JPH11238264A

JPH11238264A - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JPH11238264A
Application number: JP9579398A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Kawano; 敏史川野
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1997-12-19
Filing date: 1998-04-08
Publication date: 1999-08-31

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に少なくとも再生層、記録層及び補助
層の３層をこの順に設けた磁性層を有し、情報を記録層
の磁化方向として蓄え、再生磁界を加え、再生層の一部
の磁化方向を特定方向としながら情報を再生する光磁気
記録媒体であって、再生層に再生磁界が加わった際に、
補助層が再生層に対し、再生磁界と同方向の磁界を及ぼ
すことを特徴とする光磁気記録媒体。【解決手段】再生磁界を用いる磁気誘導超解像光磁気
記録媒体において再生磁界を補助する補助磁界を発生す
る補助層を設けることにより、必要となる再生磁界を著
しく減少させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録に用いる光
磁気記録媒体及びその再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術とその課題】光磁気記録媒体は、高密度、
低コストの書換え可能な情報記録媒体として実用化され
ている。特に希土類元素と遷移金属のアモルファス合金
の記録層を用いた媒体は非常に優れた特性を示してい
る。光磁気ディスクは非常に大容量の記録媒体である
が、近代社会の情報量の増大に伴い、さらなる大容量化
が望まれている。光ディスクの記録密度は通常の場合、
その再生光のスポットの大きさで決まってしまう。スポ
ットの大きさはレーザーの波長が短いほど小さくするこ
とができるため、レーザーの短波長化の検討が進められ
ているが、非常に困難を伴っている。

【０００３】一方、レーザーの波長によって決定される
以上の分解能を色々な工夫によって得ようとする、いわ
ゆる超解像技術の試みが近年行われている。その一つ
に、光磁気ディスクを用い、多層膜間の交換結合力を用
いた超解像（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｉｎｄｕｃｅ
ｄｓｕｐｅｒｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ、以下「ＭＳ
Ｒ」ということもある。）方式が報告されている。この
方式は、少なくとも記録層及び再生層を有する媒体にお
いて、スポット内の一部の再生層の磁化を再生磁界（Ｈ
ｒ）により一様な方向に揃えるか、あるいは面内方向に
向けることにより再生信号を発生しなくさせ、実質的に
再生スポットの大きさを制限することで分解能を向上さ
せる方法である。この再生信号を発生しない領域は「マ
スク」と呼ばれ、再生信号を発生する領域は「アパーチ
ャー」と呼ばれる。Ｈｒを加えて磁化を揃える方法は高
い再生信号品質が得られて特に高密度化に有用である。

【０００４】この方式の一つの形態は磁性層として、保
磁力の小さな再生層、キュリー温度の低い中間層、キュ
リー温度、保磁力が高い記録層の互いに交換結合した３
層を有する媒体を用いたものである。Ｈｒを印加しなが
ら再生光により加熱したとき、媒体の高温部で、交換結
合が弱まるか、又は切れる。再生層は単独での保磁力が
小さいので、このとき高温部では再生磁界により磁化が
一様な方向を向き、記録ビットが消去される。この結
果、低温部のみが再生され結果的に再生範囲が狭くなる
ので、再生光を絞った場合と同じ効果が得られ、高密度
の記録ビットの再生を行うことができる。消去された記
録ビットは、媒体温度が低くなり交換結合が回復したと
きに、記録層から転写されることにより復活する。この
方式は、信号を再生光スポットの前部で検出するため、
Ｆｏｒｗａｒｄａｐａｒｔｕｒｅｄｅｔｅｃｔｉｏｎ
（ＦＡＤ）と呼ばれる。

【０００５】今一つの形態は磁性層として、保磁力の小
さい再生層及び中間層、保磁力が高い記録層の互いに交
換結合した３層を有する媒体を用いたものである。中間
層を室温から温度上昇に伴って次第に磁化が減少するよ
うな組成、例えば希土類金属磁化優勢とし、室温付近に
おいて再生磁化をＨｒによって揃え、昇温に伴って交換
結合による実質的な転写磁界（Ｈｗ）が大きくなること
で再生層に記録層の副格子磁化を転写するような状態を
取ることができる。この方式はＲｅａｒａｒｅｒｔｕ
ｒｅｄｅｔｅｃｔｉｏｎ（ＲＡＤ）と呼ばれる。さら
に再生層を、昇温に伴って磁化が大きくなるような組成
としておくことで、高温部において再生層が再びＨｒの
方向を向き、低温部、高温部の両方にマスクを形成す
る。この方式はダブルマスクＲＡＤ（Ｄ−ＲＡＤ）と呼
ばれる。

