JPH09310024A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 - Google Patents

硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Info

Publication number
JPH09310024A
JPH09310024A JP14986396A JP14986396A JPH09310024A JP H09310024 A JPH09310024 A JP H09310024A JP 14986396 A JP14986396 A JP 14986396A JP 14986396 A JP14986396 A JP 14986396A JP H09310024 A JPH09310024 A JP H09310024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
bonded
component
weight
viscosity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP14986396A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3691587B2 (ja
Inventor
Kimio Yamakawa
君男 山川
Minoru Isshiki
実 一色
Katsutoshi Mine
勝利 峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DuPont Toray Specialty Materials KK
Original Assignee
Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Toray Silicone Co Ltd filed Critical Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
Priority to JP14986396A priority Critical patent/JP3691587B2/ja
Publication of JPH09310024A publication Critical patent/JPH09310024A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3691587B2 publication Critical patent/JP3691587B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 硬化途上、接着性を付与するために含有する
低粘度液状オルガノポリシロキサンの滲み出しが抑制さ
れた硬化性オルガノポリシロキサン組成物、およびこの
組成物の硬化物により半導体素子を被覆した半導体装
置。 【解決手段】 (A)(a)アルケニル基を2個有する液状
オルガノポリシロキサン100重量部に対して0.1〜
20重量部となる量の(b)アルケニル基とアルコキシ基
を1個ずつ有する低粘度液状オルガノポリシロキサン、
および(A)成分を硬化させない量の(c)水素原子を2個
有する液状オルガノポリシロキサンを(d)ヒドロシレー
ション反応用金属系触媒の存在下でヒドロシレーション
反応により増粘させてなるアルケニル基を2個有し、ア
ルコキシ基を1個有する液状オルガノポリシロキサン、
および本組成物を硬化させるのに十分な量の(B)水素原
子を2個有する液状オルガノポリシロキサンからなる組
成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物および半導体装置に関し、詳しく
は、硬化途上、接着性を付与するために含有する低粘度
液状オルガノポリシロキサンの滲み出しが抑制された硬
化性オルガノポリシロキサン組成物、およびこの組成物
の硬化物により半導体素子を被覆してなる、信頼性が優
れた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ケイ素原子に結合したアルケニル基を一
分中に少なくとも2個有する液状オルガノポリシロキサ
ン、ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少なく
とも2個有する液状オルガノポリシロキサン、およびヒ
ドロシレーション反応用金属系触媒からなる硬化性オル
ガノポリシロキサン組成物は、硬化して、電気絶縁性に
優れた硬化物を形成するため、電気・電子用の接着剤、
ポッテイング剤、保護コーティング剤として使用されて
おり、特に、半導体素子の保護コーティング剤として使
用されている。一般に、この硬化物の接着性を向上させ
るための成分として、この硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物には、ケイ素原子に結合したアルコキシ基およ
びケイ素原子に結合したアルケニル基を一分子中に少な
くとも1個ずつ有する低粘度液状オルガノポリシロキサ
ンが用いられている。
【0003】しかし、このような硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物は、硬化途上、この低粘度液状オルガノ
ポリシロキサンが滲み出して、この硬化物の周囲が汚染
されるという問題があった。このため、このような硬化
性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導体
素子を被覆した場合には、半導体素子のボンディングワ
イヤとの接合性を低下させたりして、得られる半導体装
置の信頼性が乏しくなるという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、硬化途上、接着性を付与する
ために含有する低粘度液状オルガノポリシロキサンの滲
み出しが抑制された硬化性オルガノポリシロキサン組成
物、およびこの組成物の硬化物により半導体素子を被覆
してなる、信頼性が優れた半導体装置を提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物は、(A)(a)ケイ素原子に結合し
たアルケニル基を一分子中に少なくとも2個有する液状
オルガノポリシロキサン、(a)成分100重量部に対し
て0.1〜20重量部となる量の(b)ケイ素原子に結合
したアルケニル基とケイ素原子に結合したアルコキシ基
を一分子中に少なくとも1個ずつ有する低粘度液状オル
ガノポリシロキサン、および(A)成分を硬化させない量
の(c)ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少な
くとも2個有する液状オルガノポリシロキサンを、本組
成物において、触媒中の金属原子が重量単位で0.01
〜1,000ppmとなる量の(d)ヒドロシレーション
反応用金属系触媒の存在下でヒドロシレーション反応に
より増粘させてなる、ケイ素原子に結合したアルケニル
基を一分子中に少なくとも2個有し、ケイ素原子に結合
したアルコキシ基を一分子中に少なくとも1個有する液
状オルガノポリシロキサン、および本組成物を硬化させ
るのに十分な量の(B)ケイ素原子に結合した水素原子を
一分子中に少なくとも2個有する液状オルガノポリシロ
キサンからなることを特徴とする。また、本発明の半導
体装置は、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物の
硬化物により半導体素子を被覆してなることを特徴とす
る。
【0006】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。(A)成分の
液状オルガノポリシロキサンは本組成物の主成分であ
り、ケイ素原子に結合したアルケニル基を一分子中に少
なくとも2個有し、ケイ素原子に結合したアルコキシ基
を一分子中に少なくとも1個有することを特徴とする。
