に、反射型マスクとマスクチャックの間に形成される空隙に、反射型マスク冷却するための気体供給する手段を有することで、冷却が困難な真空雰囲気中に置かれた反射型マスクを裏面から効果的に冷却することが可能になり、反射型マスク上に形成された回路パターンの温度による歪みを抑制することができる。
また、マスクチャックの温度を調節する温度調節機構を有することで、反射型マスクの熱変形及び位置ずれが防止され、転写パターンの重ね合せ精度、線幅精度が向上する。さらに、温度調節機構によって反射型マスクの形状を温度に応じて可変できるため、投影光学系を構成するミラーの表面形状、配置位置の誤差、支持するときの外力によるミラーの変形などによるパターンの位置ずれを補正でき、パターンの重ね合せ精度がより向上する。
また、本発明のX線投影露光装置と、反射型マスクとを用いて、マスクパターンをウエハ上に転写することで、デバイスの生産歩留りを向上させることができる。

Claims (19)

  1. 反射型マスクを保持するマスクチャックと、
    前記反射型マスクのパターンが露光転写されるウエハを保持するウエハチャックと、
    前記反射型マスクをX線で照明する照明系と、
    前記反射型マスクパターン前記ウエハに所定の倍率で投影する投影光学系と、
    を有し、
    前記マスクチャックは、
    前記反射型マスク静電気力で吸着保持するための静電気発生手段を有することを特徴とするX線投影露光装置。
  2. 前記マスクチャックの前記反射型マスクを保持する面には複数の突起部が形成され、該突起部によって前記反射型マスクが保持されることを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  3. 前記突起部は、ピン状であることを特徴とする請求項2記載のX線投影露光装置。
  4. 前記突起部の先端が前記反射型マスクに接触する接触面積は、前記反射型マスクの面積の10パーセント以下であることを特徴とする請求項2記載のX線投影露光装置。
  5. 前記突起部によって前記反射型マスクが支持された際に、前記反射型マスクと前記マスクチャックの間に形成される空隙に、前記反射型マスクを冷却するための気体を供給する手段を有することを特徴とする請求項2記載のX線投影露光装置。
  6. 前記マスクチャックの温度を調節する温度調節機構を有することを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  7. 前記温度調節機構は、
    前記マスクチャック内に温度調節媒体を供給する手段と、
    前記マスクチャックの温度を検出する温度センサと、
    を有することを特徴とする請求項6記載のX線投影露光装置。
  8. 前記マスクチャックは、
    セラミックス材料又はガラス材料であることを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  9. 前記照明系は、
    X線を発生する放射源と、
    X線を反射するミラーと、
    を有することを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  10. 前記投影光学系は、
    X線を反射する複数枚のミラーを有する縮小投影光学系であることを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  11. 前記マスクチャックは、
    真空雰囲気中又は減圧雰囲気中に配置されることを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  12. 前記反射型マスクはX線を反射する多層膜を有し、
    前記マスクパターンは該多層膜上に形成されたX線を吸収する吸収体からなることを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  13. 前記マスクチャック及び前記ウエハチャックを同期して移動させて走査露光を行うための走査手段を有することを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  14. 前記マスクチャックは、
    双極型の静電チャックであることを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  15. 前記マスクチャックに前記反射型マスクを吸着保持した際の吸着力を検出する検出機構を有することを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  16. 前記マスクチャックは、
    前記反射型マスクを重力方向と平行に保持することを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  17. 前記マスクチャックの移動に応じて、前記静電気発生手段で発生する静電気力を可変とする静電気可変手段を有することを特徴とする請求項1記載のX線投影露光装置。
  18. 前記静電気可変手段は、
    {(前記反射型マスクの質量)×(重力加速度+前記マスクチャック移動時の最大加速度)/(前記反射型マスクと前記マスクチャックの間の最大静止摩擦係数)}×(安全率)<前記マスクチャックの吸着力
    の関係を満たすように制御することを特徴とする請求項17記載のX線投影露光装置。
  19. 請求項1乃至18のいずれか1項に記載のX線投影露光装置を用いてウエハを露光し、該露光されたウエハを現像することを特徴とするデバイスの製造方法。
JP3386997A 1996-03-12 1997-02-18 X線投影露光装置及びデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP3814359B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3386997A JP3814359B2 (ja) 1996-03-12 1997-02-18 X線投影露光装置及びデバイス製造方法
US08/813,349 US6084938A (en) 1996-03-12 1997-03-07 X-ray projection exposure apparatus and a device manufacturing method
US09/342,897 US6310934B1 (en) 1996-03-12 1999-06-29 X-ray projection exposure apparatus and a device manufacturing method
US09/948,041 US6668037B2 (en) 1996-03-12 2001-09-07 X-ray projection exposure apparatus and a device manufacturing method
US10/092,280 US6584168B2 (en) 1996-03-12 2002-03-07 X-ray projection exposure apparatus and a device manufacturing method
US10/679,278 US6836531B2 (en) 1996-03-12 2003-10-07 X-ray projection exposure apparatus and a device manufacturing method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8-54636 1996-03-12
JP5463696 1996-03-12
JP3386997A JP3814359B2 (ja) 1996-03-12 1997-02-18 X線投影露光装置及びデバイス製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005234194A Division JP3985003B2 (ja) 1996-03-12 2005-08-12 X線投影露光装置及びデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH09306834A JPH09306834A (ja) 1997-11-28