【０００６】ＦＡＤ、ＲＡＤあるいはＤ−ＲＡＤ方式の
欠点として、再生時に比較的大きなＨｒを必要とするこ
とが挙げられる。Ｈｒは、ＦＡＤで通常２４０００Ａ／
ｍ以上が必要であり、Ｄ−ＲＡＤでは３２０００Ａ／ｍ
以上になることもある。Ｈｒを印加しつつ再生すること
によって、記録層に記録されたビットが不安定になると
いう欠点があった。また、記録に必要な磁界より大きな
磁界が再生に必要となる可能性もあり、磁気ヘッドを小
型化し、装置を簡略化しようとする際に大きな問題とな
る。特に、磁界変調記録ではＨｒが１００００Ａ／ｍ以
下であることも多く、Ｈｒの印加が磁気ヘッドには大き
な負担となっており、Ｈｒの低減が求められていた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明はＨｒを補助する
磁界発生手段である補助層を設けることにより、超解像
方式による情報の再生に必要なＨｒを著しく小さくする
ことを可能とするものである。本発明の要旨は、基板上
に少なくとも再生層、記録層、補助層の３層をこの順に
設けた磁性層を有し、情報を記録層の磁化方向として蓄
え、再生磁界を加え、再生層の一部の磁化方向を特定方
向としながら情報を再生する光磁気記録媒体であって、
再生層に再生磁界が加わった際に、補助層が再生層に対
し、再生磁界と同方向の磁界を及ぼすことを特徴とする
光磁気記録媒体及びその再生方法に存する。

【０００８】本発明の媒体に記録を行う場合は、光変調
記録方式により記録を行うのが一般的である。まず一定
方向に磁界を印加しながら連続光を照射して磁化を一方
向に揃える（消去）。次に逆方向に磁界を印加しなが
ら、情報に応じたパルス光を照射し、消去とは逆方向の
磁化による磁区を生成する（記録）。これとは別に、情
報に応じて印加する磁界の方向を変化させながら、連続
光、あるいはパルス光を照射して情報を記録する磁界変
調記録方式も用いることができる。このように記録を行
った後、記録を再生すべく再生光を照射すると、低温部
又は高温部において記録層と再生層の間の交換結合力に
よる実効的なＨｗが小さくなるか、あるいは無くなった
際、再生層の一部にＨｒによって磁化が一方向に向けら
れた部分（マスク）が生成される。このとき、Ｈｒを補
助するような磁界（補助磁界）を発生する補助層を設け
るというのが本発明の要点である。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、再生方法としてＤ−ＲＡＤ
方式を例に、図１を用いて説明する。図中の各矢印は磁
化方向を示す。図１においては再生層１、中間層２、記
録層３の３層をこの順に設け、再生層１を室温で遷移金
属優勢、あるいはわずかに希土類金属優勢とし、中間層
２を希土類金属優勢とする。低温部では中間層２の磁化
が支配的になるので中間層２の磁化がＨｒ６の方向に揃
い、このとき再生層の磁化も中間層２と磁壁を形成しな
い様に揃う。高温部で再生層１の磁化が支配的になり、
再生層１の磁化がＨｒ６の方向に揃う。アパーチャー１
１はこの２つの温度領域に挟まれた領域に存在し、記録
層３との交換結合で中間層２を介し再生層１まで副格子
磁化方向を転写する。