このような(A)成分は、(a)ケイ素原子に結合したアル
ケニル基を一分子中に少なくとも2個有する液状オルガ
ノポリシロキサン、(b)ケイ素原子に結合したアルケニ
ル基とケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に
少なくとも1個ずつ有する低粘度液状オルガノポリシロ
キサン、および(c)ケイ素原子に結合した水素原子を一
分子中に少なくとも2個有する液状オルガノポリシロキ
サンを、(d)ヒドロシレーション反応用金属系触媒の存
在下でヒドロシレーション反応により増粘させて調製さ
れる。
【0007】(a)成分の液状オルガノポリシロキサン
は、(A)成分を調製するための主原料であり、ケイ素原
子に結合したアルケニル基を一分子中に少なくとも2個
有することを特徴とする。この(a)成分の分子構造とし
ては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、網
状が例示され、特に、直鎖状であることが好ましい。
(a)成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが
好ましい。このアルケニル基の結合位置としては、分子
鎖末端および/または分子鎖側鎖が例示される。また、
(a)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合した
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,
3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示さ
れ、特に、メチル基、フェニル基であることが好まし
い。(a)成分の25℃における粘度としては、100〜
1,000,000センチポイズの範囲内であることが
好ましい。
【0008】(b)成分の低粘度液状オルガノポリシロキ
サンは、本組成物に接着性を付与するための成分であ
り、ケイ素原子に結合したアルケニル基とケイ素原子に
結合したアルコキシ基を一分子中に少なくとも1個ずつ
有することを特徴とする。(b)成分の分子構造として
は、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状で
あることが好ましい。(b)成分中のケイ素原子に結合し
たアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニ
ル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、
ビニル基であることが好ましい。(b)成分中のケイ素原
子に結合したアルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ
基が例示され、特に、メトキシ基であることが好まし
い。(b)成分中のアルケニル基およびアルコキシ基以外
のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キ
シリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フ
ェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−ク
ロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基
等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一
価炭化水素基;3−グリシドキシプロピル基、4−グリ
シドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;2−
(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−
(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等の
(3,4−エポキシシクロヘキシル)アルキル基;4−
オキシラニルブチル基、8−オキシラニルオクチル基等
のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機
基が例示され、各種の基材に対しても良好な接着性を付
与することができることから、一分子中の少なくとも1
個はこのエポキシ基含有一価有機基であることが好まし
い。(b)成分は低粘度液状であり、この25℃における
粘度としては、1〜500センチポイズの範囲内である
ことが好ましい。
【0009】(b)成分の中でも、ケイ素原子に結合した
アルケニル基とケイ素原子に結合したアルコキシ基とケ
イ素原子に結合したエポキシ基含有一価有機基を一分子
中に少なくとも1個ずつ有する低粘度液状オルガノポリ
シロキサンとしては、平均単位式: (R1SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c(R
31/2)d で表される低粘度液状オルガノポリシロキサンが例示さ
れる。上式中のR1はエポキシ基含有一価有機基であ
り、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブ
チル基等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポ
キシシクロヘキシル)プロピル基等の(3,4−エポキ
シシクロヘキシル)アルキル基;4−オキシラニルブチ
ル基、8−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルア
ルキル基が例示され、特に、グリシドキシアルキル基で
あることが好ましく、さらには、3−グリシドキシプロ
ピル基であることが好ましい。また、上式中のR2は置
換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアル
ケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のア
ラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、
3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化ア
ルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例
示され、(b)成分中の少なくとも1個はアルケニル基で
あることが必要である。また、上式中のR3はアルキル
基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、メトキシエチル基が例示され、特に、メチル基、エ
チル基であることが好ましい。また、上式中のaは正数
であり、bは正数であり、cは0または正数であり、d
は正数である。
【0010】(b)成分は、(a)成分100重量部に対し
て0.1〜20重量部となる量であることが必要であ
り、特に、これが0.1〜10重量部となる量であるこ
とが好ましい。これは、(a)成分100重量部に対し
て、(b)成分が0.1重量部未満となる量であると、得
られる硬化物の接着性が乏しくなるためであり、また、
これが20重量部をこえる量であると、得られる硬化性
オルガノポリシロキサン組成物の保存安定性が乏しくな
るためである。
【0011】(c)成分の液状オルガノポリシロキサン
は、(a)成分と(b)成分を化学的に結合するための成分
であり、ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少
なくとも2個有することを特徴とする。(c)成分の分子
構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝
鎖状、環状、網状が挙げられ、特に、直鎖状であること
が好ましい。また、(c)成分中のケイ素原子に結合した
