JPH09312132A - 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法Info
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- JPH09312132A JPH09312132A JP8150484A JP15048496A JPH09312132A JP H09312132 A JPH09312132 A JP H09312132A JP 8150484 A JP8150484 A JP 8150484A JP 15048496 A JP15048496 A JP 15048496A JP H09312132 A JPH09312132 A JP H09312132A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的手法により簡便かつ低温度での安定製
膜が可能であり、かつ安価に製造でき、放電開始電圧及
び駆動電圧の低下が図られる交流型プラズマディスプレ
イを提供すること。 【解決手段】 ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基
板が対向配置され、少なくとも一方の基板には誘電体層
に覆われた互いに対となる電極が夫々形成されると共
に、誘電体層上には保護層が形成されてなる交流型プラ
ズマディスプレイにおいて、前記保護層が、酢酸マグネ
シウム4水和物の一部及び/又は完全脱水物が水を主体
とする媒体にコロイド粒子として分散してなるコーティ
ング液を用いて誘電体層上に形成した塗膜層を加熱処理
してなる酸化マグネシウム含有層で形成されたことを特
徴とする交流型プラズマディスプレイ。
膜が可能であり、かつ安価に製造でき、放電開始電圧及
び駆動電圧の低下が図られる交流型プラズマディスプレ
イを提供すること。 【解決手段】 ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基
板が対向配置され、少なくとも一方の基板には誘電体層
に覆われた互いに対となる電極が夫々形成されると共
に、誘電体層上には保護層が形成されてなる交流型プラ
ズマディスプレイにおいて、前記保護層が、酢酸マグネ
シウム4水和物の一部及び/又は完全脱水物が水を主体
とする媒体にコロイド粒子として分散してなるコーティ
ング液を用いて誘電体層上に形成した塗膜層を加熱処理
してなる酸化マグネシウム含有層で形成されたことを特
徴とする交流型プラズマディスプレイ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は交流型プラズマディ
スプレイ及びその製造方法に関する。更に詳しくは、誘
電体層上に形成する酸化マグネシウム保護層に特徴を有
する交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法に関
する。
スプレイ及びその製造方法に関する。更に詳しくは、誘
電体層上に形成する酸化マグネシウム保護層に特徴を有
する交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】放電に伴う発光現象をディスプレイに利
用するいわゆるプラズマディスプレイ(以下PDPとい
う)は、その電極(主としてITO)の構造から、放電
空間に金属電極が露出している直流型と、金属電極が誘
電体層で覆われている交流型とに大別される。特に、薄
型且つ大画面のカラーテレビ用に用いる場合には、メモ
リ機能を有して大型化に対応可能な交流型が好適であ
る。この交流型PDPは、電極の配向構造から、面放電
方式と対向電極方式とに分けられるが、いずれの方式に
おいても前記誘電体層表面には主として酸化マグネシウ
ムからなる保護層(膜)が形成されている。
用するいわゆるプラズマディスプレイ(以下PDPとい
う)は、その電極(主としてITO)の構造から、放電
空間に金属電極が露出している直流型と、金属電極が誘
電体層で覆われている交流型とに大別される。特に、薄
型且つ大画面のカラーテレビ用に用いる場合には、メモ
リ機能を有して大型化に対応可能な交流型が好適であ
る。この交流型PDPは、電極の配向構造から、面放電
方式と対向電極方式とに分けられるが、いずれの方式に
おいても前記誘電体層表面には主として酸化マグネシウ
ムからなる保護層(膜)が形成されている。
【0003】ところで、保護層を形成する方法として
は、EB蒸着法を用いる薄膜法と厚膜法が代表的な方法
である。厚膜法では酸化マグネシウムの原料である塩基
性炭酸マグネシウムの溶液をスプレー等によって塗布し
て層を形成させ、次いで加熱処理して酸化マグネシウム
層を形成させる方法である(例えば、特公昭57−13
983号公報、特公昭60−42579号公報、特公昭
63−59221号公報等参照)。これら以外にもスパ
ッタ法、CVD法やコーティング法等もある。
は、EB蒸着法を用いる薄膜法と厚膜法が代表的な方法
である。厚膜法では酸化マグネシウムの原料である塩基
性炭酸マグネシウムの溶液をスプレー等によって塗布し
て層を形成させ、次いで加熱処理して酸化マグネシウム
層を形成させる方法である(例えば、特公昭57−13
983号公報、特公昭60−42579号公報、特公昭
63−59221号公報等参照)。これら以外にもスパ
ッタ法、CVD法やコーティング法等もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法のうち、E
B蒸着法、スパッタ法やCVD法等の真空プロセスを用
いる方法は、概して生産性が低く、製造コストも高価に