【００１０】本発明では、例えば図１に示すように記録
層３の、再生層１を設ける側とは反対側に、再生層に対
しＨｒ６と同方向の磁界（補助磁界７）を発生する補助
層５を設ける。補助層５の一つの形態は、記録層３より
キュリー温度が高く、記録層３への情報記録時に反転を
起こさないような保磁力の高い層を用いる。これは例え
ば、組成として合金を挙げれば、ＴｂＦｅＣｏでＦｅＣ
ｏ中のＣｏの比率が大であるような層を用いれば良い。
ＦｅＣｏ中のＣｏの比率（以下全て原子％を示す。）が
４０〜１００％であることが好ましい。さらに好ましく
は、５０〜９０％である。またＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ及びＧｄＤｙＦｅＣｏ等の合金
を用いても良い。この場合の補助層５の保磁力は１．５
ｋＯｅ以上、さらには２ｋＯｅ以上であることが好まし
い。Ｈｒ６の方向はあらかじめ定められるので、補助層
５はあらかじめこの方向に全面一方向に磁化されている
ことが好ましい。補助層５を全面一方向に磁化するに
は、強力な電磁石を用いるか、あるいは磁界を加えなが
ら全面をレーザーで加熱して磁化していく等の方法が挙
げられる。本発明の形態の一つとして、情報の再生時に
は補助層５が再生層１に及ぼす磁界方向と同方向に再生
磁界を加える。この際には比較的保磁力の大きな補助層
５を設けるので、補助磁界７を大きくとるために磁化を
大きくしても磁化が垂直に立ち、この結果として補助磁
界７が効率的に加えることができるという利点を持つ。

【００１１】補助層５の他の形態としては、少なくとも
再生温度において保磁力がＨｒ６より小さく、Ｈｒ６を
加えた場合に磁化がＨｒ６の方向を向くようなものであ
る。これは例えばＧｄＦｅＣｏ、あるいはＧｄＣｏ等の
合金により達成できる。この場合の補助層５の保磁力は
１ｋＯｅ以下、さらには５００Ｏｅ以下であることが好
ましい。このような補助層５を用いた場合、情報の消去
時にもＨｒ６等の外部磁界を補助する方向で補助層５か
ら磁界が発生するため、情報消去に要する磁界も低減で
きるという利点があり、特に磁界変調記録方式に適す
る。この形態の場合、Ｈｒ６は補助層５の保磁力よりも
大きい必要があるが、補助層５の磁化は完全にＨｒ６の
方向を向く必要はなく、多少面内方向成分を持っていた
としても補助磁界７の発生による効果を奏する。

【００１２】いずれの形態においても十分な補助磁界７
を発生するためにはマスクの生成温度において、補助層
５が十分大きな磁化を有することが好ましい。ここで言
うマスクの生成温度とは、Ｄ−ＲＡＤの場合は室温（約
２０〜３０℃）、ＦＡＤの場合は中間層２のキュリー温
度に相当する。このとき磁化は好ましくは１５０ｅｍｕ
／ｃｃ以上、さらに好ましくは２００ｅｍｕ／ｃｃ以上
である。但し、磁化が大きすぎると垂直に立たず有効な
磁界が減少することがあるので４００ｅｍｕ／ｃｃ以
下、さらに３５０ｅｍｕ／ｃｃ以下であることが好まし
い。又、補助層５に保磁力の低いものを用いる形態で
は、磁気異方性が低いので磁化が大きすぎる場合には特
に影響が強い。従って３００ｅｍｕ／ｃｃ以下であるこ
とが好ましい。

【００１３】補助層５の膜厚は厚い方が補助磁界の発生
に有利であるため、２０ｎｍ以上が好ましい。さらに好
ましくは３０ｎｍ以上である。但し、補助層が厚すぎる
と記録／再生感度や生産性が低下することがあるので２
００ｎｍ以下、さらに１５０ｎｍ以下であることが好ま
しい。Ｈｒ６はマスクの生成に用いられるため、アパー
チャー１１形成に対してはＨｒ６はむしろ小さい方が好
ましい。補助層５は磁化が大きい程発生する磁束が大き
く、再生層５に強い磁界を及ぼす事ができるため、マス
ク生成温度においては磁化が大きく、アパーチャー１１
生成温度においては磁化が小さいものであることが好ま
しい。Ｄ−ＲＡＤ方式においては、高温マスクよりも低
温マスクの生成が困難であるが、この様に再生層１が低
温で再生磁化方向を向き、高温で記録層３の磁化方向あ
るいは副格子磁化方向を転写する場合、補助層５として
高温でのアパーチャー１１生成時に磁化を低下させ補助
磁界７を弱くすることが好ましい。逆にＦＡＤ方式では
高温部でマスクを生成するが、この様な再生層１が高温
で再生磁化方向を向き、低温で記録層３の磁化方向ある
いは副格子磁化方向を転写する場合は、高温部で磁化が
強くなるようにしておくことが好ましい。