水素原子の結合位置としては、分子鎖末端および/また
は分子鎖側鎖が例示され、特に、分子鎖両末端であるこ
とが好ましい。(c)成分中の水素原子以外のケイ素原子
に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等
のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等
のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル
基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン
化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基
が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが
好ましい。(c)成分の25℃における粘度としては、1
〜100,000センチポイズの範囲内であることが好
ましい。
【0012】(c)成分は、(A)成分を硬化させない量用
いることが必要であり、具体的には、(a)成分と(b)成
分中のケイ素原子に結合したアルケニル基の合計1モル
に対して、(c)成分中のケイ素原子に結合した水素原子
が0.01〜0.95モルとなる範囲内の量であること
が好ましい。これは、(a)成分と(b)成分中のケイ素原
子に結合したアルケニル基の合計1モルに対して、(c)
成分中のケイ素原子に結合した水素原子が0.01モル
未満であると、(a)成分と(b)成分を化学的に十分に結
合させることができずに、本発明の目的を達成できない
ためであり、また、これが0.95モルをこえると、ヒ
ドロシリレーション反応により(A)成分が硬化したり、
使用できない程度の高粘度となるためである。
【0013】(d)成分のヒドロシレーション反応用金属
系触媒は、(a)成分と(b)成分中のケイ素原子に結合し
たアルケニル基に(c)成分中のケイ素原子に結合した水
素原子をヒドロシレーション反応するための触媒であ
り、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が
例示され、特に、白金系触媒であることが好ましい。こ
の白金系触媒としては、白金微粉末、白金黒、白金担持
シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金
酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のア
ルケニルシロキサン錯体等の白金系化合物が例示され
る。
【0014】(d)成分は、本組成物において、この触媒
中の金属原子が重量単位で0.01〜1,000ppm
となる範囲内の量であることが必要である。これは、
(d)成分の添加量が、本組成物において、この触媒中の
金属原子が重量単位で0.01ppmとなる量である
と、ヒドロシリレーション反応が十分に進行しないため
に、ヒドロシレーション反応により(A)成分を増粘させ
ることができないためであり、さらには、本組成物をヒ
ドロシレーション反応により硬化させることができなく
なるためであり、また、これが1,000ppmをこえ
てもヒドロシレーション反応が著しく促進されるもので
はなく、むしろ不経済となるからである。この(d)成分
の一部により、(A)成分をヒドロシレーション反応によ
り増粘させた後、さらに残りの(d)成分を追加すること
もできる。
【0015】(a)成分〜(d)成分を均一に混合して行う
ヒドロシレーション反応は、室温もしくは加熱により進
行するが、加熱下で行うことにより、このヒドロシレー
ション反応を迅速に行うことができる。この加熱温度と
しては、50〜200℃の範囲内であることが好まし
く、特に、80〜180℃の範囲内であることが好まし
い。このヒドロシレーション反応においては、(a)成分
〜(d)成分を均一に混合しておれば、特に攪拌は必要で
はないが、加熱攪拌下で行うこともまた好ましい。(a)
成分〜(d)成分を均一に混合してヒドロシレーション反
応を行う際、その他の成分として、沈降シリカ、ヒュー
ムドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、アルミナ、ガラ
ス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カ
ルシウム、カーボンブラック等の充填剤;これらの充填
剤をアルガノハロシラン、アルガノアルコキシシラン、
オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物で処理した充填
剤;シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末;
銀、銅等の導電性粉末;その他、染料、顔料、難燃材、
溶剤等を配合することができる。また、このヒドロシレ
ーション反応の速度を調節するために、3−メチル−1
−ブチン−3−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシ
ン−3−オール、フェニルブチノール等のアルキンアル
コール;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3,5
−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合
物;1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−
テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7
−テトラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシ
クロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の付加反
応抑制剤を配合することができる。この付加反応抑制剤
の配合量は、(A)成分100重量部に対して0.000
1〜5重量部であることが好ましい。
【0016】(B)成分の液状オルガノポリシロキサンは
本組成物の硬化剤であり、一分子中にケイ素原子に結合
した水素原子を少なくとも2個有することを特徴とす
る。(B)成分の分子構造しては、直鎖状、一部分枝を有
する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、
直鎖状であることが好ましい。(B)成分中のケイ素原子
に結合した水素原子の結合位置としては、分子鎖末端お
よび/または分子鎖側鎖が例示される。(B)成分中の水
素原子以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基等のアルキル基;フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベン
ジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル
基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロ
プロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは
非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、
フェニル基であることが好ましい。(B)成分の25℃に
おける粘度としては、1〜100,000センチポイズ
の範囲内であることが好ましい。この(B)成分は、(A)
成分を調製するための原料として用いた(c)成分と同じ
であってもよく、また、異なっていても良い。
【0017】(B)成分は、本組成物を硬化するために十
分な量用いることが必要であり、具体的には、(A)成分
中のケイ素原子に結合したアルケニル基1モルに対し
て、(B)成分中のケイ素原子に結合した水素原子が0.