JPH09306834A5 true JPH09306834A5 (ja) 2005-06-16
JP3814359B2 JP3814359B2 (ja) 2006-08-30

Family

ID=26372650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3386997A Expired - Fee Related JP3814359B2 (ja) 1996-03-12 1997-02-18 X線投影露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (5) US6084938A (ja)
JP (1) JP3814359B2 (ja)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3814359B2 (ja) * 1996-03-12 2006-08-30 キヤノン株式会社 X線投影露光装置及びデバイス製造方法
JPH11307430A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法ならびに駆動装置
EP1139176B1 (en) * 2000-03-24 2006-05-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and mask table
US6556281B1 (en) * 2000-05-23 2003-04-29 Asml Us, Inc. Flexible piezoelectric chuck and method of using the same
JP2002299228A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Nikon Corp レチクル、それを用いた露光装置及び露光方法
DE60217587D1 (de) * 2001-07-26 2007-03-08 Canon Kk Substrathalter und ein Belichtungsapparat
US6798494B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-28 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
US6859263B2 (en) * 2001-08-30 2005-02-22 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
JP2003110012A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Nissin Electric Co Ltd 基板保持方法およびその装置
US6927887B2 (en) 2001-10-16 2005-08-09 Euv Llc Holographic illuminator for synchrotron-based projection lithography systems
SE524370C2 (sv) * 2002-05-10 2004-08-03 Tetra Laval Holdings & Finance Förpackningslaminat, bigvals, samt ett skikt för användning till ett förpackningslaminat
EP1391786B1 (en) * 2002-08-23 2010-10-06 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7092231B2 (en) * 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2004273926A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Canon Inc 露光装置
JP4307130B2 (ja) 2003-04-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005033179A (ja) 2003-06-18 2005-02-03 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP4565915B2 (ja) * 2003-07-23 2010-10-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置及び物品保持器
JP4464097B2 (ja) * 2003-09-29 2010-05-19 キヤノン株式会社 配線構造および露光装置
DE602004032100D1 (de) * 2003-11-05 2011-05-19 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Vorrichtungs-Halteverfahren
DE602004008009T2 (de) * 2003-11-05 2008-04-30 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
US7245357B2 (en) * 2003-12-15 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7489388B2 (en) * 2003-12-22 2009-02-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8749762B2 (en) 2004-05-11 2014-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
GB2414858A (en) * 2004-06-03 2005-12-07 Nanobeam Ltd A workpiece or specimen support assembly for a charged particle beam system
US20050275841A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Asml Netherlands B.V. Alignment marker and lithographic apparatus and device manufacturing method using the same
WO2006033442A1 (ja) * 2004-09-22 2006-03-30 Nikon Corporation 反射型マスク、反射型マスクの製造方法及び露光装置
EP1839091A1 (en) * 2004-12-23 2007-10-03 ASML Netherlands B.V. Support structure and lithographic apparatus
KR100722932B1 (ko) 2005-09-26 2007-05-30 삼성전자주식회사 온도 감지 장치를 구비하는 정전척 및 이를 구비하는 노광장비 및 포토마스크 표면의 온도를 감지하는 방법
US8325321B2 (en) * 2006-07-28 2012-12-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of heat dissipation and frame
US20080073596A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
NL1036544A1 (nl) 2008-02-21 2009-08-24 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus having a chuck with a visco-elastic damping layer.