【００１４】Ｄ−ＲＡＤ方式の様に室温においてマスク
を生成する場合における補助層５の好ましい希土類金属
の含有量は、１６〜２２％ないし２８〜３６％であり、
好ましくは１８〜２２％ないし３０〜３４％である。Ｆ
ＡＤ方式のように１００℃以上の高温でマスクを生成す
る場合の補助層５の好ましい希土類金属の含有量は、１
６〜２７％、さらには１８〜２５％であることが好まし
い。補助層５と記録層３が直接接していると交換結合を
発生し、記録層３が記録されている状態において補助層
５を一方向に向けることが困難になってくるか、あるい
は記録層３に記録ができなくなることがある。このた
め、両層の間に交換結合を切断する切断層４を設けても
よい。切断層４には常磁性を有する物質を用いるのが好
ましく、例えばＳｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＺｎＳ、Ａｌ₂Ｏ₃等の誘導
体、あるいはＴｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｒ等の強磁性
を有さない金属を用いるのが好ましい。切断層４の厚さ
は交換結合を完全に切断するために、少なくとも１ｎｍ
以上であることが好ましいが、あまり厚いと補助層５か
ら再生層１へ及ぼす補助磁界７が減衰するので、５０ｎ
ｍ以下、さらには３０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００１５】再生層１の組成は希土類金属が１８〜２６
％、特に１８〜２４％であるのが好ましい。再生層に用
いられる物質としては、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、Ｇｄ
Ｆｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等
の希土類と遷移金属の合金が挙げられる。特に好ましい
のはＧｄＦｅＣｏやＧｄＣｏである。キュリー温度とし
ては、２５０℃以上であることが好ましい。ＰｔＣｏ
や、ＰｔとＣｏの超格子等の磁性体を再生層１に積層さ
せてもよい。再生層１の垂直磁気異方性を大きくするに
は、再生層にある程度の膜応力をもたせて逆磁歪効果に
よる異方性を発生させるのが好ましい。再生層の膜厚
は、厚すぎると記録層３の磁化を転写しづらくなり、薄
すぎれば高温マスクの作成が困難になることがあるの
で、２０〜１００ｎｍ、さらに３０〜７０ｎｍが好まし
い。

【００１６】中間層２の組成は希土類金属が２６〜３５
％、さらには２８〜３３％が好ましい。中間層に用いら
れる物質としては、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦ
ｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希
土類と遷移金属の合金が挙げられる。特に好ましいのは
ＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅである。ＧｄＦｅＣｏを用いる
場合は、再生層１よりもＦｅＣｏ中のＣｏ量が小さいも
のが好ましい。キュリー温度としては、１００℃以上、
特に２５０℃以上であることが好ましい。中間層２の垂
直磁気異方性を大きくするには、中間層にある程度の膜
応力をもたせて逆磁歪効果による異方性を発生させるの
が好ましい。中間層の膜厚は、厚すぎると記録層３の磁
化を再生層に転写しづらくなり、薄すぎれば低温マスク
の作成が困難になることがあるので、２０〜１００ｎ
ｍ、さらには３０〜７０ｎｍが好ましい。

【００１７】記録層３は、安定して情報を記録し蓄える
層であるから、再生光８で劣化しない大きさのキュリー
温度を有していることが必要であり、具体的には２５０
〜３５０℃程度が好ましい。キュリー温度が高すぎる
と、情報記録に要する再生光８のパワーが大きくなりす
ぎてしまう。記録層３は、再生層１の磁化に強い力を与
えるために高い垂直磁気異方性を持つことが必要であ
る。記録層３の物質としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属の合金が挙げら
れる。中でもＴｂＦｅＣｏが垂直磁気異方性が高く、保
磁力が大きいので特に好ましい。記録層３の膜厚は２０
〜１０００ｎｍ、さらには２５〜７０ｎｍであることが
好ましい。記録層３が厚すぎれば補助層５と再生層１が
離れてしまい十分な補助磁界７を及ぼせないことがあ
る。しかし、薄すぎれば情報記録が保持し難いこともあ
る。記録層３の組成は希土類金属が１６〜２８％、さら
には１８〜２６％、特に１９〜２４％であるのが好まし
い。