5〜10モルとなる範囲内の量であることが好ましい。
これは、(A)成分中のケイ素原子に結合したアルケニル
基1モルに対して、(B)成分中のケイ素原子に結合した
水素原子が0.5モル未満となる量であると、十分に硬
化しないためであり、また、これが10モルをこえる量
であると、硬化途上で発泡したり、得られる硬化物の物
理的特性が低下するためである。
【0018】本組成物は(A)成分および(B)成分を均一
に混合することにより調製されるが、これを調製する際
に、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分
として、前記の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤、付
加反応抑制剤等を配合することができる。付加反応抑制
剤を配合する場合には、これを(A)成分と予め均一に混
合した後、これに(B)成分を混合することが好ましい。
また、(A)成分と(B)成分を混合する際に、前記(d)成
分の一部を配合してもよい。
【0019】本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組
成物は、硬化途上、接着性を付与するために含有する低
粘度液状オルガノポリシロキサンの滲み出しが抑制さ
れ、硬化して接着性が優れた硬化物を形成することがで
きるので、電気・電子用の接着剤、ポッテイング剤、保
護コーティング剤として使用することができ、特に、半
導体素子の保護コーティング剤として使用することがで
きる。
【0020】続いて、本発明の半導体装置について詳細
に説明する。本発明の半導体装置は、上記の硬化性オル
ガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導体素子を
被覆してなることを特徴とする。この半導体素子として
は、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシ
ックIC、さらにはハイブリッドIC中の半導体素子が
例示される。また、このような半導体装置としては、ダ
イオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックI
C、ハイブリッドIC、LSI、VLSIが例示され
る。
【0021】本発明の半導体装置の一例であるハイブリ
ッドIC(断面図)を図1に示した。図1の半導体装置
は、半導体素子1が回路基板2上に搭載されており、こ
の半導体素子1と外部リードに接続した回路配線3とが
ボンディングワイヤ4により電気的に接続されてなる。
また、この半導体素子1の表面には硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物の硬化物5が、この半導体素子1を被
覆するように形成されており、さらに、この硬化物5に
より被覆された半導体素子1が封止樹脂6により樹脂封
止されてなる。この回路基板2の材質としては、ガラス
繊維強化エポキシ樹脂、ベークライト樹脂、フェノール
樹脂等の有機樹脂;アルミナ等のセラミックス;銅、ア
ルミニウム等の金属が例示される。また、回路配線3の
材質としては、銅、銀−パラジウムが例示される。ま
た、ボンディングワイヤ4の材質としては、金、銅、ア
ルミニウムが例示される。この回路基板2には半導体素
子1の他に、抵抗、コンデンサー、コイル等の電子部品
が搭載されていてもよい。また、封止樹脂6の材質とし
ては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレン
サルファイド樹脂が例示される。
【0022】本発明の半導体装置を製造する方法として
は、半導体素子1を回路基板2上に搭載し、次いで、こ
の半導体素子1と回路配線3とをボンディングワイヤ4
により電気的に接続した後、この半導体素子1の表面に
上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を塗布す
る。この半導体素子1上の硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物を硬化させる方法としては、これを室温で放置
するか、もしくは50〜200℃に加熱する方法が例示
される。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を硬
化した後は、この硬化物5により被覆された半導体素子
1を必要により、封止樹脂6により樹脂封止することが
できる。
【0023】
【実施例】本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成
物および半導体装置を実施例により詳細に説明する。な
お、実施例中の粘度は25℃において測定した値であ
る。また、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化
途上における低粘度液状オルガノポリシロキサンの滲み
出し、半導体装置の信頼性は次のようにして評価した。
【0024】[低粘度液状オルガノポリシロキサンの滲
み出しの評価方法]低粘度液状オルガノポリシロキサン
の滲み出しの評価を図2に示した方法で行った。すなわ
ち、硬化性オルガノポリシロキサン組成物をスクリーン
印刷法によガラス繊維強化エポキシ板A(5cm×5c
m)上に、1cm×1cm×1mmとなるように塗布し
て10個の試験体を作成した。この試験体の5個は、硬
化性オルガノポリシロキサン組成物を塗布した直後に1
50℃の熱風循環式オーブンにより2時間加熱して、こ
の組成物を硬化させた。また、残りの試験体は、硬化性
オルガノポリシロキサン組成物を塗布した後、25℃で
6時間静置した後、150℃の熱風循環式オーブンによ
り2時間加熱して、この組成物を硬化させた。そして、
これらのエポキシ板A上の硬化物Bから滲み出した低粘
度液状オルガノポリシロキサンCの長さの平均(a+b
+c+d)/4を求め、これらの試験体5個の平均値に
よりそれぞれ比較した。
【0025】[半導体装置の信頼性の評価方法]図1で
示した半導体装置を作成した。この半導体装置は、半導
体素子1を、表面に印刷により形成された回路配線3お
よび端部に外部リードを有するガラス繊維強化エポキシ
樹脂製の回路基板2上に搭載した後、この半導体素子1
の表面に硬化性オルガノポリシロキサン組成物をスクリ
ーン印刷法により塗布して、40個の半導体装置を作成
した。この半導体装置の20個は、硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物を塗布した直後に150℃の熱風循環
式オーブンにより2時間加熱して、この組成物を硬化さ
せた。また、残り半導体装置は25℃で6時間放置した
後、150℃の熱風循環式オーブンにより2時間加熱し
て、この組成物を硬化させた。次に、これらの半導体装
置の半導体素子1と回路配線3とをボンディングワイヤ
4により電気的に接続した。その後、この半導体装置を
硬化性液状エポキシ樹脂で樹脂封止した。このエポキシ
樹脂の硬化は、80℃の熱風循環式オーブンにより1時
間加熱した後、150℃の熱風循環式オーブンにより2
時間加熱することにより行った。このようにして作成し
た半導体装置を85℃、相対湿度85%の条件下で10
00時間放置した後、外部リード間の電気導通試験を行
い、導通不良の半導体装置の数(不良率)を求めた。
【0026】[実施例1](a)成分として、粘度が1
0,000センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原
子に結合したビニル基の含有量=0.12重量%)64
重量部と粘度が6,000センチポイズである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルビニルシロキサン共重合体(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=0.84重量%)15重量部、
