JPH09312043A - 光磁気記録媒体及びその再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生信号の立ち上がりと立ち下がりをバラン
スよく急峻にすることでジッタを低減して、より高い記
録密度での再生が可能な磁気超解像光磁気記録媒体を提
供する。 【解決手段】 少なくとも再生層、非磁性中間層、再生
補助層、切断層、記録層をこの順に積層した積層構造と
し、再生層及び再生補助層のキュリー温度を記録層のキ
ュリー温度より高く、切断層のキュリー温度を記録層の
キュリー温度より低くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光を用いて情報の記
録、再生及び消去を行う光磁気記録媒体に関し、より詳
しくは、再生光の光学的回折限界以下の大きさで記録さ
れた情報を読み取ることができる超解像再生を行う光磁
気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体のさらなる高密度化を目
的として、再生用の光の光学的回折限界以下の大きさに
記録された情報を再生することが可能な磁気超解像が提
案されている。この方法は少なくとも再生層と記録層と
を用いており、再生光の照射されているビームスポット
のうちの一定の領域をマスクとして用いることによっ
て、実質的にビームスポットが小さくなったのと同様の
効果を持つようにしたものであり、ビームスポット中で
は光の強度分布があり、またビームの進行方向に対して
後方が温度上昇が大きいことを利用している。

【０００３】この方法には大きく分けて２通りの方法が
ある。一つは温度が一定以上となっている領域で再生層
が特定の状態になるようにしてマスクとする消滅型の方
法（例えば、特開平１−１４３０４１号公報、特開平１
−１４３０４２号公報など）、他方は再生層が再生前に
は特定の状態であり、温度が一定以上となった領域で記
録層に記録された情報が再生層に転写される浮き出し型
の方法（例えば、特開平３ー９３０５８号公報など）が
ある。後者の方法では隣接トラックにおいても再生層が
特定の状態にあるために、隣接トラックとのクロストー
クは小さい。また、浮きだし型と消滅型をあわせたダブ
ルマスク型の磁気超解像（例えば、特開平 ４−２７１
０３９号公報など）も提案されている。

【０００４】磁気超解像はおもに再生層と記録層の間の
交換結合力を制御することで動作するが、そのほかに磁
性層が再生層、非磁性中間層、記録層の３層構造で、再
生時に再生磁界により室温において再生層の磁化が一様
に再生磁界と反対向きに初期化され、再生ビームにより
ある温度以上に温度が上昇すると記録層から再生層に静
磁結合により磁区が転写することによる磁気超解像も報
告されている（例えば、Japanese Journal of Applied
Physics Vol. 35 (1996) pp.410-414 など）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】光磁気記録媒体の記録
密度をあげる手法として４倍密度媒体以降採用された方
法としてマークエッジ記録がある。磁気超解像は磁区の
転写や消滅により生じるが、従来、再生信号の立ち上が
りあるいは立ち下がりのいずれか一方が他方より急峻と
なっていた。磁気超解像とマークエッジ記録を組み合わ
せる場合は緩やかなほうのエッジのジッタ（揺らぎ）が
記録密度の向上を妨げていた。ダブルマスク型の磁気超
解像とすることである程度は立ち上がりと立ち下がりの
バランスは良くなるとされているが、さらなる改良が望
まれている。本発明が解決しようとする課題は従来の磁
気超解像媒体より再生信号の立ち上がりと立ち下がりを
バランスよく急峻とすることでさらに高い記録密度を可
能とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究を重
ねた結果、静磁結合による転写と交換結合が切れること
による磁区の消滅を組み合わせることで立ち上がりと立
ち下がりの何れをも限界まで急峻とすることが可能なこ
とを見いだし、本発明を完成した。

【０００７】すなわち本発明は透明な基板上に少なくと
も再生層、非磁性中間層、再生補助層、切断層、記録層
がこの順に積層された積層構造を有し、前記再生層、再
生補助層、切断層、記録層のキュリー温度を各々Ｔ_c1、
Ｔ_c2、Ｔ_c3、Ｔ_c4としたとき、Ｔ_c3＜Ｔ_c4、Ｔ_c2＞
Ｔ_c4、Ｔ_c1＞Ｔ_c4であることを特徴とする光磁気記録媒
体であり、さらに、切断層のキュリー温度付近の所定の
温度Ｔ_s2未満では、記録層に記録された記録磁区が記録
層から再生補助層に転写されており、再生時に再生磁界
を加えることにより、再生補助層においては前記温度Ｔ
_s2以上の温度の部分で再生補助層の磁区が消滅し、再生
層においては室温で磁化が再生磁界の方向に揃うために
磁区が存在しない状態であり、室温より高く前記温度Ｔ
_s2未満の温度Ｔ_s1で、静磁的な結合により再生補助層か
ら再生層に記録磁区が転写し、前記温度Ｔ_s2で再生補助
層の磁区が消滅すると同時に再生層の磁区も消滅するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体である。また、本発明の
再生方法は、前記のようにして、記録層に記録された情
報を再生する前記光磁気記録媒体の再生方法である。