【００１８】記録層３の磁化がマスクの生成温度におい
て、マスクを生成する層と逆の優位な副格子磁化を有し
ている場合、記録層３より発生する磁界は磁区を反転さ
せようとするのでマスク生成を補助できる。Ｄ−ＲＡＤ
方式の場合は生成し難い低温マスクの生成に関わる中間
層が希土類金属優勢とし、記録層３は遷移金属優勢とす
ることが好ましい。磁性層の各層には、耐食性向上のた
めＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｚｒ等を５％
以下添加しても良い。磁性層の各層は、希土類金属と遷
移金属の合金を用いた場合、非常に酸化しやすいため、
その両側に保護膜を着けた態様をとることが好ましい。
保護膜としては、酸化Ｓｉ、酸化Ａｌ、酸化Ｔａ、酸化
Ｔｉ、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、炭化Ｓｉ等の単体あるいは
それらの混合物を用いることが好ましい。保護膜の膜厚
は５０〜１５０ｎｍ程度が好ましい。基板側の保護膜を
作成後、表面をプラズマエッチングすることで磁性層各
層の磁気異方性を向上させることができる。また干渉効
果により反射率を低下させ記録感度の向上やノイズの低
下を図るための干渉層としての役割を持たせてもよい。

【００１９】磁性層に直接あるいは保護層を介して、放
熱層としてＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の単体、あるいは
それを主体とした合金を含む高熱伝導物質を設けること
は、再生時のマスクを安定させるうえで好ましい構成で
ある。このときの放熱層の膜厚は、１０〜１００ｎｍ程
度が好ましい。放熱層は切断層４を兼ねてもよい。補助
磁界７をより確実に発生させるため、補助層５からみて
記録層３と反対の側に、透磁率が記録層３よりも大きい
層、例えばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＮｉ等を、直接又は
非磁性層を介して１０〜５０ｎｍ程度設けても良い。こ
の層の効果により、記録層３の漏洩磁束がより効率的に
発生し再生層１と結合する。記録層３と直接接すれば記
録層３の垂直磁気異方性が低下するので非磁性層を介す
ることが好ましい。以上は主にＤ−ＲＡＤを例にして説
明したが、再生磁界を用いてマスクを生成する方式、例
えばＦＡＤに対しても同様の効果を有する。

【００２０】

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。〔実施例１〕スパッタリング装置に１．１μｍのトラッ
クピッチの案内溝を持ったポリカーボネート基板を導入
し、５×１０^-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。こ
の後、保護層として基板上に反応性スパッタリングを用
い８０ｎｍの酸化Ｔａを形成した。次に酸化Ｔａ上に、
Ｇｄ₂₂（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₈よりなる５０ｎｍの再生層、
Ｇｄ₃₂Ｆｅ₆₈よりなる５０ｎｍの中間層、Ｔｂ₂₂（Ｆｅ
₈₀Ｃｏ₂₀）₇₈よりなる５０ｎｍの記録層を設けた。次に
ＳｉＮよりなる１０ｎｍの切断層を設けた後、Ｇｄ
_X（Ｆｅ₇₀Ｃｏ₃₀）_100-Xよりなる５０ｎｍの補助層を
設けた。補助層の組成ｘは１６〜３６まで変化させた。
最後にＳｉＮよりなる３０ｎｍの保護層を設け、Ｄ−Ｒ
ＡＤ方式用のディスクを作成した。再生層、中間層、記
録層、補助層のキュリー温度を測定したところ、各々３
００℃以上、２５０℃、３００℃以上、３００℃以上で
あった。また、再生層は室温においては遷移金属の磁化
が優勢であった。中間層は室温において希土類金属の磁
化が優勢であった。