(b)成分として、粘度が20センチポイズである、平均
単位式:
【化1】 で表されるオルガノポリシロキサン(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=16重量%)1重量部、(c)成
分として、粘度が15センチポイズである分子鎖両末端
ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシ
ロキサン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=
0.13重量%)2重量部、(d)成分として、白金の
1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン錯体(本組成物において、この錯体中の白金金
属が重量単位で5ppmとなる量)、任意の成分とし
て、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎水性処理さ
れた、比表面積が200m2/gであるヒュームドシリ
カ16重量部を均一に混合して、粘度4,100ポイズ
の混合物を調製して、次いで、この混合物を150℃で
30分間加熱してヒドロシレーション反応を行って、粘
度が8,300ポイズであるグリース状オルガノポリシ
ロキサンを調製した。
【0027】次に、この液状オルガノポリシロキサン1
00重量部に、付加反応抑制剤として、3−フェニル−
1−ブチン−3−オール0.01重量部を均一に混合し
た後、粘度が20センチポイズである分子鎖両末端トリ
メチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキ
サン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=1.6
重量%)2重量部を均一に混合して硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物を調製した。この硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物の硬化物からの低粘度液状オルガノポ
リシロキサンの滲み出し、および半導体装置の信頼性を
上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に
示した。
【0028】[比較例1](a)成分として、粘度が1
0,000センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原
子に結合したビニル基の含有量=0.12重量%)64
重量部と粘度が6,000センチポイズである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルビニルシロキサン共重合体(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=0.84重量%)15重量部、
(c)成分として、粘度が15センチポイズである分子鎖
両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチル
ポリシロキサン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有
量=0.13重量%)2重量部、(d)成分として、白金
の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジ
シロキサン錯体(本組成物において、この錯体中の白金
金属が重量単位で5ppmとなる量)、任意の成分とし
て、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎水性処理さ
れた、比表面積200m2/gのヒュームドシリカ16
重量部を均一に混合して、粘度1,700ポイズの混合
物を調製して、次いで、この混合物を150℃で30分
間加熱してヒドロシレーション反応を行って、粘度が
4,000ポイズである液状オルガノポリシロキサンを
調製した。
【0029】次に、この液状オルガノポリシロキサン1
00重量部に、粘度が20センチポイズである、平均単
位式:
【化2】 で表されるオルガノポリシロキサン(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=16重量%)1重量部、付加反
応抑制剤として、3−フェニル−1−ブチン−3−オー
ル0.01重量部を均一に混合した後、粘度が20セン
チポイズである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
メチルハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子に結
合した水素原子の含有量=1.6重量%)2重量部を均
一に混合して硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調
製した。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬
化物からの低粘度液状オルガノポリシロキサンの滲み出
し、および半導体装置の信頼性を上記の方法により評価
した。これらの評価結果を表1に示した。
【0030】[比較例2](a)成分として、粘度が1
0,000センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原
子に結合したビニル基の含有量=0.12重量%)64
重量部と粘度が6,000センチポイズである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルビニルシロキサン共重合体(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=0.84重量%)15重量部、
(b)成分として、粘度が20センチポイズである、平均
単位式:
【化3】 で表されるオルガノポリシロキサン(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=16重量%)1重量部、(d)成
分として、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物において、こ
の錯体中の白金金属が重量単位で5ppmとなる量)、
任意の成分として、ヘキサメチルジシラザンにより表面
が疎水性処理された、比表面積が200m2/gである
ヒュームドシリカ16重量部を均一に混合して、粘度
4,600ポイズの混合物を調製して、次いで、この混
合物を150℃で30分間加熱したが、増粘せず、ヒド
ロシレーション反応は進行しなかった。
【0031】次に、この混合物100重量部に、付加反
応抑制剤として、3−フェニル−1−ブチン−3−オー
ル0.01重量部を均一に混合した後、粘度が20セン
チポイズである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
メチルハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子に結
合した水素原子の含有量=1.6重量%)2重量部を均
一に混合して硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調
製した。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬
化物からの低粘度液状オルガノポリシロキサンの滲み出
し、および半導体装置の信頼性を上記の方法により評価
した。これらの評価結果を表1に示した。
【0032】[実施例2](a)成分として、粘度が1
0,000センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原
子に結合したビニル基の含有量=0.12重量%)64