なるという欠点に加え、PDPのような大きな被付着体
を真空チャンバー内に収納することも非常に困難であ
り、大画面の該ディスプレイの保護層形成方法としては
適していない。コーティング法は手軽な方法であること
から鋭意検討されてきたが、従来から保護層形成用に使
用されている市販の酸化マグネシウム粒子が混入された
印刷ペーストは、保護層製造プロセスに合致せず、又、
必要なディスプレイのパネル特性が得られないという性
能上の問題がある。
B蒸着法、スパッタ法やCVD法等の真空プロセスを用
いる方法は、概して生産性が低く、製造コストも高価に
なるという欠点に加え、PDPのような大きな被付着体
を真空チャンバー内に収納することも非常に困難であ
り、大画面の該ディスプレイの保護層形成方法としては
適していない。コーティング法は手軽な方法であること
から鋭意検討されてきたが、従来から保護層形成用に使
用されている市販の酸化マグネシウム粒子が混入された
印刷ペーストは、保護層製造プロセスに合致せず、又、
必要なディスプレイのパネル特性が得られないという性
能上の問題がある。
【0005】従来の上記の保護層形成用印刷ペーストに
よる造膜のメカニズムは、該ペースト中の造膜性を有す
る有機金属化合物の熱分解による酸化マグネシウム層の
形成にあるが、該ペーストの使用では通常の熱処理温度
(600℃以下)では膜強度や誘電体層との密着性等が
充分でなかったり、該化合物の熱分解時に膜に亀裂が生
じるという問題や該ペーストのコーティング性も満足で
きるものではない等の問題があった。又、混入されてい
る酸化マグネシウム粒子は粒径が大きく、該ペースト自
体の粘度も高いために、層厚の薄化が困難であり、その
結果、放電開始電圧や駆動電圧をできるだけ低下させた
いという要求を満足させることができない問題もあっ
た。
よる造膜のメカニズムは、該ペースト中の造膜性を有す
る有機金属化合物の熱分解による酸化マグネシウム層の
形成にあるが、該ペーストの使用では通常の熱処理温度
(600℃以下)では膜強度や誘電体層との密着性等が
充分でなかったり、該化合物の熱分解時に膜に亀裂が生
じるという問題や該ペーストのコーティング性も満足で
きるものではない等の問題があった。又、混入されてい
る酸化マグネシウム粒子は粒径が大きく、該ペースト自
体の粘度も高いために、層厚の薄化が困難であり、その
結果、放電開始電圧や駆動電圧をできるだけ低下させた
いという要求を満足させることができない問題もあっ
た。
【0006】本発明者等はコーティング法における上記
の問題点を解決するために、いわゆるゾル−ゲル法によ
り酸化マグネシウム化合物を加水分解して得られる水酸
化マグネシウムゾルを基板上に塗布した後、焼成して薄
膜の酸化マグネシウム含有層を形成する方法を先に提案
した(特願平6−271827号)。しかしながら、こ
の方法では水酸化マグネシウムゾルの基板への付着性が
極端に悪く、得られる酸化マグネシウム層の一部が容易
に剥れたり、膜厚が不均一となり、放電開始電圧及び駆
動電圧を満足できる程度に低下させることはできなかっ
た。更に、水酸化マグネシウムゾルを通常の熱処理温度
(600℃以下)で処理しても、生成する酸化マグネシ
ウムの結晶化が進まず、低結晶性の膜しか得られないた
めに膜強度等も充分でなく、保護膜としての特性が充分
に発揮されない問題もあった。
の問題点を解決するために、いわゆるゾル−ゲル法によ
り酸化マグネシウム化合物を加水分解して得られる水酸
化マグネシウムゾルを基板上に塗布した後、焼成して薄
膜の酸化マグネシウム含有層を形成する方法を先に提案
した(特願平6−271827号)。しかしながら、こ
の方法では水酸化マグネシウムゾルの基板への付着性が
極端に悪く、得られる酸化マグネシウム層の一部が容易
に剥れたり、膜厚が不均一となり、放電開始電圧及び駆
動電圧を満足できる程度に低下させることはできなかっ
た。更に、水酸化マグネシウムゾルを通常の熱処理温度
(600℃以下)で処理しても、生成する酸化マグネシ
ウムの結晶化が進まず、低結晶性の膜しか得られないた
めに膜強度等も充分でなく、保護膜としての特性が充分
に発揮されない問題もあった。
【0007】又、水酸化マグネシウムゾルの出発原料と
してマグネシウムアルコキシド等の有機金属化合物を用
いた場合には、基板密着性や膜の均一性が比較的良好な
酸化マグネシウムが得られるが、マグネシウムアルコキ
シド等は非常に高価であるというコストの点と、反応性
が高いために反応の制御が困難となり、生成する水酸化
マグネシウムの寿命も短いという取り扱いの点での問題
がある。そのために、通常はマグネシウムアルコキシド
等に代えて、酢酸マグネシウム等の有機金属塩や塩化マ
グネシウム、硫酸マグネシウム等の無機金属塩が使用さ
れるが、水酸化マグネシウムゾルを得るにはアンモニア
等のアルカリを多量に用いる必要があり、アルカリの除
去等製造工程が複雑となる問題がある。更に、酸化マグ
ネシウムの層の透明性や、水酸化マグネシウムの基体へ
の密着性を向上させるために粒子径を1μm以下にしな
ければならず、粒子の成長を抑えるためにエチレングリ
コール等の添加剤を水酸化マグネシウムゾル生成系に添
加する必要があるが、これらの添加剤は水酸化マグネシ
ウムゾル自体の生成をも抑制し、該ゾルの収率を著しく
低下させる問題がある。
してマグネシウムアルコキシド等の有機金属化合物を用
いた場合には、基板密着性や膜の均一性が比較的良好な
酸化マグネシウムが得られるが、マグネシウムアルコキ
シド等は非常に高価であるというコストの点と、反応性
が高いために反応の制御が困難となり、生成する水酸化
マグネシウムの寿命も短いという取り扱いの点での問題