【０００８】以下に本発明を詳細に説明する。

【０００９】本発明の光磁気媒体の構造の基本例を図１
に示す。本例では、透明な基板１１上に第１誘電体層１
２、再生層１３、非磁性中間層１４、再生補助層１５、
切断層１６、記録層１７、第２誘電体層１８の順に薄膜
が積層されている。通常、第２誘電体層１８の上には紫
外線硬化樹脂などからなる保護コート１９が施されてい
る。

【００１０】本発明の光磁気記録媒体の記録再生原理に
ついて、図２で説明する。本発明の光磁気記録媒体への
記録は例えば記録方向に記録磁界２６をかけながらパル
スレーザービーム２７で記録層２５をそのキュリー温度
Ｔ_c4以上に昇温させることで行う。記録後、温度が下が
る過程で記録された記録磁区が記録層２５から再生補助
層２３に転写する。再生時には、再生補助層２３に再生
磁界３０を加えることにより、切断層２４のそのキュリ
ー温度Ｔ_c3付近の所定の温度Ｔ_s2以上の部分３２に接す
る再生補助層２３の磁区が消滅する。一方、再生層２１
においては室温では磁化が再生磁界３０の方向に揃うた
めに磁区が存在しない状態、つまり第１のマスク３３と
なり、また、室温より高くＴ_s2以下の温度Ｔ_s1で静磁的
な結合により再生補助層２３から再生層２１に磁区が転
写する。磁区の転写に伴い再生信号では非常に急峻な立
ち上がりが生じる。さらに温度Ｔ_s2以上では再生補助層
２３の磁区が消滅すると同時に再生層２１の磁区も消滅
し第２のマスク３５となる。この磁区の消滅に伴い再生
信号では非常に急峻な立ち下がりが生じる。

【００１１】なお、記録層に記録された記録磁区を保持
するためには、再生時の記録媒体の最高到達温度を記録
層のキュリー温度ｔＴ_c4未満とする必要があることはい
うまでもないが、再生層と再生補助層の静磁的結合が、
再生状態でのいかなる温度でも保たれるためには、再生
層のキュリー温度Ｔ_c1及び再生補助層のキュリー温度Ｔ
_c2はともに記録層のキュリー温度Ｔ_c4よりも高いことが
必要である（Ｔ_c1＞Ｔ_c4、Ｔ_c2＞Ｔ_c4）。また、切断層
が上述のように所定の温度で、記録層に記録された記録
磁区の再生補助層への転写を阻害して、再生補助層の磁
区を消滅させるよう機能するためには、切断層のキュリ
ー温度Ｔ_c3は記録層のキュリー温度Ｔ_c4より低いことが
必要である（Ｔ_c3＜Ｔ_c4）。

【００１２】ここで、図３により１つの記録磁区が再生
層側で時間的にどのような変化をするかをさらに詳しく
説明する。図３（ａ）の状態では第１のマスク４２によ
り記録磁区が再生層に現れていない。ここで、再生磁界
をＨ_r 、再生層の磁化をＭ_s1、再生層の保磁力をＨ_c1、
再生層の磁壁エネルギーをσ_w1、記録磁区の平均的な大
きさをｒ、再生補助層から再生層におよぼす静磁界をＨ
_s としたとき、以下の式（I ）を満たせば第１のマスク
４２が生じる。

【００１３】 Ｈ_c1＜Ｈ_r ＋σ_w1／（２Ｍ_s1・ｒ）−Ｈ_s ……（I ） 式（I ）を満たすためにはＭ_s1、Ｈ_s が室温で小さけれ
ばよい。

【００１４】次に図３（ｂ）のように室温より高くＴ_s2
以下の温度Ｔ_s1で静磁的な結合により再生補助層から再
生層に磁区が転写する。そのためには温度がＴ_s1より高
くＴ_s2より低い領域４３付近で以下の式（II）を満たせ
ばよい。