重量部と粘度が6,000センチポイズである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルビニルシロキサン共重合体(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=0.84重量%)15重量部、
(b)成分として、粘度が20センチポイズである、平均
単位式:
【化4】 で表されるオルガノポリシロキサン(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=8重量%)2重量部、(c)成分
として、粘度が15センチポイズである分子鎖両末端ジ
メチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=0.
13重量%)2重量部、(d)成分として、白金の1,3
−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン錯体(本組成物において、この錯体中の白金金属が重
量単位で5ppmとなる量)、任意の成分として、ヘキ
サメチルジシラザンにより表面が疎水性処理された、比
表面積が200m2/gであるヒュームドシリカ16重
量部を均一に混合して、粘度4,000ポイズの混合物
を調製した。次いで、この混合物を150℃で30分間
加熱したところヒドロシレーション反応が進行して、粘
度が9,300ポイズであるグリース状オルガノポリシ
ロキサンを調製した。
【0033】次に、この液状オルガノポリシロキサン1
00重量部に、付加反応抑制剤として、3−フェニル−
1−ブチン−3−オール0.01重量部を均一に混合し
た後、粘度が20センチポイズである分子鎖両末端トリ
メチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキ
サン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=1.6
重量%)2重量部を均一に混合して硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物を調製した。この硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物の硬化物からの低粘度液状オルガノポ
リシロキサンの滲み出し、および半導体装置の信頼性を
上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に
示した。
【0034】[比較例3](a)成分として、粘度が1
0,000センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原
子に結合したビニル基の含有量=0.12重量%)64
重量部と粘度が6,000センチポイズである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルビニルシロキサン共重合体(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=0.84重量%)15重量部、
(c)成分として、粘度が15センチポイズである分子鎖
両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチル
ポリシロキサン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有
量=0.13重量%)2重量部、(d)成分として、白金
の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジ
シロキサン錯体(本組成物において、この錯体中の白金
金属が重量単位で5ppmとなる量)、任意の成分とし
て、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎水性処理さ
れた、比表面積が200m2/gであるヒュームドシリ
カ16重量部を均一に混合して、粘度1,700ポイズ
の混合物を調製した。次いで、この混合物を150℃で
30分間加熱したところヒドロシレーション反応が進行
して、粘度が4,000ポイズである液状オルガノポリ
シロキサンを調製した。
【0035】次に、この液状オルガノポリシロキサン1
00重量部に、粘度が20センチポイズである、平均単
位式:
【化5】 で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量
=8重量%)2重量部、および、付加反応抑制剤とし
て、3−フェニル−1−ブチン−3−オール0.01重
量部を均一に混合した後、粘度が20センチポイズであ
る分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイド
ロジェンポリシロキサン(ケイ素原子に結合した水素原
子の含有量=1.6重量%)2重量部を均一に混合して
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。この
硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物からの低
粘度液状オルガノポリシロキサンの滲み出し、および半
導体装置の信頼性を上記の方法により評価した。これら
の評価結果を表1に示した。
【0036】[実施例3](a)成分として、粘度が1
0,000センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原
子に結合したビニル基の含有量=0.12重量%)64
重量部と粘度が6,000センチポイズである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルビニルシロキサン共重合体(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=0.84重量%)15重量部、
(b)成分として、粘度が20センチポイズである、平均
単位式:
【化6】 で表されるオルガノポリシロキサン(ケイ素原子に結合
したビニル基の含有量=16重量%)1重量部、(c)成
分として、粘度が15センチポイズである分子鎖両末端
ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシ
ロキサン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=
0.13重量%)2重量部、(d)成分として、白金の
1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン錯体(本組成物において、この錯体中の白金金
属が重量単位で5ppmとなる量)、任意の成分とし
て、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎水性処理さ
れた、比表面積が200m2/gであるヒュームドシリ
カ16重量部を均一に混合して、粘度4,000ポイズ
の混合物を調製して、次いで、この混合物を25℃で1
週間放置してヒドロシレーション反応を行って、粘度が
8,100ポイズであるグリース状オルガノポリシロキ
サンを調製した。
【0037】次に、この液状オルガノポリシロキサン1
00重量部に、付加反応抑制剤として、3−フェニル−
1−ブチン−3−オール0.01重量部を均一に混合し
た後、粘度が20センチポイズである分子鎖両末端トリ
メチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキ
サン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=1.6
重量%)2重量部を均一に混合して硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物を調製した。この硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物の硬化物からの低粘度液状オルガノポ
リシロキサンの滲み出し、および半導体装置の信頼性を