がある。そのために、通常はマグネシウムアルコキシド
等に代えて、酢酸マグネシウム等の有機金属塩や塩化マ
グネシウム、硫酸マグネシウム等の無機金属塩が使用さ
れるが、水酸化マグネシウムゾルを得るにはアンモニア
等のアルカリを多量に用いる必要があり、アルカリの除
去等製造工程が複雑となる問題がある。更に、酸化マグ
ネシウムの層の透明性や、水酸化マグネシウムの基体へ
の密着性を向上させるために粒子径を1μm以下にしな
ければならず、粒子の成長を抑えるためにエチレングリ
コール等の添加剤を水酸化マグネシウムゾル生成系に添
加する必要があるが、これらの添加剤は水酸化マグネシ
ウムゾル自体の生成をも抑制し、該ゾルの収率を著しく
低下させる問題がある。
【0008】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、本発明の目的は、上記従来コーティング法にお
ける問題点を解消し、化学的手法により簡便且つ低温度
での安定製膜が可能であり、且つ安価に製造でき、放電
開始電圧及び駆動電圧の低下が図られる交流型PDP及
びその製造方法を提供することである。
であり、本発明の目的は、上記従来コーティング法にお
ける問題点を解消し、化学的手法により簡便且つ低温度
での安定製膜が可能であり、且つ安価に製造でき、放電
開始電圧及び駆動電圧の低下が図られる交流型PDP及
びその製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の本発明
により達成される。即ち、本発明は、ガス放電空間を挟
んで背面基板と前面基板が対向配置され、少なくとも一
方の基板には誘電体層に覆われた互いに対となる電極が
夫々形成されると共に、誘電体層上には保護層が形成さ
れてなる交流型PDPにおいて、前記保護層が、酢酸マ
グネシウム4水和物の一部及び/又は完全脱水物が水を
主体とする媒体にコロイド粒子として分散してなるコー
ティング液を用いて誘電体層上に形成した塗膜層を加熱
処理してなる酸化マグネシウム含有層で形成されたこと
を特徴とする交流型PDP及びその製造方法が提供され
る。
により達成される。即ち、本発明は、ガス放電空間を挟
んで背面基板と前面基板が対向配置され、少なくとも一
方の基板には誘電体層に覆われた互いに対となる電極が
夫々形成されると共に、誘電体層上には保護層が形成さ
れてなる交流型PDPにおいて、前記保護層が、酢酸マ
グネシウム4水和物の一部及び/又は完全脱水物が水を
主体とする媒体にコロイド粒子として分散してなるコー
ティング液を用いて誘電体層上に形成した塗膜層を加熱
処理してなる酸化マグネシウム含有層で形成されたこと
を特徴とする交流型PDP及びその製造方法が提供され
る。
【0010】本発明によれば、保護層を酢酸マグネシウ
ムがコロイド粒子として水を主体とする媒体中に分散し
てなるコーティング液を使用して形成することにより、
真空系プロセスにおけるような高価な設備を必要とせず
に大面積のパネル上に製膜することができ、又、その膜
は誘電体層との密着性に優れ、膜強度、透明性、保護作
用等の優れた膜特性を有し、更に、酸化マグネシウム含
有層の膜厚を薄くすることが可能であるから、放電開始
電圧及び駆動電圧(消費電力)の低下が図られる交流型
PDPが提供される。
ムがコロイド粒子として水を主体とする媒体中に分散し
てなるコーティング液を使用して形成することにより、
真空系プロセスにおけるような高価な設備を必要とせず
に大面積のパネル上に製膜することができ、又、その膜
は誘電体層との密着性に優れ、膜強度、透明性、保護作
用等の優れた膜特性を有し、更に、酸化マグネシウム含
有層の膜厚を薄くすることが可能であるから、放電開始
電圧及び駆動電圧(消費電力)の低下が図られる交流型
PDPが提供される。
【0011】
【発明の実施の形態】次に図面に示す実施形態に基づい
て本発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明を適用
した好ましい実施例の面放電方式の交流型PDPの概略
構造を示す図である。図1において、交流型PDPはガ
ス放電空間3を挟んで互いに平行に対向配置された前面
基板1と背面基板2から構成されている。基板1及び2
は所定の厚さのガラス板で形成されている。
て本発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明を適用
した好ましい実施例の面放電方式の交流型PDPの概略
構造を示す図である。図1において、交流型PDPはガ
ス放電空間3を挟んで互いに平行に対向配置された前面
基板1と背面基板2から構成されている。基板1及び2
は所定の厚さのガラス板で形成されている。
【0012】背面基板2に対向する前面基板1の面に
は、X電極4aとY電極4bからなる対電極4が形成さ
れている。これらの対電極4はガラス製であり、誘電体
層5で被覆されている。更にこの誘電体層5は、後に詳
述する酢酸マグネシウムコロイド粒子を水を主体とする
媒体に分散させてなるコーティング液を塗布し、乾燥及
び加熱処理(焼成)して形成された酸化マグネシウム膜
からなる保護層6で被覆されている。又、前面基板1に
対向する背面基板2の面には、アドレス電極7、障壁8
及び蛍光体層9が形成されている。更に、必要に応じて
前面基板1上には反射防止層として、例えば、二酸化チ
タン膜(高屈折率層)10、及び二酸化ケイ素膜(低屈
折率層)11が形成されている。
は、X電極4aとY電極4bからなる対電極4が形成さ
れている。これらの対電極4はガラス製であり、誘電体
層5で被覆されている。更にこの誘電体層5は、後に詳