【００１５】 Ｈ_c1＜Ｈ_s −Ｈ_r −σ_w1／（２Ｍ_s1・ｒ） ……（II） この式を満たすためにはＭ_s1、Ｈ_s が領域４３で十分大
きく、Ｈ_c1が小さければよい。

【００１６】さらに温度Ｔ_s2以上の領域４４で再生補助
層の磁区が消滅するためには再生補助層の磁化をＭ_s2、
再生補助層の膜厚をｈ₂ 、再生補助層の保磁力をＨ_c2、
再生補助層の磁壁エネルギーをσ_w2、切断層を介した再
生層と記録層の交換結合による界面磁壁エネルギーをσ
_i とすると以下の式（III ）を満たせばよい。

【００１７】 Ｈ_c2＜Ｈ_r ＋σ_w2／（２Ｍ_s2・ｒ）−σ_i ／（２Ｍ_s2・ｈ₂ ） ……（III ） 式（III ）を満たすことで再生補助層の磁区が消滅し、
これに伴い以下の式（IV）を満たせば図３の（ｃ）から
（ｄ）への変化である再生層の磁区の消滅が起こる。

【００１８】 Ｈ_c1＜Ｈ_s ＋Ｈ_r ＋σ_w1／（２Ｍ_s1・ｒ） ……（IV） 磁区がビームスポットより十分小さい場合、図３の
（ａ）から（ｂ）への変化は領域４３で転写が始まると
同時に領域４３より広い範囲で瞬時に磁区全体が浮き出
してくるために再生信号の立ち上がりは急激なものとな
る。また磁区がビームスポットより十分小さい場合、図
３の（ｃ）から（ｄ）への変化は領域４４での磁区の消
滅は（III ）、（IV）式が同時に満たされるまで起こら
ないが、満たされると同時に磁区全体が瞬時に消滅する
ために再生信号の立ち下がりは急激なものとなる。以上
のような原理で本発明により再生信号の立ち上がり、立
ち下がりが急峻となる。

【００１９】再生磁界Ｈ_r を適当に選び、後で説明する
ように各層の組成、膜厚などを調整することで式（I ）
〜（IV）は容易に満たされる。ここで再生磁界Ｈ_r は通
常５０〜４００ Ｏｅである。

【００２０】本発明の光磁気記録媒体はマスクが２つ生
じるのでダブルマスク型の超解像媒体である。ただし、
従来のダブルマスク型の超解像媒体は図４に示すよう
に、（ａ）から（ｂ）への変化は領域５３で転写が始ま
ると同時に領域５３より広い範囲で瞬時に磁区全体が浮
き出してくるために再生信号の立ち上がりは急激なもの
となるが、（ｃ）から（ｄ）への変化は、領域５４の第
２のマスクの磁化が記録磁区と同じ向きとなっているの
で、（ｂ）で浮き出した記録磁区はディスク移動に従い
徐々に第２のマスクの磁区に吸収されて行くことで起
り、再生信号の立ち下がりは立ち上がりに比べて緩やか
なものとなっていた。従来のダブルマスク型の超解像に
おいても第１、第２両方のマスクを記録磁区と反対向き
にすることが特開平４−２５５９４６などで提案されて
いるが、本発明者らの実験によると転写と消滅がバラン
スよく起こるように調整することが難しくノイズが高く
なるために本発明と同等の効果は得られなかった。

【００２１】本発明の光磁気記録媒体では従来のダブル
マスク型の超解像媒体と同様に第１のマスクが隣接トラ
ックをマスクしているので隣接トラックからの信号の漏
れ込み（クロストーク）が小さい。

【００２２】再生層、再生補助層は保磁力の小さな垂直
磁化膜からなり、記録層は保磁力の大きな垂直磁化膜か
らなる。切断層は垂直磁化膜あるいは室温からキュリー
温度に至るいずれかの温度で垂直磁化膜であればよい。
再生層、再生補助層、切断層、記録層の磁性層は希土類
遷移金属合金からなることが好ましい。再生層と再生補
助層の静磁結合を室温で小さく高温で大きくして式（I
）、（II）を満たすためには、再生層および再生補助
層の室温での磁化が５０emu/cc以下であることが好まし
い。