上記の方法により評価した。これらの評価結果を表1に
示した。
【0038】
【表1】
【0039】
【発明の効果】本発明の硬化性オルガノポリシロキサン
組成物は、硬化途上、接着性を付与するために含有する
低粘度液状オルガノポリシロキサンの滲み出しが抑制さ
れるという特徴があり、また、本発明の半導体装置は、
このような硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化
物により被覆されているので、優れた信頼性を有すると
いう特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドICの断面図である。
【図2】 本発明の実施例において、硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物の硬化物から滲み出た低粘度液状オ
ルガノポリシロキサンの長さを測定した試験体の上面図
および側面図である。
【符号の説明】
1 半導体素子 2 ガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路基板 3 回路配線 4 ボンディングワイヤ 5 硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物 6 エポキシ樹脂からなる封止樹脂 A ガラス繊維強化エポキシ樹脂板 B 硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物 C 硬化物から滲み出た低粘度液状オルガノポリシロキ
サン a、b、c、d 硬化物から滲み出た低粘度液状オルガ
ノポリシロキサンの長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸2番2 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)(a)ケイ素原子に結合したアルケニ
    ル基を一分子中に少なくとも2個有する液状オルガノポ
    リシロキサン、(a)成分100重量部に対して0.1〜
    20重量部となる量の(b)ケイ素原子に結合したアルケ
    ニル基とケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中
    に少なくとも1個ずつ有する低粘度液状オルガノポリシ
    ロキサン、および(A)成分を硬化させない量の(c)ケイ
    素原子に結合した水素原子を一分子中に少なくとも2個
    有する液状オルガノポリシロキサンを、本組成物におい
    て、触媒中の金属原子が重量単位で0.01〜1,00
    0ppmとなる量の(d)ヒドロシレーション反応用金属
    系触媒の存在下でヒドロシレーション反応により増粘さ
    せてなる、ケイ素原子に結合したアルケニル基を一分子
    中に少なくとも2個有し、ケイ素原子に結合したアルコ
    キシ基を一分子中に少なくとも1個有する液状オルガノ
    ポリシロキサン、および本組成物を硬化させるのに十分
    な量の(B)ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に
    少なくとも2個有する液状オルガノポリシロキサンから
    なる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  2. 【請求項2】 (b)成分が、ケイ素原子に結合したアル
    ケニル基とケイ素原子に結合したアルコキシ基とケイ素
    原子に結合したエポキシ基含有一価有機基を一分子中に
    少なくとも1個ずつ有する低粘度液状オルガノポリシロ
    キサンであることを特徴とする、請求項1記載の硬化性
    オルガノポリシロキサン組成物。
  3. 【請求項3】 (b)成分が、平均単位式: (R1SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c(R
    31/2)d {式中、R1はエポキシ基含有一価有機基であり、R2
    置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、
    (b)成分中の少なくとも1個のR2はアルケニル基であ
    り、R3はアルキル基であり、aは正数であり、bは正
    数であり、cは0または正数であり、dは正数であ
    る。}で表される低粘度液状オルガノポリシロキサンで
    あることを特徴とする、請求項2記載の硬化性オルガノ
    ポリシロキサン組成物。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれか1項に記載
    の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により
    半導体素子を被覆してなることを特徴とする半導体装
    置。
JP14986396A 1996-05-21 1996-05-21 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 Expired - Fee Related JP3691587B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14986396A JP3691587B2 (ja) 1996-05-21 1996-05-21 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14986396A JP3691587B2 (ja) 1996-05-21 1996-05-21 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09310024A true JPH09310024A (ja) 1997-12-02
JP3691587B2 JP3691587B2 (ja) 2005-09-07

Family

ID=15484307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14986396A Expired - Fee Related JP3691587B2 (ja) 1996-05-21 1996-05-21 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3691587B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004289102A (ja) * 2003-01-29 2004-10-14 Asahi Kasei Chemicals Corp 発光素子封止用熱硬化性組成物および発光ダイオード
WO2007125956A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Sekisui Chemical Co., Ltd. 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
WO2012157507A1 (ja) * 2011-05-17 2012-11-22 東亞合成株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP2014533765A (ja) * 2011-11-25 2014-12-15 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
WO2015005247A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 接着性付与剤、接着性ポリオルガノシロキサン組成物および光半導体装置