US8194384B2 (en) * 2008-07-23 2012-06-05 Tokyo Electron Limited High temperature electrostatic chuck and method of using
NL2003528A (en) * 2008-10-23 2010-04-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5197505B2 (ja) * 2009-06-19 2013-05-15 東京エレクトロン株式会社 ウエハチャック用の温度センサ
JP6122856B2 (ja) 2011-10-06 2017-04-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. チャック、リソグラフィ装置及びチャックを使用する方法
JP5883515B2 (ja) * 2012-02-06 2016-03-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 対象物を保持するための支持構造を備えるリソグラフィ装置及びそれに用いられる支持構造
US9715175B2 (en) 2012-06-15 2017-07-25 Nikon Corporation Mask protection device, exposure apparatus, and method for manufacturing device
JP6526575B2 (ja) * 2013-02-07 2019-06-05 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. リソグラフィ装置及び方法
JP6303346B2 (ja) * 2013-09-09 2018-04-04 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
US10644239B2 (en) 2014-11-17 2020-05-05 Emagin Corporation High precision, high resolution collimating shadow mask and method for fabricating a micro-display
US10248024B2 (en) * 2015-10-08 2019-04-02 Univ Paris Xiii Paris-Nord Villetaneuse Method for making a micro- or nano-scale patterned layer of material by photolithography
TWI721170B (zh) * 2016-05-24 2021-03-11 美商伊麥傑公司 蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
KR102584518B1 (ko) * 2018-07-04 2023-10-05 삼성디스플레이 주식회사 정전척 유닛 및 그것을 이용한 박막 증착 장치
US10663871B2 (en) * 2018-07-30 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reticle stage and method for using the same
CN112969972B (zh) * 2018-11-09 2024-08-02 Asml控股股份有限公司 用于掩模版位置和力的实时检测的传感器阵列
US12174544B2 (en) 2019-05-22 2024-12-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Photoresist-free deposition and patterning with vacuum ultraviolet lamps
KR20230174365A (ko) * 2022-06-20 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR20250068556A (ko) * 2022-09-13 2025-05-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 리소그래피에 사용하기 위한 패터닝 디바이스 전압 바이어싱 시스템
WO2026077668A1 (en) * 2024-10-09 2026-04-16 Asml Netherlands B.V. Reticle clamp, exposure apparatus including reticle clamp, and method

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0252734B1 (en) * 1986-07-11 2000-05-03 Canon Kabushiki Kaisha X-ray reduction projection exposure system of reflection type
DE3856054T2 (de) * 1987-02-18 1998-03-19 Canon K.K., Tokio/Tokyo Reflexionsmaske
JPH01284793A (ja) * 1988-05-11 1989-11-16 Canon Inc 基板支持装置
JP2748127B2 (ja) * 1988-09-02 1998-05-06 キヤノン株式会社 ウエハ保持方法
EP0357423B1 (en) * 1988-09-02 1995-03-15 Canon Kabushiki Kaisha An exposure apparatus
JP2770960B2 (ja) * 1988-10-06 1998-07-02 キヤノン株式会社 Sor−x線露光装置
US5003567A (en) * 1989-02-09 1991-03-26 Hawryluk Andrew M Soft x-ray reduction camera for submicron lithography
JP2731950B2 (ja) * 1989-07-13 1998-03-25 キヤノン株式会社 露光方法
JP2958913B2 (ja) * 1990-05-21 1999-10-06 キヤノン株式会社 X線露光装置
JP2928603B2 (ja) * 1990-07-30 1999-08-03 キヤノン株式会社 X線露光装置用ウエハ冷却装置
DE69118315T2 (de) * 1990-11-01 1996-08-14 Canon Kk Waferhaltebefestigung für Belichtungsgerät