述する酢酸マグネシウムコロイド粒子を水を主体とする
媒体に分散させてなるコーティング液を塗布し、乾燥及
び加熱処理(焼成)して形成された酸化マグネシウム膜
からなる保護層6で被覆されている。又、前面基板1に
対向する背面基板2の面には、アドレス電極7、障壁8
及び蛍光体層9が形成されている。更に、必要に応じて
前面基板1上には反射防止層として、例えば、二酸化チ
タン膜(高屈折率層)10、及び二酸化ケイ素膜(低屈
折率層)11が形成されている。
【0013】図2は、本発明を適用した好ましい実施例
の対向放電方式の交流型PDPの概略構造を示す図であ
る。図2においては背面基板2に対向する前面基板1の
面には、ガラス製のX電極4aが形成され、該X電極4
aは誘電体層5で被覆されており、更にこの誘電体層は
前記と同様にして形成された酸化マグネシウムからなる
保護層6で被覆されている。又、前面基板1に対向する
背面基板2の面には、Y電極4b、誘電体層5前記と同
様に形成された保護層6及び障壁8及び蛍光体層9が形
成されている。更に、必要に応じて前面基板1上には反
射防止層として、例えば、二酸化チタン膜(高屈折率
層)10、及び二酸化ケイ素膜(低屈折率層)11が形
成されている。
の対向放電方式の交流型PDPの概略構造を示す図であ
る。図2においては背面基板2に対向する前面基板1の
面には、ガラス製のX電極4aが形成され、該X電極4
aは誘電体層5で被覆されており、更にこの誘電体層は
前記と同様にして形成された酸化マグネシウムからなる
保護層6で被覆されている。又、前面基板1に対向する
背面基板2の面には、Y電極4b、誘電体層5前記と同
様に形成された保護層6及び障壁8及び蛍光体層9が形
成されている。更に、必要に応じて前面基板1上には反
射防止層として、例えば、二酸化チタン膜(高屈折率
層)10、及び二酸化ケイ素膜(低屈折率層)11が形
成されている。
【0014】次に本発明を主として特徴づけ、本発明の
交流型PDPの誘電体層の保護層を形成するコーティン
グ液について説明する。本発明で使用するコーティング
液は、水を主体とする媒体に酢酸マグネシウムがコロイ
ド粒子として分散してなるゾル溶液である。通常市販さ
れている酢酸マグネシウムは4水和物であり、これは水
に完全に溶解する。ところが、水和した水を一部乃至完
全に除去した部分脱水水和酢酸マグネシウム及び無水酢
酸マグネシウムは水に不溶性となること、これらの酢酸
マグネシウムを水に添加すると粒子表面の酢酸マグネシ
ウムの少なくとも一部は加水分解を受けて親水性の水酸
化マグネシウムを形成し、安定なコロイド粒子として水
中に分散することを本発明者が見出した。
交流型PDPの誘電体層の保護層を形成するコーティン
グ液について説明する。本発明で使用するコーティング
液は、水を主体とする媒体に酢酸マグネシウムがコロイ
ド粒子として分散してなるゾル溶液である。通常市販さ
れている酢酸マグネシウムは4水和物であり、これは水
に完全に溶解する。ところが、水和した水を一部乃至完
全に除去した部分脱水水和酢酸マグネシウム及び無水酢
酸マグネシウムは水に不溶性となること、これらの酢酸
マグネシウムを水に添加すると粒子表面の酢酸マグネシ
ウムの少なくとも一部は加水分解を受けて親水性の水酸
化マグネシウムを形成し、安定なコロイド粒子として水
中に分散することを本発明者が見出した。
【0015】本発明における酢酸マグネシウムがコロイ
ド粒子として水を主体とする媒体に分散してなるコーテ
ィング液を得るためには、酢酸マグネシウムとして酢酸
マグネシウム4水和物の水和した水の少なくとも20重
量%を除去することが好ましい。特に好ましくは完全脱
水して無水酢酸マグネシウムとすることである。脱水方
法はどのような方法でもよく全く制限されない。例え
ば、減圧下に加熱する方法が簡便で好ましい。
ド粒子として水を主体とする媒体に分散してなるコーテ
ィング液を得るためには、酢酸マグネシウムとして酢酸
マグネシウム4水和物の水和した水の少なくとも20重
量%を除去することが好ましい。特に好ましくは完全脱
水して無水酢酸マグネシウムとすることである。脱水方
法はどのような方法でもよく全く制限されない。例え
ば、減圧下に加熱する方法が簡便で好ましい。
【0016】無水〜部分水和酢酸マグネシウムを分散さ
せる媒体は、水を主体とするものであり、水100%及
び/又は水と水溶性溶剤との混合溶液である。特に、粒
子表面の酢酸マグネシウムの少なくとも一部の加水分解
反応を均一で効率よく進行させ、安定なコーティング液
を形成するうえから、水溶性溶剤としてはアルコール
類、グリコール類、エステル類、エーテル類あるいはプ
ロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン等の有機高
誘電率溶剤の使用が好ましい。水に対する使用割合は混
合溶液中の水の割合が50重量%以下とならない範囲で
あれば特に制限されない。水を主体とする媒体中の無水
〜部分水和酢酸マグネシウムの量(固形分)は、通常
0.1〜90重量%であるが、均一なコーティング液と
するためには0.1〜60重量%の範囲が好ましい。
せる媒体は、水を主体とするものであり、水100%及
び/又は水と水溶性溶剤との混合溶液である。特に、粒
子表面の酢酸マグネシウムの少なくとも一部の加水分解
反応を均一で効率よく進行させ、安定なコーティング液
を形成するうえから、水溶性溶剤としてはアルコール
類、グリコール類、エステル類、エーテル類あるいはプ
ロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン等の有機高
誘電率溶剤の使用が好ましい。水に対する使用割合は混
合溶液中の水の割合が50重量%以下とならない範囲で
あれば特に制限されない。水を主体とする媒体中の無水
〜部分水和酢酸マグネシウムの量(固形分)は、通常
0.1〜90重量%であるが、均一なコーティング液と
するためには0.1〜60重量%の範囲が好ましい。
【0017】又、コーティング液の安定性を高めるため
に、分散安定化剤をコーティング液中に含有させること
ができる。分散安定化剤としては、例えば、ヒドロキシ
プロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチル
セルロース等のセルロース類、ポリアクリル酸、ポリア
クリルアミド等のアクリル系ポリマー、ポリビニルアル
コール及びその部分ケン化物等のビニルポリマー等の水
溶性高分子が好ましい分散安定化剤として挙げられる。
これらは1種又は2種以上で使用され、コーティング液
中の含有量は、通常0.01〜10重量%の範囲であ
る。
に、分散安定化剤をコーティング液中に含有させること
ができる。分散安定化剤としては、例えば、ヒドロキシ
プロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチル
セルロース等のセルロース類、ポリアクリル酸、ポリア
クリルアミド等のアクリル系ポリマー、ポリビニルアル
コール及びその部分ケン化物等のビニルポリマー等の水
溶性高分子が好ましい分散安定化剤として挙げられる。
これらは1種又は2種以上で使用され、コーティング液
中の含有量は、通常0.01〜10重量%の範囲であ
る。
【0018】本発明の酢酸マグネシウム粒子がコロイド
状に分散したコーティング液は、水を主体とする媒体
に、必要に応じ、水溶性溶剤、分散安定化剤を溶解し、
無水〜部分水和酢酸マグネシウムを添加して、攪拌する
ことにより得られる。コロイド形成反応は室温でも速や
かに進行するが、例えば30〜80℃に加熱することに
よって反応を促進することができる。
状に分散したコーティング液は、水を主体とする媒体
に、必要に応じ、水溶性溶剤、分散安定化剤を溶解し、
無水〜部分水和酢酸マグネシウムを添加して、攪拌する
ことにより得られる。コロイド形成反応は室温でも速や
かに進行するが、例えば30〜80℃に加熱することに
よって反応を促進することができる。
【0019】又、コロイド粒子径を所定の範囲にコント
ロールするために、エチレングリコール或いはジエチレ
ングリコール、メチルセロソルブ等のエチレングリコー
ルの誘導体を上記の反応系に添加することができる。コ
ーティング液中の添加量は、通常0.01〜80重量%
程度であり、添加量が増加するとコロイド粒子径は小さ
くなる。これは、エチレングリコール、又はその誘導体
分子内の酸素原子が酢酸マグネシウムのマグネシウム原
子に配位して、酢酸マグネシウムコロイド粒子の分散性
を安定化するためと推測される。本発明のコーティング
液の好ましいコロイド粒子径は、3〜300nmであ
る。
ロールするために、エチレングリコール或いはジエチレ
ングリコール、メチルセロソルブ等のエチレングリコー
ルの誘導体を上記の反応系に添加することができる。コ
ーティング液中の添加量は、通常0.01〜80重量%
程度であり、添加量が増加するとコロイド粒子径は小さ
くなる。これは、エチレングリコール、又はその誘導体
分子内の酸素原子が酢酸マグネシウムのマグネシウム原
子に配位して、酢酸マグネシウムコロイド粒子の分散性
を安定化するためと推測される。本発明のコーティング
液の好ましいコロイド粒子径は、3〜300nmであ
る。
【0020】本発明のコーティング液においては、酢酸
マグネシウムコロイド粒子表面の酢酸マグネシウムの少
なくとも一部は加水分解を受けて水酸化マグネシウムと
なっており、その結果、安定なゾル溶液が形成されると
ともに、本発明のコーティング液を基体上に塗布して膜
を形成させた場合には、従来の酢酸マグネシウム溶液に
アンモニア水を添加して水酸化マグネシウムを強制的に
形成させたコーティング液を用いて製膜した場合に比
べ、該コロイド粒子層(膜)と基体との密着性は著しく
向上し、粒子径の揃った緻密な酸化マグネシウム層とす
ることができる。
マグネシウムコロイド粒子表面の酢酸マグネシウムの少
なくとも一部は加水分解を受けて水酸化マグネシウムと
なっており、その結果、安定なゾル溶液が形成されると
ともに、本発明のコーティング液を基体上に塗布して膜
を形成させた場合には、従来の酢酸マグネシウム溶液に
アンモニア水を添加して水酸化マグネシウムを強制的に
形成させたコーティング液を用いて製膜した場合に比
べ、該コロイド粒子層(膜)と基体との密着性は著しく
向上し、粒子径の揃った緻密な酸化マグネシウム層とす
ることができる。
【0021】本発明の交流型PDPの製造方法は、以上
の如きコーティング液を、前記誘電体層上に塗布し、乾
燥及び加熱処理(焼成)することにより酸化マグネシウ
ムからなる保護層を形成することを特徴とする。コーテ
ィング液の誘電体層上への塗布方法は、任意の方法でよ
く、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプ
レーコート法、ロールコート法、メニスカスコート法、
バーコート法、流延法等の種々の塗布法を適用すること
ができる。
の如きコーティング液を、前記誘電体層上に塗布し、乾
燥及び加熱処理(焼成)することにより酸化マグネシウ
ムからなる保護層を形成することを特徴とする。コーテ
ィング液の誘電体層上への塗布方法は、任意の方法でよ
く、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプ
レーコート法、ロールコート法、メニスカスコート法、
バーコート法、流延法等の種々の塗布法を適用すること
ができる。
【0022】塗布によって形成された湿潤塗膜を乾燥及
び加熱処理(焼成)を施すことによって、誘電体層に密
着した透明な酸化マグネシウム膜が形成される。乾燥
は、湿潤塗膜中の水及び水溶性溶剤が実質的に揮散する
温度及び時間で行えばよく、例えば、約100〜200
℃の温度で約1〜2時間程度行えば十分である。又、焼
成は300〜600℃の温度で約1〜5時間程度行うこ
とが好ましい。室温での乾燥でも均一な酸化マグネシウ
ム膜は得られるが、水酸化マグネシウムから酸化マグネ
シウムへの移行を完全なものとし、膜の結晶性を高めて
膜特性を向上させるためには、上記の温度で加熱処理す
ることが好ましい。
び加熱処理(焼成)を施すことによって、誘電体層に密
着した透明な酸化マグネシウム膜が形成される。乾燥
は、湿潤塗膜中の水及び水溶性溶剤が実質的に揮散する
温度及び時間で行えばよく、例えば、約100〜200
℃の温度で約1〜2時間程度行えば十分である。又、焼
成は300〜600℃の温度で約1〜5時間程度行うこ
とが好ましい。室温での乾燥でも均一な酸化マグネシウ
ム膜は得られるが、水酸化マグネシウムから酸化マグネ
シウムへの移行を完全なものとし、膜の結晶性を高めて
膜特性を向上させるためには、上記の温度で加熱処理す
ることが好ましい。
【0023】本発明において、交流型PDPにおける2
次電子放出比を上げる観点からは、保護層を形成してい
る酸化マグネシウム微粒子のその表面積を大きくするこ
とが必要であり、酸化マグネシウム微粒子の粒子径は、
5〜100nmの範囲、好ましくは5〜30nmの範囲
であることが望ましい。粒子径を100nm以下にして
粒子間の隙間をなくすことにより表面積を大きくし、通
常の熱処理プロセスでも効率よく酸化マグネシウム膜が
形成される。形成される酸化マグネシウム膜の厚さは特
に限定されないが、透明性の点から10μm以下で、特
に1μm以下のものが好ましい。以上の如く得られる本
発明の交流型PDPにおける保護層は、その膜厚が1μ
m以下の薄膜のものが実現でき、このような膜厚は従来
のバインダーを用いたペーストでは実現不可能なもので
ある。
次電子放出比を上げる観点からは、保護層を形成してい
る酸化マグネシウム微粒子のその表面積を大きくするこ
とが必要であり、酸化マグネシウム微粒子の粒子径は、
5〜100nmの範囲、好ましくは5〜30nmの範囲
であることが望ましい。粒子径を100nm以下にして
粒子間の隙間をなくすことにより表面積を大きくし、通
常の熱処理プロセスでも効率よく酸化マグネシウム膜が
形成される。形成される酸化マグネシウム膜の厚さは特
に限定されないが、透明性の点から10μm以下で、特
に1μm以下のものが好ましい。以上の如く得られる本
発明の交流型PDPにおける保護層は、その膜厚が1μ
m以下の薄膜のものが実現でき、このような膜厚は従来
のバインダーを用いたペーストでは実現不可能なもので
ある。
【0024】
【実施例】次に実施例及び比較例を挙げて更に具体的に
本発明を説明する。文中の部は重量基準である。 実施例1 図1に示される面放電交流型PDPを次のようにして作
製した。ガラス基板上に真空蒸着法によりCr電極(膜
厚:0.2μm)を形成し、パターニングした後スクリ
ーン印刷でバリアブを形成後、蛍光体を塗布して背面基
板を作製した。又、前面基板をガラス基板上に真空蒸着
法によりCr電極(膜厚:0.2μm)を形成し、パタ
ーニングした後、同様に真空蒸着法によって絶縁層(誘
電体層:膜厚0.8μm)を形成して作製した。
本発明を説明する。文中の部は重量基準である。 実施例1 図1に示される面放電交流型PDPを次のようにして作
製した。ガラス基板上に真空蒸着法によりCr電極(膜
厚:0.2μm)を形成し、パターニングした後スクリ
ーン印刷でバリアブを形成後、蛍光体を塗布して背面基
板を作製した。又、前面基板をガラス基板上に真空蒸着
法によりCr電極(膜厚:0.2μm)を形成し、パタ
ーニングした後、同様に真空蒸着法によって絶縁層(誘
電体層:膜厚0.8μm)を形成して作製した。
【0025】前面ガラス基板の誘電体層上に、下記のコ
ーティング液をディップコーティング法によって室温、
大気中で塗布した後、120℃で1時間乾燥させた。乾
燥後、500℃のオーブン中で2時間熱処理(焼成)を
行った。熱処理後、水分を蒸発させるために上記温度で
ベーキングを施した。かくして、透明な酸化マグネシウ
ム含有層(保護層)が形成された。膜厚は0.3μmで
あった。
ーティング液をディップコーティング法によって室温、
大気中で塗布した後、120℃で1時間乾燥させた。乾
燥後、500℃のオーブン中で2時間熱処理(焼成)を
行った。熱処理後、水分を蒸発させるために上記温度で
ベーキングを施した。かくして、透明な酸化マグネシウ
ム含有層(保護層)が形成された。膜厚は0.3μmで
あった。
【0026】上記2種の基板をそれぞれの処理面を対向
させて貼り合わせ、Ne−Ar(1.1%)ペニングガ
スを500Torr封入して測定用パネルを作製した。
駆動周波数15KHzの駆動波形で、デューティ比23
%のパルスで最小点火電圧及び最小維持電圧を測定し
た。測定結果は、最小点火電圧(Vf)は180V、最
小維持電圧(Vsm)は150V、メモリーマージン
(Vf−Vsm)は30Vであった。
させて貼り合わせ、Ne−Ar(1.1%)ペニングガ
スを500Torr封入して測定用パネルを作製した。
駆動周波数15KHzの駆動波形で、デューティ比23