【００２１】また、再生層の室温（２５℃）における体
積磁化率は９０ｅｍｕ／ｃｃであり、中間層の室温にお
ける体積磁化率は２２０ｅｍｕ／ｃｃであった。各ｘに
おける補助層の室温における磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃを
第１表に示す。このようにして作成したディスクを波長
６８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機を用いて光変調記
録方式におけるＣＮ比の評価を行った、記録条件は線速
７ｍ／ｓ、記録周波数９ＭＨｚ（マーク長０．３９μ
ｍ）３０％である。記録磁界（Ｈｗ）及び記録パワーは
最大のＣＮ比が得られるように設定した。いずれのディ
スクでも再生パワーＰｒが２．６ｍＷ以上では十分な再
生磁界の下でマスク及びアパーチャーが形成され、超解
像の効果が現れた。いずれのディスクにおいても最大の
ＣＮＲは、ほぼ４６ｄＢが得られた。Ｐｒを最大のＣＮ
比が得られた３ｍＷに固定し、補助層の組成に対してマ
スクの形成される最小再生磁界（Ｈｒmin ）を測定し
た。結果を第１表に示す。また、補助層の各ｘに対する
室温における飽和磁化Ｍｓを第１表に示す。Ｍｓが正の
値の場合は遷移金属磁化優勢を示し、負の値の場合は希
土類金属磁化優勢を示す。ｘ＝２０であるディスクにつ
いて磁界変調記録方式による評価を行った。線速、記録
周波数は先の光変調記録方式の場合と同様とした。この
結果２００Ｏｅ以上の磁界でＣＮＲが飽和し、４７ｄＢ
が得られた。

【００２２】〔実施例２〕補助層として５０ｎｍのＴｂ
_X（Ｆｅ₅₀Ｃｏ₅₀）_100-Xを用いた以外は実施例１と同
様の構成を持ったディスクを作成した。補助層の組成ｘ
は１６〜３６まで変化させた。各ｘにおける補助層の室
温での体積磁化率を第２表に示す。補助層はディスクを
１ｋＯｅの磁界の中でレーザーで加熱しながら全面を走
査することにより、あらかじめ一方向に磁化された。こ
のようにして作成したディスクについて実施例１と同様
の評価を行った。いずれのディスクでも再生パワーＰｒ
が２．６ｍＷ以上では十分な再生磁界の下でマスクが形
成され、超解像の効果が現れた。Ｐｒを最大のＣＮ比が
得られた３ｍＷに固定し、補助層の組成に対してマスク
の形成される最小再生磁界（Ｈｒmin）を測定した。結
果を第２表に示す。尚、再生磁界は補助層の磁化が再生
層に対し発生する磁界と同方向になるように加えた。ま
た、補助層の各ｘに対する室温における飽和磁化Ｍｓを
第１表に示す。Ｍｓが正の値の場合は遷移金属磁化優勢
を示し、負の値の場合は希土類金属磁化優勢を示す。

【００２３】〔実施例３〕実施例２と同様の構成におい
て補助層のｘを３２とし、補助層の膜厚ｄを１０〜２０
０ｎｍまで変化させた。このようにして作成したディス
クを実施例１と同様に評価を行った。いずれのディスク
でも十分な再生パワーＰｒと十分な再生磁界の下でマス
クが形成され、超解像の効果が現れた。Ｐｒを最大ＣＮ
Ｒの得られるパワー（Ｐｒ＊）とし、マスクの形成され
る最小再生磁界（Ｈｒmin ）を測定した。結果を第３表
に示す。

【００２４】〔実施例４〕切断層を設けず、記録層と補
助層を直接接する様にした以外は、実施例１のｘ＝２０
と同様にしてディスクを作成した。この様にして作成し
たディスクを実施例１と同様に評価を行った。この結果
マスクの形成される最小再生磁界は１２０Ｏｅ、最大Ｃ
ＮＲは４１ｄＢであった。

【００２５】〔比較例１〕補助層を設けない以外は実施
例３と同様の構成であるＤ−ＲＡＤディスクを作成した
（すなわち補助層膜厚ｄ＝０）。このようにして作成し
たディスクを実施例１と同様に評価を行った。再生パワ
ーＰｒが２．０ｍＷ以上では十分な再生磁界の下でマス
クが形成され、超解像の効果が現れ、最大のＣＮＲは４
６ｄＢであった。しかし、Ｐｒを最大ＣＮＲの得られた
２．４ｍＷとし、マスクの形成される最小再生磁界（Ｈ
ｒmin ）を測定したところ、３８０Ｏｅと高かった。結
果を第３表に示す。このディスクについて磁界変調記録
を行った。線速、記録周波数は先の光変調の場合と同じ
にした。この結果３５０Ｏｅ以上の磁界でＣＮＲが飽和
し、４７ｄＢが得られた。