JP3207871B2 (ja) * 1991-07-09 2001-09-10 キヤノン株式会社 ウエハ支持装置
US5222112A (en) * 1990-12-27 1993-06-22 Hitachi, Ltd. X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system
DE69220868T2 (de) * 1991-09-07 1997-11-06 Canon K.K., Tokio/Tokyo System zur Stabilisierung der Formen von optischen Elementen, Belichtungsvorrichtung unter Verwendung dieses Systems und Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
JP3224157B2 (ja) * 1992-03-31 2001-10-29 キヤノン株式会社 X線マスクとその製造方法、並びに該x線マスクを用いたデバイス製造方法とx線露光装置
JP3173928B2 (ja) 1992-09-25 2001-06-04 キヤノン株式会社 基板保持装置、基板保持方法および露光装置
US5608773A (en) * 1993-11-30 1997-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Mask holding device, and an exposure apparatus and a device manufacturing method using the device
JP3244894B2 (ja) * 1993-11-30 2002-01-07 キヤノン株式会社 マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法
US5593800A (en) * 1994-01-06 1997-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus
EP0677787B1 (en) 1994-03-15 1998-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Mask and mask supporting mechanism
US6038279A (en) 1995-10-16 2000-03-14 Canon Kabushiki Kaisha X-ray generating device, and exposure apparatus and semiconductor device production method using the X-ray generating device
JP3243168B2 (ja) 1996-02-06 2002-01-07 キヤノン株式会社 原版保持装置およびこれを用いた露光装置
US5854819A (en) 1996-02-07 1998-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same
JP3416373B2 (ja) 1996-02-20 2003-06-16 キヤノン株式会社 反射型x線マスク構造体、x線露光装置、x線露光方法ならびに該反射型x線マスク構造体を用いて作製されるデバイス
JP3814359B2 (ja) 1996-03-12 2006-08-30 キヤノン株式会社 X線投影露光装置及びデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09306834A5 (ja)
JP3814359B2 (ja) X線投影露光装置及びデバイス製造方法
US7187432B2 (en) Holding system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP3065165B1 (en) Substrate-holding apparatus and exposure apparatus
US7212274B2 (en) Cooling system, exposure apparatus having the same, and device manufacturing method
JP5667568B2 (ja) 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3983471B2 (ja) リトグラフ投影装置
TW509823B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7191599B2 (en) Cooling apparatus and method, and exposure apparatus having the cooling apparatus
US8467034B2 (en) Light shielding unit, variable slit apparatus, and exposure apparatus
JP2001244177A (ja) ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置
WO1999063585A1 (en) Scanning aligner, method of manufacture thereof, and method of manufacturing device
JPH0992613A (ja) 温調装置及び走査型露光装置
CN101105640A (zh) 光刻设备和器件制造方法
JP2000036449A (ja) 露光装置
JP5348627B2 (ja) 移動体装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP4366098B2 (ja) 投影露光装置および方法ならびにデバイス製造方法
TWI281701B (en) A device of exposure
JP5428375B2 (ja) 保持装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2004163366A (ja) 計測方法、基板保持方法、基板保持装置及び露光装置
JP2014154698A (ja) 光学装置、照明装置、露光装置、デバイス製造方法、及び光学素子の保持方法
JP2001201846A (ja) 枠部材、マスクと露光装置
JP3526162B2 (ja) 基板保持装置および露光装置
JP3985003B2 (ja) X線投影露光装置及びデバイス製造方法
JP2013143560A (ja) 露光装置