%のパルスで最小点火電圧及び最小維持電圧を測定し
た。測定結果は、最小点火電圧(Vf)は180V、最
小維持電圧(Vsm)は150V、メモリーマージン
(Vf−Vsm)は30Vであった。
【0027】コーティング液の調整 酢酸マグネシウム4水和物を減圧乾燥機を用い、120
℃で5時間乾燥して無水酢酸マグネシウムを得た。この
無水酢酸マグネシウム3部を、水97部に0.1部のヒ
ドロキシプロピルメチルセルロースを溶解した水溶液に
添加し、室温で3時間攪拌した。粒径が120nmの酢
酸マグネシウムのコロイド粒子が水に分散したコーティ
ング液が得られた。このコーティング液を室温で1日放
置したが、安定で酢酸マグネシウム粒子の沈降は観察さ
れなかった。
℃で5時間乾燥して無水酢酸マグネシウムを得た。この
無水酢酸マグネシウム3部を、水97部に0.1部のヒ
ドロキシプロピルメチルセルロースを溶解した水溶液に
添加し、室温で3時間攪拌した。粒径が120nmの酢
酸マグネシウムのコロイド粒子が水に分散したコーティ
ング液が得られた。このコーティング液を室温で1日放
置したが、安定で酢酸マグネシウム粒子の沈降は観察さ
れなかった。
【0028】比較例1 実施例1において、酸化マグネシウム膜からなる保護層
6を真空蒸着法により形成した点を除き、他は実施例と
同様にして面放電交流型PDPを作製した。真空蒸着機
は、電子ビーム蒸着機(日本真空技術(株)製 EX
−900−C16)を用いて、基板温度300℃、成膜
速度0.5nm/sの条件で成膜し、膜厚0.5μmと
した。最小添加電圧及び最小維持電圧の値は、実施例1
の同じ構造のパネルのこれらの値よりいずれも30V低
いものであったが、メモリーマージンはほぼ同等の30
Vであった。
6を真空蒸着法により形成した点を除き、他は実施例と
同様にして面放電交流型PDPを作製した。真空蒸着機
は、電子ビーム蒸着機(日本真空技術(株)製 EX
−900−C16)を用いて、基板温度300℃、成膜
速度0.5nm/sの条件で成膜し、膜厚0.5μmと
した。最小添加電圧及び最小維持電圧の値は、実施例1
の同じ構造のパネルのこれらの値よりいずれも30V低
いものであったが、メモリーマージンはほぼ同等の30
Vであった。
【0029】比較例2 実施例1において、酸化マグネシウム膜からなる保護層
6を、酸化マグネシウムのペーストをスクリーン印刷法
で塗布した点を除き、他は実施例と同様にして面放電交
流型PDPを作製した。上記で使用した酸化マグネシウ
ムのペーストは、平均一次粒子径が0.18〜0.25
μmの酸化マグネシウム粉末(宇部興産(株)製 UB
E2000A)をSi系バインダー(SiO2 10重
量部)中に26重量%の割合で分散させ、粘度7,00
0cps/25℃に調製したものを使用した。
6を、酸化マグネシウムのペーストをスクリーン印刷法
で塗布した点を除き、他は実施例と同様にして面放電交
流型PDPを作製した。上記で使用した酸化マグネシウ
ムのペーストは、平均一次粒子径が0.18〜0.25
μmの酸化マグネシウム粉末(宇部興産(株)製 UB
E2000A)をSi系バインダー(SiO2 10重
量部)中に26重量%の割合で分散させ、粘度7,00
0cps/25℃に調製したものを使用した。
【0030】又、印刷条件は、版ギャップ2.3mm、
スキージ押込み量1mm、スクレッパー押込み量1μm
とし、スクリーン版のメッシュは400、乳剤厚は10
μmとした。尚、焼成条件は、大気圧下において焼成温
度580℃で1時間とした。得られた保護層は不透明で
あり、膜厚は3.0μmであった。この面放電交流型P
DPの最小点火電圧は240V、最小維持電圧は175
Vであった。
スキージ押込み量1mm、スクレッパー押込み量1μm
とし、スクリーン版のメッシュは400、乳剤厚は10
μmとした。尚、焼成条件は、大気圧下において焼成温
度580℃で1時間とした。得られた保護層は不透明で
あり、膜厚は3.0μmであった。この面放電交流型P
DPの最小点火電圧は240V、最小維持電圧は175
Vであった。
【0031】
【発明の効果】以上の本発明によれば、従来の酸化マグ
ネシウム含有層形成に用いられるペーストの使用では実
現不可能であった膜厚2μm以下の酸化マグネシウム含
有層の形成が可能であり、交流型PDPの放電開始電圧
及び駆動電圧(消費電圧)の制御が促進されて消費電力
の大幅な低下とともにディスプレイ自体の厚さの薄化が
実現できるという効果が奏される。更に、本発明によれ
ば、コーティング法を使用することから、安価に大面積
の保護層を形成することができるので、大型カラーテレ
ビ(例えば対角40インチ等の)用のディスプレイを低
コストで製造することが可能である。
ネシウム含有層形成に用いられるペーストの使用では実
現不可能であった膜厚2μm以下の酸化マグネシウム含
有層の形成が可能であり、交流型PDPの放電開始電圧
及び駆動電圧(消費電圧)の制御が促進されて消費電力
の大幅な低下とともにディスプレイ自体の厚さの薄化が
実現できるという効果が奏される。更に、本発明によれ
ば、コーティング法を使用することから、安価に大面積
の保護層を形成することができるので、大型カラーテレ
ビ(例えば対角40インチ等の)用のディスプレイを低
コストで製造することが可能である。
【図1】 本発明の面放電方式の交流型PDPの概略構
造を示す断面図。
造を示す断面図。
【図2】 本発明の対向放電方式の交流型PDPの概略
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
1:前面基板 2:背面基板 3:放電空間 4:対電極 4a:X電極 4b:Y電極 5:誘電体層 6:保護層 7:アドレス電極 8:蛍光体 9:障壁
Claims (6)
- 【請求項1】 ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基
板が対向配置され、少なくとも一方の基板には誘電体層
に覆われた互いに対となる電極が夫々形成されると共
に、誘電体層上には保護層が形成されてなる交流型プラ
ズマディスプレイにおいて、前記保護層が、酢酸マグネ
シウム4水和物の一部及び/又は完全脱水物が水を主体
とする媒体にコロイド粒子として分散してなるコーティ
ング液を用いて誘電体層上に形成した塗膜層を加熱処理
してなる酸化マグネシウム含有層で形成されたことを特
徴とする交流型プラズマディスプレイ。 - 【請求項2】 酢酸マグネシウムコロイド粒子表面の少
なくとも一部が水酸化マグネシウムとなっている請求項
1に記載の交流型プラズマディスプレイ。 - 【請求項3】 コーティング液中のコロイド粒子の粒径
が3〜300nmである請求項1に記載の交流型プラズ
マディスプレイ。 - 【請求項4】 ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基
板が対向配置され、少なくとも一方の基板には誘電体層
に覆われた互いに対となる電極が夫々形成されると共
に、誘電体層上には保護層が形成されてなる交流型プラ
ズマディスプレイの製造において、前記保護層を酢酸マ
グネシウム4水和物の一部及び/又は完全脱水物が水を
主体とする媒体にコロイド粒子として分散してなるコー
ティング液を誘電体層上に塗布、乾燥して塗膜層を形成
させ、塗膜層を加熱処理して酸化マグネシウム含有層を
形成させることを特徴とする交流型プラズマディスプレ
イの製造方法。 - 【請求項5】 酢酸マグネシウムコロイド粒子表面の少
なくとも一部が水酸化マグネシウムとなっている請求項
4に記載の交流型プラズマディスプレイの製造方法。 - 【請求項6】 コロイド粒子の粒径が3〜300nmで
ある請求項4に記載の交流型プラズマディスプレイの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150484A JPH09312132A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150484A JPH09312132A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312132A true JPH09312132A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=15497893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8150484A Pending JPH09312132A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020070755A (ko) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2006244784A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Ube Material Industries Ltd | 交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層保護膜形成用の酸化マグネシウム微粒子分散液 |
| JP2007179782A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Ube Material Industries Ltd | 交流型プラズマディスプレイパネル用前面板 |
| JP2011246736A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Air Water Inc | 酸化マグネシウム膜の成膜方法、およびプラズマ生成電極の製造方法 |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP8150484A patent/JPH09312132A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020070755A (ko) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2006244784A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Ube Material Industries Ltd | 交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層保護膜形成用の酸化マグネシウム微粒子分散液 |
| JP2007179782A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Ube Material Industries Ltd | 交流型プラズマディスプレイパネル用前面板 |
| JP2011246736A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Air Water Inc | 酸化マグネシウム膜の成膜方法、およびプラズマ生成電極の製造方法 |
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