【００２６】〔実施例５〕スパッタリング装置に１．１
μｍのトラックピッチの案内溝を持ったポリカーボネー
ト基板を導入し、５×１０^-5Ｐａ以下の真空度まで排気
を行った。この後、保護層として基板上に反応性スパッ
タリングを用い８０ｎｍの酸化Ｔａを形成した。次に酸
化Ｔａ上に、Ｇｄ₂₂（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₈よりなる３０ｎ
ｍの再生層、Ｔｂ₂₁Ｆｅ₇₉よりなる２０ｎｍの中間層、
Ｔｂ₂₂（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₈よりなる５０ｎｍの記録層を
設けた。次にＳｉＮよりなる１０ｎｍの切断層を設けた
後、Ｇｄ ₂₀（Ｆｅ₇₀Ｃｏ₃₀）₈₀よりなる５０ｎｍの補助
層を設けた。最後にＳｉＮよりなる３０ｎｍの保護層を
設け、ＦＡＤ方式用のディスクを作成した。再生層、中
間層、記録層、補助層のキュリー温度を測定したとこ
ろ、各々３００℃以上、１４０℃、３００℃以上、３０
０℃以上であった。また、再生層は室温においては遷移
金属の磁化が優勢であった。中間層は室温において希土
類金属の磁化が優勢であった。また、再生層の室温（２
５℃）における体積磁化率は９０ｅｍｕ／ｃｃであっ
た。このようにして作成したディスクを波長６８０ｎ
ｍ、開口数０．５５の評価機を用いて光変調記録におけ
るＣＮ比の評価を行った。記録条件は線速７ｍ／ｓ、記
録周波数９ＭＨｚ（マーク長０．３９μｍ）３０％であ
る。記録磁界（Ｈｗ）及び記録パワーは最大のＣＮ比が
得られるように設定した。このディスクにおいて再生パ
ワーＰｒが１．８ｍＷ以上では十分な再生磁界の下でマ
スク及びアパーチャーが形成され、超解像の効果が現れ
た。最大のＣＮＲはほぼ４５ｄＢが得られた。Ｐｒを最
大のＣＮ比が得られた２．４ｍＷとし、マスクの形成さ
れる最小再生磁界（Ｈｒmin ）を測定した結果１２０Ｏ
ｅと低く、本発明の効果を示した。

【００２７】〔比較例２〕補助層を設けない以外は実施
例５と同様の構成であるＦＡＤ方式用ディスクを作成し
た。このようにして作成したディスクを実施例１と同様
に評価を行った。再生パワーＰｒが１．６ｍＷ以上では
十分な再生磁界の下でマスクが形成され、超解像の効果
が現れ、最大のＣＮＲは４５ｄＢであった。しかし、Ｐ
ｒを最大ＣＮＲの得られた２．１ｍＷとし、マスクの形
成される最小再生磁界（Ｈｒmin ）を測定したところ３
５０Ｏｅと高かった。

【００２８】

【表１】

【００２９】

【表２】

【００３０】

【表３】

【００３１】

【発明の効果】再生磁界を用いる磁気誘導超解像光磁気
記録媒体において再生磁界を補助する補助磁界を発生す
る補助層を設けることにより、必要となる再生磁界を著
しく減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一形態であるＤ−ＲＡＤ方式に適した
媒体

【図２】従来の媒体

【符号の説明】

１再生層２中間層３記録層４切断層５補助層６再生磁界７補助磁界８再生光９ディスク移動方向１０外部磁石１１アパーチャー１２フロントマスク１３リアマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも再生層、記録層及び
補助層の３層をこの順に設けた磁性層を有し、情報を記
録層の磁化方向として蓄え、再生磁界を加え、再生層の
一部の磁化方向を特定方向としながら情報を再生する光
磁気記録媒体であって、再生層に再生磁界が加わった際
に、補助層が再生層に対し、再生磁界と同方向の磁界を
及ぼすことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】再生層と記録層の間に中間層を設けるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】記録層と補助層の間に両層の交換結合を
切断する切断層を設けることを特徴とする請求項１又は
２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】補助層があらかじめ全面一方向に磁化さ
れていることを特徴とする請求項１〜３に記載の光磁気
記録媒体。
【請求項５】補助層の保磁力より大きな再生磁界を加
えながら再生することを特徴とする請求項１〜４に記載
の光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項６】補助層が再生層に及ぼす磁界方向と同方
向であり、補助層の保磁力より小さな再生磁界により情
報を再生することを特徴とする請求項４に記載の光磁気
記録媒体の再生方法。