【００２３】再生層、再生補助層はＧｄＦｅＣｏを主体
とした希土類遷移金属合金が好ましい。また、切断層、
記録層はＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏを主体とした希土
類遷移金属合金が好ましい。再生層、再生補助層のキュ
リー温度は再生中でも高いカー回転角を保持するため３
００℃以上が好ましい。記録層のキュリー温度は記録感
度と再生安定性から２００℃以上３００℃以下が好まし
い。切断層のキュリー温度は１００℃以上２００℃以下
が好ましく、特に記録層のキュリー温度より５０℃以上
低くなることが好ましい。

【００２４】再生層の膜厚はマスクとなるために１０nm
以上必要であり、再生補助層からの漏れ磁界により再生
層が反転し、逆に再生補助層には過度の影響を与えない
ためには５０nm以下が好ましい。

【００２５】再生補助層から再生層へ容易に転写がおこ
るためには再生補助層の膜厚は１０nm以上が好ましく、
記録層から再生補助層への転写が容易に起こるためには
６０nm以下が好ましい。再生補助層からの漏れ磁界によ
り再生層が反転し、逆に再生補助層には過度の影響を与
えないためには再生補助層の膜厚が再生層の膜厚以上で
あることが好ましい。

【００２６】切断層の膜厚は５nm以上５０nm以下が好ま
しい。５nmより薄いとキュリー温度Ｔ_c3での交換結合の
切断が難しくなり、５０nmより厚いと記録層から再生補
助層への室温付近での転写が不安定になる可能性があ
り、記録感度も悪くなるので好ましくない。記録層の膜
厚は厚いほど再生安定性が増すが、記録感度とのかねあ
いから１５nm以上６０nm以下が好ましい。

【００２７】非磁性中間層については室温付近以上の温
度で非磁性の物質であれば基本的には動作する。非磁性
中間層の膜厚は交換結合を切るために１nm以上必要で再
生補助層と再生層が静磁的に結合するためには３０nm以
下である必要がある。

【００２８】非磁性中間層は薄膜の安定性、緻密さなど
から特に、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａの窒化物から選択さ
れた１種又は２種以上の窒化物で構成されていることが
好ましい。

【００２９】また、非磁性中間層をＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｐｔ、Ｐｄからなる群から選択された１種又は２種以上
の金属元素を主体として構成することで非磁性中間層か
らの光の反射を高めて再生層の膜厚を薄くすることが可
能であり、再生層から再生補助層への影響を減らし、再
生磁界のマージンを高めることが期待される。

【００３０】また、非磁性中間層を希土類元素から選択
された１種又は２種以上の元素で構成することで記録感
度に影響を与えることなく非磁性中間層からの光の反射
を高めて再生層の膜厚を薄くすることが可能である。

【００３１】基板の材料としては、ポリカーボネート、
アモルファスポリオレフィン等の樹脂またはガラス等が
好ましい。

【００３２】再生層よりもレーザー光の入射側にカー回
転角を増大させることを目的としてＳｉＮ、ＺｎＳ、Ａ
ｌＮ等からなる厚さ７０ｎｍ程度の第１誘電体層を設け
ることも有効である。この厚さは媒体の反射率や再生信
号強度を調整するために適宜厚さを変えることもでき
る。更に記録レーザーパワー等の調整のためにレーザー
光の入射側と反対側に、例えば厚さ２０ｎｍ程度のＡｌ
合金膜等の熱拡散層を設けたり、薄膜の保護のために第
２誘電体層、さらにアクリル系の紫外線硬化樹脂などか
らなる保護コートなどの保護膜を設けることもすでに説
明したように可能である。

【００３３】また、耐蝕性向上等のために磁性層にＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｔａ等の元素を添加することも考えられるが
特に限定されない。

【００３４】

【実施例】以下に実施例を用いて更に詳述する。

【００３５】（実施例１、比較例１及び比較例２）図１
に示すような光磁気記録媒体を作製した。マグネトロン
スパッタ法によりトラックピッチ１．１ミクロンのポリ
カーボネート（ＰＣ）基板１１上にＳｉＮからなる第１
誘電体層１２を７０ｎｍ成膜し、その上に室温での磁化
が０emu/cc（補償組成）でキュリー温度が３５０℃以上
のＧｄ_0.26（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.74の再生層１３を２
０ｎｍあるいは２６ｎｍ、ＳｉＮからなる非磁性中間層
１４を５ｎｍ、Ｇｄ_0.25（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.75の再
生補助層１５を３０ｎｍ、キュリー温度が１６０℃のＴ
ｂ_0.21（Ｆｅ_0.97Ｃｏ_0.03）_0.79の切断層１６を１０ｎ
ｍ、キュリー温度が２７０℃のＴｂ_0.22（Ｆｅ_0.85Ｃｏ
_0.15）_0.78の記録層１７を４０ｎｍ、ＳｉＮからなる第
２誘電体層１８を３０ｎｍの順に薄膜を積層した。第２
誘電体層１８の上には紫外線硬化樹脂からなる保護コー
ト１９を施した。

【００３６】比較例１として再生層１３および非磁性中
間層１４を省いたほかは実施例１と同様の光磁気記録媒
体を作製した。また、比較例２として再生補助層１５お
よび切断層１６を省いたほかは実施例１と同様の光磁気
記録媒体を作製した。

【００３７】製造した光磁気記録媒体に記録マーク長が
０．２５ミクロン（マークピッチの半分とみなす）とな
るように線速７．５ｍ／ｓとして記録周波数１５ＭＨ
ｚ、ｄｕｔｙ３３％で６８０ｎｍのレーザー光（対物レ
ンズのＮＡ＝０．５５）を用いて記録を行った。同じ光
を用いて再生レーザーパワーを２．５ｍＷ、再生磁界を
１５０ Ｏｅとしてキャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）をス
ペクトラムアナライザで測定した。また、再生波形の前
エッジ、後ろエッジのジッタ（時間軸の揺らぎ）をジッ
タアナライザで測定した。ジッタの測定結果は０．２５
ミクロンのマークに対応する時間の３３ｎｓｅｃを２Ｔ
として、ウインドウ幅（１Ｔ）に対する割合として示
す。これらの測定結果を表１に示す。

【００３８】

【表１】

【００３９】表１に示すようにＣ／Ｎについては消滅型
の超解像媒体である比較例１や従来型の静磁結合のみを
使った超解像媒体の比較例２に比べて、実施例１の再生
層が２６ｎｍの試料では３ｄＢ程度、再生層が２０ｎｍ
の試料では２ｄＢ程度高い。これは表１のジッタの値か
らわかるように前後エッジで同様に急峻な立ち上がりが
得られたことが主な原因である。前後どちらのエッジジ
ッタも小さいことから実施例１では比較例１、比較例２
に比べて高い記録密度が可能である。

【００４０】また、記録周波数７ＭＨｚで記録した後ク
ロストークを測定したところ実施例１、比較例３では−
４５ｄＢ以下であるのに対して比較例２では−３０ｄＢ
であり、本発明は従来型の静磁結合のみを使った超解像
媒体と同程度にクロストークが良好であることが示され
た。

【００４１】（実施例２）Ｇｄ_0.26（Ｆｅ_0.70Ｃ
ｏ_0.30）_0.74の再生層１３を２０ｎｍ、非磁性中間層１
４をＡｌ_0.98Ｃｒ_0.02合金として１０ｎｍの厚みとした
ほかは実施例１と同じ構造の光磁気記録媒体を作製し、
実施例１と同様の測定を行った。測定結果を表１に示
す。

【００４２】（実施例３）Ｇｄ_0.26（Ｆｅ_0.70Ｃ
ｏ_0.30）_0.74の再生層１３を２０ｎｍ、非磁性中間層１
４をＤｙとして１０ｎｍの厚みとしたほかは実施例１と
同様の光磁気記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定
を行った。測定結果を表１に示す。

【００４３】表１に示すように実施例２、実施例３では
再生層の膜厚が２０ｎｍであっても実施例１で再生層が
２６ｎｍの試料と同等の高いＣ／Ｎ、小さなジッタが得
られた。これは非磁性中間層の反射率が高いために再生
層のカー回転角が増加することが主な原因である。ま
た、実施例２は実施例３よりわずかに再生特性は良好で
あるが、記録パワーが２０％ほど高い。実施例３のよう
に熱伝導率が低い非磁性中間層を用いることでかなり高
い線速まで対応可能となり高いＣ／Ｎと転送速度を得る
ことができる。また、再生磁界については実施例１の再
生層の膜厚が２６ｎｍの試料については１１０〜２２０
Ｏｅの範囲で、実施例１〜３までの再生層の膜厚が２
０ｎｍの試料については１００〜２５０ Ｏｅの範囲で
良好なＣ／Ｎが得られ、再生層の膜厚を薄くすることで
再生磁界の余裕が広がることがわかった。

【００４４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、再生光の光学的回折限界をはるかに越えた大
きさで記録された情報を高いＣＮＲで読み取ることがで
きる。また、本発明の光磁気記録媒体及びその再生方法
は、再生信号の立ち上がりと立ち下がりのどちらのエッ
ジのジッタも小さいのでエッジ記録に好適である。さら
にクロストークが小さいため従来のダブルマスク型の超
解像媒体を越える記録密度が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の積層構造の一例を示
す部分断面図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の超解像再生の原理を
示す概念図である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の再生時の再生層上の
記録磁区の転写と消滅の時間的推移を示す概念図であ
る。

【図４】従来のダブルマスク型の超解像光磁気記録媒体
の再生時の再生層上の記録磁区の転写と第２のマスクへ
の吸収の時間的推移を示す概念図である。

【符号の説明】

１１ 透明な基板 １２ 第１誘電体層 １３、２１ 再生層 １４、２２ 非磁性中間層 １５、２３ 再生補助層 １６、２４ 切断層 １７、２５ 記録層 １８ 第２誘電体層 １９ 保護コート ２６ 記録磁界 ２７ 記録パルスレーザービーム ２８ 媒体移動方向 ２９ 記録層がキュリー温度Ｔ_c4以上になった領域 ３０ 再生磁界 ３１、４１、５１ 再生レーザービームおよびビームス
ポット ３２ 切断層のキュリー温度Ｔ_c3付近の所定の温度Ｔ_s2
以上の部分 ３３、４２、５２ 第１のマスク ３４、４３、５３ 再生層に磁区が転写する領域 ３５、４４、５４ 第２のマスク ４５、５５ 記録磁区

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明な基板上に少なくとも再生層、非磁
   性中間層、再生補助層、切断層、記録層がこの順に積層
   された積層構造を有し、前記再生層、再生補助層、切断
   層、記録層のキュリー温度を各々Ｔ_c1、Ｔ_c2、Ｔ_c3、Ｔ
   _c4としたとき、Ｔ_c3＜Ｔ_c4、Ｔ_c2＞Ｔ_c4、Ｔ_c1＞Ｔ_c4で
   あることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 切断層のキュリー温度付近の所定の温度
   Ｔ_s2未満では、記録層に記録された記録磁区が記録層か
   ら再生補助層に転写されており、再生時に再生磁界を加
   えることにより、再生補助層においては前記温度Ｔ_s2以
   上の温度の部分で再生補助層の磁区が消滅し、再生層に
   おいては室温で磁化が再生磁界の方向に揃うために磁区
   が存在しない状態であり、室温より高く前記温度Ｔ_s2未
   満の温度Ｔ_s1で、静磁的な結合により再生補助層から再
   生層に記録磁区が転写し、前記温度Ｔ_s2で再生補助層の
   磁区が消滅すると同時に再生層の磁区も消滅することを
   特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 再生層、再生補助層、切断層、記録層が
   希土類遷移金属合金からなり、再生層および再生補助層
   の室温での磁化が５０emu/cc以下であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 再生層、再生補助層がＧｄＦｅＣｏを主
   体とした希土類遷移金属合金からなることを特徴とする
   請求項３記載の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 非磁性中間層がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ
   の窒化物から選択された１種又は２種以上の窒化物で構
   成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記
   載の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 非磁性中間層がＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐ
   ｔ、Ｐｄからなる群から選択された１種又は２種以上の
   金属元素を主体として構成されていることを特徴とする
   請求項１又は請求項２記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 非磁性中間層が希土類元素から選択され
   た１種又は２種以上の元素で構成されていることを特徴
   とする請求項１又は請求項２記載の光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 切断層のキュリー温度付近の所定の温度
   Ｔ_s2未満で、記録層に記録された記録磁区を記録層から
   再生補助層に転写させ、再生時に再生磁界を加えること
   により、再生補助層においては前記温度Ｔ_s2以上の温度
   の部分の再生補助層の磁区を消滅させ、再生層において
   は室温では磁化を再生磁界の方向に揃えて磁区が存在し
   ない状態とし、室温より高く前記温度Ｔ_s2未満の温度Ｔ
   _s1で、静磁的な結合により再生補助層から再生層に磁区
   を転写させ、前記温度Ｔ_s2で再生補助層の磁区が消滅す
   ると同時に再生層の磁区も消滅させることを特徴とする
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体の
   再生方法。