JP2015503005A (ja) * 2011-11-25 2015-01-29 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2015090897A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 東京エレクトロン株式会社 熱伝導性シリコーンシート及びその製造方法及びこれを用いたプラズマ処理装置
JP2018012809A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 熱伝導性ポリシロキサン組成物
JP2018503709A (ja) * 2014-11-21 2018-02-08 エランタス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングELANTAS GmbH 貯蔵時に安定な1液型硬化性シリコーン組成物

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004289102A (ja) * 2003-01-29 2004-10-14 Asahi Kasei Chemicals Corp 発光素子封止用熱硬化性組成物および発光ダイオード
WO2007125956A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Sekisui Chemical Co., Ltd. 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
WO2012157507A1 (ja) * 2011-05-17 2012-11-22 東亞合成株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JPWO2012157507A1 (ja) * 2011-05-17 2014-07-31 東亞合成株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP2014533765A (ja) * 2011-11-25 2014-12-15 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2015503005A (ja) * 2011-11-25 2015-01-29 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
WO2015005247A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 接着性付与剤、接着性ポリオルガノシロキサン組成物および光半導体装置
EP3020750A4 (en) * 2013-07-08 2017-01-25 Momentive Performance Materials Japan LLC Adhesiveness-imparting agent, adhesive polyorganosiloxane composition, and optical semiconductor device
JPWO2015005247A1 (ja) * 2013-07-08 2017-03-02 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 接着性付与剤、接着性ポリオルガノシロキサン組成物および光半導体装置
JP2015090897A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 東京エレクトロン株式会社 熱伝導性シリコーンシート及びその製造方法及びこれを用いたプラズマ処理装置
JP2018503709A (ja) * 2014-11-21 2018-02-08 エランタス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングELANTAS GmbH 貯蔵時に安定な1液型硬化性シリコーン組成物
JP2018012809A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 熱伝導性ポリシロキサン組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP3691587B2 (ja) 2005-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3420473B2 (ja) シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
EP0757080B1 (en) Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices
JP3482115B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物および電子部品
EP1067161B1 (en) Silicone adhesive sheet and method for manufacturing
EP4083127A1 (en) Curable organopolysiloxane composition, cured product thereof, protective agent or adhesive, and electric/electronic device
JPH09296113A (ja) 導電性シリコーンゴム組成物、半導体装置の製造方法およびその半導体装置
JP5559688B2 (ja) 樹脂組成物
KR100892853B1 (ko) 반도체 밀봉용 실리콘 조성물 및 반도체 장치
JPH1036510A (ja) 電気部品およびその製造方法
KR20080045685A (ko) 절연성 액상 다이 결합제 및 반도체 디바이스
JP3207929B2 (ja) 半導体素子被覆剤および半導体装置
KR100490186B1 (ko) 전기전도성실리콘조성물,이를사용하는반도체장치의제조방법및반도체장치
JPH0948916A (ja) 導電性シリコーンゴム組成物および半導体装置
JPH086039B2 (ja) オルガノポリシロキサン組成物及びそのゲル硬化物
JP3519779B2 (ja) 接着剤および半導体装置
EP0818511B1 (en) Curable liquid-form composition, cured product of the same, and electronic part
JP3691587B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4393817B2 (ja) 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置
JP2002265786A (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置の製造方法
JP3527369B2 (ja) 電気部品およびその製造方法
JP2003128920A (ja) 硬化性液状シリコーン組成物および半導体装置
JP3420510B2 (ja) シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
JP5086514B2 (ja) 熱伝導性硬化性液状ポリマー組成物および半導体装置
JP2020076040A (ja) 導電性充填剤の製造方法、導電性付加反応硬化型シリコーン組成物および半導体装置
JP2003115501A (ja) 架橋シリコーン系接着性シートおよび半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050516

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050614

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050616

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees